【課題】取出し時の膜材料の付着や、ガラス基板保持部に付着した膜材料のガラス基板への転写を抑制することができるＥＵＶマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１０の裏面側を保持する基板保持部２０と、ガラス基板１０の側面全周、基板保持部２０の側面全周のうち、基板保持部２０の上端を含めた高さ方向における少なくとも一部、および、ガラス基板１０の成膜面の外縁部を覆うことができ、搬出入用の開口部を有し、搬出入時の位置と、成膜時の位置と、の間を上下方向に移動可能である遮蔽部３０と、ガラス基板１０または製造後のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの搬出入用のアームと、を有し、搬出入用の開口部、ガラス基板１０および搬出入用のアームが所定の条件を満たすスパッタリング装置を用いて、ガラス基板上に反射層および吸収層を成膜するＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】転写用マスクの黒欠陥の発生を抑制することのできるマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に転写パターンを形成するための薄膜を備えたマスクブランクの製造方法であって、前記薄膜は、ドライエッチングが可能な材料からなり、前記薄膜の表面に、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂよりも高く、ｐＨが８以上である第１の処理液を用いて表面処理を行う第１処理工程と、前記第１処理工程後、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂ以下であり、ｐＨが８以上である第２の処理液を用いて表面処理を行う第２処理工程と、前記第２処理工程後、エッチング阻害要因物質の濃度が０．３ｐｐｂ以下であり、ｐＨが６より大きく８未満である第３の処理液を用いて表面処理を行う第３処理工程と、を有することを特徴とするマスクブランクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】短時間の圧力変動による影響が抑制されたＥＵＶＬ用マスク（マスクブランクス）の製造装置の提供。
【解決手段】ＥＵＶリソグラフィ用反射型マスク（マスクブランクス）の製造装置２０は、クリーンルーム１０のワーキングエリア１１に導入された清浄空気を超清浄化空気として製造装置２０内に導入するファンフィルタユニット２５、搬出入用の開口部２４、排気用の開口部２６を有し、製造装置２０内で超清浄化空気の流通方向において、搬出入用の開口部より下流側、かつ、排気用の開口部よりも上流側の位置に、呼吸機構用の開口部２７が設けられ、製造装置２０内の圧力と、クリーンルーム１０のワーキングエリア１１内の圧力との圧力差の変動に応じて、製造装置２０への清浄空気の導入または排気を行う呼吸機構を有するＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクまたはＥＵＶリソグラフィ用反射型マスクブランクスの製造装置。 （もっと読む）

【課題】 マスク作製にかかるコストや時間の増大を極力抑えつつ、多層膜の位相欠陥等であってもウエハ上の共通欠陥を消失させることができ、パターン寸法精度の向上をはかる。
【解決手段】 反射型マスクを用いた露光方法であって、所望パターンが形成された第１の反射型マスクＡを用いて、試料上にパターン露光を行う工程と、第１の反射型マスクＡの欠陥１３に相当する位置に反射膜のパターン１５を形成した第２の反射型マスクＢを用いて、試料上に補正露光を行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】原版へのパーティクルの付着の防止に有利な技術を提供する。
【解決手段】パターンが形成されたパターン領域を有する原版を用いて、前記パターンを基板に転写するリソグラフィ装置であって、前記原版を保管するストッカと、前記パターンを前記基板に転写する転写処理を行う処理部と、前記ストッカと前記処理部との間で前記原版を搬送する搬送機構と、を有し、前記搬送機構は、前記パターン領域を覆うように配置されることにより、前記パターン領域を保護する保護プレートと、前記保護プレートに配置され、前記原版の前記パターン領域以外の部分を介して前記原版を保持する保持部と、を含むことを特徴とするリソグラフィ装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成した液膜を冷却し凝固させる基板処理装置および基板処理方法において、ノズルに霜が付着するのを抑制し、霜に起因する基板の汚染を防止する。
【解決手段】基板上から側方に退避した退避位置において、冷却ガスノズル３のガス吐出口３０に対して上面３７ａが平面となった整流部材３７を近接対向配置し、ガス吐出口３０から少量の冷却ガスを吐出させる。不使用時にも冷却ガスを吐出させるアイドリングを行っておくことにより、ノズルの温度上昇を抑制し必要時に直ちに冷温の冷却ガスを吐出させることができる。また、アイドリング時に整流部材３７を配置し、ガス吐出口３０周りの隙間から冷却ガスを吹き出させることにより、高湿度の周囲雰囲気がノズル内に侵入するのを抑制し、ノズル内に下が付着するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】処理液中に含まれるナノオーダーの微小なパーティクルを、効率よく除去する。
【解決手段】現像液ノズル１４２に現像液を供給する現像液供給装置１９０は、現像液貯槽２０１から現像液ノズル１４２へ現像液を供給するための現像液供給管２０２と、現像液供給管２０２に設けられ、現像液供給管２０２中の現像液に直流電圧を印加する電極２１２と、電極２１２に対して、極性反転自在に直流電圧を印加する電源ユニット２１３と、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源２１６と、現像液供給管２０２に接続され、洗浄液供給源２１６から現像液供給管２０２に洗浄液を供給するための洗浄液供給管２１５と、現像液供給管２０２における電極２１３が設けられた位置を通過した洗浄液を、現像液供給管２０２から排出する廃液管２２０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】バッファ機能と反転機能とを統合運営できるバッファユニット、基板処理設備、及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明によるバッファユニット４０００は、ベースプレート４１１０と、ベースプレート４１１０に互いに離隔されて設置される第１垂直プレート４１２０と第２垂直プレート４１３０とを有するフレーム４１００と、フォトマスクＭが置かれ、第１及び第２垂直プレート４１２０，４１３０間に反転自在に設置される第１バッファ４２００と、及び第１及び第２垂直プレート４１２０，４１３０の外方に設置され、第１バッファ４２００に置かれるフォトマスクをグリップし、反転されるように第１バッファ４２００を駆動させる駆動部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】保管ケースからのアウトガス成分のフォトマスク用合成石英ガラス基板及びフォトマスクブランクへの吸着を防ぎ、同時に、基板等表面への微小異物の固着を抑える。
【解決手段】
フォトマスク用合成石英ガラス基板又はフォトマスクブランクの保管方法であって、保管ケースを用意することと、セルロース系不織布に包装された吸着剤を前記保管ケースの内部に設置することと、前記フォトマスク用合成石英ガラス基板又はフォトマスクブランクを、前記保管ケース内に収納することを含むフォトマスク用合成石英ガラス基板又はフォトマスクブランクの保管方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 マスクブランク用基板の洗浄時に、ガラス基板内部に潜傷が発生することを抑制でき、しかも基板主表面に存在するパーティクルを確実に排除できるマスクブランク用基板等の基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】 液体中に配置された基板の少なくとも一つの表面に向かって、気泡又は洗浄用粒子を含む加圧した洗浄液体を噴射ノズルから噴射し、前記基板の少なくとも一つの表面を洗浄することを含むことを特徴とする、基板の洗浄方法である。 （もっと読む）

【課題】マスクの微小黒欠陥の発生要因となるマスクブランクの欠陥検査では検出されない潜在化したマスクブランクにおける欠陥の発生を抑制するマスクブランクの表面処理方法等を提供する。
【解決手段】基板上に転写パターンとなる薄膜を有するマスクブランクの表面に処理液を用いて表面処理を行うマスクブランクの表面処理方法であって、前記薄膜は、イオン主体のドライエッチングが可能な材料からなり、前記処理液に含まれるエッチング阻害物質の濃度が、０．３ｐｐｂ以下である。 （もっと読む）

【課題】洗浄後の欠陥の発生が極めて少ないフォトマスク関連基板を得られる洗浄方法及び洗浄装置提供することを目的とする。
【解決手段】フォトマスク関連基板の洗浄方法において、少なくとも、前記フォトマスク関連基板の表面の異物をあらかじめ除去する前処理工程と、該前処理工程の後に前記フォトマスク関連基板にＵＶ光を照射するＵＶ照射工程と、該ＵＶ照射工程の後に前記フォトマスク関連基板を湿式で洗浄する湿式洗浄工程とを行うことを特徴とするフォトマスク関連基板の洗浄方法。 （もっと読む）

【解決手段】露光光に対して透明な基板上に、珪素と窒素と酸素とを含み、該酸素の含有量が７ａｔ％以上３０ａｔ％以下である光機能性膜を、酸素含有ガスを含む雰囲気中でスパッタ成膜し、スパッタ成膜後、得られた光機能性膜を、該光機能性膜上に他の膜が積層されていない状態で、酸素含有ガスを含む雰囲気中で熱処理して得られたフォトマスクブランクを用いてマスクパターンを形成したフォトマスクを用いて、マスクパターンを転写する。
【効果】本発明のフォトマスクブランクから得られるフォトマスクを用いることで、ステッパーやスキャナーで長期間使用していても、フォトマスクを構成する窒素を含有する膜から放出される成分に起因して生成するアンモニアを含む物質（例えば、硫酸アンモニウム等）に由来する欠陥の発生を少なくすることができ、フォトリソグラフィー法を用いた半導体回路製造時の歩留低下を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 パターン部材上に固形物が残存することのない塵の除去を可能とするパターン部材洗浄方法及び洗浄装置を提供すること。
【解決手段】 基板上にパターンが形成されたパターン部材に付着した塵を除去するパターン部材洗浄方法であって、前記パターン部材のパターン形成面に、冷却により固化可能な液状塵除去材料を付与する工程、前記液状塵除去材料を冷却し、固体又はゲル状の塵除去層を形成する工程、及び前記塵除去層を、前記パターン部材に付着した塵とともに除去する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パターン形成用薄膜の際、どのプロセスで欠陥が発生したのかを正確に特定することができるマスクブランクの欠陥分析方法を得る。
【解決手段】基板上に成膜された薄膜に対する検査によって異物の存在が確認されたマスクブランクの欠陥分析方法であって、前記薄膜の表面が露出した状態で、走査型電子顕微鏡を用いて前記異物の形状を観察する工程と、前記異物を除去する工程と、前記異物を除去することによって前記薄膜の表面に形成された凹部の深さを、走査型プローブ顕微鏡を用いて測定する工程と、前記異物の形状及び前記凹部の深さから、前記薄膜を成膜する工程における前記異物が付着した時期を特定する工程とを含むことを特徴とする、マスクブランクの欠陥分析方法である。 （もっと読む）

【課題】ウエハー又はレチクルと協働して拡散バリアを与える最小の接触を含む支持構造及び環境制御手段を与える容器において、ウエハー又はレチクルの面上に置かれる微粒子を軽減する。
【解決手段】容器は、突起物を伴う平坦で研磨された表面を有するベースを含み、ウエハー或いはレチクルはこの突起物上に設置される。突起物は、ウエハー又はレチクルと最小の接触を与えるとともにウエハー又はレチクルをベースに浮かせる球としての配置を有し、それらの間にギャップを与える。このギャップは、ウエハー又はレチクルをベースの平坦で研磨された表面から分離するとともに微粒子のギャップへの移動を防止し、それによってウエハー又はレチクルの高感度面の汚染を防止する。拡散フィルタは、ろ材なしで圧力均一化を与える。トップカバー上の移動可能なレチクルのピンはレチクルを規定する。二重ポッドの実施態様によってさらなる分離及び保護が得られる。 （もっと読む）

【課題】裏面洗浄の際に洗浄液が基板裏面に付着するのを抑制して洗浄効率の向上を図れるようにすると共に、装置の小型化を図れるようにする。
【解決手段】基板Ｇを水平状態に保持する基板保持部１０、基板保持部を鉛直軸回りに回転する回転駆動部２０、基板保持部にて保持された基板の裏面に洗浄液を吐出する洗浄液供給部５０とを具備する基板洗浄装置において、基板保持部は、基板を支持する支持部材１４を立設する環状部材１３と、回転駆動部に連結される中空回転軸１１の頂部に設けられるボス部１２と、ボス部と環状部材とを連結する複数の中空状スポーク１６と、を具備する。洗浄液供給部は、洗浄液供給源５３に接続され、中空回転軸内に遊貫される洗浄液供給筒軸５１と、洗浄液供給筒軸内を流れる洗浄液をスポークの中空部１６ａに案内すべくボス部に設けられる連通流路５４と、スポークの軸方向に沿って設けられる複数の裏面洗浄ノズル５５とを具備する。 （もっと読む）

【課題】マスクブランク用基板の洗浄時に、超音波を印加した洗浄水を用いた洗浄方法を適用した場合でも、ガラス基板内部に潜傷が発生することを抑制でき、しかも基板主表面に存在するパーティクルを確実に排除できるマスクブランク用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のマスクブランク用基板の製造方法は、ガラス材料からなる基板の表面に向かって、周波数が１．５ＭＨｚよりも高い超音波が印加された洗浄水を当てて基板の表面を洗浄する洗浄工程を有する。 （もっと読む）

【課題】簡便にＥＵＶマスクの汚染を防止することができる汚染防止装置、汚染防止方法、並びにそれを用いた露光装置、パターン付きウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる汚染防止装置は、波長１６６ｎｍ以下の真空紫外光を発生する光源と、光源からの真空紫外光のビームをＥＵＶ露光装置１０１内に収容されたＥＵＶマスク１０８に対して照射させる光学系（ミラー１０４ａ、１０４ｂ等）と、を備えるものである。光源としては、フッ素分子レーザを出射するレーザ発振器１１０や、アルゴンダイマー、クリプトンダイマー、あるいはフッ素分子からの自然放出増幅光を出射するＶＵＶ−ＡＳＥ発生装置２１０を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットに起因する異物低減可能なＥＵＶマスクブランクスの製造方法の提供。
【解決手段】基板１１上にＭｏ／Ｓｉ多層反射膜１２、保護層１３としてＲｕ膜またはＲｕ化合物膜を、イオンビームスパッタリング法を用いて実施し、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜１２のＳｉ膜成膜時、および、Ｒｕ膜またはＲｕ化合物膜成膜時に、ターゲット角度、プロセスガス種類、プロセスガス圧力、イオンソースのＲＦパワー、サプレッサ電圧、イオンビーム電圧、および、イオンビーム電流をほぼ同一とし、Ｓｉ膜成膜に使用したスパッタリングターゲットのエロージョン領域に基づき、Ｒｕ膜またはＲｕ化合物膜成膜に使用するスパッタリングターゲットのエロージョン領域、非エロージョン領域を予測し、ＲｕターゲットおよびＲｕ化合物ターゲットの予測される非エロージョン領域に粗面化処理を施してから、Ｒｕ膜またはＲｕ化合物膜成膜を実施する。 （もっと読む）