説明

東京エレクトロン株式会社により出願された特許

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【課題】単位ブロックに異常が発生したり、メンテナンスを行うときに、塗布、現像装置のスループットの低下を抑えると共に処理ブロックの設置面積を抑えること。
【解決手段】積層された前段処理用の単位ブロックと、各々対応する積層された後段処理用の単位ブロックとの間に設けられ、両単位ブロックの搬送機構の間で基板の受け渡しを行うための塗布処理用の受け渡し部と、各段の塗布処理用の受け渡し部の間で基板の搬送を行うために昇降自在に設けられた補助移載機構と、前記前段処理用の単位ブロックに積層された現像処理用の単位ブロックとを備える塗布、現像装置を構成する。各層間で基板を受け渡せるので、使用不可になった単位ブロックを避けて基板を搬送することができる。また、現像用の単位ブロックと前段処理用の単位ブロックとが積層されているので設置面積が抑えられる。 (もっと読む)


【課題】処理カップ内の気流制御により、ミスト再付着防止および膜厚均一性向上を図る。
【解決手段】処理カップ(33A)は、第1のカップ部材(40A)と、第2のカップ部材(60)と、前記第1のカップ部材と前記第2のカップ部材との間に設けられた第3のカップ部材(70)とを有する。第1のカップ部材(40A)は、環状の内側傾斜面(43)と、概ね水平な環状の頂面(43b)と、環状の外側傾斜面(41)とを有している。第3のカップ部材(70)は、スピンチャック(31)により保持された基板の周縁(We)より高くかつ外側の位置に位置するように設けられた内側端縁(70e)を有している。頂面(43b)は、平面視において、基板の周縁(We)と第3のカップ部材の内側端縁(70e)とを包含するように設けられている。 (もっと読む)


【課題】洗浄液の液滴が噴射されるべき箇所における基板の表面の洗浄液の液膜の厚さを制御して所望の厚さで一定にすることができ、基板のデバイスパターンの破壊を抑制しながら、基板の表面に付着したパーティクル等を十分に除去することができ、基板に対する洗浄性能を向上させることができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置1は、保持部12により保持された基板Wに対して洗浄液の液滴を噴射する二流体ノズル30と、保持部12により保持された基板Wにガスを噴射するガスノズル40と、を備えている。保持部12により保持された基板Wにおいてガスノズル40によりガスが噴射される位置が二流体ノズル30により洗浄液の液滴が噴射される位置よりも基板Wの回転方向において上流側となるよう、二流体ノズル30およびガスノズル40が配置されている。 (もっと読む)


【課題】処理容器内壁の腐食の問題が生じ難い処理装置を提供すること。また、耐プラズマ性および耐腐食ガス性に優れた、処理装置に用いられる耐食性部材およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】被処理基板を収容する処理容器と、処理容器内の被処理基板に処理を施す処理機構とを具備する処理装置であって、処理容器は、基材と、その内壁に溶射により形成された周期律表第3a族素化合物を含む膜とを具備し、その溶射により形成された周期律表第3a族元素化合物を含む膜の表面が研磨されている。 (もっと読む)


【課題】基板に供給される液体の力が小さい場合であっても基板の表面に付着したパーティクル等を十分に除去することができ、基板のデバイスパターンの破壊を抑制しつつ基板に対する洗浄性能を向上させることができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置1は、保持部12により保持された基板Wの表面に洗浄液の液膜を形成するための洗浄液供給部20と、洗浄液供給部20により基板Wの表面に形成された洗浄液の液膜内において、温度の異なる部分を発生させることにより当該洗浄液の液膜内に対流を生じさせる対流発生機構40と、洗浄液の液膜に対して物理力を与える液体を供給する液体供給部30と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】処理雰囲気を適切に制御しつつ、金属混合液を用いて基板上に金属膜を適切に形成する。
【解決手段】金属膜形成装置1の処理容器10の内部は、不活性ガスの大気圧雰囲気又は減圧雰囲気に切り換え可能になっている。処理容器10の内部には、ウェハWを保持するスピンチャック20と、ウェハWの側方を囲むように設けられたカップ体31と、ウェハW上に金属混合液を吐出する塗布ノズル60と、ノズル駆動部65の動力を塗布ノズル60に伝達するノズル伝達部64と、塗布ノズル60を待機させるノズルバス66とが設けられている。処理容器10の外部には、水平方向より所定の角度で傾斜した方向に沿って、スピンチャック20とノズルバス66との間で塗布ノズル60を移動させるためのノズル駆動部65が設けられている。 (もっと読む)


【課題】薬液処理時に処理槽内の薬液の温度を均一にして、複数の基板を均一に薬液処理することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置1は、互いに対向する一対の側壁10a、10bを有し、薬液を貯留して複数の基板を薬液処理する処理槽10と、複数の基板を起立させて保持する保持部21と、保持部21に連結され、処理槽10内に搬入された際に、保持部21に保持された基板と処理槽10の一方の側壁10aとの間に介在される背部22とを有し、保持部21に保持された基板を薬液に浸漬させる基板保持機構20とを備えている。処理槽10に、貯留された薬液を加熱する加熱器80が設けられている。この加熱器80は、一方の側壁10aに設けられた第1加熱器81と、他方の側壁10bに設けられた第2加熱器82と、を有しており、第1加熱器81の出力と第2加熱器82の出力は個別に制御される。 (もっと読む)


【課題】トラップ機能とバイパス機能とを有する小型のトラップ装置を低コストで提供する。
【解決手段】基板を処理するためのガスを導入するためのガス供給部が接続されているチャンバーと、前記チャンバー内のガスを排気するための排気部との間に設けられたトラップ装置50であって、前記チャンバーと接続される吸入口52と、前記排気部と接続される排出口53と、第1の空間57を有するバイパス部51と、前記ガスに含まれる未反応成分を冷却して凝固させて除去する第2の空間61を有する冷却トラップ部60と、を有し、前記ガスは、第1の状態では前記第1の空間57を介し流れ、第2の状態では前記第2の空間61を介し流れるものであって、前記冷却トラップ部60に対し第1の流路55及び第2の流路56を、回転部54により相対的に移動させることにより、前記第1の状態と前記第2の状態とを切り替える。 (もっと読む)


【課題】アモルファスシリコンに対する微結晶シリコンの存在比の高い微結晶シリコン層を短時間で形成することができ、製造時間の短期化を図ることのできる太陽電池の製造方法及び太陽電池を提供する。
【解決手段】ガラス基板にアモルファスシリコン層を形成する工程と、前記アモルファスシリコン層に積層するように、アモルファスシリコンに対する微結晶シリコンの存在比が所定値より少ない微結晶シリコン層を形成する工程と、アモルファスシリコンより微結晶シリコンの吸収係数が高い所定波長域の光を照射し、前記微結晶シリコン層を加熱して結晶化を行い、アモルファスシリコンに対する微結晶シリコンの存在比を前記所定値とする結晶化工程と、を具備する太陽電池の製造方法。 (もっと読む)


【課題】基板に噴霧される液体の液滴の噴霧範囲を広くすることができる二流体ノズル、基板処理装置、液体の液滴の生成方法、および基板処理方法を提供する。
【解決手段】二流体ノズル40の本体部42の下方において、ガス吐出口46bから下方に吐出される旋回流の液滴生成用ガスと液体吐出口44bから下方に吐出される液体とが混合されて液体の液滴が生成されるようになっている。また、ガス吐出口46bから下方に吐出される液滴生成用ガスにおける旋回流の内側の圧力を調整する圧力調整部が本体部42に設けられている。 (もっと読む)


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