【課題】測定可能な膜厚の上限値を容易に変更することができる光干渉システム、基板処理装置及び計測方法を提供する。
【解決手段】光干渉システム１は、光源１０、コリメータ１２、単一の受光素子４１、チューナブルフィルタ４０及び演算装置１５を備える。コリメータ１２は、光源１０からの測定光を測定対象物の第１主面へ出射するとともに、第１主面及び第２主面からの反射光を入射する。単一の受光素子４１は、コリメータ１２からの光の強度を取得する。チューナブルフィルタ４０は、受光素子４１に入射される光の波長を掃引する。演算装置１５は、チューナブルフィルタ４０及び受光素子４１を用いて、波長に依存した強度分布であって第１主面及び第２主面からの反射光の強度分布である干渉強度分布を測定し、干渉強度分布をフーリエ変換して得られる波形に基づいて測定対象物の厚さ又は温度を計測する。 （もっと読む）

【課題】洗浄時間を低減しつつ基板表面全体で所望のパーティクル除去率を達成できる基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄部の周縁領域での第１の移動速度と基板の第１の回転速度とを決定する予備工程Ｓ５１、Ｓ５２と、基板の周縁領域より中心側で第１の移動速度よりも速い移動速度で移動するように第１の移動速度を基準に洗浄部の移動速度を決定する移動速度決定工程Ｓ５３と、基板の周縁領域より中心側で基板の第１の回転速度よりも速い回転速度で回転するように第１の回転速度を基準に基板の回転速度を決定する回転速度決定工程Ｓ５４と、移動速度決定工程にて決定した洗浄部の移動速度に従って基板の中心側から周縁領域まで洗浄部を移動させながら、回転速度決定工程で決定した基板の回転速度に従って基板回転速度を変化させ、洗浄部により基板を洗浄する洗浄工程Ｓ５６と、を含む基板洗浄方法である。 （もっと読む）

【課題】処理液等の薬液の無駄な消費を無くし、且つ、タクトタイムを短縮し、生産性を向上する。
【解決手段】円柱状または円盤状に形成され、その周面に前記ノズル先端の長手方向に沿って平行に形成された複数の払拭部１１ａを有し、所定方向に臨む一の払拭部によりノズル先端３ａを狭持すると共に、前記ノズル先端の長手方向に沿って移動可能に設けられた払拭体１１と、前記払拭体を前記ノズル先端の長手方向に沿って移動させる払拭体移動手段１３，１４，１５と、前記ノズル先端の側方に移動された前記払拭体を軸周りに回転させ、前記一の払拭部に代えて他の払拭部を前記所定方向に臨む状態とする払拭体回転手段１７，１８とを備える。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を適切且つ効率よく行う。
【解決手段】重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置３０は、被処理ウェハＷを第１の温度に調節する温度調節機構１２４を備え、且つ当該被処理ウェハＷを保持する第１の保持部１１０と、支持ウェハＳを第１の温度よりも高い第２の温度に加熱する加熱機構１４１を備え、且つ当該支持ウェハＳを保持する第２の保持部１１１と、少なくとも第１の保持部１１０又は第２の保持部１１１を相対的に移動させる移動機構１５０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】基板を水平に搬送しながら行う熱処理において、基板面内での熱処理温度のばらつきを抑制し、基板面内における配線パターンの線幅を均一化する。
【解決手段】基板Ｇを基板搬送路２に沿って水平に搬送する基板搬送手段２０と、基板搬送路２に沿って配置され、基板Ｇを加熱するための第１の加熱手段４と、搬送路に沿って、かつ、第１の加熱手段の後段に配置され、基板Ｇを加熱するための第２の加熱手段５と、第１の加熱手段４で加熱された基板Ｇの温度を検出するための基板温度検出手段４６と、基板温度検出手段４６の検出結果に基づいて、第２の加熱手段５に対応した基板搬送手段２ｃにおける基板搬送速度を制御する制御部４０とを有する。 （もっと読む）

【課題】露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備えた基板処理システムにおいて、基板搬送の負荷を低減させる。
【解決手段】塗布現像処理システムのインターフェイスステーション５は、ウェハを露光装置に搬入する前に少なくともウェハの裏面を洗浄するウェハ洗浄部１４１と、洗浄後のウェハの裏面について、当該ウェハの露光が可能かどうかを露光装置に搬入前に検査するウェハ検査部１４２と、ウェハ洗浄部１４１とウェハ検査部１４２との間でウェハＷを搬送する搬送手段１４３を有している。ウェハ洗浄部１４１、ウェハ検査部１４２及び搬送手段１４３は、筐体１４０の内部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】液処理工程中に基板を上方から支持する基板支持部、あるいは基板とともに回転する天板を基板へ供給されるリンス液を用いて洗浄する。
【解決手段】液処理装置１００はウエハＷを上方から支持する回転自在の基板支持部１０と、基板支持部１０の回転中心に設けられ少なくともリンス液をウエハＷに対して供給するトッププレートノズル１０ｎとを備えている。トッププレートノズル１０ｎは基板支持部１０に対して上下方向に移動可能となっており、トッププレートノズル１０ｎを基板支持部１０から離間した状態でトッププレートノズル１０ｎからリンス液をウエハＷに対して供給する。トッププレートノズル１０ｎを基板支持部１０に接近させた状態で、トッププレートノズル１０ｎからリンス液を基板支持部１０の下面に供給して洗浄する。 （もっと読む）

【課題】露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備え、処理ユニットの構成を変更することなくフットプリントを小さくする、基板処理システムを提供する。
【解決手段】処理ステーションと、インターフェイスステーション５と、を備えた塗布現像処理システムにおいて、インターフェイスステーション５は、ウェハを露光装置に搬入する前にウェハの裏面を洗浄する洗浄ユニット１００と、洗浄後のウェハが露光可能な状態かどうかを検査する検査ユニット１０１と、洗浄ユニット１００と検査ユニット１０１との間でウェハを搬送するアームを備えたウェハ搬送機構１２０を有している。洗浄ユニット１００と検査ユニット１０１は、インターフェイスステーション５の正面側に、上下方向に多段に設けられ、ウェハ搬送機構１２０は、洗浄ユニット１００及び検査ユニット１０１に隣接した領域に設けられている。 （もっと読む）

【課題】処理液の補充による処理液の濃度増加を防止すること。
【解決手段】本発明では、薬液を希釈液で希釈した処理液を設定温度で沸騰させることによって処理液の濃度を設定温度における飽和濃度とし、処理液に基板を浸漬させて基板の処理を行う基板処理装置(1)において、基板(10)を処理液で処理する処理槽(2)と、処理槽(2)に貯留した処理液を設定温度に加熱する処理液加熱手段(5)と、処理槽(2)から処理液を排出する処理液排出手段(6)と、処理槽(2)に処理液を補充する処理液補充手段(7)と、設定温度を変更する設定温度変更手段(8)と、処理液排出手段(6)と処理液補充手段(7)を制御する制御手段(9)とを有し、制御手段(9)は、処理液排出手段(6)で所定量の処理液を処理槽(2)から排出し、設定温度変更手段(8)で変更された設定温度における飽和濃度となる濃度の処理液を処理液補充手段(7)から処理槽(2)に補充するよう制御することにした。 （もっと読む）

【課題】基板を液層に浸漬して液処理した後、その液層を排出することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部の下方に設けられた貯留槽と、前記貯留槽の外周側に該貯留槽を囲むように設けられた環状のカップ部と、を有し、前記貯留槽は、前記基板支持部により支持される前記基板の下面に対向するように設けられた円形の底部と、前記底部の外周部に該底部を囲むように設けられた周壁を含む堰部と、を含み、前記底部と前記堰部との相対的な位置関係を変化させることによって、前記貯留槽に液体を貯留し又は前記貯留槽の液体を排出し、前記カップ部は、前記排出された液体を収容することを特徴とする液処理装置により上記の課題が達成される。 （もっと読む）