【課題】堆積物が有機物を含んでいる場合であっても、効率的に堆積物を除去することのできる堆積物の除去方法を提供する。
【解決手段】基板上にエッチングによって形成されたパターンの表面に堆積した堆積物を除去する堆積物除去方法であって、基板を、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第１処理工程と、第１処理工程の後に、基板を加熱しながら酸素プラズマに晒す酸素プラズマ処理工程と、酸素プラズマ処理工程の後に、基板を、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第２処理工程と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に付着する付着物を効率良く除去する。
【解決手段】氷体５３２がＤＩＷの液膜ＬＦを介して基板Ｗの表面Ｗｆに近接した状態で０℃よりも低い温度に冷却された窒素ガスが氷体５３２の下面の外周縁近傍に供給され、基板Ｗの表面Ｗｆと氷体５３２とに挟まれるＤＩＷが凝固して凝固領域ＦＲが形成される。これによって、凝固領域ＦＲでは、氷結の形成による体積膨脹によって基板Ｗの表面Ｗｆに対するパーティクルＰＴなどの付着物の付着力が弱まるとともに、付着物が凝固領域ＦＲに取り込まれる。そして、凍結ヘッド５３が基板Ｗに対して相対移動することで凝固領域ＦＲが基板Ｗの表面Ｗｆから剥離され、パーティクルＰＴも一緒に基板Ｗの表面Ｗｆから除去される。 （もっと読む）

【課題】微細パターンに与えられるダメージを抑制しつつ、半導体基板上のパーティクルを効果的に除去する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体基板の洗浄方法は、表面に凹凸パターンが形成された半導体基板を所定温度に加熱しながら前記半導体基板の表面に水蒸気を供給する工程と、前記加熱及び水蒸気の供給の停止に伴い前記半導体基板を冷却し、前記半導体基板上の水分を凍結させる工程と、前記水分の凍結後に、前記半導体基板上に純水を供給し、凍結膜を融解させる工程と、前記凍結膜の融解後に、前記半導体基板を乾燥させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる金属付着物の除去方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】金属付着物の除去方法は、金属層が形成された被処理基板を処理する処理空間を内部に有する処理容器の内部に付着した金属付着物を昇華させるように、前記処理容器内部の温度と、前記処理空間の圧力とを、制御する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成した液膜を冷却し凝固させる基板処理装置および基板処理方法において、ノズルに霜が付着するのを抑制し、霜に起因する基板の汚染を防止する。
【解決手段】基板上から側方に退避した退避位置において、冷却ガスノズル３のガス吐出口３０に対して上面３７ａが平面となった整流部材３７を近接対向配置し、ガス吐出口３０から少量の冷却ガスを吐出させる。不使用時にも冷却ガスを吐出させるアイドリングを行っておくことにより、ノズルの温度上昇を抑制し必要時に直ちに冷温の冷却ガスを吐出させることができる。また、アイドリング時に整流部材３７を配置し、ガス吐出口３０周りの隙間から冷却ガスを吹き出させることにより、高湿度の周囲雰囲気がノズル内に侵入するのを抑制し、ノズル内に下が付着するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】乾式洗浄と湿式洗浄とを選択的に実施できる基板処理設備及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理設備は、基板が載せられた容器が置かれるポート１１００及びインデックスロボット１２００を有するインデックス部１０００と、基板処理を遂行する処理部２００と、処理部２００とインデックス部１０００との間に配置されてこれらの間に搬送される基板が一時的に留まるバッファユニット４０００と、を含み、処理部２００は、基板を搬送するための移送路に沿って配置されるグルー除去用処理モジュール、基板冷却処理モジュール、加熱処理モジュール、及び機能水処理モジュールを含む。 （もっと読む）

【課題】基板の処理に使用される処理液の消費量を低減すること。
【解決手段】基板処理装置は、処理液を吸収可能で弾性変形可能なスポンジ４１と、スポンジ４１に処理液を供給する貯留槽４０と、基板Ｗを保持する基板搬送ロボット２１とを含む。基板搬送ロボット２１は、スポンジ４１と基板Ｗとを相対移動させてスポンジ４１と基板Ｗの下面とを接触させることにより、スポンジ４１に吸収されている処理液を基板Ｗの下面に供給させる。 （もっと読む）

【課題】 凝固体を形成するための冷却ガスを使用せず、基板を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板Ｗに凝固対象液としての過冷却状態のＤＩＷを供給し、基板Ｗへ着液する衝撃でＤＩＷの凝固体を形成する。これにより、凝固体形成に必要な気体の冷媒を使用する必要がなくなり、気体の冷媒を生成する設備を不要とし、処理時間を短縮し、更にランニングコスト等を抑えることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高い除去率で、しかも優れた面内均一性で基板を凍結洗浄する。
【解決手段】基板Ｗ上に形成されたＤＩＷ（凝固対象液）の凝固膜ＦＦに対してＤＩＷの凝固点よりも高い温度を有する融解液（ＤＩＷ）を局部的に供給するとともに、当該融解液を吐出するノズル８を基板表面Ｗｆに沿ってスキャン移動させて基板Ｗへの融解液の供給位置を変位させている。このため、基板Ｗ表面の複数位置で融解液の流速が速くなり、基板Ｗ表面の各部で高い除去率が得られるとともに、除去率の面内均一性も向上している。また、融解液により融解された領域（融解部分ＭＰ）と融解されていない領域（凝固膜ＦＦ）との界面ＩＦが基板Ｗの外周縁部側に広がるのに追随してノズル８を基板Ｗの外周縁部側に移動させているので、融解部分ＭＰで発生した氷塊による基板ダメージを効果的に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去する基板処理方法および基板処理装置において、スループットの低下を招くことなく、しかも優れた面内均一性でパーティクル等を除去する。
【解決手段】基板Ｗの回転中心Ｐ（０）から基板Ｗの外縁側に離れた初期位置Ｐ（Ｒin）の上方に冷却ガス吐出ノズル７を配置し、回転している基板Ｗの初期位置Ｐ（Ｒin）に冷却ガスを供給して、初期位置Ｐ（Ｒin）および回転中心Ｐ（０）を含む初期領域に付着するＤＩＷを凝固させる。そして、初期凝固領域ＦＲ0の形成に続いて、ノズル７から冷却ガスを供給しながら初期位置Ｐ（Ｒin）の上方から基板Ｗの外縁部の上方まで移動させることによって、凝固される範囲を基板Ｗの外縁側に広げて基板表面Ｗｆに付着していた全ＤＩＷ（凝固対象液）を凝固して液膜ＬＦ全体を凍結する。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング装置の温度差の大きい２つのフォーカスリングの隙間において低温の部品に堆積物が付着するのを防止する。
【解決手段】プラズマエッチング装置の処理室１５内に配置されたウエハＷの周縁を囲む内側フォーカスリング２５ａ及び外側フォーカスリング２５ｂからフォーカスリング２５を構成し、内側フォーカスリング２５ａはウエハＷに隣接して配置され且つ冷却され、外側フォーカスリング２５ｂは内側フォーカスリング２５ａを囲み且つ冷却されず、更に、ブロック部材２５ｃが、内側フォーカスリング２５ａ及び外側フォーカスリング２５ｂの間に配される。 （もっと読む）

【課題】真空処理室において高温で処理された後に搬送されるウェハを微小異物や汚染が問題にならない温度に効率良く冷却できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】試料を収納するカセットが設置されるカセット台と、大気搬送室と、該大気搬送室から搬送された試料を収納し大気圧雰囲気もしくは真空に切り替え可能なロードロック室と、該ロードロック室に連結された真空搬送室と、真空搬送された試料を処理する真空処理室と、を備える真空処理装置において、前記大気搬送室内に配置され、前記真空処理室で処理された後の高温の試料８を冷却する冷却部を備え、該冷却部は、試料８を載置し冷却液１７の流路が設けられた試料台１５と、試料８の搬入口側に配置され試料台１５に向かって冷却用ガス１０を吹き付けるガス吹き付け管１１と、試料台１５を境に前記搬入口の反対側に配置され、吹き付けられた冷却用ガス１０を排気する排気口１２と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】フォーカスリングの温度を基板の温度とは独立して制御することで，これにより基板の面内処理特性を制御する。
【解決手段】ウエハＷを載置する基板載置面１１５とフォーカスリングを載置するフォーカスリング載置面１１６を有するサセプタ１１４を備えた載置台１１０と，ウエハ裏面を基板載置面に静電吸着するとともに，フォーカスリング裏面をフォーカスリング載置面に静電吸着する静電チャック１２０と，伝熱ガス供給機構２００とを備え，伝熱ガス供給機構は，基板裏面に第１伝熱ガスを供給する第１伝熱ガス供給部２１０と，フォーカスリング裏面に第２伝熱ガスを供給する第２伝熱ガス供給部２２０とを独立して設けた。 （もっと読む）

【課題】基板上のパターンにダメージを与えることなくパターンが形成されていない部分を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに対し、侵入防止液を供給し、その後凝固対象液を基板表面Ｗｆに供給することにより、パターン間隙内部およびパターン近傍にＨＦＥを残留させる。その後、ＨＦＥは液体のままの状態を維持しながら、凝固対象液を凝固して、パターン間隙内部および近傍の領域を除いた基板表面Ｗｆを凍結洗浄する。パターン間隙内部およびパターン近傍については液体のＨＦＥが残留しているため、凝固対象液が凝固することにより生ずる力を受け流すことが可能となり、その力をパターンに直接伝えることがないため、パターンへのダメージを生ずることなくパターンが形成されていない基板表面Ｗｆ等の領域を洗浄することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 周縁部９８１に凝固対象液としてのＤＩＷが付着した基板Ｗを略水平に保持しながら回転し、基板Ｗの周縁部９８１に、凝固手段３５から凝固用気体である窒素ガスを供給して基板Ｗの周縁部９８１に付着するＤＩＷを凝固し、凝固手段３５から窒素ガスが供給されているとは離間した位置に、融解手段４１から融解液であるＤＩＷを供給してＤＩＷの凝固体を融解する。これにより、基板Ｗを回転しながら連続して凝固対象液の凝固と融解を行うことが可能となり、処理に要する時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理装置および基板処理方法において、処理不良の基板が発生するのを未然に防止するとともに、無駄な凝固体の形成・解凍除去を抑制して稼動効率を高める。
【解決手段】基板の表面に形成される液膜の膜厚が所定範囲内となっている場合のみ、その基板に対して凍結処理（ステップＳ５）、凍結膜の解凍除去（ステップＳ６）および基板乾燥（ステップＳ７）を実行している。したがって、液膜の膜厚が所定範囲を超えて十分なパーティクル除去率が期待できない場合には、レシピの途中であるが、基板に対する凍結処理（ステップＳ５）、凍結膜の解凍除去（ステップＳ６）および基板乾燥（ステップＳ７）を行うことなく、基板処理を終了する。 （もっと読む）

【課題】超臨界状態を実現するために必要な圧力よりも低い圧力環境下で、基板Ｗに設けられたパターンを倒壊させることなく基板Ｗを乾燥できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】乾燥処理ユニット３０は、主に、乾燥処理チャンバ３１、二酸化炭素供給機構３２、第１窒素供給機構３３、液体窒素供給機構３４、第２窒素供給機構４４、及び排出機構３５を備える。置換液であるＩＰＡ液で覆われた基板Ｗが乾燥処理チャンバ３１内に保持された状態で、液体二酸化炭素が基板Ｗの表面を覆う。乾燥処理チャンバ３１内が、液体窒素供給機構３４により冷却されることで液体二酸化炭素は固体二酸化炭素へと凝固する。そして排出機構３５により、乾燥処理チャンバ３１内を大気圧に戻すとともに、第１窒素供給機構３３が気体窒素を供給することで昇温され、基板Ｗ表面の液体は昇華する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理装置および基板処理方法において、高いスループットを得られ、しかも優れた処理性能でパーティクル等を除去する。
【解決手段】凍結後の液膜ＬＦ（凝固膜ＦＦ）の到達温度を低くすることによってパーティクルの除去効率を高めることができる。しかも、基板表面Ｗｆ全体に凝固膜ＦＦが形成される前後で冷却ガスの流量を変更しているので、処理に要する時間を短縮しながら優れた処理性能でパーティクル等を除去することができる。特に、液膜ＬＦを凍結させる段階での冷却ガスの流量については基板表面Ｗｆ上の液膜ＬＦを吹き飛ばさない程度に抑えることが必要であるが、凝固膜ＦＦが全面形成された後の段階ではこのような制約がなく、冷却ガスの流量を多くすることが可能であり、これにより冷却能力を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成されたパターンへのダメージを抑制しながら基板表面を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板保持手段１１に保持され、凝固対象液としてのＤＩＷが付着した基板Ｗの表面Ｗｆに対し、液滴供給手段４１の二流体ノズル４１８から、ＤＩＷの凝固点より低い温度に調整された洗浄液としてのＨＦＥの液滴を基板表面Ｗｆに供給し、パターン近傍のＤＩＷを凝固させると共に物理洗浄する。これにより、パターンを補強してダメージを防止した上で基板表面Ｗｆの洗浄を行い、別途凍結の手段を設ける場合に比べてコストを低減し、処理に要する時間を短縮する。 （もっと読む）

【課題】 レジストの水による物性変化（膨潤性等）を利用して、レジスト膜を容易且つ確実に剥離する。これにより、資源・エネルギー多消費型技術からの脱却、すなわちレジストの除去にエネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現させる。
【解決手段】 水蒸気噴射ノズル３をラインスリットノズルが直径方向となるように配置してミスト含有水蒸気をレジスト膜の表面に噴射し、当該レジスト膜を剥離・除去する。 （もっと読む）