説明

東京エレクトロン株式会社により出願された特許

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【課題】鉛直方向の省スペース化が実現できる基板液処理装置のミスト回収機構を提供すること。
【解決手段】本発明は、基板を保持する載置台と、前記載置台を回転させる回転駆動部と、前記載置台に載置される基板に液体を供給する液体供給部と、前記載置台に載置されて回転する基板から飛散する液体を下方へ案内するために、上から順に設けられた、液体案内上部カップと、液体案内中央カップと、液体案内下部カップと、前記液体案内中央カップを昇降させるための駆動機構と、を備え、前記駆動機構が前記液体案内中央カップを昇降させることによって、液体案内上部カップと液体案内中央カップとの間の間隔、及び/または、液体案内中央カップと液体案内下部カップとの間の間隔が変化するようになっていることを特徴とする基板液処理装置。 (もっと読む)


【課題】基板処理システムの加熱装置を昇温するにあたり、三相交流電源の各相の線間電流の平衡を維持しつつ、基板処理システムの起動時間が長くなることを防止する。
【解決手段】ウェハを処理する塗布現像処理システムは、所定の処理レシピに設定されたウェハの処理順序にしたがって複数の加熱装置40a〜40dを昇温する際に、各加熱装置40a〜40dが接続された各相の線間電流値を監視し、加熱装置40a〜40dの昇温中に線間電流値が制限値を上回り加熱装置の昇温が制限された相が生じた際に、昇温が制限された相以外の相における、所定の処理レシピに設定されたウェハの処理順序において次順以降に昇温される加熱装置の昇温の可否を判断し、昇温が制限された相に接続された加熱装置を飛ばして、昇温が制限された相以外の相に接続された昇温可能な加熱装置の昇温を行う。 (もっと読む)


【課題】確実にガスを供給してプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、プラズマ処理用のガスを供給するガス供給口を有するアウターガス供給部材40と、処理容器内においてアウターガス供給部材40を支持するガス供給部材支持装置としてのジャケット部27を備える。ジャケット部27は、アウターガス供給部材40および側壁を連結するように、ガス供給部材の延びる方向にそれぞれの間隔を空けて設けられる3つの支持部材44〜46と、側壁に固定され、支持部材を取り付け可能な取り付け部47〜49とを含む。支持部材は、第一の取り付け部47に固定して取り付けられる第一の支持部材44と、第二の取り付け部48、49にフリーに支持されるように取り付けられる第二の支持部材45、46とを含む。 (もっと読む)


【課題】基板等の表面の平坦性を向上させる表面処理方法を提供する。
【解決手段】窒素を含まない原料のガスクラスターイオンビームを発生させ、被処理部材に照射する第1の処理工程と、窒素のガスクラスターイオンビームを発生させ、前記被処理部材に照射する第2の処理工程と、を有することを特徴とする表面処理方法を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】基板の回転数を高くしかつ処理カップ内の排気を低排気量で行っても排気流の逆流を抑え、基板へのミストの再付着を低減できる液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】スピンコーティングを行うレジスト塗布装置において、ウエハWの裏面の周縁部に近接した位置から外側下方へ向かって伸び出す下側ガイド部45と、その上端面がウエハWの表面とほぼ同じ高さに位置すると共に、下側ガイド部45との間に気流を下方へガイドするための下側環状流路79を形成する上側ガイド部70と、上側ガイド部70との間に環状空間78を形成する外側カップ60と、環状空間78を途中で狭くするために外側カップ60の下面から上側ガイド部70の上面に向かって突出し、周方向に環状に形成された突出部100と、を備え、環状空間78と下側環状流路79とを通ってきた気流が合流するように構成する。 (もっと読む)


【課題】 表面ラフネスの精度をさらに改善でき、進展するコンタクトホールやラインなどの微細化に対応可能なアモルファスシリコンの成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地2を加熱し、加熱した下地2にアミノシラン系ガスを流し、下地2の表面にシード層3を形成する工程と、下地2を加熱し、加熱した下地2の表面のシード層3にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、アミノ基を含まないシラン系ガスを熱分解させることで、シード層3上にアモルファスシリコン膜を形成する工程と、を備える。 (もっと読む)


【課題】液体原料のクラスターと気体原料のクラスターの比率を容易に制御することのできるクラスタービーム合せい装置を提供する。
【解決手段】クラスタービーム26を発生させるクラスタービーム発生装置10において、気体原料と液体原料とを混合する混合器40と、前記混合器40において混合された前記気体原料及び前記液体原料をクラスターとして供給するノズル21と、前記ノズル21の温度を調整する温度調整部23と、を有し、前記温度調整部23により、前記ノズルの温度を変化させることにより、前記クラスターにおける前記液体原料のクラスターと前記気体原料のクラスターとの比率を調整することを特徴とするクラスタービーム発生装置10を提供する。 (もっと読む)


【課題】昇降自在に設けられた上部電極の上部空間に処理ガスが回り込んでも,それを容易に排出する。
【解決手段】処理室102の天井壁105に下部電極111に対向して昇降自在に設けられ,処理ガスを導入する多数の吹出孔123を設けた上部電極120と,各電極とその間の処理空間の周囲を囲むシールド側壁310と,シールド側壁の内側に設けられ,処理空間の雰囲気を排気する内側排気流路330と,シールド側壁の外側に設けられ,上部電極と天井壁との間の空間に回り込んだ処理ガスを排気する外側排気流路138とを設けた。 (もっと読む)


【課題】 エンドポイントを検出するための方法及び装置
【解決手段】 本発明は、基板をエッチングすることと、少なくとも1つのエンドポイント信号を測定することと、該少なくとも1つのエンドポイント信号をフィルタリングすることにより少なくとも1つのフィルタリングされたエンドポイント信号を発生させ、該フィルタリングがSavitsky Golayフィルタ(12)を該少なくとも1つのエンドポイント信号に適用することを備えることと、該エッチ処理のエンドポイントを該少なくとも1つのフィルタリングされたエンドポイント信号から決定する(14)こととを備える、プラズマ処理システム(1)内の基板をエッチングするための、エッチ処理のエンドポイントを検出するための方法を提示する。 (もっと読む)


【課題】処理の面内均一性の向上を図ることができるとともに、装置の小型化と処理効率の向上を図ることができ、かつ、上部電極と下部電極との間隔を容易に変更することのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバー201内に設けられた下部電極202と、シャワーヘッドとしての機能を備え上下動可能とされた上部電極100と、前記上部電極の上側に設けられ処理チャンバーの上部開口を気密に閉塞する蓋体205と、前記上部電極の面内に形成された複数の排気孔13と、前記上部電極の周縁部に沿って下方に突出するように設けられ該電極と連動して上下動可能とされて、下降位置において前記下部電極と前記上部電極とによって囲まれた処理空間を形成する環状部材220と、前記環状部材の内壁部分に誘電体製の容器230内に収容されて配置されたコイル240と、を具備したプラズマ処理装置とする。 (もっと読む)


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