【課題】電極層の全域を適切に温度制御することができる電極ユニットを提供する。
【解決手段】プラズマエッチングを基板に施す処理室１７を備える基板処理装置１０は、半導体ウエハＷを載置し、且つ処理室１７内に高周波電圧を印加するサセプタ１２と対向するように配置されている上部電極ユニットとしてのシャワーヘッド２９を備え、該シャワーヘッド２９は、処理室１７側から順に配置された、電極層３２、加熱層３３及び冷却層３４を有し、加熱層３３は電極層３２を全面的に覆うとともに、冷却層３４は加熱層３３を介して電極層３２を全面的に覆い、加熱層３３及び冷却層３４の間には伝熱シートが配置される。 （もっと読む）

【課題】成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜速度を高め、ターゲットの使用効率を向上したマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】ターゲット３１の背面側に設けられたマグネット配列体５は、両端が互に異極である棒状マグネットが網の目状に配置されると共に、網の目の交点にて、棒状マグネットの端面に囲まれる領域には透磁性のコア部材を設けるように構成されている。棒状マグネットの両端の極からの磁束がコア部材を通して出ていくため、隣接する棒状マグネット同士の磁束の反発が抑えられて磁束線の歪みが抑制され、水平磁場が広い範囲で形成される。このため、高密度のプラズマが広範囲に均一に形成され、成膜速度の面内均一性を確保しながら、速い成膜速度が得られる。また、ターゲット３１のエロージョンの面内均一性が良好であり、エロージョンが均一性を持って進行するため、ターゲット３１の使用効率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】 表面ラフネスが良好なシリコン酸化物膜を得ることが可能なシリコン酸化物膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地１上にシード層２を形成する工程と、シード層２上にシリコン膜３を形成する工程と、シリコン膜３及びシード層２を酸化し、下地１上にシリコン酸化物膜４を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】液処理と乾燥処理を異なる高さ位置で行うことができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を回転させる回転駆動部と、前記基板保持部を上昇及び下降させる基板保持部昇降部材と、前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板に前記処理液を供給するときに、前記基板を囲う液受けカップと、前記基板に前記処理液を供給するときに、前記基板と前記液受けカップの上方に位置し、前記基板を乾燥するときに、前記基板を囲い、かつ前記液受けカップの上方に位置する乾燥カップとを備えることを特徴とする液処理装置により上記の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】搬送アームのベース上方に設けた撮像装置だけで，搬送アームのピック上の基板を検出する。
【解決手段】搬送アーム２１０と共に旋回自在に支持され，ピック側に配置されるピック側ミラー３１０を備えたピック側ユニット３０４とベース側に配置されるベース側ミラー３１２を備えたベース側ユニット３０６とを少なくとも有し，ピック側ミラーはピックに保持されたウエハＷの周縁を含む画像をベース側に向けて反射するように配置し，ベース側ミラーはピック側ミラーからの画像をベースの上側に向けて反射するように配置したミラーユニットと，ベース側ミラーからの画像が撮像領域に含まれるようにベースの上方に設けられた撮像装置１３０とを設け，撮像装置で取り込んだ当該画像に基づいて基板状態を検出する。 （もっと読む）

【課題】整合回路の発熱を抑制しつつ、分割アンテナを備えた誘導結合プラズマ処理装置のパワー効率を向上させることが可能な高周波アンテナ回路を提供する。
【解決手段】誘導結合プラズマ処理装置において基板を処理する処理チャンバー内に誘導結合プラズマを生成するための高周波アンテナ回路であって、処理チャンバー内にプラズマを生成するプラズマ生成アンテナ１６と、プラズマ生成アンテナ１６に高周波電力を供給する高周波電源１８と、高周波電源１８とプラズマ生成アンテナ１６との間に介在する整合回路１９と、プラズマ生成アンテナ１６を構成し、整合回路１９を通過後の高周波電力が分配される複数の分割アンテナ１６−１〜１６−４と、複数の分割アンテナ１６−１〜１６−４のそれぞれに並列に設けられた並列共振キャパシタ回路３０−１〜３０−４とを有する。 （もっと読む）

【課題】複数の蓄熱タンクおよび循環ポンプを備えた温調ユニットの並設と、タンク内の液体を循環させる循環路を形成した、より安定した温度制御が可能な温度制御システムを提供する。
【解決手段】第１温度の液体を貯蔵する低温温調ユニット７４、第１温度より高い第２温度の液体を貯蔵する高温温調ユニット７５、低温温調ユニットからの流体を流す低温流路７６、高温温調ユニットからの流体を流す高温流路７７、流体を循環させるバイパス流路７３、合流部ＰＡにて低温流路、高温流路及びバイパス流路の３流路から合流した流体を流す結合流路７１、結合流路から流体を流し、半導体製造装置１００に用いられる部材を冷却又は加熱する調温部７０、合流部の上流側にて前記３流路に取り付けられた可変バルブ７９の弁開度を制御し、前記３流路の流量分配比率を調整する制御装置９０を有する温度制御システム１が提供される。 （もっと読む）

【課題】環状のフレームの内側に配置されて、当該フレームとテープにより保持された状態の被処理基板の接合面を適切に洗浄する。
【解決手段】洗浄装置１３は、被処理ウェハＷを保持して回転させるウェハ保持部１３０と、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊを覆う供給面１４１を備えた洗浄治具１４０とを有している。洗浄治具１４０には、接合面Ｗ_Ｊと供給面１４１との間の隙間１４２に接着剤Ｇの溶剤、溶剤のリンス液、及び不活性ガスを供給する気液供給部１５０と、接合面Ｗ_Ｊと供給面１４１との間の隙間１４２に供給された溶剤やリンス液（混合液）を吸引する吸引部１７０と、段部Ａに気体を供給する気体を供給する気体供給部１８０とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】再製作が容易な基板保持体を提供する。
【解決手段】ウェハＷを吸着保持するスピンチャック１は、第１の温度以上の耐熱性を有する吸着盤１０と、吸着盤１０上面の外周縁部に沿って連続して設けられたシール部材１１と、吸着盤１０の上面であってシール部材１１の内側に設けられた支持部材１２と、を有している。シール部材１１と支持部材１２は、第１の温度より低い第２の温度以上で炭化する紫外線硬化樹脂により形成されている。 （もっと読む）

【課題】 高周波(RF)プラズマ処理システムにおいて、RFエネルギーの均一性を改善する装置及び方法の改良が必要である。
【解決手段】 高周波(RF)出力結合システムが供される。当該システムは、RF出力をプラズマ処理システム内のプラズマへ結合するRF電極と、該RF電極上の複数の出力結合位置でRF出力を電気的に結合する複数の出力結合素子と、該複数の出力結合素子と結合して、RF出力信号を前記複数の出力結合素子の各々へ結合するRF出力システムを有する。前記複数の出力結合素子は、前記RF電極の中心に位置する中心素子と、前記RF電極の中心から外れた位置に設けられる周辺素子を有する。第1周辺RF出力信号は、第2周辺RF出力信号と位相が異なる。 （もっと読む）