【課題】一定のドレイン電圧及びゲート電圧に対して得られるドレイン電流を増大することの出来る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンネル領域と、ソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続する合計二つの第１の電極と、前記チャンネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられた第２の電極とを備えた半導体装置の製造に際し、前記ゲート絶縁膜を、酸素の含有量を１ｐｐｂ以下にした水素添加超純水にＩＰＡを添加した洗浄液を用いて、酸素含有量１ｐｐｂ以下の窒素雰囲気でしかも遮光した状態で表面の洗浄を行ない、かつ等方性酸化または窒化で形成することにより、前記チャンネル領域と前記ゲート絶縁膜との界面の平坦度を、前記ソース領域から前記ドレイン領域に向かう方向での長さ２ｎｍにおけるピーク・トゥ・バレイ値が０．３ｎｍ以下となるようにするとともに、前記第１の電極から前記チャンネル領域までの抵抗率を４Ω・μｍ以下とした。 （もっと読む）

【課題】基板の被処理面への光の照射による銅配線等のフォトコロージョンを防止し、しかも装置内の一部の処理ユニットのメンテナンス中においても、基板の処理枚数は減少するものの、光の照射による銅配線等のフォトコロージョンを防止した洗浄等の処理を行うことができるようにする。
【解決手段】遮光処理を施した複数の処理ユニット４０ａ，４０ｂ，４２ａ，４２ｂ，４４ａ，４４ｂを上下に配置して内部に収納する複数の処理エリア３０，３２，３４と、搬送機４６，４８を内部に収納して処理エリアの間に設置される搬送エリア３６，３８とを有し、処理エリアと搬送エリアとの間を遮光壁５０，５２で、搬送エリアの前面をメンテナンス用扉５４ｂ，５４ｄでそれぞれ遮光し、処理ユニットを遮光壁に遮光状態で連結した。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄工程中に電析の発生を防止しつつ基板の状態を観察することが可能な基板洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】発電層が形成された基板１２を洗浄する洗浄部と、それらの上流側に設けられて、基板１２を基板搬入口から洗浄部に搬入する搬入部と、洗浄された基板１２の発電層を乾燥させる乾燥部と、乾燥部の下流側に設けられて乾燥した基板１２を基板搬出口へ搬出する搬出部と、基板搬入口を除く搬入部、洗浄部、乾燥部、基板搬出口を除く搬出部内に入射する光を遮断する光遮断手段９と、それに設けられる観察窓１０と、観察窓１０から入射する光のうち発電層の発電に寄与する波長の少なくとも一部を遮断し、発電層の発電電圧を波長の少なくとも一部を遮光しない場合の発電電圧の１／１０以下にする光透過手段と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】帯電粒子からウェハを遮蔽するためにウェハに磁場を印加する磁石を備えたウェハ・チャックを有するプラズマ・エッチング・システムを提供する。
【解決手段】磁場はウェハと平行であり、その強度はウェハ表面の近傍で最も強い。磁場は直線状であっても、円形状であってもよい。動作中には、電子はローレンツ力によってウェハから偏向され、ウェハは正電荷を帯び、イオンは静電反発力によって偏向される。中性化学種は磁場を通り抜けることができ、ウェハに衝突する。中性化学種は一般に、帯電粒子より等方性および材料選択性の高いエッチングを実現するので、本発明の磁場は、エッチングの等方性および材料選択性を高める傾向がある。また、シーズニング・プロセスは、通常は帯電粒子によるエッチングに依拠しているので、磁場により、チャンバ表面から望ましくない膜を除去するようになされたシーズニング・プロセスからウェハを遮蔽することができる。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物に欠陥が発生してもその成長を抑えることができるとともに、洗浄作業を行う際に洗浄装置の各種異常を目視で検知することができる半導体ウエハの洗浄方法及び洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハＷを、洗浄液３が満たされた洗浄槽４０に浸漬して洗浄ユニットで半導体ウエハＷ表面の洗浄を行う半導体ウエハＷの洗浄方法において、少なくとも、半導体ウエハＷの洗浄液３浸漬中及び洗浄槽４０から引き上げた後の半導体ウエハＷ表面に洗浄液３が付着している間、半導体ウエハＷに対して可視光のうち所定の短波長域の光のみを照射する。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄装置及びその方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置は、基板を支持する支持プレートと基板の上部に具備され基板を保護する遮断部とを含む。遮断部は衝撃波を形成するために光が集結される焦点と隣接する部分が変更される。これにより、基板洗浄装置は衝撃波とともに発生するプルーム及び残留ビームが遮断部の特定領域に集中することを防止し、遮断部の損傷による基板の再汚染を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 ウエット処理時に異種材料接触部で発生する腐食を防ぎ、また、ウエハ上の微小粒子の除去も可能にする半導体プロセスおよびウエット処理装置を提供する。
【解決手段】 ウエハを静電吸着すると共にウエハを回転駆動する下部電極１と、下部電極１に向かって移動可能であると共に注入された薬液を下部電極１に通す上部電極４とを備え、下部電極１と上部電極４との間に電圧を印加しながらウエット処理する。 （もっと読む）

【課題】紫外線照度及びオゾン濃度を安定化し被洗浄物に対して面内均一な洗浄を実施できるドライ洗浄装置及びドライ洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄槽２内において、気体３の上流側から順に整流板５、紫外線ランプ６及び被洗浄物７を配置する。紫外線ランプ６は、２５４ｎｍ及び１８４ｎｍの波長を有する紫外線を照射する。気体３中の酸素と１８４ｎｍの紫外線により発生したオゾン及び２５４ｎｍの紫外線により被洗浄物７を洗浄する。オゾン濃度及び２５４ｎｍの紫外線照度は、オゾン濃度計９及びＵＶ照度計１０により夫々測定され、この測定結果に基づき流量制御１９により気体３の流量を制御する。 （もっと読む）