【課題】高い効率でレジストを除去することのできるレジスト除去装置およびレジスト除去方法を提供すること。
【解決手段】レジスト除去装置は、レジスト層が形成された基板を載置するための回転駆動される載置台と、当該載置台に載置される基板上に水を含有する光反応性処理液を供給するための処理液供給手段と、当該処理液供給手段によって基板上に供給された光反応性処理液よりなる液膜を介して当該基板におけるレジスト層に紫外光を照射するための紫外線ランプとを備えており、前記載置台に載置された基板におけるレジスト層上の各部分が、当該載置台の回転に伴って、前記紫外線ランプによって形成される照射領域および非照射領域を交互に通過することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理材に照射される真空紫外光の光強度分布を均一に調整して、被処理材を高均一に処理する。
【解決手段】真空紫外光を照射する光源と、被処理材を載置するステージと、前記ステージと光源の間に配置され、前記被処理材表面に照射される真空紫外光の面内光強度分布を補正する補正部材を備え、前記補正部材により面内における透過率を調整して前記被処理部材に均一な光強度を有する真空紫外光を照射する。 （もっと読む）

【課題】従来は塗布の前処理として洗浄を行う製造ラインにおいて洗浄工程から塗布工程の間に設備間の移動が必要であった。そのため洗浄後の清浄部に空気中に浮遊しているゴミをかみこみ、濡れ性不足、接着強度不足、信頼性の低下を招く恐れがあった。
【解決手段】本発明は、被照射部にスポット照射を行い清浄化する洗浄ヘッド２１と、前記洗浄ヘッドと被照射体の相対位置関係において前記洗浄ヘッド２１の進行方向の後ろ側に配された前記塗布ヘッド２２を具備する洗浄塗布装置である。係る発明を用いることで、洗浄工程後、清浄部に汚染物質が再付着する前に塗布工程を行うことができる。また、洗浄工程と塗布工程の間に搬送工程を含まず、一つの装置で洗浄塗布工程が行えるため、工程及び設備の簡易化が可能である。 （もっと読む）

【課題】 高い洗浄処理能力を得ることができ、しかも、結合エネルギーが高い化学結合を有する有機化合物についても確実に除去することができる照射装置を提供する。
【解決手段】 放電容器および一対の電極を有するエキシマランプと、エキシマランプにおける一方の電極に誘電体を介して対向するよう配置されたプラズマ放電用電極とを備え、エキシマランプにおける一方の電極およびプラズマ放電用電極を介してプラズマ発生回路が形成されてなり、エキシマランプにおける一対の電極間に印加される高周波電界によって放電容器内にエキシマ放電が発生されると共に、エキシマランプとプラズマ放電用電極との間にプラズマ発生用反応性ガスが流過された状態で、エキシマランプにおける一方の電極とプラズマ放電用電極との間に印加された高周波電界によってプラズマ放電が発生されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、放射される紫外線を遮光する反応生成物の固着を抑制した紫外線ランプ及び紫外線照射装置を提供することにある。
【解決手段】
第１の発明に係る紫外線照射装置は、紫外線ランプと、該紫外線ランプを内部に配置した筐体と、該紫外線ランプを該筐体と共に取り囲む平板状の光照射窓と、からなる紫外線照射装置において、該光照射窓の紫外線ランプに対向する面に対して反対側の面に金又は白金からなる薄膜を設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上のＩＴＯ表面を洗浄及び保護する方法を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバＰＣ１００の内部に載置された基板上のＩＴＯ表面にその表面の汚染物の分子の結合エネルギーより強いエネルギーを持つ光を光源から照射し、その照射中又は照射後、直ちに同一チャンバ内にてシランカップリングのガスを供給する。これにより、基板上のＩＴＯ表面を洗浄及び保護することができる。 （もっと読む）

【課題】被処理物の処理スピードを高め、しかもランプハウスへの白粉の付着によって処理ムラ等が発生することを防止できる紫外光洗浄装置を提供する。
【解決手段】ランプハウス３０には、紫外線ランプ３２群全体を四周から囲んで下面側を開放させた開放ハウジング３３が設けられている。開放ハウジング３３の天井部には、例えばステンレス板に１〜３ｍｍの孔を多数形成した多孔のガス拡散板３５を配置してあり、ここから清浄な窒素ガス（不活性ガス）を供給して、紫外線ランプ３２の周囲からワークＷの紫外線照射空間Ｘにかけて全体が窒素で満たされ、酸素がほとんど存在しない不活性ガス雰囲気に維持される。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】紫外光線を使用して、多孔質低誘電率半導体ウェハのような、基板を処理するシステム及び方法が開示されている。基板は、最初に、湿式処理モジュール内にて清浄化し、次に、減圧圧力及び１００℃以下、好ましくは８０℃以下の温度にて紫外線モジュール内にて乾燥させる。ロボット式モジュールが基板を湿式処理モジュールから紫外線モジュールまで搬送する。紫外線モジュールは、１７２ｎｍのインコヒーレントな真空紫外ＶＵＶ光線を提供するパルスキセノンエキシマーランプを含むことができる。 （もっと読む）