【課題】ＳｉＣ膜を下地膜としてＳｉＯＣ系のＬｏｗ−ｋ膜をエッチングする場合等、下地膜に対して選択比を十分に取り難い場合であっても、高選択比および高エッチングレートで被エッチング膜をエッチングすることができるプラズマエッチング装置を提供すること。
【解決手段】真空排気可能な処理容器10内に、上部電極34と下部電極16を対向するように配置し、上部電極34プラズマ形成用の高周波電力を供給する第１の高周波電源48を接続し、下部電極16にイオン引き込みバイアス用の高周波電力を印加する第２の高周波電源90を接続し、第２の高周波電源90に制御器95を設け、制御器95は、パワー変調するパワー変調モードで動作させる際、プラズマ着火時に、最初に前記第２の高周波電源90を同一パワーで連続的に高周波電力を供給するモードで動作させ、その後パワー変調モードに切り換えるように制御する。 （もっと読む）

【課題】プラズマからラジカルのみを確実に選択的に通過させることができるラジカル選択装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０のチャンバ１１内において、載置台１２に載置されたウエハＷ及びプラズマジェネレータ１３の間に配置されるラジカルフィルタ１４は、上部シールドプレート１７と、プラズマジェネレータ１３との間に上部シールドプレート１７を介在させるように配置される下部シールドプレート１８とを備え、上部シールドプレート１７は当該上部シールドプレート１７を厚み方向に貫通する複数の上部貫通孔１７ａを有し、下部シールドプレート１８は当該下部シールドプレート１８を厚み方向に貫通する複数の下部貫通孔１８ａを有し、上部シールドプレート１７には負の直流電圧が印加され、下部シールドプレート１８には正の直流電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】フットプリントを縮小すると共に処理ラインの長さを短縮し、装置コストの低減および生産性の向上を実現する。
【解決手段】被処理基板Ｇを水平方向に搬送すると共に、前記基板の幅方向に長い吐出口を有するノズルから前記塗布液を吐出し、前記基板上に塗布膜を形成する塗布処理手段６と、前記塗布膜が形成された前記基板を第１の加熱温度で加熱する第１の加熱処理手段１１と、前記第１の加熱処理手段により加熱された前記基板を、前記第１の加熱温度よりも高い第２の加熱温度で加熱する第２の加熱処理手段１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させ、ターゲットの使用効率を向上させること。
【解決手段】真空容器２内に載置されたウエハ１０に対向するようにターゲット３１を配置し、このターゲット３１の背面側にマグネット配列体５を設ける。このマグネット配列体５は、マグネット６１，６２がマトリックス状に配列された内側マグネット群５４と、この内側マグネット群５４の周囲に設けられ、電子の飛び出しを阻止するリターン用のマグネット５３とを備えている。これによりターゲット３１の直下にカスプ磁界による電子のドリフトに基づいて高密度のプラズマが発生し、またエロージョンの面内均一性が高くなる。このためターゲット３１とウエハ１０とを接近させてスパッタを行うことができ、成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜効率を向上させることができる上、ターゲットの使用効率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】複数の処理部を順番に通過させ、複数種類の処理ガスを順番に供給すると共にプラズマ処理を行うにあたり、基板に均一な成膜処理を行うこと。
【解決手段】回転テーブルにおける基板載置領域側の面にプラズマ生成用のガスを供給するガス供給部と、プラズマ生成用のガスを誘導結合によりプラズマ化するために、前記回転テーブルの中央部から外周部に亘って伸びるように当該回転テーブルにおける基板載置領域側の面に対向して設けられたアンテナと、を備えるように装置を構成する。そして、前記アンテナは、前記基板載置領域における回転テーブルの中央部側との離間距離が、前記基板載置領域における回転テーブルの外周部側との離間距離よりも３ｍｍ以上大きくなるように配置する。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの製造のスループットをさらに向上できるとともに、製造される半導体デバイスの品質の低下を防止できる三次元実装装置を提供する。
【解決手段】三次元実装装置１１において、搬送トレイ１６は配置面１６ａａを含む内側トレイ１６ａを有し且つ配置面１６ａａに配置された８つの積層チップ２１を搬送し、チャンバ２７は内側トレイ１６ａを収容し、下部ステージ２８はチャンバ２７内において内側トレイ１６ａを載置し、複数のチャック２９は、チャンバ２７内において、内側トレイ１６ａの配置面１６ａａに配置された積層チップ２１と対向して配設され、複数のチャック２９の各々は、配置面１６ａａに配置された複数の積層チップ２１の各々に一対一で対応して配設され、下部ステージ２８及び各複数のチャック２９が下部ステージ２８及び各複数のチャック２９の間を詰めるように移動する。 （もっと読む）

【課題】テンプレートの表面の転写パターン形成領域に成膜ガスを供給して離型膜を形成するにあたり、テンプレートの側面及び裏面に前記離型膜が形成されることを防ぐ技術を提供すること。
【解決手段】転写パターン形成領域に、局所的に前記成膜ガスを供給して前記離型膜を形成するための成膜ガス供給部と、前記転写パターン形成領域の周囲に形成される外側領域に前記転写パターン形成領域の外周に沿ってパージ用流体を供給するパージ用流体供給部と、前記外側領域において前記パージ用流体が供給される領域の内側を前記転写パターン形成領域の外周に沿って排気して、外側領域を転写パターン形成領域に向かう前記パージ用流体と、転写パターン形成領域からテンプレートの側面へ向かう前記余剰の成膜ガスとを除去するための排気部と、を備えるように装置を構成してガスの側面への回りこみを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】基体を処理するための処理システムの基体搬送装置において、搬送チャンバ内でのケーブル引き回し処理を不要とする。
【解決手段】基体搬送装置は、チャンバ壁１２、テーブル１４、リニアモータ搬送機構１６、光学窓１８、及び、レーザ計測器を備える。チャンバ壁は、搬送空間Ｓを画成する。テーブルは、搬送空間内に収容されている。当該テーブル上には基体を載置可能である。リニアモータ搬送機構は、搬送空間内においてリニアモータによりテーブルを移動させる。光学窓は、搬送空間と当該搬送空間の外部空間との間に設けられている。例えば、光学窓は、チャンバ壁に画成された開口を封止するように設けられる。レーザ計測器は、光学窓を介してテーブルに向けてレーザ光を照射し、テーブルからの反射光を受けて、テーブルの位置を計測する。 （もっと読む）

【課題】基板面内における現像処理後のレジスト残膜の均一性を向上し、配線パターンの線幅及びピッチのばらつきを抑制する。
【解決手段】基板搬送手段２０と、被処理基板Ｇに対する露光処理空間を形成するチャンバ８と、基板搬送方向に交差する方向にライン状に配列された複数の発光素子Ｌを有し、下方を搬送される被処理基板上の感光膜に対し、前記発光素子の発光により光照射可能な光源４と、前記光源を構成する複数の発光素子のうち、１つまたは複数の発光素子を発光制御単位として選択的に発光駆動可能な発光駆動部９と、前記基板搬送手段により搬送される前記被処理基板を検出する基板検出手段３０と、前記基板検出手段による基板検出信号が供給されると共に、前記発光駆動部による前記発光素子の駆動を制御する制御部４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】露光量及びフォーカス値についての設定時間を短くすることができる露光装置の設定方法を提供すること。
【解決手段】予め設定された寸法のパターンを形成するための露光量とフォーカス値とが決定された状態の露光装置で露光領域を露光し、パターンを形成した基準基板を撮像し、露光領域の輝度を含む基準データを取得する。そして、前記寸法のパターンを形成する前記露光量とフォーカス値とのうちの一方が不明な第２の状態の露光装置で、露光領域が複数設定された検査基板を、露光領域毎に露光量とフォーカス値とを各々変更して露光してパターンを形成する。さらに前記パターンを形成した検査基板を撮像し、前記各露光領域についての輝度を特定した検査画像データを作成し、前記基準データと検査画像データとに基づいて、第２の状態で前記寸法のパターンを形成する露光量及びフォーカス値を決定する。 （もっと読む）