【課題】配線パターンへのダメージを抑えつつ、硬化層が形成されたレジスト膜を除去することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】硬化層を有するレジスト膜からなるマスクがその表面に形成された基板Ｗを処理する基板処理装置２において、基板保持部２３は基板Ｗを裏面側から保持し、押圧部３１には、この基板保持部２３に保持された基板Ｗの硬化層を突き刺して損傷させるための多数の突起が設けられており、移動機構３４、３４１は、基板Ｗの表面に対して前記突起を押し付けて硬化層に突き刺す押圧位置と、基板Ｗから退避させた退避位置との間で前記押圧部３１を移動させる。 （もっと読む）

【課題】レジスト等の炭素含有薄膜のパターンの凸部のスリミング処理時のスリミング量（削り取り量）のばらつきを抑制してスリミング処理毎の再現性を向上させることが可能な炭素含有薄膜のスリミング方法である。
【解決手段】パターン化された炭素含有薄膜１０４が形成された被処理体Ｗを酸化装置２の処理容器４内へ搬入する搬入工程と、処理容器内へ水分を供給しつつ酸化ガスにより炭素含有薄膜１０４の表面を酸化処理して除去することによりパターンの凸部１０４Ｂの幅を小さくするスリミング工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】回転中の事故を防ぐスピンナ洗浄装置及びスピンナ洗浄方法を提供すること。
【解決手段】スピンナテーブル１０Ａのウェーハ吸着面１２外側に設けられた吸着確認部１６で、フレームＦとウェーハＷとの間のテープＴを吸着し、検出部１８で吸着確認部１６の圧力の変化を検出する。テープＴが正しく吸着確認部１６に吸着され、吸着確認部１６の圧力が下がりフレームＦの位置に異常がないと判断された場合はスピンナ洗浄が開始される。吸着確認部１６でテープＴが吸着されず圧力が下がらない場合は、フレームＦの位置が異常であるとしてスピンナテーブルの回転が行われない。 （もっと読む）

【課題】実質的に中性に調整された特定の洗浄剤を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層のみならず、シリコンの洗浄により腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】水に、洗浄剤と、塩基性化合物と、酸性有機化合物とを含有させ、実質的に中性に調整された洗浄組成物であって、さらに高分子化合物を含有させた洗浄組成物。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にパーティクルが形成されることを防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置１は、処理液を貯留して、複数の基板Ｗを処理する処理槽１１と、処理槽１１に対して昇降自在に設けられ、基板Ｗを保持して処理液に浸漬させる基板保持部１２とを有する処理部１０と、処理部１０の上方に設けられ、処理槽１１に気体を供給する気体供給部４０と、基板の空き状態を検出する検出部７０とを備えている。処理槽１１を収容する収容ケース３０の下部に、気体供給部４０から供給された気体を排気する排気部３１が設けられている。制御部６０は、検出部７０により検出された基板Ｗの空き状態に基づいて、気体供給部４０から排気部３１に流れる気体の流量調整するように、気体供給部４０および排気部３１を制御する。 （もっと読む）

【課題】チップ面積の削減が可能な側壁加工プロセスを用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、基板301上に被加工膜302を形成し、被加工膜の上に芯材膜304を形成し、芯材膜の一部であって被加工膜の加工時まで残存させる残存部分とそれ以外の芯材膜である除去予定部分との間が所定距離の間隙となるように芯材膜をパターニングする。パターニングの後に芯材膜の側面に側壁305を形成して除去予定部分および残存部分の側面を側壁で覆うとともに残存部分と除去予定部分との間の所定距離の間隙を側壁で閉塞する。さらに、側面が側壁で覆われた残存部分の上面を覆うようにレジスト306を形成し、レジストの形成後にウェットエッチングを行うことにより除去予定部分を除去し、ウェットエッチングの後にレジストを除去する。レジストを除去した後に側壁および残存部分をマスクとして被加工膜を加工する。 （もっと読む）

【課題】円形の基板の周縁を露光するにあたって、基板単位面積あたりの露光量を露光領域内で揃えることができる周縁露光装置及び周縁露光方法を提供すること。
【解決手段】光照射部２と基板との間に、その長手方向の位置に応じて光照射部２からの光の透過率が例えば０％から１００％の間で連続的に変化する調光プレート３０を介在させる。この調光プレート３０はその長手方向に沿って移動し位置決め制御することができるようになっており、制御部により基板の移動速度に対応してその基板への露光照度を調整する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、透明基板に加工を行う場合に、搬送や露光等を問題無く行うことができ、適切に加工を行うことができる透明基板の加工方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透明基板１０、１５の加工方法であって、
前記透明基板１０、１５の表面上の全面を覆うように、光を反射する反射層２０を形成する反射層形成工程と、
前記反射層２０上に、レジスト層９０を形成するレジスト層形成工程と、
前記レジスト層９０を露光によりパターニングし、開口部９１を形成するレジストパターニング工程と、
前記開口部９１にある前記反射層２０をエッチングにより除去する反射層部分エッチング工程と、
前記開口部９１にある前記透明基板１０を加工する透明基板加工工程と、
前記レジスト層９０を除去するレジスト除去工程と、
前記反射層２０の残りの部分を除去する反射層全面除去工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板保持部３４は液体により表面が濡れた状態の被処理基板Ｗを横向きに保持した状態で処理容器３１内に搬入し、このとき前記基板保持部３４と一体に形成され蓋部材３４１が処理容器３１の開口部３１１を塞ぐ。雰囲気形成部７１１、３９は前記処理容器内を超臨界流体の雰囲気とした後、姿勢変換機構６が処理容器３１の姿勢を変換して、当該処理容器３１内の被処理基板Ｗを縦に向ける。これにより被処理基板Ｗの上面の液体が流下して排出部から排出され、その後、排気部７３１より超臨界流体を排出することにより処理容器３１内を減圧して当該超臨界流体を気体とし、乾燥された被処理基板を得る。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】液槽３２は、被処理基板Ｗを液体に浸漬した状態で保持し、処理容器３１では、この液槽３２を内部の処理空間３１０に配置し、当該液槽３２内の液体を超臨界状態の流体に置換して被処理基板を乾燥する処理を行う。移動機構３５２、３５３は、液槽３２を、前記処理容器３１内の処理位置と当該処理容器の外部の準備位置との間で移動させ、当該処理容器３１に設けられた加熱機構３１２は、前記流体を超臨界状態としたり、その超臨界状態を維持する一方、冷却機構３３４、３３５は、前記処理容器３１の外部の準備位置に移動した液槽３２を冷却する。 （もっと読む）

【課題】 ポジ型の化学増幅型レジストからなるパターンの耐溶剤性や耐露光・現像性などを向上させる、化学増幅型レジストパターンの改質方法、及びその改質工程で用いられる化学増幅型レジストパターンの改質材、並びに改質されたレジストパターン構造体を提供すること。
【解決手段】 まず、光酸発生剤と、酸の作用によって溶解性が変化する樹脂成分とを含有するポジ型化学増幅型レジストからなるレジストパターン２の表面に、レジストパターン２内に浸透し、酸の作用下で樹脂成分と架橋反応を行い得る水溶性架橋剤と、架橋剤の浸透を促進する浸透促進剤とを水に溶解させた改質材水溶液３を被着させ、レジストパターン２に架橋剤を浸透させた後、余剰の架橋剤を除去する。次に、レジストパターン５に紫外光を照射して酸を発生させ、加熱して、酸の作用下で樹脂成分と架橋剤とを反応させ、レジストパターン２の少なくとも表層部４に硬化層６を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、及び前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】（成分ａ）水、（成分ｂ）ヒドロキシルアミン及び／又はその塩、（成分ｃ）塩基性化合物、（成分ｄ）有機酸、並びに、０．１重量％以上、０．５重量％未満の（成分ｅ）無機酸及び／又はその塩、を含み、ｐＨが６〜８であることを特徴とする、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣除去用の洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物により、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣を洗浄する工程を含む、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れの発生や、処理用の液体を構成する物質の基板内への取り込みを抑えた超臨界処理装置及び超臨界処理方法を提供する。
【解決手段】処理容器は超臨界流体により処理が行われる基板を収容し、液体供給部は処理容器内にフッ素化合物を含む処理用の液体を供給する。流体排出部は処理容器から超臨界流体を排出し、熱分解成分排除部は前記処理容器内または前記液体供給部から供給される液体内から、当該液体の熱分解を促進する成分を排除する一方、加熱部は、ハイドロフルオロエーテルまたはハイドロフルオロカーボンであるフッ素化合物を含む前記処理用の液体を加熱する。 （もっと読む）

【課題】同一のレジストパターンにより、ドライエッチングおよびウエットエッチングを連続的に行なう際に、変質したレジスト表面層を剥がれなくするように改良された、半導体装置の製造方法を提供することを主要な目的とする。
【解決手段】半導体基板１の上に、絶縁膜２と導電層３を順次形成する。導電層３の上にレジストパターン４を形成する。レジストパターン４をマスクに用いて、導電層３をドライエッチングする。レジストパターン４の表層部を一部削る。レジストパターン４をマスクに用いて、絶縁膜２をウエットエッチングする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、リフトオフ法を用いたパターン形成方法を実施したとしても、導電性パターンのエッジ付近にバリが発生することがない、リフトオフ法を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明では、まず、導電性パターン６のエッジ部が位置するウエハ基板１の表面内に、溝２を形成する。次に、溝２が露出する開口部３ａを有するレジスト３を、ウエハ基板１上に形成する。次に、開口部３ａから露出するウエハ基板１上とレジスト３上とに、導電性膜５を形成する。そして、レジスト３を除去することにより、ウエハ基板１上に導電性パターン６を形成する。 （もっと読む）

【課題】金属を電気科学的腐食から保護しながら、良好な洗浄結果を生じる、多金属マイクロエレクトロニックデバイスのための良好な洗浄組成物を提供すること。
【解決手段】本発明は、多金属マイクロエレクトロニックデバイスを洗浄するために適切なマイクロエレクトロニックフォトレジスト洗浄組成物、および引き続いて水を使用するすすぎ工程が存在する場合に、実質的または有意なあらゆる電気化学的腐食を起こさずに、多金属マイクロエレクトロニックデバイスを洗浄することに関する。本発明はまた、このような多金属マイクロエレクトロニックデバイスを、本発明の組成物を用いて洗浄するための方法に関する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストパターンを溶解し所望のレジストパターンを形成するリフロー処理において、生産効率が向上し、コストを低減することのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置７は、純水を前記基板上に供給するノズルと前記ノズルからの純水の供給開始および停止を制御する純水供給手段２１を備え、前記ノズル２０から供給される純水に、下地膜のエッチングマスクとして使用された前記フォトレジストパターンを所定時間、曝す純水曝しユニット１６と、前記純水に曝された基板上にエアを吹き付けるブローノズル２２と、前記ブローノズルからのエアを制御するブロー手段２３とを備え、前記ブローノズルからのエアで、前記基板上の純水を除去する純水除去ユニット１７と、前記純水が除去された基板のフォトレジストパターンを溶剤雰囲気に曝して溶解し、所定エリアをマスクするリフローユニットとを含む。 （もっと読む）

【課題】下地となる低誘電率材料にダメージを与えることなく、硬化したフォトレジストを除去する。
【解決手段】硬化したフォトレジストを、低誘電率材料を含む基板から除去し、低誘電率材料の特性を保存する方法を提供する。ａ）硬化したフォトレジストおよび少なくとも部分的に露出した低誘電率材料を含む基板を用意する。ｂ）硬化したフォトレジストを、真空または不活性雰囲気で２００ｎｍ〜３００ｎｍの波長を有するＵＶ放射で露光することによって、硬化したフォトレジスト中にＣ＝Ｃ二重結合を形成する。ｃ）硬化したフォトレジストを、オゾン（Ｏ_３）またはオゾン（Ｏ_３）と酸素（Ｏ_２）の混合物と反応させることによって、ｂ）で形成されたＣ＝Ｃ二重結合を破壊し、これにより硬化フォトレジストを断片化する。ｄ）クリーニング化学薬品を用いた湿式処理によって、ｃ）で得られた断片化したフォトレジストを除去する。 （もっと読む）

【課題】エッチング時におけるレジスト残りを防止することでコスト低減を実現した、パターン形成方法、コンタクトホールの形成方法、及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上に形成された膜２上に金属膜３を形成し、金属膜３上にレジストマスク４を形成し、レジストマスク４を用いて金属膜３をドライエッチングして金属マスク４を形成する。この金属マスク４を用いて膜をドライエッチングしてパターニングし、金属マスク４を除去するパターン形成方法である。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板を製造する装置に関することで、さらに詳しくは半導体基板を加工するための基板製造方法に関する。
【解決手段】基板製造方法は、まず、フォトレジストが形成される基板を加熱させた後に、１次プラズマアッシング処理する。 続き、基板の温度を大気圧状態で降下させた後、もう一度基板を２次プラズマアッシング処理する。このように、プラズマアッシング処理過程で、基板の温度を大気圧状態でしばらく降下させるので、フォトレジストの化学結合変化を減少させ、ポッピング及び残留物の発生を減少させ、製品の収率を向上させる。 （もっと読む）