【課題】被処理材に照射される真空紫外光の光強度分布を均一に調整して、被処理材を高均一に処理する。
【解決手段】真空紫外光を照射する光源と、被処理材を載置するステージと、前記ステージと光源の間に配置され、前記被処理材表面に照射される真空紫外光の面内光強度分布を補正する補正部材を備え、前記補正部材により面内における透過率を調整して前記被処理部材に均一な光強度を有する真空紫外光を照射する。 （もっと読む）

【課題】凸版印刷などの印刷装置に用いられる刷版を作業性よく簡単に洗浄することができる刷版の洗浄装置及び洗浄方法を提供すること。
【解決手段】容器２の上方に刷版５を吊り下げるための吊り下げ保持部３を設け、刷版５の側部に設けられた被係止部６を吊り下げ保持部３の空間Ｔ内に挿入して吊り下げる。そして昇降手段によって刷版５を吊り下げ保持部３とともに下降させ、洗浄液Ｗに浸漬させることによって刷版５に付着したインキを溶出して除去する。その後、昇降手段により洗浄液Ｗから刷版５を取り出したならば、第２のモータＭ２を駆動して、フレーム４１をナット４３及びスライダ４４を介して水平方向に往復移動させる。このとき、ノズル４２から洗浄水を刷版５の印刷表面に向かって噴射させながらフレーム４１を往復移動させる。これにより、刷版５に残存するインキを除去する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面に微細な凹凸パターンを有するシリコンウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するためのシリコンウェハ用洗浄剤を提供することを課題とする。
【解決手段】シリコンウェハ用洗浄剤は少なくとも水系洗浄液と、洗浄過程中に凹凸パターンの少なくとも凹部を撥水化するための撥水性洗浄液とを含み、該撥水性洗浄液は、シリコンウェハのＳｉと化学的に結合可能な反応性部位と疎水性基を含む撥水性化合物と、含窒素化合物溶媒を含む有機溶媒とが混合されて含まれるものであり、該撥水性化合物は、該撥水性洗浄液の総量１００質量％に対して０．１〜５０質量％となるように混合されて含まれ、さらに、該含窒素化合物溶媒は、窒素に結合する元素が炭素であるものとすること。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波を使用する減圧処理容器内での昇華物再付着防止。
【解決手段】 減圧処理容器内部に、マイクロ波励起無電極ランプを挿入できる構成を設け、プラズマ生成用のマイクロ波発振器を使用し、第1の工程でプラズマを励起せず、ＵＶ発光によるオゾンクリーニングを実施し、第2の工程で処理対象物を入れ、通常のプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】紫外線を安定的に照射することができ、且つ紫外線照射時の熱の発生を抑えることができるドライ洗浄装置を提供する。
【解決手段】本発明のドライ洗浄装置は、半導体ウエハ等の被洗浄物が収容される反応容器１１の内部に紫外線を照射する発光ダイオード１４と、前記反応容器１１内にオゾンを含む洗浄用ガスを導入するガス導入手段を備えている。発光ダイオード１４が発光する紫外線は強度が安定しているため、被洗浄物の表面を斑なく洗浄することができる。また、発光ダイオード１４は、発光する紫外線照度の立ち上がりが早いため、洗浄装置１０の処理能力を高めることができる。さらに、発光ダイオードは紫外線ランプに比べて輝度を容易に調整することができる。さらにまた、発光ダイオードは熱の照射が極めて少ないため、被処理物が熱で変形することがなく、材料選択の自由度が大きい。 （もっと読む）

【課題】エキシマランプの放電容器が不意に破損しないように、エキシマランプの点灯の可否を判断する方法を提供する。
【解決手段】放電容器１０内に形成された密閉空間に放電ガスが封入されると共に、当該密閉空間１０を挟んで一対の電極１７，１８が前記放電容器１０の外表面に形成され、前記放電容器１０の内面に前記密閉空間内に発生した紫外線を光出射方向に向けて反射する紫外線反射膜が形成されたエキシマランプ１において、前記放電容器１０が被処理体Ｗから遠ざかる方向に変形することを規制することにより生じる負荷を圧電素子３で電気信号に変換し、該負荷に対応する実測値と前記放電容器に割れが生じる危険性を有する水準の負荷に対応する基準限界値とを対比して、前記エキシマランプ１の点灯の可否を判断する。 （もっと読む）

【課題】被処理物表面に対する親水化の処理効率を向上させる。
【解決手段】第１プラズマ生成部１１の第１電極１２，１２間に略大気圧の第１の放電空間１５を形成し、そこに第１処理ガスの窒素（Ｎ_２）を通してプラズマ化し、紫外領域の発光性を付与する。一方、第２空間形成部２１の第２空間２５で第２処理ガスの酸素（Ｏ_２）をオゾン化又はラジカル化して酸化能を付与又は強化する。第１放電空間１５を通過後の第１処理ガスを噴出部３０の第１噴出路３３から処理位置Ｐへ噴き付けるとともに、第２空間２５からの第２処理ガスを処理位置Ｐの近傍で前記第１処理ガスと合流させながら処理位置Ｐへ噴き付ける。第１放電空間１５を、第２空間２５より処理位置Ｐの近くに配置する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の裏面端部や側面に付着した膜（汚染物質）を除去することを可能にする汚染物質除去方法等を提供する。
【解決手段】本発明の汚染物質除去方法は、表面に薄膜が形成された被処理基板７の裏面縁部及び側面に対して、真空中において、指向性を有するビームを照射することを含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン製若しくはガラス製の基板表面、または基板表面に形成された無機系被膜表面に強固に付着している無機系の異物を表面粗さの増加を抑えながら容易に除去することができ、しかも一度除去された異物が基板表面に再付着することが防止された異物除去方法の提供。
【解決手段】シリコン製若しくはガラス製の基板表面または該基板表面に形成された無機系被膜表面から無機系異物を除去する方法であって、前記基板材料、前記無機系被膜材料および前記無機系異物のうち少なくとも１つに対して０．０１／ｃｍ以上の光吸収係数となる波長域の光線を、酸素若しくはオゾン含有雰囲気下にて前記基板表面若しくは前記無機系被膜表面に照射量１０Ｊ／ｃｍ²以上で照射した後、負の表面電位を有する前記基板表面若しくは前記無機系被膜表面にｐＨ≦６の酸性溶液を曝すことを特徴とする基板表面若しくは該基板表面に形成された無機系被膜表面から無機系異物を除去する方法。 （もっと読む）

【課題】高い処理能力を得ることができる，基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを収納し，内部で基板を処理する処理容器２と，処理容器２内に収納された基板Ｗを加熱するヒータ２０と，処理容器２内に水蒸気を供給する水蒸気供給手段５と，処理容器２内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段７と，処理容器２内にＮ_２ガスを供給するＮ_２ガス供給手段９と，処理容器２内を排気する排気管２３と，この排気管２３に設けられた流量コントローラ７１と，処理容器２内を加圧するように流量コントローラ７１を制御する制御部２１と，を備えていることを特徴とする，基板処理装置１である。 （もっと読む）

【課題】 基板から残渣を除去する方法を提供することである。
【解決手段】 エッチングプロセス中に形成されるフォトレジストおよびエッチング残渣を除去するエッチング後の処理システムを使用する方法は、記載されている。たとえば、エッチング残渣は、ハロゲンを含む材料を含むことができる。エッチング後の処理システムには、真空チャンバ、真空チャンバに結合されたラジカル発生システム、ラジカル発生システムに結合され、基板より上に反応性のラジカルを分配するように構成されたラジカルガス分配システム、および真空チャンバに結合されるように構成された高温の台が設けられ、基板を支持するように構成されている。方法は、Ｎ_ｘＯ_ｙベースのプロセスガスをラジカル発生システムに導入することを具備する。 （もっと読む）

【課題】 エッチング後の処理システムのためのガス分配システムを提供することである。
【解決手段】 エッチングプロセス中に形成されるフォトレジストおよびエッチング残渣を除去するエッチング後の処理システムは、記載されている。たとえば、エッチング残渣は、ハロゲンを含む材料を含むことができる。エッチング後の処理システムには、真空チャンバ、真空チャンバに結合されたラジカル発生システム、ラジカル発生システムに結合され、基板より上に反応性のラジカルを分配するように構成されたラジカルガス分配システム、および真空チャンバに結合されるように構成された高温の台が設けられ、基板を支持するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】一実施形態では、基板を処理する方法を提供する。方法は、基板の表面に溶液を供給するステップを含む。光等のエネルギを溶液に加えることによる溶液の解離により、少なくとも一つの反応化学種が生成される。前記基板上の第一の材料を反応させ、反応させた第一の材料を除去する。基板を処理するシステムについても説明する。 （もっと読む）