基板洗浄装置及びその方法
【課題】基板洗浄装置及びその方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置は、基板を支持する支持プレートと基板の上部に具備され基板を保護する遮断部とを含む。遮断部は衝撃波を形成するために光が集結される焦点と隣接する部分が変更される。これにより、基板洗浄装置は衝撃波とともに発生するプルーム及び残留ビームが遮断部の特定領域に集中することを防止し、遮断部の損傷による基板の再汚染を防止できる。
【解決手段】基板洗浄装置は、基板を支持する支持プレートと基板の上部に具備され基板を保護する遮断部とを含む。遮断部は衝撃波を形成するために光が集結される焦点と隣接する部分が変更される。これにより、基板洗浄装置は衝撃波とともに発生するプルーム及び残留ビームが遮断部の特定領域に集中することを防止し、遮断部の損傷による基板の再汚染を防止できる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体製造設備に関し、さらに詳しくはレーザ衝撃波を用いた基板洗浄装置及びその方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体基板の製造工程は薄膜蒸着工程、エッチング工程及び洗浄工程などを経て形成される。特に洗浄工程は半導体基板の製造工程中に発生する残留物質やパーティクルなどを除去する。
【０００３】
洗浄工程は湿式洗浄（ｗｅｔ ｃｌｅａｎｉｎｇ）と乾式洗浄（ｄｒｙ ｃｌｅａｎｉｎｇ）に分けられる。湿式洗浄は薬液を用いて基板を洗浄し、多量の化学薬品を使用するために環境汚染、遅い作業速度及び設備の巨大化などといった問題がある。
【０００４】
一方、乾式洗浄はプラズマやレーザを用いて基板を損傷することなく基板を洗浄する。プラズマを用いた乾式洗浄はラジカル（ｒａｄｉｃａｌ）を基板表面の汚染物質と反応させて基板を洗浄する。レーザを用いた乾式洗浄はレーザ衝撃波を基板に提供して基板を損傷することなく基板表面の異物を除去する。
【０００５】
具体的に、レーザを用いた乾式洗浄はレーザビームをフォーカスして基板の上部で衝撃波を生成し、衝撃波によって基板上の異物が除去される。しかし、かかる衝撃波が生成される際、衝撃波以外にもプルーム（ｐｌｕｍｅ）や残留ビーム（ｒｅｓｉｄｅｎｃｅ ｂｅａｍ）がともに発生し、プルームや高温の残留ビームは基板の損傷を招く。
【０００６】
これを防止するために、プルームと残留ビームが基板に入射することを防止するマスクを基板の上部に配置する。しかし、基板を洗浄する際、レーザの焦点及びマスクは固定された状態で基板のみが回転するため、プルームや残留ビームがマスクの特定部分にのみ持続的に入射する。これにより、マスクが損傷を受け、マスクの破片が基板に落ちて基板の汚染を招く。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、洗浄過程における基板の再汚染を防止する基板洗浄装置を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の他の目的は前記基板洗浄装置を用いて基板を洗浄する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した本発明の目的を実現するための一つの特徴による基板洗浄装置は、支持プレート、ビーム生成部、レンズ及び遮断部からなる。
【００１０】
支持プレートは基板を支持し、回転可能である。ビーム生成部は前記基板を洗浄する衝撃波を生成するための光を出射する。レンズは前記ビーム生成部から出射された前記光を基板の上部にフォーカスする。遮断部は前記レンズの焦点と前記基板との間に位置し、前記レンズの焦点と隣接する部分が変更され、前記基板を保護する。
【００１１】
具体的に、前記遮断部はマスクと移動ユニットとを含むことができる。マスクは前記基板の上部で前記基板と対向するように配置され、平面から見て前記基板の一部領域をカバーする。移動ユニットは前記マスクと結合し、前記マスクを移動させる。
【００１２】
また、前記本発明の目的を実現するための一つの特徴による基板の洗浄装置は支持ユニット及び洗浄ユニットからなる。
【００１３】
支持ユニットは基板を支持する。洗浄ユニットは基板を洗浄するための衝撃波を生成して前記基板に提供する。具体的に、前記洗浄ユニットは衝撃波生成部と回転可能なマスクを含むことができる。衝撃波生成部はレーザビームを用いて前記基板の上部に衝撃波を生成する。マスクは前記レーザビームが集結される焦点と前記基板との間に位置し、前記基板と対向する。
【００１４】
また、前記本発明の目的を実現するための一つの特徴による基板の洗浄方法は次の通りである。先ず、基板を支持プレート上に載置し、前記基板の上部にマスクを配置させる。前記マスクと隣接する地点に光をフォーカスして前記基板の上部に衝撃波を形成する。前記衝撃波を用いて前記基板を洗浄する間、前記マスクは前記光が集結される焦点と隣接する部分が変更される。
【発明の効果】
【００１５】
上述した本発明によれば、基板を洗浄する際、マスクは焦点と隣接する部分が変更されるので、衝撃波とともに生成される残留ビームとプラムがマスクの特定領域にのみ集中することを防止する。これにより、基板洗浄装置はマスクの損傷及びマスクの損傷による基板の再汚染を防止し、洗浄効率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付図面に基づき本発明の好ましい実施の形態をさらに詳しく説明する。
【００１７】
図１は本発明の一実施の形態による基板洗浄装置を示す図であって、図２は図１に示す遮断部を示す平面図である。
【００１８】
図１に示すように、本発明の基板洗浄装置３０１は、基板を支持する支持ユニット１００と前記基板を洗浄するための衝撃波（ＳＷ:ｓｈｏｃｋ ｗａｖｅ）を提供する洗浄ユニット２０１とを含む。
【００１９】
具体的に、前記支持ユニット１００は支持プレート１１０、回転軸１２０及び固定軸１３０を含むことができる。前記支持プレート１１０は円盤状を有し、上面に前記基板が載置される。ここで、前記基板の背面は前記支持プレート１１０と対向する。また、前記支持プレート１１０は複数のチャックピン１１１と複数の支持ピン１１３とを含むことができる。前記チャックピン１１１は前記支持プレート１１０の上面に具備され、前記基板の端部を支持して前記基板を固定する。前記支持ピン１１３は前記チャックピン１１１の内側に位置し、前記基板の下部を支持する。
【００２０】
また、前記支持プレート１１０の下には前記回転軸１２０と前記固定軸１３０が設置される。前記回転軸１２０は前記支持プレート１１０と結合し、外部の駆動装置（図示せず）と連結され回転される。前記回転軸１２０の回転力は前記支持プレート１１０に伝達され、前記支持プレート１１０は前記回転軸１２０とともに回転する。前記固定軸１３０は一端部が前記回転軸１２０と結合し、前記回転軸１２０を支持し、前記回転軸１２０とともに回転しない。
【００２１】
一方、前記洗浄ユニット２０１は前記支持プレート１１０の上部に前記衝撃波ＳＷを生成して前記基板を洗浄する。
【００２２】
図１及び図２に示すように、前記洗浄ユニット２０１はビーム生成部２１０、レンズ２２０及び遮断部２３０を含む。前記ビーム生成部２１０はレーザビームＬＢを生成して前記レンズ２２０に提供し、前記レンズ２２０は前記レーザビームＬＢを前記支持プレート１１０の上部にフォーカスする。これにより、前記支持プレート１１０の上部で前記衝撃波ＳＷが生成される。前記衝撃波ＳＷは前記レンズ２２０により前記レーザビームＬＢが集結される焦点（ＦＰ:ｆｏｃａｌ ｐｏｉｎｔ）を中心として四方に伝播され、前記基板１０の表面と衝突して前記基板の異物を前記基板から分離させる。これにより、前記基板の異物が除去される。
【００２３】
本発明の一例として、前記レンズ２２０の焦点ＦＰは前記支持プレート１１０の中心部上に位置し、前記基板の洗浄が行われる間固定される。
【００２４】
一方、前記支持プレート１１０の上部には前記遮断部２３０が具備される。前記遮断部２３０は前記衝撃波ＳＷとともに生成される残留ビーム（ｒｅｓｉｄｅｎｃｅ ｂｅａｍ）Ｐ／ＲＢとプルーム（ｐｌｕｍｅ）Ｐ／ＲＢが前記基板に提供されることを遮断する。
【００２５】
具体的に、前記遮断部２３０はマスク２３１、回転駆動部２３３、及び連結部２３５を含むことができる。前記マスク２３１は前記支持プレート１１０の上部に設置され、前記支持プレート１１０から離隔して位置し、背面が前記支持プレート１１０の上面と対向する。前記マスク２３１は前記支持プレート１１０と前記焦点ＦＰとの間に位置し、前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢが前記基板に入射することを遮断する。
【００２６】
本発明の一例として、前記マスク２３１は前記焦点ＦＰの一側に位置し、プレート形状を有し、シリコン材質からなることができる。
【００２７】
この実施の形態において、前記マスク２３１は円形を有するが、楕円形を有することもできる。
【００２８】
前記マスク２３１の上部には前記回転駆動部２３３と前記連結部２３５とが設置される。前記回転駆動部２３３はステッピングモータ（ｓｔｅｐｐｉｎｇ ｍｏｔｏｒ）からなり、前記マスク２３１に回転力を提供する。前記連結部２３５は前記マスク２３１の上面に結合され、前記マスク２３１と前記回転駆動部２３３とを連結する。
【００２９】
前記回転駆動部２３３の回転力は前記連結部２３５を介して前記マスク２３１に伝達され、前記マスク２３１は前記回転駆動部２３３の回転力により往復回転する。本発明の一例として、前記マスク２３１の回転角θは１８０度より小さい。
【００３０】
具体的に、前記マスク２３１は第１乃至第４遮断領域２３１ａ、２３１ｂ、２３１ｃ、２３１ｄからなる。前記第１乃至第４遮断領域２３１ａ、２３１ｂ、２３１ｃ、２３１ｄは前記マスク２３１の中心点を横切る線により定義され、本発明の一例として、各遮断領域２３１ａ、２３１ｂ、２３１ｃ、２３１ｄは扇形を有する。
【００３１】
この実施の形態において、前記第１乃至第４遮断領域２３１ａ、２３１ｂ、２３１ｃ、２３１ｄは中心角θの大きさが互いに同一であって、前記各遮断領域２３１ａ、２３１ｂ、２３１ｃ、２３ｌｄの中心角θは前記マスク２３１の回転角と同じである。従って、前記遮断領域２３１ａ、２３１ｂ、２３１ｃ、２３１ｄの個数は前記マスク２３１の回転角θによって変わり、前記マスク２３１の回転角θは前記回転駆動部２３３の回転運動によって決定される。即ち、前記マスク２３１の回転角θが９０度である場合、図２に示すように、前記マスク２３１は四つの遮断領域２３１ａ、２３１ｂ、２３１ｃ、２３１ｄに区画され、前記各遮断領域２３１ａ、２３１ｂ、２３１ｃ、２３１ｄの中心角θは９０度である。
【００３２】
前記基板を洗浄する際、前記第１乃至第４遮断領域２３１ａ、２３ｌｂ、２３１ｃ、２３１ｄのうち、何れか一つの遮断領域が前記焦点ＦＰと隣接して位置する。本発明の一例として、平面から見て、前記焦点ＦＰと隣接する遮断領域は前記中心角θを二等分する任意の線が前記焦点ＦＰと同一線上に位置する。
【００３３】
前記基板を洗浄する際、前記マスク２３１は前記回転角θだけ往復回転運動するので、前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢが前記焦点ＦＰと隣接する遮断領域に主に入射する。このように、前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢが特定遮断領域にのみ持続的に入射する場合、該当遮断領域が損傷を受ける可能性がある。これを防止するために、前記マスク２３１は前記焦点ＦＰと隣接するように配置される遮断領域を周期的に変更する。
【００３４】
このように、前記マスク２３１は前記焦点ＦＰと隣接する部分が周期的に変更されるので、前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢが前記マスク２３１の特定部分にのみ集中することを防止する。これにより、前記洗浄ユニット２０１は前記マスク２３１の損傷を防止し、前記マスク２３１の損傷による前記基板の再汚染を防止し、洗浄効率を向上させることができる。
【００３５】
この実施の形態において、前記マスク２３１は前記基板を洗浄する間、前記回転角度θに往復回転する。しかし、前記基板を洗浄する間前記マスク２３１を往復回転させることなく、前記焦点ＦＰと隣接する遮断領域のみを周期的に変更させることもできる。例えば、先ず前記第１遮断領域２３１ａを前記焦点ＦＰと隣接するように配置した状態で、前記基板の洗浄を進行する。既設定された時間が経過すると、前記回転駆動部２３３は前記マスク２３１を回転させて前記第２遮断領域２３１ｂを前記焦点ＦＰと隣接して配置した後、基板の洗浄を進行する。このように、前記回転駆動部２３３は前記焦点ＦＰと隣接して配置される遮断領域を変更する時のみ前記マスク２３１を回転させ得る。
【００３６】
また、この実施の形態において、前記マスク２３１は前記回転駆動部２３３により回転されるが、直線移動されることもできる。
【００３７】
一方、前記洗浄ユニット２０１は前記基板上の異物を吸収して外部に排出する吸入部２４０をさらに含むことができる。前記吸入部２４０は前記支持プレート１１０の上部に具備され、前記衝撃波ＳＷにより前記基板から分離された異物、即ち、パーティクルを吸入して除去する。
【００３８】
以下、図面を参照して、前記洗浄ユニット２０１が前記基板を洗浄する方法について具体的に説明する。
【００３９】
図３は図１に示す基板洗浄装置における基板を洗浄する過程を示す図であって、図４及び図５は図３に示すマスクの遮断位置が変更される過程を示す平面図である。
【００４０】
図３及び図４に示すように、先ず、前記支持プレート１１０上に基板１０を載置し、前記回転軸１２０を回転させて前記支持プレート１１０上の基板１０を回転させる。
【００４１】
前記ビーム生成部２１０は前記レーザビームＬＢを生成して前記レンズ２２０に提供し、前記レンズ２２０は前記レーザビームＬＢを前記基板１０の上部にフォーカスして前記衝撃波ＳＷを生成する。前記レンズ２２０の焦点ＦＰは平面から見て前記基板１０の中心点に位置する。
【００４２】
前記衝撃波ＳＷは前記基板１０の表面に衝突して前記基板１０から異物を分離させる。前記衝撃波ＳＷにより前記基板１０が洗浄される間、前記吸入部２４０はパーティクルの形状に分離された異物ＰＣを吸入して外部に排出する。
【００４３】
前記基板１０の洗浄が行われる間、前記マスク２３１は前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢが前記基板１０に入射することを遮断する。
【００４４】
具体的に、平面から見て前記マスク２３１は前記基板１０の一部領域をカバーし、前記焦点ＦＰの一側に位置する。また、前記マスク２３１は前記基板１０から離隔されて位置し、背面が前記基板１０と対向する。前記基板１０が洗浄された間、前記マスク２３１は既設定された回転角θによって往復回転しながら前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢを遮断する。この時、前記焦点ＦＰと隣接する遮断領域は周期的に順次に変更される。
【００４５】
例えば、前記マスク２３１は洗浄する基板を変更する度に前記焦点ＦＰと隣接する遮断領域が変更され得る。即ち、図４に示すように、前記洗浄ユニット２０１は前記マスク２３１の第１遮断領域２３１ａが前記焦点ＦＰと隣接して配置された状態で、前記支持プレート１１０に位置する基板１０の洗浄を行う。次いで、図５に示すように、新しい基板２０が前記支持プレート１１０に載置されると、前記洗浄ユニット２０１は前記第２遮断領域２３１ｂが前記焦点ＦＰと隣接して配置された状態で基板２０の洗浄を行う。
【００４６】
かかる遮断領域の変更は同一基板を洗浄する過程において既設定された時間を単位として行うこともでき、洗浄された基板の累積枚数によって行われることもできる。
【００４７】
図６は本発明の他の実施の形態による基板洗浄装置を示す図であって、図７は図６に示す遮断部を示す平面図である。
【００４８】
図６及び図７に示すように、本発明の基板洗浄装置３０２は基板を支持する支持ユニット１００と前記基板を洗浄するための衝撃波ＳＷを生成する洗浄ユニット２０２とを含むことができる。前記支持ユニット１００は図１に示す支持ユニット１００と同じ構成を有するので、参照符号で表示し、それについての具体的な説明は省略する。
【００４９】
前記洗浄ユニット２０２はレーザビームＬＢを用いて前記衝撃波ＳＷを形成する。前記洗浄ユニット２０２は前記レーザビームＬＢを生成するビーム生成部２１０と、前記ビーム生成部２１０からのレーザビームＬＢをフォーカスするレンズ２２０と、プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢを遮断する遮断部２５０と、を含むことができる。
【００５０】
前記レンズ２２０は前記レーザビームＬＢを前記支持ユニット１００の上部にフォーカスし、これにより、前記衝撃波ＳＷが前記支持ユニット１００の上部に生成される。本発明の一例として、前記レンズ２２０の焦点ＦＰは前記支持ユニット１００の支持プレート１１０の上部に位置し、前記支持プレート１１０の中心部上に位置する。前記焦点ＦＰは前記衝撃波ＳＷを用いて前記基板を洗浄する間、その位置が固定される。
【００５１】
前記遮断部２５０は前記衝撃波ＳＷとともに生成されたプルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢが前記基板に入射することを遮断する。具体的に、前記遮断部２５０はマスク２５１、回転部２５３、固定部２５５、及び駆動部２５７を含むことができる。
【００５２】
前記マスク２５１は前記支持プレート１１０の上部に配置され、背面が前記支持プレー １１０と対向し、前記支持プレート１１０と前記焦点ＦＰとの間に位置する。本発明の一例として、前記マスク２５１は前記焦点ＦＰの一側に位置し、プレート形状を有し、シリコン材質からなることができる。この実施の形態において、前記マスク２５１は円形を有するが、楕円形を有することもできる。
【００５３】
前記マスク２５１は前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢが前記支持プレート１１０上の基板に入射することを遮断する。即ち、前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢは前記焦点ＦＰを中心として広がり前記支持プレート１１０側に移動し、前記支持プレート１１０と隣接する前記マスク２５１に入射する。
【００５４】
前記マスク２５１の上面には前記回転部２５３が結合され、前記回転部２５３は前記固定部２５５と回転可能に結合される。前記回転部２５３は前記駆動部２５７と連結され、前記駆動部２５７から回転力を伝達され前記マスク２５１に伝達する。この時、前記固定部２５５は前記回転部２５３とともに回転しない。前記マスク２５１は前記回転部２５３とともに回転し、これにより、前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢが前記マスク２５１の特定領域にのみ集中することを防止できる。
【００５５】
即ち、前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢは前記マスク２５１で前記焦点ＦＰと隣接する部分に主に入射する。従って、本発明のように、前記マスク２５１を回転させながら前記基板を洗浄する場合、前記マスク２５１は前記焦点ＦＰと隣接する部分が継続的に変更されるため、前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢが入射する部分を分散させることができる。
【００５６】
このように、前記遮断部２５０は前記マスク２５１を回転させて前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢが前記マスク２５１の特定領域にのみ集中することを防止する。これにより、前記遮断部２５０は前記マスク２５１の損傷を防止し、前記マスク２５１の損傷による前記基板の再汚染を防止し、洗浄効率を向上させることができる。
【００５７】
この実施の形態において、前記基板の洗浄が行われる間、前記マスク２５１は一方向にのみ連続回転する。しかし、前記駆動部２５７は前記基板の洗浄が行われる間、前記マスク２５１を連続的に回転させず、既設定された単位時間毎に前記マスク２５１を３６０度以下の角度に回転させて前記マスク２５１で前記焦点ＦＰと隣接して配置される部分を周期的に変更させることができる。
【００５８】
一方、前記洗浄ユニット２０２は前記衝撃波ＳＷにより前記基板から分離される異物を吸入する吸入部２４０をさらに含むことができる。前記吸入部２４０は図１に示す吸入部２４０と同じであるので、参照符号で表示し、それについての具体的な説明は省略する。
【００５９】
以下、図面に基づき前記洗浄ユニット２０２が前記基板を洗浄する方法について具体的に説明する。
【００６０】
図８は図６に示す基板洗浄装置で基板を洗浄する過程を示す図であって、図９は図８に示す遮断部を示す平面図である。
【００６１】
図８及び図９に示すように、先ず、前記支持プレート１１０上に基板１０を載置し、前記回転軸１２０を回転させて前記支持プレート１１０上の基板１０を回転させる。
【００６２】
前記ビーム生成部２１０は前記レーザビームＬＢを生成して前記レンズ２２０に提供し、前記レンズ２２０は前記レーザビームＬＢを前記基板１０の上部にフォーカスして前記衝撃波ＳＷを生成する。前記レンズ２２０の焦点ＦＰは平面から見て前記基板１０の中心点に位置する。
【００６３】
前記衝撃波ＳＷは前記基板１０の表面に衝突して前記基板１０から異物を分離させる。前記衝撃波ＳＷにより前記基板１０の洗浄が行われる間、前記吸入部２４０はパーティクルの形状に分離された異物ＰＣを吸入して外部に排出する。
【００６４】
前記基板１０を洗浄する間、前記マスク２５１は前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢが前記基板１０に入射することを遮断する。
【００６５】
具体的に、前記マスク２５１は平面から見て前記基板１０の一部領域をカバーし、前記焦点ＦＰの一側に位置する。また、前記マスク２５１は前記基板１０から離隔して位置し、背面が前記基板１０と対向する。前記衝撃波ＳＷを用いて前記基板１０を洗浄する間、前記マスク２５１は一方向に連続回転しながら前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢが前記基板１０に入射することを遮断する。
【００６６】
このように、前記マスク２５１が連続回転しながら前記基板１０の洗浄が行われるので、前記マスク２５１の特定領域にのみ前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢが入射することを防止する。これにより、前記洗浄ユニット２０２は前記マスク２５１の損傷を防止し、前記マスク２５１の損傷による前記基板１０の再汚染を防止できる。
【００６７】
以上、本発明について実施の形態を参照して説明した。しかし、この技術分野における熟練した技術を有する当業者は、上記特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から離脱しない範囲内で、本発明を多様に修正、又は変更することが可能であることを理解できるはずである。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の一実施の形態による基板洗浄装置を示す図である。
【図２】図１に示す遮断部を示す平面図である。
【図３】図１に示す基板洗浄装置における基板を洗浄する過程を示す図である。
【図４】図３に示すマスクの遮断位置が変更する過程を示す平面図である。
【図５】図３に示すマスクの遮断位置が変更する過程を示す平面図である。
【図６】本発明の他の実施の形態による基板洗浄装置を示す図である
【図７】図６に示す遮断部を示す平面図である。
【図８】図６に示す基板洗浄装置で基板を洗浄する過程を示す図である。
【図９】図８に示す遮断部を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１００ 支持ユニット
２０１、２０２ 洗浄ユニット
３０１、３０２ 基板洗浄装置
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体製造設備に関し、さらに詳しくはレーザ衝撃波を用いた基板洗浄装置及びその方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体基板の製造工程は薄膜蒸着工程、エッチング工程及び洗浄工程などを経て形成される。特に洗浄工程は半導体基板の製造工程中に発生する残留物質やパーティクルなどを除去する。
【０００３】
洗浄工程は湿式洗浄（ｗｅｔ ｃｌｅａｎｉｎｇ）と乾式洗浄（ｄｒｙ ｃｌｅａｎｉｎｇ）に分けられる。湿式洗浄は薬液を用いて基板を洗浄し、多量の化学薬品を使用するために環境汚染、遅い作業速度及び設備の巨大化などといった問題がある。
【０００４】
一方、乾式洗浄はプラズマやレーザを用いて基板を損傷することなく基板を洗浄する。プラズマを用いた乾式洗浄はラジカル（ｒａｄｉｃａｌ）を基板表面の汚染物質と反応させて基板を洗浄する。レーザを用いた乾式洗浄はレーザ衝撃波を基板に提供して基板を損傷することなく基板表面の異物を除去する。
【０００５】
具体的に、レーザを用いた乾式洗浄はレーザビームをフォーカスして基板の上部で衝撃波を生成し、衝撃波によって基板上の異物が除去される。しかし、かかる衝撃波が生成される際、衝撃波以外にもプルーム（ｐｌｕｍｅ）や残留ビーム（ｒｅｓｉｄｅｎｃｅ ｂｅａｍ）がともに発生し、プルームや高温の残留ビームは基板の損傷を招く。
【０００６】
これを防止するために、プルームと残留ビームが基板に入射することを防止するマスクを基板の上部に配置する。しかし、基板を洗浄する際、レーザの焦点及びマスクは固定された状態で基板のみが回転するため、プルームや残留ビームがマスクの特定部分にのみ持続的に入射する。これにより、マスクが損傷を受け、マスクの破片が基板に落ちて基板の汚染を招く。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、洗浄過程における基板の再汚染を防止する基板洗浄装置を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の他の目的は前記基板洗浄装置を用いて基板を洗浄する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した本発明の目的を実現するための一つの特徴による基板洗浄装置は、支持プレート、ビーム生成部、レンズ及び遮断部からなる。
【００１０】
支持プレートは基板を支持し、回転可能である。ビーム生成部は前記基板を洗浄する衝撃波を生成するための光を出射する。レンズは前記ビーム生成部から出射された前記光を基板の上部にフォーカスする。遮断部は前記レンズの焦点と前記基板との間に位置し、前記レンズの焦点と隣接する部分が変更され、前記基板を保護する。
【００１１】
具体的に、前記遮断部はマスクと移動ユニットとを含むことができる。マスクは前記基板の上部で前記基板と対向するように配置され、平面から見て前記基板の一部領域をカバーする。移動ユニットは前記マスクと結合し、前記マスクを移動させる。
【００１２】
また、前記本発明の目的を実現するための一つの特徴による基板の洗浄装置は支持ユニット及び洗浄ユニットからなる。
【００１３】
支持ユニットは基板を支持する。洗浄ユニットは基板を洗浄するための衝撃波を生成して前記基板に提供する。具体的に、前記洗浄ユニットは衝撃波生成部と回転可能なマスクを含むことができる。衝撃波生成部はレーザビームを用いて前記基板の上部に衝撃波を生成する。マスクは前記レーザビームが集結される焦点と前記基板との間に位置し、前記基板と対向する。
【００１４】
また、前記本発明の目的を実現するための一つの特徴による基板の洗浄方法は次の通りである。先ず、基板を支持プレート上に載置し、前記基板の上部にマスクを配置させる。前記マスクと隣接する地点に光をフォーカスして前記基板の上部に衝撃波を形成する。前記衝撃波を用いて前記基板を洗浄する間、前記マスクは前記光が集結される焦点と隣接する部分が変更される。
【発明の効果】
【００１５】
上述した本発明によれば、基板を洗浄する際、マスクは焦点と隣接する部分が変更されるので、衝撃波とともに生成される残留ビームとプラムがマスクの特定領域にのみ集中することを防止する。これにより、基板洗浄装置はマスクの損傷及びマスクの損傷による基板の再汚染を防止し、洗浄効率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付図面に基づき本発明の好ましい実施の形態をさらに詳しく説明する。
【００１７】
図１は本発明の一実施の形態による基板洗浄装置を示す図であって、図２は図１に示す遮断部を示す平面図である。
【００１８】
図１に示すように、本発明の基板洗浄装置３０１は、基板を支持する支持ユニット１００と前記基板を洗浄するための衝撃波（ＳＷ:ｓｈｏｃｋ ｗａｖｅ）を提供する洗浄ユニット２０１とを含む。
【００１９】
具体的に、前記支持ユニット１００は支持プレート１１０、回転軸１２０及び固定軸１３０を含むことができる。前記支持プレート１１０は円盤状を有し、上面に前記基板が載置される。ここで、前記基板の背面は前記支持プレート１１０と対向する。また、前記支持プレート１１０は複数のチャックピン１１１と複数の支持ピン１１３とを含むことができる。前記チャックピン１１１は前記支持プレート１１０の上面に具備され、前記基板の端部を支持して前記基板を固定する。前記支持ピン１１３は前記チャックピン１１１の内側に位置し、前記基板の下部を支持する。
【００２０】
また、前記支持プレート１１０の下には前記回転軸１２０と前記固定軸１３０が設置される。前記回転軸１２０は前記支持プレート１１０と結合し、外部の駆動装置（図示せず）と連結され回転される。前記回転軸１２０の回転力は前記支持プレート１１０に伝達され、前記支持プレート１１０は前記回転軸１２０とともに回転する。前記固定軸１３０は一端部が前記回転軸１２０と結合し、前記回転軸１２０を支持し、前記回転軸１２０とともに回転しない。
【００２１】
一方、前記洗浄ユニット２０１は前記支持プレート１１０の上部に前記衝撃波ＳＷを生成して前記基板を洗浄する。
【００２２】
図１及び図２に示すように、前記洗浄ユニット２０１はビーム生成部２１０、レンズ２２０及び遮断部２３０を含む。前記ビーム生成部２１０はレーザビームＬＢを生成して前記レンズ２２０に提供し、前記レンズ２２０は前記レーザビームＬＢを前記支持プレート１１０の上部にフォーカスする。これにより、前記支持プレート１１０の上部で前記衝撃波ＳＷが生成される。前記衝撃波ＳＷは前記レンズ２２０により前記レーザビームＬＢが集結される焦点（ＦＰ:ｆｏｃａｌ ｐｏｉｎｔ）を中心として四方に伝播され、前記基板１０の表面と衝突して前記基板の異物を前記基板から分離させる。これにより、前記基板の異物が除去される。
【００２３】
本発明の一例として、前記レンズ２２０の焦点ＦＰは前記支持プレート１１０の中心部上に位置し、前記基板の洗浄が行われる間固定される。
【００２４】
一方、前記支持プレート１１０の上部には前記遮断部２３０が具備される。前記遮断部２３０は前記衝撃波ＳＷとともに生成される残留ビーム（ｒｅｓｉｄｅｎｃｅ ｂｅａｍ）Ｐ／ＲＢとプルーム（ｐｌｕｍｅ）Ｐ／ＲＢが前記基板に提供されることを遮断する。
【００２５】
具体的に、前記遮断部２３０はマスク２３１、回転駆動部２３３、及び連結部２３５を含むことができる。前記マスク２３１は前記支持プレート１１０の上部に設置され、前記支持プレート１１０から離隔して位置し、背面が前記支持プレート１１０の上面と対向する。前記マスク２３１は前記支持プレート１１０と前記焦点ＦＰとの間に位置し、前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢが前記基板に入射することを遮断する。
【００２６】
本発明の一例として、前記マスク２３１は前記焦点ＦＰの一側に位置し、プレート形状を有し、シリコン材質からなることができる。
【００２７】
この実施の形態において、前記マスク２３１は円形を有するが、楕円形を有することもできる。
【００２８】
前記マスク２３１の上部には前記回転駆動部２３３と前記連結部２３５とが設置される。前記回転駆動部２３３はステッピングモータ（ｓｔｅｐｐｉｎｇ ｍｏｔｏｒ）からなり、前記マスク２３１に回転力を提供する。前記連結部２３５は前記マスク２３１の上面に結合され、前記マスク２３１と前記回転駆動部２３３とを連結する。
【００２９】
前記回転駆動部２３３の回転力は前記連結部２３５を介して前記マスク２３１に伝達され、前記マスク２３１は前記回転駆動部２３３の回転力により往復回転する。本発明の一例として、前記マスク２３１の回転角θは１８０度より小さい。
【００３０】
具体的に、前記マスク２３１は第１乃至第４遮断領域２３１ａ、２３１ｂ、２３１ｃ、２３１ｄからなる。前記第１乃至第４遮断領域２３１ａ、２３１ｂ、２３１ｃ、２３１ｄは前記マスク２３１の中心点を横切る線により定義され、本発明の一例として、各遮断領域２３１ａ、２３１ｂ、２３１ｃ、２３１ｄは扇形を有する。
【００３１】
この実施の形態において、前記第１乃至第４遮断領域２３１ａ、２３１ｂ、２３１ｃ、２３１ｄは中心角θの大きさが互いに同一であって、前記各遮断領域２３１ａ、２３１ｂ、２３１ｃ、２３ｌｄの中心角θは前記マスク２３１の回転角と同じである。従って、前記遮断領域２３１ａ、２３１ｂ、２３１ｃ、２３１ｄの個数は前記マスク２３１の回転角θによって変わり、前記マスク２３１の回転角θは前記回転駆動部２３３の回転運動によって決定される。即ち、前記マスク２３１の回転角θが９０度である場合、図２に示すように、前記マスク２３１は四つの遮断領域２３１ａ、２３１ｂ、２３１ｃ、２３１ｄに区画され、前記各遮断領域２３１ａ、２３１ｂ、２３１ｃ、２３１ｄの中心角θは９０度である。
【００３２】
前記基板を洗浄する際、前記第１乃至第４遮断領域２３１ａ、２３ｌｂ、２３１ｃ、２３１ｄのうち、何れか一つの遮断領域が前記焦点ＦＰと隣接して位置する。本発明の一例として、平面から見て、前記焦点ＦＰと隣接する遮断領域は前記中心角θを二等分する任意の線が前記焦点ＦＰと同一線上に位置する。
【００３３】
前記基板を洗浄する際、前記マスク２３１は前記回転角θだけ往復回転運動するので、前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢが前記焦点ＦＰと隣接する遮断領域に主に入射する。このように、前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢが特定遮断領域にのみ持続的に入射する場合、該当遮断領域が損傷を受ける可能性がある。これを防止するために、前記マスク２３１は前記焦点ＦＰと隣接するように配置される遮断領域を周期的に変更する。
【００３４】
このように、前記マスク２３１は前記焦点ＦＰと隣接する部分が周期的に変更されるので、前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢが前記マスク２３１の特定部分にのみ集中することを防止する。これにより、前記洗浄ユニット２０１は前記マスク２３１の損傷を防止し、前記マスク２３１の損傷による前記基板の再汚染を防止し、洗浄効率を向上させることができる。
【００３５】
この実施の形態において、前記マスク２３１は前記基板を洗浄する間、前記回転角度θに往復回転する。しかし、前記基板を洗浄する間前記マスク２３１を往復回転させることなく、前記焦点ＦＰと隣接する遮断領域のみを周期的に変更させることもできる。例えば、先ず前記第１遮断領域２３１ａを前記焦点ＦＰと隣接するように配置した状態で、前記基板の洗浄を進行する。既設定された時間が経過すると、前記回転駆動部２３３は前記マスク２３１を回転させて前記第２遮断領域２３１ｂを前記焦点ＦＰと隣接して配置した後、基板の洗浄を進行する。このように、前記回転駆動部２３３は前記焦点ＦＰと隣接して配置される遮断領域を変更する時のみ前記マスク２３１を回転させ得る。
【００３６】
また、この実施の形態において、前記マスク２３１は前記回転駆動部２３３により回転されるが、直線移動されることもできる。
【００３７】
一方、前記洗浄ユニット２０１は前記基板上の異物を吸収して外部に排出する吸入部２４０をさらに含むことができる。前記吸入部２４０は前記支持プレート１１０の上部に具備され、前記衝撃波ＳＷにより前記基板から分離された異物、即ち、パーティクルを吸入して除去する。
【００３８】
以下、図面を参照して、前記洗浄ユニット２０１が前記基板を洗浄する方法について具体的に説明する。
【００３９】
図３は図１に示す基板洗浄装置における基板を洗浄する過程を示す図であって、図４及び図５は図３に示すマスクの遮断位置が変更される過程を示す平面図である。
【００４０】
図３及び図４に示すように、先ず、前記支持プレート１１０上に基板１０を載置し、前記回転軸１２０を回転させて前記支持プレート１１０上の基板１０を回転させる。
【００４１】
前記ビーム生成部２１０は前記レーザビームＬＢを生成して前記レンズ２２０に提供し、前記レンズ２２０は前記レーザビームＬＢを前記基板１０の上部にフォーカスして前記衝撃波ＳＷを生成する。前記レンズ２２０の焦点ＦＰは平面から見て前記基板１０の中心点に位置する。
【００４２】
前記衝撃波ＳＷは前記基板１０の表面に衝突して前記基板１０から異物を分離させる。前記衝撃波ＳＷにより前記基板１０が洗浄される間、前記吸入部２４０はパーティクルの形状に分離された異物ＰＣを吸入して外部に排出する。
【００４３】
前記基板１０の洗浄が行われる間、前記マスク２３１は前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢが前記基板１０に入射することを遮断する。
【００４４】
具体的に、平面から見て前記マスク２３１は前記基板１０の一部領域をカバーし、前記焦点ＦＰの一側に位置する。また、前記マスク２３１は前記基板１０から離隔されて位置し、背面が前記基板１０と対向する。前記基板１０が洗浄された間、前記マスク２３１は既設定された回転角θによって往復回転しながら前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢを遮断する。この時、前記焦点ＦＰと隣接する遮断領域は周期的に順次に変更される。
【００４５】
例えば、前記マスク２３１は洗浄する基板を変更する度に前記焦点ＦＰと隣接する遮断領域が変更され得る。即ち、図４に示すように、前記洗浄ユニット２０１は前記マスク２３１の第１遮断領域２３１ａが前記焦点ＦＰと隣接して配置された状態で、前記支持プレート１１０に位置する基板１０の洗浄を行う。次いで、図５に示すように、新しい基板２０が前記支持プレート１１０に載置されると、前記洗浄ユニット２０１は前記第２遮断領域２３１ｂが前記焦点ＦＰと隣接して配置された状態で基板２０の洗浄を行う。
【００４６】
かかる遮断領域の変更は同一基板を洗浄する過程において既設定された時間を単位として行うこともでき、洗浄された基板の累積枚数によって行われることもできる。
【００４７】
図６は本発明の他の実施の形態による基板洗浄装置を示す図であって、図７は図６に示す遮断部を示す平面図である。
【００４８】
図６及び図７に示すように、本発明の基板洗浄装置３０２は基板を支持する支持ユニット１００と前記基板を洗浄するための衝撃波ＳＷを生成する洗浄ユニット２０２とを含むことができる。前記支持ユニット１００は図１に示す支持ユニット１００と同じ構成を有するので、参照符号で表示し、それについての具体的な説明は省略する。
【００４９】
前記洗浄ユニット２０２はレーザビームＬＢを用いて前記衝撃波ＳＷを形成する。前記洗浄ユニット２０２は前記レーザビームＬＢを生成するビーム生成部２１０と、前記ビーム生成部２１０からのレーザビームＬＢをフォーカスするレンズ２２０と、プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢを遮断する遮断部２５０と、を含むことができる。
【００５０】
前記レンズ２２０は前記レーザビームＬＢを前記支持ユニット１００の上部にフォーカスし、これにより、前記衝撃波ＳＷが前記支持ユニット１００の上部に生成される。本発明の一例として、前記レンズ２２０の焦点ＦＰは前記支持ユニット１００の支持プレート１１０の上部に位置し、前記支持プレート１１０の中心部上に位置する。前記焦点ＦＰは前記衝撃波ＳＷを用いて前記基板を洗浄する間、その位置が固定される。
【００５１】
前記遮断部２５０は前記衝撃波ＳＷとともに生成されたプルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢが前記基板に入射することを遮断する。具体的に、前記遮断部２５０はマスク２５１、回転部２５３、固定部２５５、及び駆動部２５７を含むことができる。
【００５２】
前記マスク２５１は前記支持プレート１１０の上部に配置され、背面が前記支持プレー １１０と対向し、前記支持プレート１１０と前記焦点ＦＰとの間に位置する。本発明の一例として、前記マスク２５１は前記焦点ＦＰの一側に位置し、プレート形状を有し、シリコン材質からなることができる。この実施の形態において、前記マスク２５１は円形を有するが、楕円形を有することもできる。
【００５３】
前記マスク２５１は前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢが前記支持プレート１１０上の基板に入射することを遮断する。即ち、前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢは前記焦点ＦＰを中心として広がり前記支持プレート１１０側に移動し、前記支持プレート１１０と隣接する前記マスク２５１に入射する。
【００５４】
前記マスク２５１の上面には前記回転部２５３が結合され、前記回転部２５３は前記固定部２５５と回転可能に結合される。前記回転部２５３は前記駆動部２５７と連結され、前記駆動部２５７から回転力を伝達され前記マスク２５１に伝達する。この時、前記固定部２５５は前記回転部２５３とともに回転しない。前記マスク２５１は前記回転部２５３とともに回転し、これにより、前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢが前記マスク２５１の特定領域にのみ集中することを防止できる。
【００５５】
即ち、前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢは前記マスク２５１で前記焦点ＦＰと隣接する部分に主に入射する。従って、本発明のように、前記マスク２５１を回転させながら前記基板を洗浄する場合、前記マスク２５１は前記焦点ＦＰと隣接する部分が継続的に変更されるため、前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢが入射する部分を分散させることができる。
【００５６】
このように、前記遮断部２５０は前記マスク２５１を回転させて前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢが前記マスク２５１の特定領域にのみ集中することを防止する。これにより、前記遮断部２５０は前記マスク２５１の損傷を防止し、前記マスク２５１の損傷による前記基板の再汚染を防止し、洗浄効率を向上させることができる。
【００５７】
この実施の形態において、前記基板の洗浄が行われる間、前記マスク２５１は一方向にのみ連続回転する。しかし、前記駆動部２５７は前記基板の洗浄が行われる間、前記マスク２５１を連続的に回転させず、既設定された単位時間毎に前記マスク２５１を３６０度以下の角度に回転させて前記マスク２５１で前記焦点ＦＰと隣接して配置される部分を周期的に変更させることができる。
【００５８】
一方、前記洗浄ユニット２０２は前記衝撃波ＳＷにより前記基板から分離される異物を吸入する吸入部２４０をさらに含むことができる。前記吸入部２４０は図１に示す吸入部２４０と同じであるので、参照符号で表示し、それについての具体的な説明は省略する。
【００５９】
以下、図面に基づき前記洗浄ユニット２０２が前記基板を洗浄する方法について具体的に説明する。
【００６０】
図８は図６に示す基板洗浄装置で基板を洗浄する過程を示す図であって、図９は図８に示す遮断部を示す平面図である。
【００６１】
図８及び図９に示すように、先ず、前記支持プレート１１０上に基板１０を載置し、前記回転軸１２０を回転させて前記支持プレート１１０上の基板１０を回転させる。
【００６２】
前記ビーム生成部２１０は前記レーザビームＬＢを生成して前記レンズ２２０に提供し、前記レンズ２２０は前記レーザビームＬＢを前記基板１０の上部にフォーカスして前記衝撃波ＳＷを生成する。前記レンズ２２０の焦点ＦＰは平面から見て前記基板１０の中心点に位置する。
【００６３】
前記衝撃波ＳＷは前記基板１０の表面に衝突して前記基板１０から異物を分離させる。前記衝撃波ＳＷにより前記基板１０の洗浄が行われる間、前記吸入部２４０はパーティクルの形状に分離された異物ＰＣを吸入して外部に排出する。
【００６４】
前記基板１０を洗浄する間、前記マスク２５１は前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢが前記基板１０に入射することを遮断する。
【００６５】
具体的に、前記マスク２５１は平面から見て前記基板１０の一部領域をカバーし、前記焦点ＦＰの一側に位置する。また、前記マスク２５１は前記基板１０から離隔して位置し、背面が前記基板１０と対向する。前記衝撃波ＳＷを用いて前記基板１０を洗浄する間、前記マスク２５１は一方向に連続回転しながら前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢが前記基板１０に入射することを遮断する。
【００６６】
このように、前記マスク２５１が連続回転しながら前記基板１０の洗浄が行われるので、前記マスク２５１の特定領域にのみ前記プルームＰ／ＲＢ及び残留ビームＰ／ＲＢが入射することを防止する。これにより、前記洗浄ユニット２０２は前記マスク２５１の損傷を防止し、前記マスク２５１の損傷による前記基板１０の再汚染を防止できる。
【００６７】
以上、本発明について実施の形態を参照して説明した。しかし、この技術分野における熟練した技術を有する当業者は、上記特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から離脱しない範囲内で、本発明を多様に修正、又は変更することが可能であることを理解できるはずである。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の一実施の形態による基板洗浄装置を示す図である。
【図２】図１に示す遮断部を示す平面図である。
【図３】図１に示す基板洗浄装置における基板を洗浄する過程を示す図である。
【図４】図３に示すマスクの遮断位置が変更する過程を示す平面図である。
【図５】図３に示すマスクの遮断位置が変更する過程を示す平面図である。
【図６】本発明の他の実施の形態による基板洗浄装置を示す図である
【図７】図６に示す遮断部を示す平面図である。
【図８】図６に示す基板洗浄装置で基板を洗浄する過程を示す図である。
【図９】図８に示す遮断部を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１００ 支持ユニット
２０１、２０２ 洗浄ユニット
３０１、３０２ 基板洗浄装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支持し、回転可能な支持プレートと、
前記基板を洗浄する衝撃波を生成するための光を出射するビーム生成部と、
前記ビーム生成部から出射された前記光を基板の上部にフォーカスするレンズと、
前記レンズの焦点と前記基板との間に位置し、前記焦点と隣接する部分が変更され、前記基板を保護する遮断部と、を含むことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項２】
前記遮断部は、
前記基板の上部で前記基板と対向するように配置され、平面から見て前記基板の一部領域をカバーするマスクと、
前記マスクと結合し、前記マスクを移動させる移動ユニットと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄装置。
【請求項３】
前記マスクは円形、又は楕円形を有することを特徴とする請求項２に記載の基板洗浄装置。
【請求項４】
前記マスクは中心点を横切る少なくとも一つの線により複数の遮断領域に分離区画され、前記遮断領域の中心角は互いに同じであって、各遮断領域の中心角は前記マスクの回転角と同じであることを特徴とする請求項３に記載の基板洗浄装置。
【請求項５】
前記移動ユニットは、
前記マスクの上面に結合された連結部と、
前記連結部と結合され、前記マスクを回転させる回転駆動部と、を含むことを特徴とする請求項４に記載の基板洗浄装置。
【請求項６】
前記移動ユニットは、
前記マスクの上面に結合され、前記マスクを回転させる回転部と、
前記回転部と結合された固定部と、を含むことを特徴とする請求項３に記載の基板洗浄装置。
【請求項７】
前記マスクは平面から見て前記基板の中心点を横切って前記基板を二等分する任意の線の一側に位置することを特徴とする請求項２に記載の基板洗浄装置。
【請求項８】
前記基板の上部に具備され、前記遮断部と隣接して位置し、パーティクルを吸入する吸入部をさらに含むことを特徴とする第１項乃至第６項のうち、何れか一項に記載の基板洗浄装置。
【請求項９】
基板を支持する支持ユニットと、
基板を洗浄するための衝撃波を生成して前記基板に提供する洗浄ユニットと、を含み、
前記洗浄ユニットは、
レーザビームを用いて前記基板の上部に衝撃波を生成する衝撃波生成部と、
前記レーザビームが集結される焦点と前記基板との間に位置し、前記基板と対向し、回転可能なマスクと、を含むことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項１０】
前記マスクは平面から見て前記基板の一部領域をカバーし、円形又は楕円形状を有することを特徴とする請求項９に記載の基板洗浄装置。
【請求項１１】
前記マスクは平面から見て前記基板の中心点を横切って前記基板を二等分する任意の線の一側に位置することを特徴とする請求項９に記載の基板洗浄装置。
【請求項１２】
前記洗浄ユニットは、
前記基板の上部に配置され、前記基板の異物を吸入する吸入部をさらに含むことを特徴とする第９項乃至第１１項のうち、何れか一項に記載の基板洗浄装置。
【請求項１３】
基板を支持プレート上に載置するステップと、
前記基板の上部にマスクを配置するステップと、
前記マスクと隣接する地点に光をフォーカスして前記基板の上部に衝撃波を形成するステップと、
前記光が集結される焦点と隣接するマスクの部分を変更しながら、前記衝撃波を用いて前記基板を洗浄するステップと、を含むことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項１４】
前記マスクは前記基板を洗浄する間、回転されることを特徴とする請求項１３に記載の基板洗浄方法。
【請求項１５】
前記マスクは中心点を横切る少なくとも一つの線により複数の遮断領域に分離区画され、前記遮断領域の中心角は互いに同じであって、前記遮断領域のうち、何れか一つは前記焦点と隣接して配置され、
前記基板を洗浄するステップは、既設定された単位時間毎に前記焦点と隣接する遮断領域を変更させながら、前記マスクを前記遮断領域の中心角と同じ角度に往復回転させるステップを含むことを特徴とする請求項１４に記載の基板洗浄方法。
【請求項１６】
前記基板を洗浄する間、前記マスクは一方向に連続回転されることを特徴とする請求項１４に記載の基板洗浄方法。
【請求項１７】
前記基板を洗浄するステップは、
前記衝撃波が生成される間、前記衝撃波により前記基板から分離された異物を前記基板の上側から吸入して外部に排気するステップを含むことを特徴とする第１４項乃至第１６項のうち、何れか一項に記載の基板洗浄方法。
【請求項１】
基板を支持し、回転可能な支持プレートと、
前記基板を洗浄する衝撃波を生成するための光を出射するビーム生成部と、
前記ビーム生成部から出射された前記光を基板の上部にフォーカスするレンズと、
前記レンズの焦点と前記基板との間に位置し、前記焦点と隣接する部分が変更され、前記基板を保護する遮断部と、を含むことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項２】
前記遮断部は、
前記基板の上部で前記基板と対向するように配置され、平面から見て前記基板の一部領域をカバーするマスクと、
前記マスクと結合し、前記マスクを移動させる移動ユニットと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄装置。
【請求項３】
前記マスクは円形、又は楕円形を有することを特徴とする請求項２に記載の基板洗浄装置。
【請求項４】
前記マスクは中心点を横切る少なくとも一つの線により複数の遮断領域に分離区画され、前記遮断領域の中心角は互いに同じであって、各遮断領域の中心角は前記マスクの回転角と同じであることを特徴とする請求項３に記載の基板洗浄装置。
【請求項５】
前記移動ユニットは、
前記マスクの上面に結合された連結部と、
前記連結部と結合され、前記マスクを回転させる回転駆動部と、を含むことを特徴とする請求項４に記載の基板洗浄装置。
【請求項６】
前記移動ユニットは、
前記マスクの上面に結合され、前記マスクを回転させる回転部と、
前記回転部と結合された固定部と、を含むことを特徴とする請求項３に記載の基板洗浄装置。
【請求項７】
前記マスクは平面から見て前記基板の中心点を横切って前記基板を二等分する任意の線の一側に位置することを特徴とする請求項２に記載の基板洗浄装置。
【請求項８】
前記基板の上部に具備され、前記遮断部と隣接して位置し、パーティクルを吸入する吸入部をさらに含むことを特徴とする第１項乃至第６項のうち、何れか一項に記載の基板洗浄装置。
【請求項９】
基板を支持する支持ユニットと、
基板を洗浄するための衝撃波を生成して前記基板に提供する洗浄ユニットと、を含み、
前記洗浄ユニットは、
レーザビームを用いて前記基板の上部に衝撃波を生成する衝撃波生成部と、
前記レーザビームが集結される焦点と前記基板との間に位置し、前記基板と対向し、回転可能なマスクと、を含むことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項１０】
前記マスクは平面から見て前記基板の一部領域をカバーし、円形又は楕円形状を有することを特徴とする請求項９に記載の基板洗浄装置。
【請求項１１】
前記マスクは平面から見て前記基板の中心点を横切って前記基板を二等分する任意の線の一側に位置することを特徴とする請求項９に記載の基板洗浄装置。
【請求項１２】
前記洗浄ユニットは、
前記基板の上部に配置され、前記基板の異物を吸入する吸入部をさらに含むことを特徴とする第９項乃至第１１項のうち、何れか一項に記載の基板洗浄装置。
【請求項１３】
基板を支持プレート上に載置するステップと、
前記基板の上部にマスクを配置するステップと、
前記マスクと隣接する地点に光をフォーカスして前記基板の上部に衝撃波を形成するステップと、
前記光が集結される焦点と隣接するマスクの部分を変更しながら、前記衝撃波を用いて前記基板を洗浄するステップと、を含むことを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項１４】
前記マスクは前記基板を洗浄する間、回転されることを特徴とする請求項１３に記載の基板洗浄方法。
【請求項１５】
前記マスクは中心点を横切る少なくとも一つの線により複数の遮断領域に分離区画され、前記遮断領域の中心角は互いに同じであって、前記遮断領域のうち、何れか一つは前記焦点と隣接して配置され、
前記基板を洗浄するステップは、既設定された単位時間毎に前記焦点と隣接する遮断領域を変更させながら、前記マスクを前記遮断領域の中心角と同じ角度に往復回転させるステップを含むことを特徴とする請求項１４に記載の基板洗浄方法。
【請求項１６】
前記基板を洗浄する間、前記マスクは一方向に連続回転されることを特徴とする請求項１４に記載の基板洗浄方法。
【請求項１７】
前記基板を洗浄するステップは、
前記衝撃波が生成される間、前記衝撃波により前記基板から分離された異物を前記基板の上側から吸入して外部に排気するステップを含むことを特徴とする第１４項乃至第１６項のうち、何れか一項に記載の基板洗浄方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２００９−２７２６０４（Ｐ２００９−２７２６０４Ａ）
【公開日】平成２１年１１月１９日（２００９．１１．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２９４３９１（Ｐ２００８−２９４３９１）
【出願日】平成２０年１１月１８日（２００８．１１．１８）
【出願人】（５００３７６４４９）セメス株式会社 (61)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年１１月１９日（２００９．１１．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１１月１８日（２００８．１１．１８）
【出願人】（５００３７６４４９）セメス株式会社 (61)
【Ｆターム（参考）】
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