Fターム[5F157AC12]の内容

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Fターム[5F157AC12]に分類される特許

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【課題】カスケード方式の洗浄装置における菌体の繁殖を簡易な手段で防止することができ、被洗浄物の洗浄効率を向上させることができる洗浄装置及び方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板1がローラー2で搬送され、ジェット洗浄ノズル3及び最終リンスノズル4で洗浄される。最終リンスノズル4に純水が供給される。最終リンスノズル4からの洗浄排水がタンク7に流入し、ポンプ9からノズル3に供給される。タンク7内の菌体数が増加した場合、タンク7内の水をオゾン水供給装置12に循環通水し、タンク7内にオゾン水を供給し、殺菌する。 (もっと読む)


【課題】被処理材に照射される真空紫外光の光強度分布を均一に調整して、被処理材を高均一に処理する。
【解決手段】真空紫外光を照射する光源と、被処理材を載置するステージと、前記ステージと光源の間に配置され、前記被処理材表面に照射される真空紫外光の面内光強度分布を補正する補正部材を備え、前記補正部材により面内における透過率を調整して前記被処理部材に均一な光強度を有する真空紫外光を照射する。 (もっと読む)


【課題】高純度な処理液を基板に供給することができる処理液供給装置および処理液供給方法を提供する。
【解決手段】処理液供給装置3は、鉛直方向に沿って配置され、下端部の径が小さくなるように形成された円筒状の処理液容器8を備える。処理液容器8の内部には処理液が貯留され、下端部は処理液が吐出される処理液吐出口12となっている。処理液容器8の上部には、配管13が接続されており、配管13を介して負圧源としての真空装置(図示せず)が接続され、配管13には処理液容器8内に気体(たとえば大気)を導入するための気体導入配管14が分岐接続されている。処理液容器8に貯留された処理液は、処理液容器8に気体を導入することによって重力落下により基板Wに吐出され、処理液容器8への気体の導入を停止することによって処理液の吐出が停止される。 (もっと読む)


【課題】 均一で高密度且つ大面積のプラズマを安定的に生成することが可能であるプラズマ発生源及びプラズマ発生装置、並びにこのプラズマ発生装置を利用した成膜装置、エッチング装置、アッシング装置、表面処理装置を提供すること。
【解決手段】 絶縁体上方に配置された電極及び磁石と、前記電極に接続された交流電源を備えており、前記電極は、対向配置された一対の櫛型状電極からなり、
前記一対の櫛型状電極は、櫛歯状部が互いに平行に且つ交互に配置され、該櫛歯状部間に前記磁石が配置されており、前記電極からの電界と前記磁石からの磁界によりプラズマ生成用ガスをプラズマ化することを特徴とする磁場付容量結合プラズマ発生源とする。 (もっと読む)


【課題】キャピラリ内でのパーティクルの発生を防止できるドライアイススノー洗浄装置を提供する。
【解決手段】供給源から供給された液化炭酸ガスを膨張させ冷却させるオリフィス3と、上記オリフィス3から噴射ノズル1に至るキャピラリ2と、上記キャピラリ2が接続されてドライアイススノーを噴射する噴射ノズル1と、上記噴射ノズル1に対してドライアイススノーの噴射ガスを供給する噴射ガス供給管4とを備え、上記キャピラリ2における噴射ガス供給管4の合流部よりも上流側の部分に、キャピラリ2を外側から加温する加温手段を設けたことにより、キャピラリ2内面をドライアイスの温度よりも高い温度に保ってキャピラリ2内面に薄いガス層を形成し、固体のドライアイスがキャピラリ2内面に衝突することを防止してパーティクルの発生を防止する。 (もっと読む)


【課題】処理液による処理をウェーハの被処理面に対して均一に、且つ、処理の長時間化を抑制しながら行うことができる。
【解決手段】内部に処理液3を貯留し、処理液3によりウェーハ4の被処理面4aに対する処理が行われる処理槽2を備える。処理槽2内の処理液3に被処理面4aが浸漬されるように、被処理面4aを下向きにしてウェーハ4を保持する保持部5を備える。処理液3を処理槽2内へ供給する供給手段(例えば、循環ポンプ6及び供給配管7)と、回転することによって処理槽2内の処理液3を撹拌する回転部材(例えば、スターラ21)を備える。供給手段は、ウェーハ4の被処理面4aに向かう上向きの噴流20が処理槽2内に形成され、且つ、処理槽2の上端2aから処理液3がオーバーフローするように、処理液3を処理槽2内へ供給する。回転部材は、噴流20の経路を避けて配置されている。 (もっと読む)


【課題】基板を支持して基板を回転させるスピンヘッドとこれを有する基板処理装置及び基板支持方法を提供する。
【解決手段】スピンヘッドは、本体、本体上に設置されて基板を支持する支持位置と基板のローディング/アンローディングするための空間を提供する待機位置との間で移動する複数のチャックピン、及び複数のチャックピンを移動させるチャックピン移動ユニットを備える。チャックピン移動ユニットは、チャックピンが結合される回転ロッド、回転ロッドを本体に固定する軸ピン、及びチャックピンが支持位置から待機位置へ移動するように軸ピンを回転軸として回転ロッドを回転させる駆動部材を含む。回転ロッドは、本体が回転する時に逆遠心力によってチャックピンに待機位置から支持位置に向かう方向に力を加えるように提供される。複数のチャックピンは、第1ピンと第2ピンを有し、第1ピンと第2ピンは、工程進行の時に基板を交叉チャッキングする。 (もっと読む)


【課題】被処理物の外側に位置する保護部の交換頻度を少なくするため、保護部の長寿命化を図るプラズマ処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】内部を真空とすることが可能な処理室1に、被処理物Sを載置する載置部3と、ガスを供給するためのガス供給部2とを備えたプラズマ処理装置において、載置部3は、被処理物Sの外周側に配置されたマスクリング33を有し、ガス供給部2は、被処理物Sの上部に位置し、プラズマ処理用のガスを供給する中心側開口部22a、中間開口部22bと、マスクリング33の上部若しくは外側に位置し、マスクリング33に堆積物を生じさせるガスを供給する外周側開口部22cとを有する。 (もっと読む)


【課題】基板表面に対するダメージの発生及び処理力の低下を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置1において、被処理面を有する基板Wを保持して回転させる回転機構5と、回転機構5により回転する基板Wの被処理面に対して処理液を供給する供給ノズル6と、供給ノズル6を基板Wの周縁に向かって並ぶ複数の供給位置に順次移動させる移動機構7と、被処理面上の処理液の液膜厚を測定する測定部8と、測定部8により測定された液膜厚に応じて、複数の供給位置毎に基板Wの回転数を変更し、被処理面上に形成された液膜厚が一定になるように基板Wの回転数を制御する手段とを備える。 (もっと読む)


【課題】大口径化したシリコンウェーハであっても、装置が過剰に巨大化せず、かつ使用薬液量も口径の割には低減できる洗浄方法および装置を提供する。
【解決手段】下方から斜め上方へ吹き出す水流によりシリコンウェーハを洗浄液中で浮遊かつ移動させて、移動の間に洗浄する、シリコンウェーハの洗浄方法。洗浄槽と該洗浄槽の底部に水流をシリコンウェーハの移動方向に吹き出す、複数の吹き出し口を、シリコンウェーハの移動方向に少なくとも一列に配して有し、シリコンウェーハの入口側から出口側にシリコンウェーハを浮遊移動させながら洗浄するためのシリコンウェーハ洗浄装置。 (もっと読む)


【課題】 洗浄の高速化に確実に対応でき、しかも洗浄時の装置の振動を抑制でき、均一で効率的な洗浄を可能にする高圧水噴射洗浄装置を提供する。
【解決手段】 ケーシング33の先端に高圧水噴射ノズルnを設けたホルダー30を備え、ケーシング33の内部に回転自在に支持した支持軸27を設け、この支持軸27の先端側に軸心のずれた偏心部を形成し、この偏心部と前記支持軸27とに軸受面が揺動可能な軸受26を設け、この軸受26に前記ホルダー30の基部側を回転自在に支持し、ホルダー30に高圧水チューブ31を連結した高圧水噴射洗浄装置であって、高圧水噴射ノズルnに3つの高圧水噴射孔nkを設けている。 (もっと読む)


【課題】安定したエッチングレートを得ることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマエッチング方法は、スパッタ用のターゲット材30が設置されたプラズマチャンバ内で、表面にマスクパターンが形成された基板Wをエッチングし、基板のエッチングの途中またはエッチング後に、プラズマチャンバ内で酸素系ガスのプラズマを発生させて、ターゲット材30の表面をアッシングする。ターゲット材の表面のアッシング工程は、プラズマチャンバ内で生成され、かつターゲット材の表面に付着した各種反応生成物の除去を目的とする。本発明では、このアッシング工程をエッチング途中またはエッチング後に実行することによって、ターゲット材の表面に堆積した反応生成物のスパッタ作用に起因するエッチングレートの低下を防止し、安定したエッチングレートを得ることができる。 (もっと読む)


【課題】処理液の液密空間への気体の混入を抑制または防止して、基板の一方面の全域に、処理液を用いた処理を均一に施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】上処理空間41および下処理空間42にそれぞれIPA液が供給される。空間41,42に供給される薬液によって、空間41,42に元から存在する空気は、空間41,42外に押し出される((a)参照)。空間41,42がIPA液により液密状態にされた後((b)参照)、空間41,42に薬液が供給される((c)参照)。空間41,42が液密状態に維持されつつ、空間41,42内のIPA液が薬液に置換されていく。その後、空間41,42が薬液により液密状態にされて、ウエハWの上面および下面が薬液により洗浄される((d)参照)。 (もっと読む)


【課題】処理液感知器を有するバルブ、これを利用する基板処理装置及び基板処理方法が提供される。
【解決手段】前記バルブは、本体、入口、出口、シャッタ及び感知器を含む。前記本体の内部には、基板の処理液が移動する通路が備えられる。前記入口は前記通路の一端部に連結され、前記本体の内部に前記処理液が流入する。前記出口は前記通路の他の端部に連結され、前記本体の外部に前記処理液が流出する。前記シャッタは、前記入口と前記通路を連結する領域で、前記通路を開放または遮断する。前記感知器は、前記通路を移動する前記処理液に接触するように前記本体に結合され、前記処理液の成分を感知する。 (もっと読む)


【課題】処理槽の内部において硫酸と過酸化水素とを効率よく混合させ、処理槽の内部にCaro酸を多量かつ均一に生成することにより、基板の表面から有機膜を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、内槽11の内部に硫酸成分を含む液体を吐出する吐出管36a,36bと、吐出管36a,36bから吐出される液体に向けて過酸化水素水を吐出する吐出管55a,55bとを備えている。このため、硫酸と過酸化水素水とを効率よく混合させることができ、それにより、処理槽10の内部においてCaro酸を多量かつ均一に生成することができる。したがって、基板Wの主面からフォトレジスト膜を良好に剥離することができる。 (もっと読む)


【課題】照射効率の高い超音波照射装置を提供する。
【解決手段】音響レンズ32の内周部を円弧状に形成するとともに、外周部を内周部に沿って屈曲した多面体で構成し、外周部の各面36A、36B、36Cに平板状に形成された超音波振動子34A、34B、34Cを取り付ける。これにより、音響レンズ32の厚さ変化を少なくすることができ、超音波の透過効率を高めて、照射効率を高めることができる。 (もっと読む)


【課題】処理槽内の処理液の比重値を算出するためのガスの配管にシリカが析出することを防止することができ、比重値が正確に計測され、エッチングレートの安定した半導体製造装置を提供する。
【解決手段】加熱した処理液に基板を浸漬して基板の表面処理を行う半導体製造装置において、前記処理液を貯留する処理槽1と、前記処理液中の所定深さからガスを放出し、その放出圧力から前記処理液の液圧を検出する圧力検出部53と、前記検出された液圧に基づき前記処理液の比重を算出する比重算出部54と、前記処理液中に放出されるガスを加熱するヒータ55と、前記算出された比重に基づいて前記処理槽への純水供給量を制御するコントローラ51と、を備える。 (もっと読む)


【課題】製造中に生じる半導体デバイスの欠陥、特にパターンのつぶれを、スループットを犠牲にすることなく低減するための方法とそのための処理溶液を提供すること。
【解決手段】1種以上の界面活性剤を含む処理溶液を使用して、半導体デバイス製造時の欠陥数を低減する。この処理溶液は、特定の好ましい態様において、パターニングしたホトレジスト層の現像の際又はその後でリンス液として使用すると、パターンのつぶれのような現像後の欠陥を低減することができる。 (もっと読む)


【課題】基板にウォーターマークが発生することを防止でき,かつ,低コストを図ることができる基板処理方法,記録媒体及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数種類の薬液を用いて基板Wを処理した後,基板Wを乾燥させる方法であって,第一の薬液で処理する第一の薬液処理工程と,前記第一の薬液処理工程の後に第二の薬液で処理する第二の薬液処理工程と,前記第二の薬液処理工程の後に基板Wを乾燥させる乾燥処理工程とを行い,少なくとも前記乾燥処理工程において,基板Wの周囲の湿度を前記第一の薬液処理工程時よりも低減させる。 (もっと読む)


【課題】基板処理メニスカスによって残される入口マークおよび/または出口マークを低減させるためのキャリア
【解決手段】上側および下側のプロキシミティヘッドによって形成されるメニスカスによって処理されている基板を支えるためのキャリアについて説明される。キャリアは、基板を受ける大きさの開口と、該開口内において基板を支えるための複数の支持ピンとを有するフレームを含む。開口は、基板と開口との間にギャップが存在するように基板よりわずかに大きくしてある。基板上の入口マークおよび/または出口マークの大きさと頻度とを低減させるための手段が提供され、該手段は、メニスカスからの液体をギャップから立ち退かせることを補助および促進する。入口マークおよび出口マークの大きさと頻度とを低減させるための方法も、提供される。 (もっと読む)


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