塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
【課題】単位ブロックに異常が発生したり、メンテナンスを行うときに、塗布、現像装置のスループットの低下を抑えると共に処理ブロックの設置面積を抑えること。
【解決手段】積層された前段処理用の単位ブロックと、各々対応する積層された後段処理用の単位ブロックとの間に設けられ、両単位ブロックの搬送機構の間で基板の受け渡しを行うための塗布処理用の受け渡し部と、各段の塗布処理用の受け渡し部の間で基板の搬送を行うために昇降自在に設けられた補助移載機構と、前記前段処理用の単位ブロックに積層された現像処理用の単位ブロックとを備える塗布、現像装置を構成する。各層間で基板を受け渡せるので、使用不可になった単位ブロックを避けて基板を搬送することができる。また、現像用の単位ブロックと前段処理用の単位ブロックとが積層されているので設置面積が抑えられる。
【解決手段】積層された前段処理用の単位ブロックと、各々対応する積層された後段処理用の単位ブロックとの間に設けられ、両単位ブロックの搬送機構の間で基板の受け渡しを行うための塗布処理用の受け渡し部と、各段の塗布処理用の受け渡し部の間で基板の搬送を行うために昇降自在に設けられた補助移載機構と、前記前段処理用の単位ブロックに積層された現像処理用の単位ブロックとを備える塗布、現像装置を構成する。各層間で基板を受け渡せるので、使用不可になった単位ブロックを避けて基板を搬送することができる。また、現像用の単位ブロックと前段処理用の単位ブロックとが積層されているので設置面積が抑えられる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板にレジストを塗布し、現像を行う塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。前記レジストパターンを形成するための塗布、現像装置には、ウエハに各種の処理を行うための処理モジュールを備えた処理ブロックが設けられている。
【０００３】
処理ブロックは、例えば特許文献１に記載されるように、レジスト膜などの各種の塗布膜を形成する単位ブロック及び現像処理を行う単位ブロックを互いに積層することにより構成されている。各単位ブロックにはウエハの搬送機構が設けられ、当該搬送機構によりウエハは順番に各単位ブロックに設けられる処理モジュールを受け渡されて処理を受ける。
【０００４】
ところで、より微細なパターンを形成し、さらに歩留りを低下させるために、前記処理ブロックに設置される処理モジュールは多様化している。例えば、ウエハにレジストを塗布するレジスト膜形成モジュールや現像液を供給する現像モジュールの他に、レジストが塗布されたウエハの裏面を洗浄する裏面洗浄モジュール、レジスト膜の上層に薬液を供給して更に膜を形成する上層用の液処理モジュールなどが設けられる場合が有る。これらの各種の処理モジュールを処理ブロックに搭載した上で、どのように塗布、現像装置の占有床面積を抑えるかが検討されている。
【０００５】
上記の単位ブロックを積層する構成は、前記占有床面積を抑えるために有効であるが、ウエハは順番に各単位ブロックに搬送されるので、１つの処理モジュールまたは単位ブロックに異常が発生したり、メンテナンスを行うときに、塗布、現像装置の処理全体を停止しなければならない場合がある。そうなると、装置のスループットが低下してしまうという問題が有る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１１５８３１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、単位ブロックに異常が発生したりメンテナンスを行うときに、塗布、現像装置のスループットの低下を抑えると共に処理ブロックの設置面積を抑えることができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、
基板に下層側の反射防止膜を形成するために薬液を供給する下層用の液処理モジュールと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためにレジスト液を供給する塗布モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸びる直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段処理用の単位ブロックを複数上下に積層したものと、
複数の前段処理用の単位ブロックのインターフェイスブロック側に当該前段処理用の単位ブロックに隣接して夫々設けられ、レジスト膜が形成された基板に上層側の膜を形成するために薬液を供給する上層用の液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸びる直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた複数の後段処理用の単位ブロックと、
前段処理用の単位ブロックと、対応する後段処理用の単位ブロックとの間に夫々設けられ、両単位ブロックの搬送機構の間で基板の受け渡しを行うための塗布処理用の受け渡し部と、
各段の塗布処理用の受け渡し部の間及び各段の現像処理用の受け渡し部の間で基板の搬送を行うために昇降自在に設けられた補助移載機構と、
前段処理用の単位ブロックを複数上下に積層したものに対して、上下方向に積層され、基板に現像液を供給する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸びる直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた現像処理用の単位ブロックを複数上下に積層されたものと、
複数の現像処理用の単位ブロックのインターフェイスブロック側に当該現像処理用の単位ブロックに隣接して夫々設けられ、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸びる直線搬送路上を移動し、基板を搬送するための単位ブロック用の搬送機構を備えた補助用の単位ブロックと、
現像処理用の単位ブロックと、対応する補助用の単位ブロックとの間に設けられ、両単位ブロックの搬送機構の間で基板の受け渡しを行うための現像処理用の受け渡し部と、を備えたことと、
ｂ）各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送機構との間で基板の受け渡しを行う搬入出用の受け渡し部と、
ｃ）キャリアから前段処理用の各単位ブロックに対応する前記搬入出用の受け渡し部に基板を振り分けて受け渡すと共に、現像処理用の各単位ブロックに対応する搬入出用の受け渡し部から基板をキャリアに戻すための第１の受け渡し機構と、
ｄ）前記処理ブロックで処理された露光前の基板を受け取り、露光後の基板を現像処理用の単位ブロックに振り分けて受け渡すための第２の受け渡し機構と、
を備えたことを特徴とする。
【０００９】
本発明の具体的な態様としては、例えば下記の通りである。
（１）補助用の単位ブロックは、当該補助用の単位ブロック内の搬送機構により基板の搬送が行われ、レジスト膜が形成された基板の裏面側を洗浄するための裏面洗浄モジュールを備えている。
（２）前段処理用の単位ブロックについて不具合が生じたときあるいはメンテナンスを行うときには、当該単位ブロックを使用せず、他の前段処理用の単位ブロックにて基板に下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成するステップと、このステップの後、当該基板を前記補助移載機構を介して、不使用となった単位ブロックのインターフェイスブロック側の後段処理用の単位ブロックに搬送するステップと、を含むモードを実行する制御部を備えている。
（３）後段処理用の単位ブロックについて不具合が生じたときあるいはメンテナンスを行うときには、当該単位ブロックを使用せず、不使用となった単位ブロックのキャリアブロック側の前段処理用の単位ブロックにて基板に下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成するステップと、このステップの後、当該基板を前記補助移載機構を介して、他の階層の後段処理用の単位ブロックに基板を搬送するステップと、を含むモードを実行する制御部を備えている。
（４）前段処理用の単位ブロックの積層数及び後段処理用の単位ブロックの各々の積層数は３層である。
（５）現像処理用の単位ブロックの積層数は３層である。
（６）前記補助搬送機構は、各段の塗布処理用の受け渡し部の間の搬送を行うための第１の補助移載機構と、各段の現像処理用の受け渡し部の間の搬送を行うための第２の補助移載機構と、を備えている。
【００１０】
本発明の塗布、現像方法は、
上記の塗布、現像装置を用い、
前段処理用の単位ブロックについて不具合が生じたときあるいはメンテナンスを行うときには、当該単位ブロックを使用せず、他の前段処理用の単位ブロックにて基板に下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成する工程と、
次いで当該基板を補助移載機構を介して、不使用となった単位ブロックのインターフェイスブロック側の後段処理用の単位ブロックに搬送する工程と、
その後、当該後段処理用の単位ブロック内のモジュールにより、上層側の膜を形成する工程と、を実施することを特徴とする。
【００１１】
本発明の他の塗布、現像方法は、上記の塗布、現像装置を用い、
後段処理用の単位ブロックについて不具合が生じたときあるいはメンテナンスを行うときには、当該単位ブロックを使用せず、不使用となった単位ブロックのキャリアブロック側の前段処理用の単位ブロックにて基板に下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成する工程と、
次いで当該基板を補助移載機構を介して、他の階層の後段処理用の単位ブロックに搬送する工程と、
その後、当該後段処理用の単位ブロック内のモジュールにより、上層側の膜を形成する工程と、を実施することを特徴とする。
【００１２】
本発明の記憶媒体は、塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上記の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明は、基板に下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成するための前段処理用の単位ブロックを複数積層し、レジスト膜の上に上層側の膜を形成するための後段処理用の単位ブロックを複数積層し、これら積層体を前後に連結すると共に、前段処理用の単位ブロックと、対応する後段処理用の単位ブロックとの間で基板の受け渡しを行う受け渡し部とを備え、各層の受け渡し部の間で補助移載機構により基板の受け渡しができるように構成している。従って前段処理用の単位ブロック及び後段処理用の単位ブロックのいずれかが使用できなくなっても、前記補助移載機構を利用して他方の単位ブロックにより処理を行うことができ、スループットの低下を防ぐことが図れる。また前記積層体に、現像処理を行うための単位ブロックを複数積層しているので、装置の設置面積を抑えつつ、装置の奥行き寸法（キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ方向に沿った長さ寸法）も抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の塗布、現像装置の平面図である。
【図２】前記塗布、現像装置の斜視図である。
【図３】前記塗布、現像装置の縦断側面図である。
【図４】前記塗布、現像装置の液処理モジュールの縦断側面図である。
【図５】後方側処理ブロックの縦断正面図である。
【図６】インターフェイスブロックの縦断正面図である。
【図７】前記塗布、現像装置の制御部の構成図である。
【図８】前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路を示すフロー図である。
【図９】前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路を示すフロー図である。
【図１０】前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路を示すフロー図である。
【図１１】インターフェイスブロックの縦断正面図である。
【図１２】インターフェイスブロックの縦断正面図である。
【図１３】塗布、現像装置の概略縦断側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明に係る塗布、現像装置１について説明する。図１は、本発明の塗布、現像装置１をレジストパターン形成装置に適用した場合の一実施の形態の平面図を示し、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この塗布、現像装置１は、基板であるウエハＷが例えば２５枚密閉収納されたキャリアＣを搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、ウエハＷに対して処理を行うための処理ブロックＳ２０と、インターフェイスブロックＳ４と、を直線状に配列して構成されている。インターフェイスブロックＳ４には、液浸露光を行う露光装置Ｓ５が接続されている。
【００１６】
前記キャリアブロックＳ１には、前記キャリアＣを載置する載置台１１と、この載置台１１から見て前方の壁面に設けられる開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリアＣからウエハＷを取り出すための受け渡しアーム１３とが設けられている。受け渡しアーム１３は、上下方向に５つのウエハ保持部１４を備え、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリアＣの配列方向に移動自在に構成されている。後述の制御部５１は、キャリアＣのウエハＷに番号を割り当て、受け渡しアーム１３は、番号の小さいものから５枚ずつ順にウエハＷを処理ブロックＳ２０の受け渡しモジュールＢＵ１に一括で受け渡す。なお、ウエハＷを載置できる場所をモジュールと記載し、このモジュールのうちウエハＷに対して加熱、液処理、ガス供給または周縁露光などの処理を行うモジュールを処理モジュールと記載する。また、処理モジュールのうち、ウエハＷに薬液や洗浄液を供給するモジュールを液処理モジュールと記載する。
【００１７】
処理ブロックＳ２０は、キャリアブロックＳ１側に設けられた前段側処理ブロックＳ２及びインターフェイスブロックＳ４側に設けられた後段側処理ブロックＳ３とからなる。前方側処理ブロックＳ２及び後方側処理ブロックＳ３の概略縦断側面図である図４も参照しながら説明を続ける。前段側処理ブロックＳ２は、ウエハＷに液処理を行う第１〜第６の前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ６が下から順に積層されて構成されている。これら前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ６は、液処理モジュールと、加熱モジュールと、単位ブロック用の搬送手段であるメインアームＡと、前記メインアームＡが移動する搬送領域Ｒ１と、を備えており、各前方側単位ブロックＢでは、これらの配置レイアウトが同様に構成されている。各前方側単位ブロックＢでは、メインアームＡにより互いに独立してウエハＷが搬送され、処理が行われる。
【００１８】
図１では第１の前方側単位ブロックＢ１について示しており、以下、代表してこの第１の前方側単位ブロックＢ１について説明する。この第１の前方側単位ブロックＢ１の中央には、キャリアブロックＳ１から後方側処理ブロックＳ３へ向かう前記搬送領域Ｒ１が形成されている。この搬送領域Ｒ１をキャリアブロックＳ１から第２の処理ブロックＳ３側へ見た左右には液処理ユニット２１、棚ユニットＵ１〜Ｕ６が夫々配置されている。
【００１９】
液処理ユニット２１には、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１と、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１とが設けられており、キャリアブロックＳ１側から第２の処理ブロックＳ３側に向かってＢＣＴ１、ＣＯＴ１が、この順に配列されている。反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１は、搬送領域Ｒ１の形成方向に沿って２つのスピンチャック２２を備えており、スピンチャック２２は、ウエハＷの裏面中央部を吸着保持すると共に鉛直軸回りに回転自在に構成されている。図中２３は処理カップであり、上側が開口している。処理カップ２３は、スピンチャック２２の周囲を囲み、薬液の飛散を抑える。ウエハＷを処理するときには、当該処理カップ２３内にウエハＷが収容され、ウエハＷの裏面中央部はスピンチャック２２に保持される。
【００２０】
また、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１には、各処理カップ２３で共用されるノズル２４が設けられている。図中２５は、ノズル２４を支持するアームであり、図中２６は駆動機構である。駆動機構２６は、アーム２５を介してノズル２４を各処理カップ２３の配列方向に移動させると共にアーム２５を介してノズル２４を昇降させる。駆動機構２６により、ノズル２４は反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１の各処理カップ２３間を移動し、各スピンチャック２２に受け渡されたウエハＷの中心に反射防止膜形成用の薬液を吐出する。供給された薬液は、前記スピンチャック２２により鉛直軸回りに回転するウエハＷの遠心力により、ウエハＷの周縁へと展伸し、反射防止膜が成膜される。なお、図示は省略しているが、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１は、ウエハＷの周端部に溶剤を供給し、当該周端部の不要な膜を除去するノズルを備えている。
【００２１】
レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２は、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１，ＢＣＴ２と同様に構成されている。つまり、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１は各々ウエハＷを処理するための処理カップ２３及びスピンチャック２２を２つずつ備えており、２つの処理カップ２３及びスピンチャック２２に対してノズル２４が共有されている。ただし、前記ノズル２４からは反射防止膜形成用の薬液の代わりにレジストが供給される。
【００２２】
棚ユニットＵ１〜Ｕ６は、キャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ３側に向けて順に配列されている。各棚ユニットＵ１〜Ｕ６は、ウエハＷの加熱処理を行う加熱モジュールが例えば２段に積層されて構成されている。従って前方側単位ブロックＢ１は、１２基の加熱モジュール２７を備えている。前記搬送領域Ｒ１には、前記メインアームＡ１が設けられている。このメインアームＡ１は、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリアブロックＳ１側から後方側処理ブロックＳ３側に移動自在に構成されており、単位ブロックＢ１の全てのモジュール間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。
【００２３】
前方側単位ブロックＢ２〜Ｂ３について説明する。第２の前方側単位ブロックＢ２及び第３の前方側単位ブロックＢ３は、既述の第１の前方側単位ブロックＢ１と同様に構成されている。図４に示すように第２の前方側単位ブロックＢ２に設けられている反射防止膜形成モジュールをＢＣＴ２とし、２基のレジスト膜形成モジュールをＣＯＴ２とする。第３の前方側単位ブロックＢ３に設けられている反射防止膜形成モジュールをＢＣＴ３とし、レジスト膜形成モジュールをＣＯＴ３とする。前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３は前段処理用の単位ブロックを構成する。
【００２４】
続いて、現像処理用の単位ブロックである前方側単位ブロックＢ４〜Ｂ６について説明する。第４の前方側単位ブロックＢ４は、第１の前方側単位ブロックＢ１との差異点として、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ及びレジスト膜形成モジュールＣＯＴの代わりに、現像モジュールＤＥＶ１、ＤＥＶ２を備えている。第５の前方側単位ブロックＢ５及び第６の前方側単位ブロックＢ６は、第４の前方側単位ブロックＢ４と同様に構成されており、各々２基の現像モジュールＤＥＶを備えている。第５の前方側単位ブロックＢ５に設けられている現像モジュールをＤＥＶ３，ＤＥＶ４とする。第６の前方側単位ブロックＢ６に設けられている現像モジュールをＤＥＶ５，ＤＥＶ６とする。現像モジュールＤＥＶはレジスト膜形成モジュールＣＯＴと同様に構成されているが、レジストの代わりに現像液をウエハＷに供給する。
【００２５】
各層の搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側には、図１及び図３に示すように、各単位ブロックＢ１〜Ｂ６に跨った棚ユニットＵ７が設けられている。棚ユニットＵ７は、互いに積層された複数のモジュールにより構成され、これらの各モジュールについて以下に説明する。第１の前方側単位ブロックＢ１の高さ位置には疎水化処理モジュールＡＤＨ１、ＡＤＨ２及び受け渡しモジュールＣＰＬ１〜ＣＰＬ３が設けられている。第２の前方側単位ブロックＢ２の高さ位置には、疎水化処理モジュールＡＤＨ３、ＡＤＨ４及び受け渡しモジュールＣＰＬ４〜ＣＰＬ６が設けられている。第３の前方側単位ブロックＢ３の高さ位置には、疎水化処理モジュールＡＤＨ５、ＡＤＨ６及び受け渡しモジュールＣＰＬ７〜ＣＰＬ９が設けられている。
【００２６】
第４の前方側単位ブロックＢ４の高さ位置には受け渡しモジュールＣＰＬ２１及び受け渡しモジュールＢＵ１１が設けられている。第５の前方側単位ブロックＢ５の高さ位置には、受け渡しモジュールＣＰＬ２２及び受け渡しモジュールＢＵ１２が設けられている。第６の前方側単位ブロックＢ６の高さ位置には、受け渡しモジュールＣＰＬ２３及び受け渡しモジュールＢＵ１３が設けられている。説明中、ＣＰＬと記載した受け渡しモジュールは、載置したウエハＷを冷却する冷却ステージを備えている。ＢＵと記載した受け渡しモジュールは、複数枚のウエハＷを収容し、滞留させることができるように構成されている。
【００２７】
また、疎水化処理モジュールＡＤＨ１〜ＡＤＨ６は、ウエハＷのベベル部を含む表面に処理ガスを供給し、疎水性を向上させる。これによって、各液処理モジュールで当該周端部の膜が除去されてウエハＷの表面が剥き出しになった状態でも、当該表面が撥水作用を有し、液浸露光時に当該周端部から各膜の剥がれが抑えられる。
【００２８】
また、棚ユニットＵ７において、キャリアブロックＳ１の受け渡しアーム１３がアクセスできる高さ位置に、搬入出用受け渡し部を構成する受け渡しモジュールＢＵ１及びＣＰＬ１０が設けられている。受け渡しモジュールＢＵ１は、既述の受け渡しアーム１３から搬送されたウエハＷを一括で受け取るために、上下方向に５つのウエハＷの保持部を備えている。受け渡しモジュールＢＵ１に搬送されたウエハＷは、制御部５１により割り振られた番号が小さいものから順に各単位ブロックに振り分けられる。受け渡しモジュールＣＰＬ１０はウエハＷをキャリアＣに戻すために用いられる。
【００２９】
さらに、棚ユニットＵ７には検査モジュール３１が設けられている。検査モジュール３１は現像処理後のウエハＷを検査し、パターン倒れ、線幅異常、レジスト溶解不良などの各種の検査項目について異常の有無を検査する。前方側単位ブロックＢ４〜Ｂ６からウエハＷを搬出する際に、検査モジュール３１に搬入するウエハＷは、例えば受け渡しモジュールＢＵ１１〜ＢＵ１３に搬送される。検査モジュール３１に搬送されないウエハＷは、受け渡しモジュールＣＰＬから受け渡しモジュールＢＵ１１〜ＢＵ１３を介さずにキャリアＣに戻される。このように受け渡しモジュールを使い分けることによって、前記番号の小さい順、つまりキャリアＣからの搬出順にウエハＷをキャリアＣに戻すように、ウエハＷの搬送が制御される。
【００３０】
また、前方側処理ブロックＳ２において、棚ユニットＵ７の近傍には、昇降自在、進退自在な第１の受け渡し機構である受け渡しアーム３０が設けられている。当該受け渡しアーム３０は、棚ユニットＵ７の各モジュール間でウエハＷを搬送する。
【００３１】
図５は、後方側処理ブロックＳ３の縦断正面図であり、この図に示すように後方側処理ブロックＳ３は、ウエハＷに液処理を行う第１〜第６の後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ６が下から順に積層されて構成されている。後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ６は、夫々前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ６と同じ高さに位置している。これら後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ６は、液処理モジュールと、加熱モジュールと、単位ブロック用の搬送手段であるメインアームＥと、前記メインアームＥが移動する搬送領域Ｒ２と、を備えており、各後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ６では、これらの配置レイアウトが平面視同様に構成されている。各単位ブロックＤでは、メインアームＥにより互いに独立してウエハＷが搬送され、処理が行われる。以下、図１を参照しながら、代表して第１の後方側単位ブロックＤ１について説明する。
【００３２】
この第１の後方側単位ブロックＤ１の中央には、前方側処理ブロックＳ２からインターフェイスブロックＳ４へ向かう前記搬送領域Ｒ２が形成されている。この搬送領域Ｒ２を第２の処理ブロックＳ３側からインターフェイスブロックＳ４側へ見た左右には液処理ユニット３２、棚ユニットＵ８〜Ｕ９が夫々配置されている。
【００３３】
液処理ユニット３２には、保護膜形成モジュールＴＣＴ１が設けられている。この保護膜形成モジュールＴＣＴ１は、ウエハＷに撥水性の保護膜の形成用の薬液を供給することを除いて、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１と同様の構成である。つまり、保護膜形成モジュールＴＣＴ１は各々ウエハＷを処理するための処理カップ２３及びスピンチャック２２を２つずつ備えており、２つの処理カップ２３及びスピンチャック２２に対してノズル２４が共有されている。
【００３４】
棚ユニットＵ８〜Ｕ９は、キャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ３側に向けてこの順に配列されている。各棚ユニットＵ１〜Ｕ６は、ウエハＷの加熱処理を行う加熱モジュール３３が例えば２段に積層されて構成されている。従って、後方側単位ブロックＤ１は、４基の加熱モジュール３３を備えている。前記搬送領域Ｒ２には、メインアームＥ１が設けられている。このメインアームＥ１は、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、前方側処理ブロックＳ２側からインターフェイスブロックＳ４側へ向けて移動自在に構成されており、第１の後方側単位ブロックＤ１の全てのモジュール間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。
【００３５】
後方側単位ブロックＤ２〜Ｄ３について説明する。第２の後方側単位ブロックＤ２は、既述の第１の後方側単位ブロックＤ１と同様に構成されている。第２の後方側単位ブロックＤ２に設けられている保護膜形成モジュールをＴＣＴ２とする。第３の後方側単位ブロックＤ３に設けられている保護膜形成モジュールをＴＣＴ３とする。後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ３は後段処理用の単位ブロックを構成する。
【００３６】
続いて補助用の単位ブロックを構成する後方側単位ブロックＤ４〜Ｄ６について説明する。第４の後方側単位ブロックＤ４は、第１の後方側単位ブロックＤ１との差異点として、保護膜形成モジュールの代わりに、裏面洗浄モジュールＢＳＴ１を備えている。裏面洗浄モジュールＢＳＴは、ウエハＷの表面に薬液を供給するノズル２４が設けられる代わりに、ウエハＷの裏面及びベベル部に洗浄液を供給し、ウエハＷの裏面を洗浄するノズルが夫々個別に設けられる。このような違いを除いて、裏面洗浄モジュールＢＳＴは反射防止膜形成モジュールＢＣＴと同様の構成である。なお、裏面洗浄モジュールＢＳＴは、ウエハＷの裏面側のみ、または前記ベベル部のみを洗浄するように構成されていてもよい。また、棚ユニットＵ８、Ｕ９を構成する加熱モジュール３３は、各々一段のみ設けられている。このような差異を除き、第４の後方側単位ブロックＤ４は、第１の後方側単位ブロックＤ１と同様に構成されている。
【００３７】
第５の後方側単位ブロックＤ５及び第６の後方側単位ブロックＤ６は、第４の後方側単位ブロックＤ４と同様に構成されている。第５の後方側単位ブロックＤ５は、裏面洗浄モジュールとしてＢＳＴ２を備えており、第６の後方側単位ブロックＤ６は、裏面洗浄モジュールとしてＢＳＴ３を備えている。
【００３８】
各層の搬送領域Ｒ２の前方側処理ブロックＳ２側には、図１及び図３に示すように、各後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ６に跨った棚ユニットＵ１０が設けられている。この棚ユニットＵ１０の構成について説明する。棚ユニットＵ１０は、互いに積層された複数のモジュールにより構成されている。第１の後方側単位ブロックＤ１の高さ位置には受け渡しモジュールＣＰＬ３１が設けられている。第２の後方側単位ブロックＤ２の高さ位置には受け渡しモジュールＣＰＬ３２が設けられ、第３の後方側単位ブロックＤ３の高さ位置には受け渡しモジュールＣＰＬ３３が設けられている。また、第４の後方側単位ブロックＤ４の高さ位置には受け渡しモジュールＣＰＬ４１が設けられている。第５の後方側単位ブロックＤ５の高さ位置には受け渡しモジュールＣＰＬ４２が設けられ、第６の後方側単位ブロックＤ６の高さ位置には受け渡しモジュールＣＰＬ４３が設けられている。
【００３９】
棚ユニットＵ１０を構成するモジュールには、当該モジュールと同じ高さ位置にある後方側単位ブロックＤのメインアームＥと、前方側単位ブロックＢのメインアームＡとがアクセスできる。また、後方側処理ブロックＳ３において、棚ユニットＵ１０の近傍には、補助移載機構をなす受け渡しアーム４０が設けられている。受け渡しアーム４０は、昇降自在、棚ユニットＵ１０に対して進退自在に構成される。受け渡しアーム４０は、棚ユニットＵ１０の単位ブロックＢ１〜Ｂ６の高さ位置にある各モジュール間でウエハＷを搬送する。
【００４０】
続いて、インターフェイスブロックＳ４の構成について、図６も参照しながら説明する。インターフェイスブロックＳ４には、各単位ブロックのメインアームＡ１〜Ａ６がアクセスできる位置に棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、単位ブロックＢ４、Ｂ５、Ｂ６の高さ位置に夫々ＴＲＳ１〜ＴＲＳ３、ＴＲＳ４〜ＴＲＳ６、ＴＲＳ７〜ＴＲＳ９を備えている。単位ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３の高さ位置には、夫々ＣＰＬ５１、ＣＰＬ５２、ＣＰＬ５３を備えている。また、棚ユニットＵ１１は、受け渡しモジュールＢＵ２１〜２３、ＣＰＬ５４を備えている。これらのモジュールは互いに積層されて設けられている。
【００４１】
また、インターフェイスブロックＳ４には例えば４基の露光後洗浄モジュールＰＩＲ１〜ＰＩＲ４が積層されて設けられている。各露光後洗浄モジュールＰＩＲは、レジスト膜形成モジュールＣＯＴと同様に構成されており、ウエハＷ表面にレジストの代わりに保護膜除去及び洗浄用の薬液を供給する。
【００４２】
また、インターフェイスブロックＳ４には、３基のインターフェイスアーム３５、３６、３７が設けられている。インターフェイスアーム３５、３６、３７は昇降自在及び進退自在に構成されており、さらにインターフェイスアーム３５は、水平方向に移動自在に構成されている。インターフェイスアーム３５は露光装置Ｓ５、受け渡しモジュールＢＵ２１、ＣＰＬ５２，５１にアクセスし、これらの間でウエハＷを受け渡す。インターフェイスアーム３６は、受け渡しモジュールＢＵ２２、ＢＵ２３、ＴＲＳ１〜６にアクセスし、これらのモジュール間でウエハＷを受け渡す。インターフェイスアーム３７は、棚ユニットＵ１１を構成する各モジュール及び露光後洗浄モジュールＰＩＲ１〜ＰＩＲ４にアクセスし、これらのモジュール間でウエハＷを受け渡す。
【００４３】
続いて、塗布、現像装置１に設けられた制御部５１について図７を参照しながら説明する。図中５２はバスであり、図中５３はＣＰＵ、５４はプログラムである。このプログラム５４には、塗布、現像装置１の各部に制御信号を出力し、後述のようにモジュール間でウエハＷを搬送し、各ウエハＷに対して薬液や洗浄液の供給、加熱などの処理を行うように命令（各ステップ）が組まれている。このプログラム５４は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）メモリーカードなどの記憶媒体に格納されて制御部５１にインストールされる。
【００４４】
また、バス５２にはメモリ５５が接続されている。例えばメモリ５５には処理温度、処理時間、各薬液の供給量または電力値などの処理パラメータの値が書き込まれる領域を備えており、ＣＰＵ５３がプログラム５４の各命令を実行する際、これらの処理パラメータが読み出され、そのパラメータ値に応じた制御信号がこの塗布、現像装置１の各部位に送られることになる。
【００４５】
また、メモリ５５には搬送スケジュール記憶領域５６が設けられている。この記憶領域５６では、ウエハＷのＩＤと、当該ウエハＷの搬送先のモジュールと、搬送されるモジュールの順番と、が互いに対応付けられた搬送スケジュールが記憶されている。なお、この搬送スケジュールにおいて、各液処理モジュールについては２つある処理カップ２３のうち、どちらに搬入されるかについても記憶されている。この搬送スケジュールは、ウエハＷの処理前に予め設定されているが、後述のように単位ブロックやモジュールへの搬送停止が決定されると、それに応じて変更される。
【００４６】
また、バス５２には設定部５７が接続されている。設定部５７は、例えばキーボードやマウス、タッチパネルなどにより構成され、ユーザがウエハＷの搬送モードを選択することができるようになっている。なお、後述のように搬送モードは、ユーザが任意に切り替える場合の他に、自動で切り替わる場合もある。搬送モードが切り替わると、切り替わった搬送モードに応じて各メインアームＡ，Ｅ、受け渡しアーム１３、３０、４０及びインターフェイスアーム３５〜３７に制御信号が送信され、ウエハＷの搬送先が切り替わる。また、ユーザは設定部５７からウエハＷのＩＤを指定して、検査モジュール３１で検査を行うウエハＷを設定することができる。
【００４７】
メインアームＡ、Ｅは、例えばその位置に応じた位置信号を制御部５１に出力し、この位置信号に基づいて、制御部５１はメインアームＡ、Ｅの動作異常の有無を判定する。また、各処理モジュールはその動作に応じて制御部５１に信号を出力し、この信号に基づいて、制御部５１はメインアームＡ、Ｅの動作異常の有無を判定する。そして、制御部５１はメインアームＡ，Ｅや各単位ブロックの処理モジュールに動作異常があると判定したときに、搬送モードの変更を行う。
【００４８】
（通常搬送モード）
続いて、通常搬送モードが実行されているときの塗布、現像装置１でのウエハＷの搬送経路について説明する。図８は、この搬送経路の概略を示したものであり、キャリアＣからバッファモジュールＢＵ１に取り出されたウエハＷは、第１〜第３の前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３に振り分けられ、夫々処理を受けた後、第１の前方側単位ブロックＢ１→第１の後方側単位ブロックＤ１、第２の前方側単位ブロックＢ２→第２の後方側単位ブロックＤ２、第３の前方側単位ブロックＢ３→第３の後方側単位ブロックＤ３の経路で夫々搬送される。第１〜第３の後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ３で処理を受けたウエハＷは、露光装置Ｓ５に搬入後、第４〜第５の後方側単位ブロックＤ４〜Ｄ６に振り分けられる。そして、第４の後方側単位ブロックＤ４→第４の前方側単位ブロックＢ４、第５の後方側単位ブロックＤ５→第５の前方側単位ブロックＢ５、第６の後方側単位ブロックＤ６→第６の前方側単位ブロックＢ６の経路で夫々搬送され、キャリアＣに戻される。
【００４９】
この例では、後方側単位ブロックＤ１、Ｄ２、Ｄ３に振り分けられたウエハＷは、後方側単位ブロックＤ４、Ｄ５、Ｄ６に夫々振り分けられる。また、ウエハＷは制御部５１に割り振られた番号が小さいものから順に、例えば単位ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ１・・・の順でサイクリックに単位ブロックＢ１〜Ｂ３へ振り分けられる。
【００５０】
ウエハＷの搬送経路についてモジュール単位で詳しく説明すると、第１の前方側単位ブロックＢ１に振り分けられるウエハＷは、バッファモジュールＢＵ１→受け渡しアーム３０→疎水化処理モジュールＡＤＨ１、ＡＤＨ２の順で搬送され、疎水化処理される。その後メインアームＡ１が、受け渡しモジュールＣＰＬ１１→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１→加熱モジュール２７→受け渡しモジュールＣＰＬ１２→レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１→加熱モジュール２７→受け渡しモジュールＣＰＬ３１の順で搬送し、ウエハＷに反射防止膜、レジスト膜が順に形成され、第１の後方側単位ブロックＤ１に搬入される。
【００５１】
前記ウエハＷは、メインアームＥ１により保護膜形成モジュールＴＣＴ１→加熱モジュール３３の順に搬送されて、保護膜が形成される。続いて、ウエハＷは受け渡しモジュールＣＰＬ５１に搬送されて、インターフェイスブロックＳ４に搬入され、インターフェイスアーム３７→受け渡しモジュールＴＲＳ１→メインアームＥ４に受け渡され、さらに裏面洗浄モジュールＢＳＴ１に搬送されて裏面洗浄処理を受ける。その後、ウエハＷはメインアームＥ４→受け渡しモジュールＴＲＳ２の順に搬送され、再びインターフェイスブロックＳ４に搬入される。その後、ウエハＷはインターフェイスアーム３６→受け渡しモジュールＢＵ２２、ＢＵ２３→インターフェイスアーム３７→受け渡しモジュールＣＰＬ５４→インターフェイスアーム３５→露光装置Ｓ５の順で搬送されて、液浸露光される。
【００５２】
液浸露光後のウエハＷは、インターフェイスアーム３５→受け渡しモジュールＢＵ２１→インターフェイスアーム３７→露光後洗浄モジュールＰＩＲ１〜ＰＩＲ４→インターフェイスアーム３７→受け渡しモジュールＴＲＳ３の順で搬送される。然る後、前記ウエハＷは、メインアームＥ４により第４の後方側単位ブロックＤ４に再び搬入され、加熱モジュール３３→受け渡しモジュールＣＰＬ４１の順で搬送される。
【００５３】
その後、ウエハＷは、メインアームＡ４により第４の前方側単位ブロックＢ４に搬入され、現像モジュールＤＥＶ１、ＤＥＶ２→加熱モジュール２７→受け渡しモジュールＣＰＬ２１→受け渡しアーム３０→受け渡しモジュールＢＵ１２→受け渡しアーム３０→検査モジュール３１の順に搬送され、検査後、受け渡しアーム３０→受け渡しモジュールＣＰＬ１０→受け渡しアーム１３の順で搬送され、受け渡しアーム１３が当該ウエハＷをキャリアＣに戻す。なお、検査対象ではないウエハＷは、現像、加熱後処理、受け渡しモジュールＣＰＬ２１→受け渡しアーム３０→受け渡しアーム１３→キャリアＣの順で搬送される。
【００５４】
第２の前方側単位ブロックＢ２に振り分けられるウエハＷは、第１の前方側単位ブロックＢ１に振り分けられたウエハＷと同様の順番でモジュール間を搬送される。以下に、簡単に搬送経路を説明する。前記ウエハＷは、バッファモジュールＢＵ１→受け渡しアーム３０→疎水化処理モジュールＡＤＨ３、ＡＤＨ４の順で搬送された後、メインアームＡ２が、受け渡しモジュールＣＰＬ１３→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ２→加熱モジュール２７→受け渡しモジュールＣＰＬ１４→レジスト膜形成モジュールＣＯＴ２→加熱モジュール２７→受け渡しモジュールＣＰＬ３２の順で搬送する。
【００５５】
その後、メインアームＥ２→保護膜形成モジュールＴＣＴ２→メインアームＥ２→加熱モジュール３３→メインアームＥ２→受け渡しモジュールＣＰＬ５２→インターフェイスアーム３７→受け渡しモジュールＴＲＳ４→メインアームＥ５→裏面洗浄モジュールＢＳＴ２→メインアームＥ５→受け渡しモジュールＴＲＳ５の順に搬送され、ウエハＷはインターフェイスブロックＳ４に搬入される。
【００５６】
インターフェイスブロックＳ４にて前記ウエハＷは、第１の前方側単位ブロックＢ１に振り分けられた場合と同様に搬送され、露光後洗浄された後、受け渡しモジュールＴＲＳ６に受け渡される。その後、ウエハＷは、メインアームＥ５→加熱モジュール３３→メインアームＥ５→受け渡しモジュールＣＰＬ４２→メインアームＡ５→現像モジュールＤＥＶ３、ＤＥＶ４→加熱モジュール２７→受け渡しモジュールＣＰＬ２２→受け渡しアーム３０→受け渡しモジュールＢＵ１２→受け渡しアーム３０→検査モジュール３１に搬送された後、単位ブロックＢ４に振り分けられた場合と同様の経路でキャリアＣに戻される。なお、検査対象ではないウエハＷについては、現像、加熱処理後、受け渡しモジュールＣＰＬ２２に搬送後、単位ブロックＢ４に振り分けられた場合と同様の経路でキャリアＣに戻される。
【００５７】
第３の前方側単位ブロックＢ３に振り分けられるウエハＷも、第１の前方側単位ブロックＢ１に振り分けられたウエハＷと同様の順番でモジュール間を搬送される。以下に、簡単に搬送経路を説明すると、前記ウエハＷは、バッファモジュールＢＵ１→受け渡しアーム３０→疎水化処理モジュールＡＤＨ５、ＡＤＨ６の順で搬送された後、メインアームＡ３が、受け渡しモジュールＣＰＬ１５→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ３→加熱モジュール２７→受け渡しモジュールＣＰＬ１６→レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３→加熱モジュール２７→受け渡しモジュールＣＰＬ３５の順で搬送する。
【００５８】
その後、ウエハＷはメインアームＥ３→保護膜形成モジュールＴＣＴ３→メインアームＥ３→加熱モジュール３３→メインアームＥ３→受け渡しモジュールＣＰＬ５３→インターフェイスアーム３７→受け渡しモジュールＴＲＳ７→メインアームＥ６→裏面洗浄モジュールＢＳＴ３→メインアームＥ６→受け渡しモジュールＴＲＳ８の順に搬送され、インターフェイスブロックＳ４に搬入される。
【００５９】
インターフェイスブロックＳ４にて前記ウエハＷは、第１の前方側単位ブロックＢ１に振り分けられた場合と同様に搬送され、露光後洗浄された後、受け渡しモジュールＴＲＳ９に受け渡される。その後、メインアームＥ６→加熱モジュール３３→メインアームＥ６→受け渡しモジュールＣＰＬ４３→メインアームＡ６→現像モジュールＤＥＶ５、ＤＥＶ６→加熱モジュール２７→受け渡しモジュールＣＰＬ２３→受け渡しアーム３０→受け渡しモジュールＢＵ１３→受け渡しアーム３０→検査モジュール３１に搬送された後、単位ブロックＢ４に振り分けられた場合と同様の経路でキャリアＣに戻される。なお、検査対象ではないウエハＷについては、現像、加熱処理後、受け渡しモジュールＣＰＬ２３に搬送後、単位ブロックＢ４に振り分けられた場合と同様の経路でキャリアＣに戻される。
【００６０】
（搬送モードＡ）
続いて、搬送モードＡが実行された場合について説明する。この搬送モードＡは、前方側単位ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３のうち、いずれかで処理を行えなくなった場合に実行される搬送モードであり、処理可能な前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３で処理を行った後、ウエハＷを単位ブロックＤ１〜Ｄ３に振り分けて搬送を行うモードである。以降、図９を参照しながら、例えば制御部５１が搬送アームＡ１に異常を検出した場合について説明する。前記異常が検出されると、制御部５１は、搬送アームＡ１の動作及び前方側単位ブロックＢ１の各処理モジュールの動作を停止させる。そして、受け渡しアーム３０は後続のウエハＷを第２、第３の前方側単位ブロックＢ２、Ｂ３に交互に搬送し、既述の搬送経路で各ウエハＷは各前方側単位ブロックＢ２、Ｂ３を搬送されて処理を受け、然る後、棚ユニットＵ１０の受け渡しモジュールＣＰＬ３２，ＣＰＬ３３に搬送される。
【００６１】
そして、受け渡しモジュールＣＰＬ３２，ＣＰＬ３３に搬送されたウエハＷのうち、例えば通常搬送モード実行時には単位ブロックＢ１で処理される予定だったウエハＷは、受け渡しアーム４０により受け渡しモジュールＣＰＬ３１に搬送され、メインアームＥ１により後方側単位ブロックＤ１に搬入される。その他のウエハＷについては、受け渡しモジュールＣＰＬ３２，ＣＰＬ３３からメインアームＥ２、Ｅ３により後方側単位ブロックＤ２，Ｄ３に夫々搬入される。以降は、通常搬送モード実行時と同様に各ウエハＷは搬送され、処理を受ける。そして、ウエハＷの搬送が停止した第１の前方側単位ブロックＢ１について、ユーザは故障時の修理や定期点検、調整確認などのメンテナンスを行うことができる。
【００６２】
前方側単位ブロックＢ２、Ｂ３でウエハＷの処理が行えなくなった場合もこの例と同様に、使用可能な前方側単位ブロックＢにより処理が行われ、然る後、受け渡しアーム４０により、各後方側単位ブロックＢ４〜Ｂ６にウエハＷを搬入するための受け渡しモジュールＣＰＬにウエハＷが振り分けられる。
【００６３】
（搬送モードＢ）
続いて、搬送モードＢが実行された場合について説明する。この搬送モードＢは、後方側単位ブロックＤ１、Ｄ２、Ｄ３のうちのいずれかで処理を行えなくなった場合に実行される搬送モードであり、前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３で処理を受けたウエハＷを、前記Ｄ１〜Ｄ３の後方側単位ブロックのうち、処理可能な後方側単位ブロックに振り分け、その後、後方側単位ブロックＤ４〜Ｄ６に振り分ける。
【００６４】
以降、図１０を参照しながら、例えばメインアームＥ１に異常が検出された場合について説明する。制御部５１は、メインアームＥ１の動作及び後方側単位ブロックＤ１の各処理モジュールの動作を停止させる。そして、前方側単位ブロックＤ１で処理され、受け渡しモジュールＣＰＬ３１に後続のウエハＷが搬送されると、このウエハＷは受け渡しアーム４０により、棚ユニットＵ１０の受け渡しモジュールＣＰＬ３２、ＣＰＬ３３に交互に振り分けられる。その後、受け渡しモジュールＣＰＬ３２、ＣＰＬ３３から後方側単位ブロックＤ２、Ｄ３に搬入されて処理を受けた後、棚ユニットＵ１１の受け渡しモジュールＣＰＬ５２，ＣＰＬ５３に搬送される。
【００６５】
この受け渡しモジュールＣＰＬ５２，５３に受け渡されたウエハＷのうち、例えば通常搬送モード実行時に後方側単位ブロックＤ１に夫々搬入される予定だったウエハＷは、単位ブロックＤ４に対応した受け渡しモジュールＴＲＳ１に搬送され、当該単位ブロックＤ４で処理を受ける。受け渡しモジュールＣＰＬ５２，５３に搬送された他のウエハＷについては、通常搬送モード実行時と同様に単位ブロックＤ５、Ｄ６に対応した受け渡しモジュールＴＲＳ４、ＴＲＳ７に夫々搬送され、当該単位ブロックＤ５、Ｄ６で処理を受ける。単位ブロックＤ４〜Ｄ５以降、ウエハＷは通常搬送モード実行時と同様に搬送される。そして、ウエハＷの搬送が停止した第１の後方側単位ブロックＤ１について、ユーザは既述のようなメンテナンスを行うことができる。
【００６６】
後方側単位ブロックＤ２、Ｄ３でウエハＷの処理が行えなくなった場合もこの例と同様に、受け渡しアーム４０によりＤ１〜Ｄ３のうち使用可能な後方側単位ブロックＤにウエハＷが振り分けられ、ウエハＷは当該単位ブロックＤで処理後、各後方側単位ブロックＢ４〜Ｂ６に振り分けられる。
【００６７】
ウエハＷの処理中に自動で搬送モードが切り替わる例について示したが、ユーザが例えば設定部５７からウエハＷの搬送を停止させる単位ブロックを選択し、搬送モードＡ〜Ｄへの切り替えを指示することもできる。そして、ユーザは搬送を停止させた単位ブロックを既述のようにメンテナンスすることができる。
【００６８】
上記の例では３重化された同じ構成の単位ブロックのうち１つへの搬送が停止される例について示しているが、同じ構成の単位ブロックのうち２つへの搬送を停止させてもよい。また、搬送モードＡ、Ｂは組み合わせて実行されてもよい。従って、前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３のうち１つまたは２つ、後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ３のうち１つまたは２つへのウエハＷの搬送が同時に停止されてもよい。
【００６９】
また、塗布、現像装置１では、検査モジュール３１でウエハＷを検査した結果に従って、単位ブロックへのウエハＷの搬送を停止させることができる。具体的に説明すると、ウエハＷに異常が検出されたときに、制御部５１は、異常となった検査項目と、当該ウエハＷのＩＤと、搬送経路と、を互いに対応付けて検査の履歴としてメモリ５５に記憶する。そして、制御部５１は、これまでにメモリ５５に記憶された過去の検査の履歴に基づいて、同じ単位ブロックを通過した所定の枚数のウエハＷに、同じ検査項目について異常が検出されているか否か判定する。
【００７０】
異常が検出された枚数が所定の枚数より少ないと判定された場合は処理が続行される。異常が検出された枚数が所定の枚数以上であると判定された場合には、当該単位ブロックへのウエハＷの搬送を停止させるように決定する。このように決定すると、制御部５１は、搬送停止になっていない単位ブロックにウエハＷを振り分けるように、各受け渡しアーム及びインターフェイスアームの動作を制御し、これらの単位ブロックを用いてウエハＷの処理が続けられる。また制御部５１は、搬送の停止を決定した単位ブロックにおける各処理モジュールの動作及びメインアームの動作を停止させる。これによって、ユーザが当該単位ブロックに対して既述のメンテナンスを行うことができる。
【００７１】
このように検査結果によって単位ブロックの搬送を停止させる場合は、上記の搬送モードＡ，Ｂ実行時と異なり、例えば異常が発生したウエハＷが通過するすべての単位ブロックについて搬送が停止される。つまり、単位ブロックＢ１〜Ｂ３及びＤ１〜Ｄ３の他に、単位ブロックＢ４〜Ｂ６及びＤ４〜Ｄ６についても、異常となったウエハＷが通過した単位ブロックへの搬送が停止される。
【００７２】
また、塗布、現像装置１では、処理モジュールごとにウエハＷの搬送を停止させることができる。具体的に説明すると、制御部５１はウエハＷに異常が検出されたときに、既述のように検査の履歴を記憶する。次いで、過去の検査の履歴を参照して、同じ処理モジュールを通過したウエハＷのうち、所定の枚数のウエハＷに同じ検査項目について異常が検出されていると判定した場合に、制御部５１が当該処理モジュールへのウエハＷの搬送を停止させる。つまり、単位ブロックにおいて、搬送停止となった処理モジュール以外の同種の処理モジュールへウエハＷが搬送され、単位ブロックでのウエハＷの搬送が継続する。ただし、ＢＣＴ、ＣＯＴ、ＴＣＴ及びＢＳＴについては、各単位ブロックに１基ずつ設けられているため、これら液処理モジュールへの搬送停止が決定された場合には、例えば当該液処理モジュールを含む単位ブロックへのウエハＷの搬送が停止する。このように単位ブロック毎にウエハＷの搬送を停止させるか、処理モジュール単位でウエハＷの搬送を停止させるかについては、設定部５７からユーザが設定することができる。
【００７３】
この塗布、現像装置１によれば、ウエハＷに下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成するための前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３を積層し、レジスト膜の上に上層側の膜を形成するための後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ３を積層し、これら積層体を前後に連結すると共に、前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３と、対応する後段処理用の後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ３との間で基板の受け渡しを行う受け渡しモジュールと、各層の受け渡しモジュールの間で受け渡しアーム４０によりウエハＷの受け渡しができるように構成している。従って、前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３のいずれかが故障やメンテナンスなどにより使用できなくなっても、使用可能な前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３で処理を行った後、後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ３の各層にウエハＷを振り分けることができる。また、後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ３のいずれかが、故障やメンテナンスなどにより使用できなくなっても、前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３で処理を行った後、後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ３のうち、使用可能な各層にウエハＷを振り分けることができる。それによって、スループットの低下を図ることができる。また、前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３の積層体に、現像処理を行うための前方側単位ブロックＢ４〜Ｂ６を積層しているので、装置の設置面積を抑えつつ、装置のキャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ３に向かう長さ寸法も抑えることができる。
【００７４】
上記の塗布、現像装置１において、後方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３の各棚ユニットＵ８〜Ｕ９は、加熱モジュール３３の他にレジスト塗布後のウエハＷに周縁露光を行う周縁露光モジュールＷＥＥ及び検査モジュールを備えていてもよい。この場合、後方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３に搬入されたウエハＷは、周縁露光モジュールＷＥＥ→検査モジュール→保護膜形成モジュールＴＣＴの順で搬送される。
【００７５】
前記検査モジュールでは、例えばレジスト膜の表面の異物の有無及びレジストの膜厚が検査される。そして、ウエハＷに異常が検出された場合には、既述のように当該ウエハＷを処理した単位ブロックまたは処理モジュールへの搬送が停止される。また、後方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３で保護膜形成モジュールＴＣＴ→加熱モジュール３３→検査モジュールの順でウエハＷを搬送し、保護膜形成後のウエハＷについて異物や各膜の膜厚を検査してもよい。この場合も、ウエハＷに異常が検出されると、制御部５１が搬送スケジュールに基づいて既述の判定を行い、異常が検出されたウエハＷが通過した処理モジュールや単位ブロックについて後続のウエハＷの搬送の停止が行われる。
【００７６】
また、各検査モジュールの検査結果により各処理モジュールへの搬送を停止するにあたり、液処理モジュールＢＣＴ、ＣＯＴ、ＴＣＴ、ＢＳＴ及びＤＥＶについては、例えば各処理カップ毎にウエハＷの搬送の停止を制御することもできる。つまり、これらの各処理モジュールにおいて、異常が発生したウエハＷを処理した方の処理カップ２３へのウエハＷの搬送が停止し、当該処理カップ２３とノズル２４を共有している処理カップ２３へのウエハＷの搬送は継続させることができる。このように処理カップごとにウエハＷの搬送を停止させる場合、装置内でのウエハＷの処理枚数を調整するために、例えば１つのＢＣＴの処理カップ２３を不使用とした場合に、同じ単位ブロックの１つのＣＯＴの処理カップ２３を不使用にするように設定することができる。同様に例えば１つのＣＯＴの処理カップ２３を不使用とした場合に同じ単位ブロックの１つのＢＣＴも不使用に設定することができる。さらに、このようにＣＯＴ及びＢＣＴの処理カップ２３への搬送が停止された単位ブロックと同様に構成された単位ブロックでも、ＣＯＴの１つの処理カップ２３及びＢＣＴの１つの処理カップ２３への搬送を停止させることで、ウエハＷの処理枚数を調整してもよい。
【００７７】
また、上記の塗布、現像装置１において、ＴＣＴは保護膜形成モジュールではなく、レジスト膜の上層に反射防止膜を形成するモジュールであってもよい。また、疎水化処理モジュールＡＤＨでの疎水化処理は、反射防止膜形成モジュールＢＣＴで反射防止膜の形成前に行う代わりに、前記反射防止膜の形成後、レジスト塗布前に行ってもよいし、レジスト塗布後、ウエハＷを単位ブロックＢ３、Ｂ４に搬送する前に行ってもよい。
【００７８】
第１の前方側単位ブロックＢ１の液処理ユニット２１において、ウエハＷに供給された薬液は、例えば塗布、現像装置の下方側に設けられた図示しない排液路に向かい排液される。反射防止膜形成モジュールＢＣＴ、レジスト膜形成モジュールＣＯＴでウエハＷに供給される薬液の粘度は、現像液の粘度よりも高い。従って、この実施形態のように現像モジュールＤＥＶを上側の単位ブロックに配置し、他の液処理モジュールを下側の単位ブロックに配置することで、各薬液を速やかに排液することができる。その結果として、各処理モジュールにおいて薬液が揮発することを防ぐことができるので、液処理ユニット２１内の処理環境が変化することが防ぐことができる。ただし、現像モジュールＤＥＶを含む単位ブロックが、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ及びレジスト膜形成モジュールＣＯＴを含む単位ブロックよりも下方に位置していてもよい。
【００７９】
図１１には、他のインターフェイスブロックＳ４の構成を示している。この図１１のインターフェイスブロックＳ４では、露光前洗浄モジュールＲＤ１〜ＲＤ４が積層されて設けられている。露光前洗浄モジュールＲＤ１〜ＲＤ４は、露光前のウエハＷの表面に洗浄液を供給し、当該ウエハＷの表面溶出物を洗い流す。この露光前洗浄モジュールＲＤ１〜ＲＤ４が設けられることを除いて、図１１のインターフェイスブロックＳ４は、図６のインターフェイスブロックＳ４と同様に構成されている。
【００８０】
後方側単位ブロックＢ４〜Ｂ６で処理され、図１１のインターフェイスブロックＳ４の受け渡しモジュールＴＲＳ２、ＴＲＳ５、ＴＲＳ８に夫々搬送されたウエハＷは、インターフェイスアーム３６により露光前洗浄モジュールＲＤ１〜ＲＤ４に搬送されて洗浄される。洗浄後、ウエハＷは、インターフェイスアーム３６→受け渡しモジュールＢＵ２２、ＢＵ２３→インターフェイスアーム３７→受け渡しモジュールＣＰＬ５４→露光処理Ｓ５の順に搬送される。
【００８１】
さらに、図１２には他のインターフェイスブロックＳ４の構成を示している。このインターフェイスブロックＳ４には、裏面洗浄モジュールＢＳＴ１〜ＢＳＴ４が積層されて設けられている。このようにインターフェイスブロックＳ４に裏面洗浄モジュールＢＳＴが設けられる代わりに、当該インターフェイスブロックＳ４に接続される後方側処理ブロックＳ３には、裏面洗浄モジュールＢＳＴが設けられていない。
【００８２】
このインターフェイスブロックＳ４において、受け渡しモジュールＣＰＬ５１、ＣＰＬ５２、ＣＰＬ５３に夫々搬送されたウエハＷは、例えばインターフェイスアーム３７→受け渡しモジュールＢＵ２２→裏面洗浄モジュールＢＳＴ１〜ＢＳＴ４に搬送されて裏面洗浄され、インターフェイスアーム３６→受け渡しモジュールＢＵ２３→インターフェイスアーム３７の順で搬送され、以降は既述の搬送経路で露光処理Ｓ５に受け渡される。また、このように裏面洗浄モジュールＢＳＴをインターフェイスブロックＳ４に配置した場合、露光後洗浄モジュールＰＩＲを裏面洗浄モジュールＢＳＴの代わりに後方側単位ブロックＤ４〜Ｄ６に配置してもよい。
【００８３】
なお、上記の塗布、現像装置１は、後方側単位ブロックＤ４〜Ｄ６のうち使用不可になった単位ブロックを避けて搬送を行う搬送モードＣを備えていても良い。この搬送モードＣでは、後方側単位ブロックの棚ユニットＵ１０及びインターフェイスブロックＳ４の棚ユニットＵ１１のうち、使用不可になった前記単位ブロックにウエハＷを受け渡すための受け渡しモジュールへの搬送が停止する。そして、露光後、棚ユニットＵ１０に搬送されたウエハＷについては、各前方側単位ブロックＢ４〜Ｂ６に振り分けられる。
【００８４】
例えば後方側単位ブロックＤ４の搬送アームＥ４が故障すると、インターフェイスアーム３７は、当該後方側単位ブロックＤ４に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ１〜ＴＲＳ３へのアクセスを停止する。そして、後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ３で処理され、受け渡しモジュールＣＰＬ５１〜５３に搬入されたウエハＷを、後方側単位ブロックＤ５、Ｄ６に対応した受け渡しモジュールＴＲＳ４、ＴＲＳ７に振り分ける。また、インターフェイスアーム３７は、露光済みのウエハＷを、後方側単位ブロックＤ５、Ｄ６に対応した受け渡しモジュールＴＲＳ６、ＴＲＳ９に振り分ける。そして、後方側単位ブロックＤ５〜Ｄ６から受け渡しモジュールＣＰＬ４２、ＣＰＬ４３に搬送された露光済みのウエハＷのうち、例えば後方側単位ブロックＤ４で処理される予定だったウエハＷは、受け渡しアーム４０によりＣＰＬ４１に受け渡される。そして、各受け渡しモジュールＣＰＬ４１、４２、４３のウエハＷは、前方側単位ブロックＢ４〜Ｂ６に搬送されて現像処理を受ける。
【００８５】
なお、上記の塗布、現像装置１は、前方側単位ブロックＢ４〜Ｂ６のうち使用不可になった単位ブロックを避けて搬送を行う搬送モードＤを備えていても良い。この搬送モードＤでは、露光処理を受け、棚ユニットＵ１０の受け渡しモジュールＣＰＬ４１，ＣＰＬ４２，ＣＰＬ４３に搬送されたウエハＷのうち、使用不可になった前記単位ブロックに対応する受け渡しモジュールＣＰＬに受け渡されたウエハＷを、受け渡しアーム４０により他の受け渡しモジュールＣＰＬに搬送する。そして、前方側単位ブロックＢ４〜Ｂ６のうち使用可能な単位ブロックで現像処理する。
【００８６】
例えば前方側単位ブロックＢ４の搬送アームＡ４が故障すると、受け渡しアーム４０は、露光処理を受けて受け渡しモジュールＣＰＬ４１に搬送されたウエハＷを例えば受け渡しモジュールＣＰＬ４２、ＣＰＬ４３に交互に搬送する。ＣＰＬ４２、ＣＰＬ４３に搬送されたウエハＷは、前方側単位ブロックＢ５、Ｂ６で夫々現像処理を受ける。搬送モードＣ，Ｄは搬送モードＡ、Ｂと同様に、ユーザが任意に通常搬送モードから切り替えることができる。また、搬送モードＡ，Ｂと同時に実行することもできる。
【００８７】
また、図１３に示すように例えば受け渡しアーム４０の代わりに、棚ユニットＵ１０で単位ブロックＢ１〜Ｂ３に対応する各受け渡しモジュールにウエハＷを搬送する第１の受け渡しアーム４１と、例えば単位ブロックＢ４〜Ｂ６に対応する各受け渡しモジュールにウエハＷを搬送する第２の受け渡しアーム４２とを設けてもよい。これら第１及び第２の受け渡しアーム４１、４２は互いに別体に構成され、独立してウエハＷを搬送することで、各アームの搬送の負荷を抑え、スループットの向上を図ることができる。
【符号の説明】
【００８８】
Ａ１〜Ａ６ メインアーム
ＢＣＴ 反射防止膜形成モジュール
Ｂ１〜Ｂ６ 前方側単位ブロック
ＣＯＴ レジスト膜形成モジュール
ＤＥＶ 現像モジュール
Ｄ１〜Ｄ６ 後方側単位ブロック
ＴＣＴ 保護膜形成モジュール
Ｓ１ キャリアブロック
Ｓ２ 前方側処理ブロック
Ｓ３ 後方側処理ブロック
Ｓ４ インターフェイスブロック
Ｗ ウエハ
１ 塗布、現像装置
２７、３３ 加熱モジュール
３０、４０ 受け渡しアーム
５１ 制御部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板にレジストを塗布し、現像を行う塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、半導体ウエハ（以下、ウエハという）の表面にレジストを塗布し、このレジストを所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。前記レジストパターンを形成するための塗布、現像装置には、ウエハに各種の処理を行うための処理モジュールを備えた処理ブロックが設けられている。
【０００３】
処理ブロックは、例えば特許文献１に記載されるように、レジスト膜などの各種の塗布膜を形成する単位ブロック及び現像処理を行う単位ブロックを互いに積層することにより構成されている。各単位ブロックにはウエハの搬送機構が設けられ、当該搬送機構によりウエハは順番に各単位ブロックに設けられる処理モジュールを受け渡されて処理を受ける。
【０００４】
ところで、より微細なパターンを形成し、さらに歩留りを低下させるために、前記処理ブロックに設置される処理モジュールは多様化している。例えば、ウエハにレジストを塗布するレジスト膜形成モジュールや現像液を供給する現像モジュールの他に、レジストが塗布されたウエハの裏面を洗浄する裏面洗浄モジュール、レジスト膜の上層に薬液を供給して更に膜を形成する上層用の液処理モジュールなどが設けられる場合が有る。これらの各種の処理モジュールを処理ブロックに搭載した上で、どのように塗布、現像装置の占有床面積を抑えるかが検討されている。
【０００５】
上記の単位ブロックを積層する構成は、前記占有床面積を抑えるために有効であるが、ウエハは順番に各単位ブロックに搬送されるので、１つの処理モジュールまたは単位ブロックに異常が発生したり、メンテナンスを行うときに、塗布、現像装置の処理全体を停止しなければならない場合がある。そうなると、装置のスループットが低下してしまうという問題が有る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１１５８３１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、単位ブロックに異常が発生したりメンテナンスを行うときに、塗布、現像装置のスループットの低下を抑えると共に処理ブロックの設置面積を抑えることができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の塗布、現像装置は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、
基板に下層側の反射防止膜を形成するために薬液を供給する下層用の液処理モジュールと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためにレジスト液を供給する塗布モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸びる直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段処理用の単位ブロックを複数上下に積層したものと、
複数の前段処理用の単位ブロックのインターフェイスブロック側に当該前段処理用の単位ブロックに隣接して夫々設けられ、レジスト膜が形成された基板に上層側の膜を形成するために薬液を供給する上層用の液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸びる直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた複数の後段処理用の単位ブロックと、
前段処理用の単位ブロックと、対応する後段処理用の単位ブロックとの間に夫々設けられ、両単位ブロックの搬送機構の間で基板の受け渡しを行うための塗布処理用の受け渡し部と、
各段の塗布処理用の受け渡し部の間及び各段の現像処理用の受け渡し部の間で基板の搬送を行うために昇降自在に設けられた補助移載機構と、
前段処理用の単位ブロックを複数上下に積層したものに対して、上下方向に積層され、基板に現像液を供給する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸びる直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた現像処理用の単位ブロックを複数上下に積層されたものと、
複数の現像処理用の単位ブロックのインターフェイスブロック側に当該現像処理用の単位ブロックに隣接して夫々設けられ、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸びる直線搬送路上を移動し、基板を搬送するための単位ブロック用の搬送機構を備えた補助用の単位ブロックと、
現像処理用の単位ブロックと、対応する補助用の単位ブロックとの間に設けられ、両単位ブロックの搬送機構の間で基板の受け渡しを行うための現像処理用の受け渡し部と、を備えたことと、
ｂ）各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送機構との間で基板の受け渡しを行う搬入出用の受け渡し部と、
ｃ）キャリアから前段処理用の各単位ブロックに対応する前記搬入出用の受け渡し部に基板を振り分けて受け渡すと共に、現像処理用の各単位ブロックに対応する搬入出用の受け渡し部から基板をキャリアに戻すための第１の受け渡し機構と、
ｄ）前記処理ブロックで処理された露光前の基板を受け取り、露光後の基板を現像処理用の単位ブロックに振り分けて受け渡すための第２の受け渡し機構と、
を備えたことを特徴とする。
【０００９】
本発明の具体的な態様としては、例えば下記の通りである。
（１）補助用の単位ブロックは、当該補助用の単位ブロック内の搬送機構により基板の搬送が行われ、レジスト膜が形成された基板の裏面側を洗浄するための裏面洗浄モジュールを備えている。
（２）前段処理用の単位ブロックについて不具合が生じたときあるいはメンテナンスを行うときには、当該単位ブロックを使用せず、他の前段処理用の単位ブロックにて基板に下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成するステップと、このステップの後、当該基板を前記補助移載機構を介して、不使用となった単位ブロックのインターフェイスブロック側の後段処理用の単位ブロックに搬送するステップと、を含むモードを実行する制御部を備えている。
（３）後段処理用の単位ブロックについて不具合が生じたときあるいはメンテナンスを行うときには、当該単位ブロックを使用せず、不使用となった単位ブロックのキャリアブロック側の前段処理用の単位ブロックにて基板に下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成するステップと、このステップの後、当該基板を前記補助移載機構を介して、他の階層の後段処理用の単位ブロックに基板を搬送するステップと、を含むモードを実行する制御部を備えている。
（４）前段処理用の単位ブロックの積層数及び後段処理用の単位ブロックの各々の積層数は３層である。
（５）現像処理用の単位ブロックの積層数は３層である。
（６）前記補助搬送機構は、各段の塗布処理用の受け渡し部の間の搬送を行うための第１の補助移載機構と、各段の現像処理用の受け渡し部の間の搬送を行うための第２の補助移載機構と、を備えている。
【００１０】
本発明の塗布、現像方法は、
上記の塗布、現像装置を用い、
前段処理用の単位ブロックについて不具合が生じたときあるいはメンテナンスを行うときには、当該単位ブロックを使用せず、他の前段処理用の単位ブロックにて基板に下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成する工程と、
次いで当該基板を補助移載機構を介して、不使用となった単位ブロックのインターフェイスブロック側の後段処理用の単位ブロックに搬送する工程と、
その後、当該後段処理用の単位ブロック内のモジュールにより、上層側の膜を形成する工程と、を実施することを特徴とする。
【００１１】
本発明の他の塗布、現像方法は、上記の塗布、現像装置を用い、
後段処理用の単位ブロックについて不具合が生じたときあるいはメンテナンスを行うときには、当該単位ブロックを使用せず、不使用となった単位ブロックのキャリアブロック側の前段処理用の単位ブロックにて基板に下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成する工程と、
次いで当該基板を補助移載機構を介して、他の階層の後段処理用の単位ブロックに搬送する工程と、
その後、当該後段処理用の単位ブロック内のモジュールにより、上層側の膜を形成する工程と、を実施することを特徴とする。
【００１２】
本発明の記憶媒体は、塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、上記の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明は、基板に下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成するための前段処理用の単位ブロックを複数積層し、レジスト膜の上に上層側の膜を形成するための後段処理用の単位ブロックを複数積層し、これら積層体を前後に連結すると共に、前段処理用の単位ブロックと、対応する後段処理用の単位ブロックとの間で基板の受け渡しを行う受け渡し部とを備え、各層の受け渡し部の間で補助移載機構により基板の受け渡しができるように構成している。従って前段処理用の単位ブロック及び後段処理用の単位ブロックのいずれかが使用できなくなっても、前記補助移載機構を利用して他方の単位ブロックにより処理を行うことができ、スループットの低下を防ぐことが図れる。また前記積層体に、現像処理を行うための単位ブロックを複数積層しているので、装置の設置面積を抑えつつ、装置の奥行き寸法（キャリアブロックとインターフェイスブロックとを結ぶ方向に沿った長さ寸法）も抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の塗布、現像装置の平面図である。
【図２】前記塗布、現像装置の斜視図である。
【図３】前記塗布、現像装置の縦断側面図である。
【図４】前記塗布、現像装置の液処理モジュールの縦断側面図である。
【図５】後方側処理ブロックの縦断正面図である。
【図６】インターフェイスブロックの縦断正面図である。
【図７】前記塗布、現像装置の制御部の構成図である。
【図８】前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路を示すフロー図である。
【図９】前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路を示すフロー図である。
【図１０】前記塗布、現像装置におけるウエハの搬送経路を示すフロー図である。
【図１１】インターフェイスブロックの縦断正面図である。
【図１２】インターフェイスブロックの縦断正面図である。
【図１３】塗布、現像装置の概略縦断側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明に係る塗布、現像装置１について説明する。図１は、本発明の塗布、現像装置１をレジストパターン形成装置に適用した場合の一実施の形態の平面図を示し、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この塗布、現像装置１は、基板であるウエハＷが例えば２５枚密閉収納されたキャリアＣを搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、ウエハＷに対して処理を行うための処理ブロックＳ２０と、インターフェイスブロックＳ４と、を直線状に配列して構成されている。インターフェイスブロックＳ４には、液浸露光を行う露光装置Ｓ５が接続されている。
【００１６】
前記キャリアブロックＳ１には、前記キャリアＣを載置する載置台１１と、この載置台１１から見て前方の壁面に設けられる開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリアＣからウエハＷを取り出すための受け渡しアーム１３とが設けられている。受け渡しアーム１３は、上下方向に５つのウエハ保持部１４を備え、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリアＣの配列方向に移動自在に構成されている。後述の制御部５１は、キャリアＣのウエハＷに番号を割り当て、受け渡しアーム１３は、番号の小さいものから５枚ずつ順にウエハＷを処理ブロックＳ２０の受け渡しモジュールＢＵ１に一括で受け渡す。なお、ウエハＷを載置できる場所をモジュールと記載し、このモジュールのうちウエハＷに対して加熱、液処理、ガス供給または周縁露光などの処理を行うモジュールを処理モジュールと記載する。また、処理モジュールのうち、ウエハＷに薬液や洗浄液を供給するモジュールを液処理モジュールと記載する。
【００１７】
処理ブロックＳ２０は、キャリアブロックＳ１側に設けられた前段側処理ブロックＳ２及びインターフェイスブロックＳ４側に設けられた後段側処理ブロックＳ３とからなる。前方側処理ブロックＳ２及び後方側処理ブロックＳ３の概略縦断側面図である図４も参照しながら説明を続ける。前段側処理ブロックＳ２は、ウエハＷに液処理を行う第１〜第６の前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ６が下から順に積層されて構成されている。これら前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ６は、液処理モジュールと、加熱モジュールと、単位ブロック用の搬送手段であるメインアームＡと、前記メインアームＡが移動する搬送領域Ｒ１と、を備えており、各前方側単位ブロックＢでは、これらの配置レイアウトが同様に構成されている。各前方側単位ブロックＢでは、メインアームＡにより互いに独立してウエハＷが搬送され、処理が行われる。
【００１８】
図１では第１の前方側単位ブロックＢ１について示しており、以下、代表してこの第１の前方側単位ブロックＢ１について説明する。この第１の前方側単位ブロックＢ１の中央には、キャリアブロックＳ１から後方側処理ブロックＳ３へ向かう前記搬送領域Ｒ１が形成されている。この搬送領域Ｒ１をキャリアブロックＳ１から第２の処理ブロックＳ３側へ見た左右には液処理ユニット２１、棚ユニットＵ１〜Ｕ６が夫々配置されている。
【００１９】
液処理ユニット２１には、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１と、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１とが設けられており、キャリアブロックＳ１側から第２の処理ブロックＳ３側に向かってＢＣＴ１、ＣＯＴ１が、この順に配列されている。反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１は、搬送領域Ｒ１の形成方向に沿って２つのスピンチャック２２を備えており、スピンチャック２２は、ウエハＷの裏面中央部を吸着保持すると共に鉛直軸回りに回転自在に構成されている。図中２３は処理カップであり、上側が開口している。処理カップ２３は、スピンチャック２２の周囲を囲み、薬液の飛散を抑える。ウエハＷを処理するときには、当該処理カップ２３内にウエハＷが収容され、ウエハＷの裏面中央部はスピンチャック２２に保持される。
【００２０】
また、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１には、各処理カップ２３で共用されるノズル２４が設けられている。図中２５は、ノズル２４を支持するアームであり、図中２６は駆動機構である。駆動機構２６は、アーム２５を介してノズル２４を各処理カップ２３の配列方向に移動させると共にアーム２５を介してノズル２４を昇降させる。駆動機構２６により、ノズル２４は反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１の各処理カップ２３間を移動し、各スピンチャック２２に受け渡されたウエハＷの中心に反射防止膜形成用の薬液を吐出する。供給された薬液は、前記スピンチャック２２により鉛直軸回りに回転するウエハＷの遠心力により、ウエハＷの周縁へと展伸し、反射防止膜が成膜される。なお、図示は省略しているが、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１は、ウエハＷの周端部に溶剤を供給し、当該周端部の不要な膜を除去するノズルを備えている。
【００２１】
レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１、ＣＯＴ２は、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１，ＢＣＴ２と同様に構成されている。つまり、レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１は各々ウエハＷを処理するための処理カップ２３及びスピンチャック２２を２つずつ備えており、２つの処理カップ２３及びスピンチャック２２に対してノズル２４が共有されている。ただし、前記ノズル２４からは反射防止膜形成用の薬液の代わりにレジストが供給される。
【００２２】
棚ユニットＵ１〜Ｕ６は、キャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ３側に向けて順に配列されている。各棚ユニットＵ１〜Ｕ６は、ウエハＷの加熱処理を行う加熱モジュールが例えば２段に積層されて構成されている。従って前方側単位ブロックＢ１は、１２基の加熱モジュール２７を備えている。前記搬送領域Ｒ１には、前記メインアームＡ１が設けられている。このメインアームＡ１は、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリアブロックＳ１側から後方側処理ブロックＳ３側に移動自在に構成されており、単位ブロックＢ１の全てのモジュール間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。
【００２３】
前方側単位ブロックＢ２〜Ｂ３について説明する。第２の前方側単位ブロックＢ２及び第３の前方側単位ブロックＢ３は、既述の第１の前方側単位ブロックＢ１と同様に構成されている。図４に示すように第２の前方側単位ブロックＢ２に設けられている反射防止膜形成モジュールをＢＣＴ２とし、２基のレジスト膜形成モジュールをＣＯＴ２とする。第３の前方側単位ブロックＢ３に設けられている反射防止膜形成モジュールをＢＣＴ３とし、レジスト膜形成モジュールをＣＯＴ３とする。前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３は前段処理用の単位ブロックを構成する。
【００２４】
続いて、現像処理用の単位ブロックである前方側単位ブロックＢ４〜Ｂ６について説明する。第４の前方側単位ブロックＢ４は、第１の前方側単位ブロックＢ１との差異点として、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ及びレジスト膜形成モジュールＣＯＴの代わりに、現像モジュールＤＥＶ１、ＤＥＶ２を備えている。第５の前方側単位ブロックＢ５及び第６の前方側単位ブロックＢ６は、第４の前方側単位ブロックＢ４と同様に構成されており、各々２基の現像モジュールＤＥＶを備えている。第５の前方側単位ブロックＢ５に設けられている現像モジュールをＤＥＶ３，ＤＥＶ４とする。第６の前方側単位ブロックＢ６に設けられている現像モジュールをＤＥＶ５，ＤＥＶ６とする。現像モジュールＤＥＶはレジスト膜形成モジュールＣＯＴと同様に構成されているが、レジストの代わりに現像液をウエハＷに供給する。
【００２５】
各層の搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側には、図１及び図３に示すように、各単位ブロックＢ１〜Ｂ６に跨った棚ユニットＵ７が設けられている。棚ユニットＵ７は、互いに積層された複数のモジュールにより構成され、これらの各モジュールについて以下に説明する。第１の前方側単位ブロックＢ１の高さ位置には疎水化処理モジュールＡＤＨ１、ＡＤＨ２及び受け渡しモジュールＣＰＬ１〜ＣＰＬ３が設けられている。第２の前方側単位ブロックＢ２の高さ位置には、疎水化処理モジュールＡＤＨ３、ＡＤＨ４及び受け渡しモジュールＣＰＬ４〜ＣＰＬ６が設けられている。第３の前方側単位ブロックＢ３の高さ位置には、疎水化処理モジュールＡＤＨ５、ＡＤＨ６及び受け渡しモジュールＣＰＬ７〜ＣＰＬ９が設けられている。
【００２６】
第４の前方側単位ブロックＢ４の高さ位置には受け渡しモジュールＣＰＬ２１及び受け渡しモジュールＢＵ１１が設けられている。第５の前方側単位ブロックＢ５の高さ位置には、受け渡しモジュールＣＰＬ２２及び受け渡しモジュールＢＵ１２が設けられている。第６の前方側単位ブロックＢ６の高さ位置には、受け渡しモジュールＣＰＬ２３及び受け渡しモジュールＢＵ１３が設けられている。説明中、ＣＰＬと記載した受け渡しモジュールは、載置したウエハＷを冷却する冷却ステージを備えている。ＢＵと記載した受け渡しモジュールは、複数枚のウエハＷを収容し、滞留させることができるように構成されている。
【００２７】
また、疎水化処理モジュールＡＤＨ１〜ＡＤＨ６は、ウエハＷのベベル部を含む表面に処理ガスを供給し、疎水性を向上させる。これによって、各液処理モジュールで当該周端部の膜が除去されてウエハＷの表面が剥き出しになった状態でも、当該表面が撥水作用を有し、液浸露光時に当該周端部から各膜の剥がれが抑えられる。
【００２８】
また、棚ユニットＵ７において、キャリアブロックＳ１の受け渡しアーム１３がアクセスできる高さ位置に、搬入出用受け渡し部を構成する受け渡しモジュールＢＵ１及びＣＰＬ１０が設けられている。受け渡しモジュールＢＵ１は、既述の受け渡しアーム１３から搬送されたウエハＷを一括で受け取るために、上下方向に５つのウエハＷの保持部を備えている。受け渡しモジュールＢＵ１に搬送されたウエハＷは、制御部５１により割り振られた番号が小さいものから順に各単位ブロックに振り分けられる。受け渡しモジュールＣＰＬ１０はウエハＷをキャリアＣに戻すために用いられる。
【００２９】
さらに、棚ユニットＵ７には検査モジュール３１が設けられている。検査モジュール３１は現像処理後のウエハＷを検査し、パターン倒れ、線幅異常、レジスト溶解不良などの各種の検査項目について異常の有無を検査する。前方側単位ブロックＢ４〜Ｂ６からウエハＷを搬出する際に、検査モジュール３１に搬入するウエハＷは、例えば受け渡しモジュールＢＵ１１〜ＢＵ１３に搬送される。検査モジュール３１に搬送されないウエハＷは、受け渡しモジュールＣＰＬから受け渡しモジュールＢＵ１１〜ＢＵ１３を介さずにキャリアＣに戻される。このように受け渡しモジュールを使い分けることによって、前記番号の小さい順、つまりキャリアＣからの搬出順にウエハＷをキャリアＣに戻すように、ウエハＷの搬送が制御される。
【００３０】
また、前方側処理ブロックＳ２において、棚ユニットＵ７の近傍には、昇降自在、進退自在な第１の受け渡し機構である受け渡しアーム３０が設けられている。当該受け渡しアーム３０は、棚ユニットＵ７の各モジュール間でウエハＷを搬送する。
【００３１】
図５は、後方側処理ブロックＳ３の縦断正面図であり、この図に示すように後方側処理ブロックＳ３は、ウエハＷに液処理を行う第１〜第６の後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ６が下から順に積層されて構成されている。後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ６は、夫々前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ６と同じ高さに位置している。これら後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ６は、液処理モジュールと、加熱モジュールと、単位ブロック用の搬送手段であるメインアームＥと、前記メインアームＥが移動する搬送領域Ｒ２と、を備えており、各後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ６では、これらの配置レイアウトが平面視同様に構成されている。各単位ブロックＤでは、メインアームＥにより互いに独立してウエハＷが搬送され、処理が行われる。以下、図１を参照しながら、代表して第１の後方側単位ブロックＤ１について説明する。
【００３２】
この第１の後方側単位ブロックＤ１の中央には、前方側処理ブロックＳ２からインターフェイスブロックＳ４へ向かう前記搬送領域Ｒ２が形成されている。この搬送領域Ｒ２を第２の処理ブロックＳ３側からインターフェイスブロックＳ４側へ見た左右には液処理ユニット３２、棚ユニットＵ８〜Ｕ９が夫々配置されている。
【００３３】
液処理ユニット３２には、保護膜形成モジュールＴＣＴ１が設けられている。この保護膜形成モジュールＴＣＴ１は、ウエハＷに撥水性の保護膜の形成用の薬液を供給することを除いて、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１と同様の構成である。つまり、保護膜形成モジュールＴＣＴ１は各々ウエハＷを処理するための処理カップ２３及びスピンチャック２２を２つずつ備えており、２つの処理カップ２３及びスピンチャック２２に対してノズル２４が共有されている。
【００３４】
棚ユニットＵ８〜Ｕ９は、キャリアブロックＳ１側からインターフェイスブロックＳ３側に向けてこの順に配列されている。各棚ユニットＵ１〜Ｕ６は、ウエハＷの加熱処理を行う加熱モジュール３３が例えば２段に積層されて構成されている。従って、後方側単位ブロックＤ１は、４基の加熱モジュール３３を備えている。前記搬送領域Ｒ２には、メインアームＥ１が設けられている。このメインアームＥ１は、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、前方側処理ブロックＳ２側からインターフェイスブロックＳ４側へ向けて移動自在に構成されており、第１の後方側単位ブロックＤ１の全てのモジュール間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。
【００３５】
後方側単位ブロックＤ２〜Ｄ３について説明する。第２の後方側単位ブロックＤ２は、既述の第１の後方側単位ブロックＤ１と同様に構成されている。第２の後方側単位ブロックＤ２に設けられている保護膜形成モジュールをＴＣＴ２とする。第３の後方側単位ブロックＤ３に設けられている保護膜形成モジュールをＴＣＴ３とする。後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ３は後段処理用の単位ブロックを構成する。
【００３６】
続いて補助用の単位ブロックを構成する後方側単位ブロックＤ４〜Ｄ６について説明する。第４の後方側単位ブロックＤ４は、第１の後方側単位ブロックＤ１との差異点として、保護膜形成モジュールの代わりに、裏面洗浄モジュールＢＳＴ１を備えている。裏面洗浄モジュールＢＳＴは、ウエハＷの表面に薬液を供給するノズル２４が設けられる代わりに、ウエハＷの裏面及びベベル部に洗浄液を供給し、ウエハＷの裏面を洗浄するノズルが夫々個別に設けられる。このような違いを除いて、裏面洗浄モジュールＢＳＴは反射防止膜形成モジュールＢＣＴと同様の構成である。なお、裏面洗浄モジュールＢＳＴは、ウエハＷの裏面側のみ、または前記ベベル部のみを洗浄するように構成されていてもよい。また、棚ユニットＵ８、Ｕ９を構成する加熱モジュール３３は、各々一段のみ設けられている。このような差異を除き、第４の後方側単位ブロックＤ４は、第１の後方側単位ブロックＤ１と同様に構成されている。
【００３７】
第５の後方側単位ブロックＤ５及び第６の後方側単位ブロックＤ６は、第４の後方側単位ブロックＤ４と同様に構成されている。第５の後方側単位ブロックＤ５は、裏面洗浄モジュールとしてＢＳＴ２を備えており、第６の後方側単位ブロックＤ６は、裏面洗浄モジュールとしてＢＳＴ３を備えている。
【００３８】
各層の搬送領域Ｒ２の前方側処理ブロックＳ２側には、図１及び図３に示すように、各後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ６に跨った棚ユニットＵ１０が設けられている。この棚ユニットＵ１０の構成について説明する。棚ユニットＵ１０は、互いに積層された複数のモジュールにより構成されている。第１の後方側単位ブロックＤ１の高さ位置には受け渡しモジュールＣＰＬ３１が設けられている。第２の後方側単位ブロックＤ２の高さ位置には受け渡しモジュールＣＰＬ３２が設けられ、第３の後方側単位ブロックＤ３の高さ位置には受け渡しモジュールＣＰＬ３３が設けられている。また、第４の後方側単位ブロックＤ４の高さ位置には受け渡しモジュールＣＰＬ４１が設けられている。第５の後方側単位ブロックＤ５の高さ位置には受け渡しモジュールＣＰＬ４２が設けられ、第６の後方側単位ブロックＤ６の高さ位置には受け渡しモジュールＣＰＬ４３が設けられている。
【００３９】
棚ユニットＵ１０を構成するモジュールには、当該モジュールと同じ高さ位置にある後方側単位ブロックＤのメインアームＥと、前方側単位ブロックＢのメインアームＡとがアクセスできる。また、後方側処理ブロックＳ３において、棚ユニットＵ１０の近傍には、補助移載機構をなす受け渡しアーム４０が設けられている。受け渡しアーム４０は、昇降自在、棚ユニットＵ１０に対して進退自在に構成される。受け渡しアーム４０は、棚ユニットＵ１０の単位ブロックＢ１〜Ｂ６の高さ位置にある各モジュール間でウエハＷを搬送する。
【００４０】
続いて、インターフェイスブロックＳ４の構成について、図６も参照しながら説明する。インターフェイスブロックＳ４には、各単位ブロックのメインアームＡ１〜Ａ６がアクセスできる位置に棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、単位ブロックＢ４、Ｂ５、Ｂ６の高さ位置に夫々ＴＲＳ１〜ＴＲＳ３、ＴＲＳ４〜ＴＲＳ６、ＴＲＳ７〜ＴＲＳ９を備えている。単位ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３の高さ位置には、夫々ＣＰＬ５１、ＣＰＬ５２、ＣＰＬ５３を備えている。また、棚ユニットＵ１１は、受け渡しモジュールＢＵ２１〜２３、ＣＰＬ５４を備えている。これらのモジュールは互いに積層されて設けられている。
【００４１】
また、インターフェイスブロックＳ４には例えば４基の露光後洗浄モジュールＰＩＲ１〜ＰＩＲ４が積層されて設けられている。各露光後洗浄モジュールＰＩＲは、レジスト膜形成モジュールＣＯＴと同様に構成されており、ウエハＷ表面にレジストの代わりに保護膜除去及び洗浄用の薬液を供給する。
【００４２】
また、インターフェイスブロックＳ４には、３基のインターフェイスアーム３５、３６、３７が設けられている。インターフェイスアーム３５、３６、３７は昇降自在及び進退自在に構成されており、さらにインターフェイスアーム３５は、水平方向に移動自在に構成されている。インターフェイスアーム３５は露光装置Ｓ５、受け渡しモジュールＢＵ２１、ＣＰＬ５２，５１にアクセスし、これらの間でウエハＷを受け渡す。インターフェイスアーム３６は、受け渡しモジュールＢＵ２２、ＢＵ２３、ＴＲＳ１〜６にアクセスし、これらのモジュール間でウエハＷを受け渡す。インターフェイスアーム３７は、棚ユニットＵ１１を構成する各モジュール及び露光後洗浄モジュールＰＩＲ１〜ＰＩＲ４にアクセスし、これらのモジュール間でウエハＷを受け渡す。
【００４３】
続いて、塗布、現像装置１に設けられた制御部５１について図７を参照しながら説明する。図中５２はバスであり、図中５３はＣＰＵ、５４はプログラムである。このプログラム５４には、塗布、現像装置１の各部に制御信号を出力し、後述のようにモジュール間でウエハＷを搬送し、各ウエハＷに対して薬液や洗浄液の供給、加熱などの処理を行うように命令（各ステップ）が組まれている。このプログラム５４は、例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、ＭＯ（光磁気ディスク）メモリーカードなどの記憶媒体に格納されて制御部５１にインストールされる。
【００４４】
また、バス５２にはメモリ５５が接続されている。例えばメモリ５５には処理温度、処理時間、各薬液の供給量または電力値などの処理パラメータの値が書き込まれる領域を備えており、ＣＰＵ５３がプログラム５４の各命令を実行する際、これらの処理パラメータが読み出され、そのパラメータ値に応じた制御信号がこの塗布、現像装置１の各部位に送られることになる。
【００４５】
また、メモリ５５には搬送スケジュール記憶領域５６が設けられている。この記憶領域５６では、ウエハＷのＩＤと、当該ウエハＷの搬送先のモジュールと、搬送されるモジュールの順番と、が互いに対応付けられた搬送スケジュールが記憶されている。なお、この搬送スケジュールにおいて、各液処理モジュールについては２つある処理カップ２３のうち、どちらに搬入されるかについても記憶されている。この搬送スケジュールは、ウエハＷの処理前に予め設定されているが、後述のように単位ブロックやモジュールへの搬送停止が決定されると、それに応じて変更される。
【００４６】
また、バス５２には設定部５７が接続されている。設定部５７は、例えばキーボードやマウス、タッチパネルなどにより構成され、ユーザがウエハＷの搬送モードを選択することができるようになっている。なお、後述のように搬送モードは、ユーザが任意に切り替える場合の他に、自動で切り替わる場合もある。搬送モードが切り替わると、切り替わった搬送モードに応じて各メインアームＡ，Ｅ、受け渡しアーム１３、３０、４０及びインターフェイスアーム３５〜３７に制御信号が送信され、ウエハＷの搬送先が切り替わる。また、ユーザは設定部５７からウエハＷのＩＤを指定して、検査モジュール３１で検査を行うウエハＷを設定することができる。
【００４７】
メインアームＡ、Ｅは、例えばその位置に応じた位置信号を制御部５１に出力し、この位置信号に基づいて、制御部５１はメインアームＡ、Ｅの動作異常の有無を判定する。また、各処理モジュールはその動作に応じて制御部５１に信号を出力し、この信号に基づいて、制御部５１はメインアームＡ、Ｅの動作異常の有無を判定する。そして、制御部５１はメインアームＡ，Ｅや各単位ブロックの処理モジュールに動作異常があると判定したときに、搬送モードの変更を行う。
【００４８】
（通常搬送モード）
続いて、通常搬送モードが実行されているときの塗布、現像装置１でのウエハＷの搬送経路について説明する。図８は、この搬送経路の概略を示したものであり、キャリアＣからバッファモジュールＢＵ１に取り出されたウエハＷは、第１〜第３の前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３に振り分けられ、夫々処理を受けた後、第１の前方側単位ブロックＢ１→第１の後方側単位ブロックＤ１、第２の前方側単位ブロックＢ２→第２の後方側単位ブロックＤ２、第３の前方側単位ブロックＢ３→第３の後方側単位ブロックＤ３の経路で夫々搬送される。第１〜第３の後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ３で処理を受けたウエハＷは、露光装置Ｓ５に搬入後、第４〜第５の後方側単位ブロックＤ４〜Ｄ６に振り分けられる。そして、第４の後方側単位ブロックＤ４→第４の前方側単位ブロックＢ４、第５の後方側単位ブロックＤ５→第５の前方側単位ブロックＢ５、第６の後方側単位ブロックＤ６→第６の前方側単位ブロックＢ６の経路で夫々搬送され、キャリアＣに戻される。
【００４９】
この例では、後方側単位ブロックＤ１、Ｄ２、Ｄ３に振り分けられたウエハＷは、後方側単位ブロックＤ４、Ｄ５、Ｄ６に夫々振り分けられる。また、ウエハＷは制御部５１に割り振られた番号が小さいものから順に、例えば単位ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３、Ｂ１・・・の順でサイクリックに単位ブロックＢ１〜Ｂ３へ振り分けられる。
【００５０】
ウエハＷの搬送経路についてモジュール単位で詳しく説明すると、第１の前方側単位ブロックＢ１に振り分けられるウエハＷは、バッファモジュールＢＵ１→受け渡しアーム３０→疎水化処理モジュールＡＤＨ１、ＡＤＨ２の順で搬送され、疎水化処理される。その後メインアームＡ１が、受け渡しモジュールＣＰＬ１１→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ１→加熱モジュール２７→受け渡しモジュールＣＰＬ１２→レジスト膜形成モジュールＣＯＴ１→加熱モジュール２７→受け渡しモジュールＣＰＬ３１の順で搬送し、ウエハＷに反射防止膜、レジスト膜が順に形成され、第１の後方側単位ブロックＤ１に搬入される。
【００５１】
前記ウエハＷは、メインアームＥ１により保護膜形成モジュールＴＣＴ１→加熱モジュール３３の順に搬送されて、保護膜が形成される。続いて、ウエハＷは受け渡しモジュールＣＰＬ５１に搬送されて、インターフェイスブロックＳ４に搬入され、インターフェイスアーム３７→受け渡しモジュールＴＲＳ１→メインアームＥ４に受け渡され、さらに裏面洗浄モジュールＢＳＴ１に搬送されて裏面洗浄処理を受ける。その後、ウエハＷはメインアームＥ４→受け渡しモジュールＴＲＳ２の順に搬送され、再びインターフェイスブロックＳ４に搬入される。その後、ウエハＷはインターフェイスアーム３６→受け渡しモジュールＢＵ２２、ＢＵ２３→インターフェイスアーム３７→受け渡しモジュールＣＰＬ５４→インターフェイスアーム３５→露光装置Ｓ５の順で搬送されて、液浸露光される。
【００５２】
液浸露光後のウエハＷは、インターフェイスアーム３５→受け渡しモジュールＢＵ２１→インターフェイスアーム３７→露光後洗浄モジュールＰＩＲ１〜ＰＩＲ４→インターフェイスアーム３７→受け渡しモジュールＴＲＳ３の順で搬送される。然る後、前記ウエハＷは、メインアームＥ４により第４の後方側単位ブロックＤ４に再び搬入され、加熱モジュール３３→受け渡しモジュールＣＰＬ４１の順で搬送される。
【００５３】
その後、ウエハＷは、メインアームＡ４により第４の前方側単位ブロックＢ４に搬入され、現像モジュールＤＥＶ１、ＤＥＶ２→加熱モジュール２７→受け渡しモジュールＣＰＬ２１→受け渡しアーム３０→受け渡しモジュールＢＵ１２→受け渡しアーム３０→検査モジュール３１の順に搬送され、検査後、受け渡しアーム３０→受け渡しモジュールＣＰＬ１０→受け渡しアーム１３の順で搬送され、受け渡しアーム１３が当該ウエハＷをキャリアＣに戻す。なお、検査対象ではないウエハＷは、現像、加熱後処理、受け渡しモジュールＣＰＬ２１→受け渡しアーム３０→受け渡しアーム１３→キャリアＣの順で搬送される。
【００５４】
第２の前方側単位ブロックＢ２に振り分けられるウエハＷは、第１の前方側単位ブロックＢ１に振り分けられたウエハＷと同様の順番でモジュール間を搬送される。以下に、簡単に搬送経路を説明する。前記ウエハＷは、バッファモジュールＢＵ１→受け渡しアーム３０→疎水化処理モジュールＡＤＨ３、ＡＤＨ４の順で搬送された後、メインアームＡ２が、受け渡しモジュールＣＰＬ１３→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ２→加熱モジュール２７→受け渡しモジュールＣＰＬ１４→レジスト膜形成モジュールＣＯＴ２→加熱モジュール２７→受け渡しモジュールＣＰＬ３２の順で搬送する。
【００５５】
その後、メインアームＥ２→保護膜形成モジュールＴＣＴ２→メインアームＥ２→加熱モジュール３３→メインアームＥ２→受け渡しモジュールＣＰＬ５２→インターフェイスアーム３７→受け渡しモジュールＴＲＳ４→メインアームＥ５→裏面洗浄モジュールＢＳＴ２→メインアームＥ５→受け渡しモジュールＴＲＳ５の順に搬送され、ウエハＷはインターフェイスブロックＳ４に搬入される。
【００５６】
インターフェイスブロックＳ４にて前記ウエハＷは、第１の前方側単位ブロックＢ１に振り分けられた場合と同様に搬送され、露光後洗浄された後、受け渡しモジュールＴＲＳ６に受け渡される。その後、ウエハＷは、メインアームＥ５→加熱モジュール３３→メインアームＥ５→受け渡しモジュールＣＰＬ４２→メインアームＡ５→現像モジュールＤＥＶ３、ＤＥＶ４→加熱モジュール２７→受け渡しモジュールＣＰＬ２２→受け渡しアーム３０→受け渡しモジュールＢＵ１２→受け渡しアーム３０→検査モジュール３１に搬送された後、単位ブロックＢ４に振り分けられた場合と同様の経路でキャリアＣに戻される。なお、検査対象ではないウエハＷについては、現像、加熱処理後、受け渡しモジュールＣＰＬ２２に搬送後、単位ブロックＢ４に振り分けられた場合と同様の経路でキャリアＣに戻される。
【００５７】
第３の前方側単位ブロックＢ３に振り分けられるウエハＷも、第１の前方側単位ブロックＢ１に振り分けられたウエハＷと同様の順番でモジュール間を搬送される。以下に、簡単に搬送経路を説明すると、前記ウエハＷは、バッファモジュールＢＵ１→受け渡しアーム３０→疎水化処理モジュールＡＤＨ５、ＡＤＨ６の順で搬送された後、メインアームＡ３が、受け渡しモジュールＣＰＬ１５→反射防止膜形成モジュールＢＣＴ３→加熱モジュール２７→受け渡しモジュールＣＰＬ１６→レジスト膜形成モジュールＣＯＴ３→加熱モジュール２７→受け渡しモジュールＣＰＬ３５の順で搬送する。
【００５８】
その後、ウエハＷはメインアームＥ３→保護膜形成モジュールＴＣＴ３→メインアームＥ３→加熱モジュール３３→メインアームＥ３→受け渡しモジュールＣＰＬ５３→インターフェイスアーム３７→受け渡しモジュールＴＲＳ７→メインアームＥ６→裏面洗浄モジュールＢＳＴ３→メインアームＥ６→受け渡しモジュールＴＲＳ８の順に搬送され、インターフェイスブロックＳ４に搬入される。
【００５９】
インターフェイスブロックＳ４にて前記ウエハＷは、第１の前方側単位ブロックＢ１に振り分けられた場合と同様に搬送され、露光後洗浄された後、受け渡しモジュールＴＲＳ９に受け渡される。その後、メインアームＥ６→加熱モジュール３３→メインアームＥ６→受け渡しモジュールＣＰＬ４３→メインアームＡ６→現像モジュールＤＥＶ５、ＤＥＶ６→加熱モジュール２７→受け渡しモジュールＣＰＬ２３→受け渡しアーム３０→受け渡しモジュールＢＵ１３→受け渡しアーム３０→検査モジュール３１に搬送された後、単位ブロックＢ４に振り分けられた場合と同様の経路でキャリアＣに戻される。なお、検査対象ではないウエハＷについては、現像、加熱処理後、受け渡しモジュールＣＰＬ２３に搬送後、単位ブロックＢ４に振り分けられた場合と同様の経路でキャリアＣに戻される。
【００６０】
（搬送モードＡ）
続いて、搬送モードＡが実行された場合について説明する。この搬送モードＡは、前方側単位ブロックＢ１、Ｂ２、Ｂ３のうち、いずれかで処理を行えなくなった場合に実行される搬送モードであり、処理可能な前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３で処理を行った後、ウエハＷを単位ブロックＤ１〜Ｄ３に振り分けて搬送を行うモードである。以降、図９を参照しながら、例えば制御部５１が搬送アームＡ１に異常を検出した場合について説明する。前記異常が検出されると、制御部５１は、搬送アームＡ１の動作及び前方側単位ブロックＢ１の各処理モジュールの動作を停止させる。そして、受け渡しアーム３０は後続のウエハＷを第２、第３の前方側単位ブロックＢ２、Ｂ３に交互に搬送し、既述の搬送経路で各ウエハＷは各前方側単位ブロックＢ２、Ｂ３を搬送されて処理を受け、然る後、棚ユニットＵ１０の受け渡しモジュールＣＰＬ３２，ＣＰＬ３３に搬送される。
【００６１】
そして、受け渡しモジュールＣＰＬ３２，ＣＰＬ３３に搬送されたウエハＷのうち、例えば通常搬送モード実行時には単位ブロックＢ１で処理される予定だったウエハＷは、受け渡しアーム４０により受け渡しモジュールＣＰＬ３１に搬送され、メインアームＥ１により後方側単位ブロックＤ１に搬入される。その他のウエハＷについては、受け渡しモジュールＣＰＬ３２，ＣＰＬ３３からメインアームＥ２、Ｅ３により後方側単位ブロックＤ２，Ｄ３に夫々搬入される。以降は、通常搬送モード実行時と同様に各ウエハＷは搬送され、処理を受ける。そして、ウエハＷの搬送が停止した第１の前方側単位ブロックＢ１について、ユーザは故障時の修理や定期点検、調整確認などのメンテナンスを行うことができる。
【００６２】
前方側単位ブロックＢ２、Ｂ３でウエハＷの処理が行えなくなった場合もこの例と同様に、使用可能な前方側単位ブロックＢにより処理が行われ、然る後、受け渡しアーム４０により、各後方側単位ブロックＢ４〜Ｂ６にウエハＷを搬入するための受け渡しモジュールＣＰＬにウエハＷが振り分けられる。
【００６３】
（搬送モードＢ）
続いて、搬送モードＢが実行された場合について説明する。この搬送モードＢは、後方側単位ブロックＤ１、Ｄ２、Ｄ３のうちのいずれかで処理を行えなくなった場合に実行される搬送モードであり、前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３で処理を受けたウエハＷを、前記Ｄ１〜Ｄ３の後方側単位ブロックのうち、処理可能な後方側単位ブロックに振り分け、その後、後方側単位ブロックＤ４〜Ｄ６に振り分ける。
【００６４】
以降、図１０を参照しながら、例えばメインアームＥ１に異常が検出された場合について説明する。制御部５１は、メインアームＥ１の動作及び後方側単位ブロックＤ１の各処理モジュールの動作を停止させる。そして、前方側単位ブロックＤ１で処理され、受け渡しモジュールＣＰＬ３１に後続のウエハＷが搬送されると、このウエハＷは受け渡しアーム４０により、棚ユニットＵ１０の受け渡しモジュールＣＰＬ３２、ＣＰＬ３３に交互に振り分けられる。その後、受け渡しモジュールＣＰＬ３２、ＣＰＬ３３から後方側単位ブロックＤ２、Ｄ３に搬入されて処理を受けた後、棚ユニットＵ１１の受け渡しモジュールＣＰＬ５２，ＣＰＬ５３に搬送される。
【００６５】
この受け渡しモジュールＣＰＬ５２，５３に受け渡されたウエハＷのうち、例えば通常搬送モード実行時に後方側単位ブロックＤ１に夫々搬入される予定だったウエハＷは、単位ブロックＤ４に対応した受け渡しモジュールＴＲＳ１に搬送され、当該単位ブロックＤ４で処理を受ける。受け渡しモジュールＣＰＬ５２，５３に搬送された他のウエハＷについては、通常搬送モード実行時と同様に単位ブロックＤ５、Ｄ６に対応した受け渡しモジュールＴＲＳ４、ＴＲＳ７に夫々搬送され、当該単位ブロックＤ５、Ｄ６で処理を受ける。単位ブロックＤ４〜Ｄ５以降、ウエハＷは通常搬送モード実行時と同様に搬送される。そして、ウエハＷの搬送が停止した第１の後方側単位ブロックＤ１について、ユーザは既述のようなメンテナンスを行うことができる。
【００６６】
後方側単位ブロックＤ２、Ｄ３でウエハＷの処理が行えなくなった場合もこの例と同様に、受け渡しアーム４０によりＤ１〜Ｄ３のうち使用可能な後方側単位ブロックＤにウエハＷが振り分けられ、ウエハＷは当該単位ブロックＤで処理後、各後方側単位ブロックＢ４〜Ｂ６に振り分けられる。
【００６７】
ウエハＷの処理中に自動で搬送モードが切り替わる例について示したが、ユーザが例えば設定部５７からウエハＷの搬送を停止させる単位ブロックを選択し、搬送モードＡ〜Ｄへの切り替えを指示することもできる。そして、ユーザは搬送を停止させた単位ブロックを既述のようにメンテナンスすることができる。
【００６８】
上記の例では３重化された同じ構成の単位ブロックのうち１つへの搬送が停止される例について示しているが、同じ構成の単位ブロックのうち２つへの搬送を停止させてもよい。また、搬送モードＡ、Ｂは組み合わせて実行されてもよい。従って、前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３のうち１つまたは２つ、後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ３のうち１つまたは２つへのウエハＷの搬送が同時に停止されてもよい。
【００６９】
また、塗布、現像装置１では、検査モジュール３１でウエハＷを検査した結果に従って、単位ブロックへのウエハＷの搬送を停止させることができる。具体的に説明すると、ウエハＷに異常が検出されたときに、制御部５１は、異常となった検査項目と、当該ウエハＷのＩＤと、搬送経路と、を互いに対応付けて検査の履歴としてメモリ５５に記憶する。そして、制御部５１は、これまでにメモリ５５に記憶された過去の検査の履歴に基づいて、同じ単位ブロックを通過した所定の枚数のウエハＷに、同じ検査項目について異常が検出されているか否か判定する。
【００７０】
異常が検出された枚数が所定の枚数より少ないと判定された場合は処理が続行される。異常が検出された枚数が所定の枚数以上であると判定された場合には、当該単位ブロックへのウエハＷの搬送を停止させるように決定する。このように決定すると、制御部５１は、搬送停止になっていない単位ブロックにウエハＷを振り分けるように、各受け渡しアーム及びインターフェイスアームの動作を制御し、これらの単位ブロックを用いてウエハＷの処理が続けられる。また制御部５１は、搬送の停止を決定した単位ブロックにおける各処理モジュールの動作及びメインアームの動作を停止させる。これによって、ユーザが当該単位ブロックに対して既述のメンテナンスを行うことができる。
【００７１】
このように検査結果によって単位ブロックの搬送を停止させる場合は、上記の搬送モードＡ，Ｂ実行時と異なり、例えば異常が発生したウエハＷが通過するすべての単位ブロックについて搬送が停止される。つまり、単位ブロックＢ１〜Ｂ３及びＤ１〜Ｄ３の他に、単位ブロックＢ４〜Ｂ６及びＤ４〜Ｄ６についても、異常となったウエハＷが通過した単位ブロックへの搬送が停止される。
【００７２】
また、塗布、現像装置１では、処理モジュールごとにウエハＷの搬送を停止させることができる。具体的に説明すると、制御部５１はウエハＷに異常が検出されたときに、既述のように検査の履歴を記憶する。次いで、過去の検査の履歴を参照して、同じ処理モジュールを通過したウエハＷのうち、所定の枚数のウエハＷに同じ検査項目について異常が検出されていると判定した場合に、制御部５１が当該処理モジュールへのウエハＷの搬送を停止させる。つまり、単位ブロックにおいて、搬送停止となった処理モジュール以外の同種の処理モジュールへウエハＷが搬送され、単位ブロックでのウエハＷの搬送が継続する。ただし、ＢＣＴ、ＣＯＴ、ＴＣＴ及びＢＳＴについては、各単位ブロックに１基ずつ設けられているため、これら液処理モジュールへの搬送停止が決定された場合には、例えば当該液処理モジュールを含む単位ブロックへのウエハＷの搬送が停止する。このように単位ブロック毎にウエハＷの搬送を停止させるか、処理モジュール単位でウエハＷの搬送を停止させるかについては、設定部５７からユーザが設定することができる。
【００７３】
この塗布、現像装置１によれば、ウエハＷに下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成するための前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３を積層し、レジスト膜の上に上層側の膜を形成するための後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ３を積層し、これら積層体を前後に連結すると共に、前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３と、対応する後段処理用の後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ３との間で基板の受け渡しを行う受け渡しモジュールと、各層の受け渡しモジュールの間で受け渡しアーム４０によりウエハＷの受け渡しができるように構成している。従って、前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３のいずれかが故障やメンテナンスなどにより使用できなくなっても、使用可能な前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３で処理を行った後、後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ３の各層にウエハＷを振り分けることができる。また、後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ３のいずれかが、故障やメンテナンスなどにより使用できなくなっても、前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３で処理を行った後、後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ３のうち、使用可能な各層にウエハＷを振り分けることができる。それによって、スループットの低下を図ることができる。また、前方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３の積層体に、現像処理を行うための前方側単位ブロックＢ４〜Ｂ６を積層しているので、装置の設置面積を抑えつつ、装置のキャリアブロックＳ１からインターフェイスブロックＳ３に向かう長さ寸法も抑えることができる。
【００７４】
上記の塗布、現像装置１において、後方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３の各棚ユニットＵ８〜Ｕ９は、加熱モジュール３３の他にレジスト塗布後のウエハＷに周縁露光を行う周縁露光モジュールＷＥＥ及び検査モジュールを備えていてもよい。この場合、後方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３に搬入されたウエハＷは、周縁露光モジュールＷＥＥ→検査モジュール→保護膜形成モジュールＴＣＴの順で搬送される。
【００７５】
前記検査モジュールでは、例えばレジスト膜の表面の異物の有無及びレジストの膜厚が検査される。そして、ウエハＷに異常が検出された場合には、既述のように当該ウエハＷを処理した単位ブロックまたは処理モジュールへの搬送が停止される。また、後方側単位ブロックＢ１〜Ｂ３で保護膜形成モジュールＴＣＴ→加熱モジュール３３→検査モジュールの順でウエハＷを搬送し、保護膜形成後のウエハＷについて異物や各膜の膜厚を検査してもよい。この場合も、ウエハＷに異常が検出されると、制御部５１が搬送スケジュールに基づいて既述の判定を行い、異常が検出されたウエハＷが通過した処理モジュールや単位ブロックについて後続のウエハＷの搬送の停止が行われる。
【００７６】
また、各検査モジュールの検査結果により各処理モジュールへの搬送を停止するにあたり、液処理モジュールＢＣＴ、ＣＯＴ、ＴＣＴ、ＢＳＴ及びＤＥＶについては、例えば各処理カップ毎にウエハＷの搬送の停止を制御することもできる。つまり、これらの各処理モジュールにおいて、異常が発生したウエハＷを処理した方の処理カップ２３へのウエハＷの搬送が停止し、当該処理カップ２３とノズル２４を共有している処理カップ２３へのウエハＷの搬送は継続させることができる。このように処理カップごとにウエハＷの搬送を停止させる場合、装置内でのウエハＷの処理枚数を調整するために、例えば１つのＢＣＴの処理カップ２３を不使用とした場合に、同じ単位ブロックの１つのＣＯＴの処理カップ２３を不使用にするように設定することができる。同様に例えば１つのＣＯＴの処理カップ２３を不使用とした場合に同じ単位ブロックの１つのＢＣＴも不使用に設定することができる。さらに、このようにＣＯＴ及びＢＣＴの処理カップ２３への搬送が停止された単位ブロックと同様に構成された単位ブロックでも、ＣＯＴの１つの処理カップ２３及びＢＣＴの１つの処理カップ２３への搬送を停止させることで、ウエハＷの処理枚数を調整してもよい。
【００７７】
また、上記の塗布、現像装置１において、ＴＣＴは保護膜形成モジュールではなく、レジスト膜の上層に反射防止膜を形成するモジュールであってもよい。また、疎水化処理モジュールＡＤＨでの疎水化処理は、反射防止膜形成モジュールＢＣＴで反射防止膜の形成前に行う代わりに、前記反射防止膜の形成後、レジスト塗布前に行ってもよいし、レジスト塗布後、ウエハＷを単位ブロックＢ３、Ｂ４に搬送する前に行ってもよい。
【００７８】
第１の前方側単位ブロックＢ１の液処理ユニット２１において、ウエハＷに供給された薬液は、例えば塗布、現像装置の下方側に設けられた図示しない排液路に向かい排液される。反射防止膜形成モジュールＢＣＴ、レジスト膜形成モジュールＣＯＴでウエハＷに供給される薬液の粘度は、現像液の粘度よりも高い。従って、この実施形態のように現像モジュールＤＥＶを上側の単位ブロックに配置し、他の液処理モジュールを下側の単位ブロックに配置することで、各薬液を速やかに排液することができる。その結果として、各処理モジュールにおいて薬液が揮発することを防ぐことができるので、液処理ユニット２１内の処理環境が変化することが防ぐことができる。ただし、現像モジュールＤＥＶを含む単位ブロックが、反射防止膜形成モジュールＢＣＴ及びレジスト膜形成モジュールＣＯＴを含む単位ブロックよりも下方に位置していてもよい。
【００７９】
図１１には、他のインターフェイスブロックＳ４の構成を示している。この図１１のインターフェイスブロックＳ４では、露光前洗浄モジュールＲＤ１〜ＲＤ４が積層されて設けられている。露光前洗浄モジュールＲＤ１〜ＲＤ４は、露光前のウエハＷの表面に洗浄液を供給し、当該ウエハＷの表面溶出物を洗い流す。この露光前洗浄モジュールＲＤ１〜ＲＤ４が設けられることを除いて、図１１のインターフェイスブロックＳ４は、図６のインターフェイスブロックＳ４と同様に構成されている。
【００８０】
後方側単位ブロックＢ４〜Ｂ６で処理され、図１１のインターフェイスブロックＳ４の受け渡しモジュールＴＲＳ２、ＴＲＳ５、ＴＲＳ８に夫々搬送されたウエハＷは、インターフェイスアーム３６により露光前洗浄モジュールＲＤ１〜ＲＤ４に搬送されて洗浄される。洗浄後、ウエハＷは、インターフェイスアーム３６→受け渡しモジュールＢＵ２２、ＢＵ２３→インターフェイスアーム３７→受け渡しモジュールＣＰＬ５４→露光処理Ｓ５の順に搬送される。
【００８１】
さらに、図１２には他のインターフェイスブロックＳ４の構成を示している。このインターフェイスブロックＳ４には、裏面洗浄モジュールＢＳＴ１〜ＢＳＴ４が積層されて設けられている。このようにインターフェイスブロックＳ４に裏面洗浄モジュールＢＳＴが設けられる代わりに、当該インターフェイスブロックＳ４に接続される後方側処理ブロックＳ３には、裏面洗浄モジュールＢＳＴが設けられていない。
【００８２】
このインターフェイスブロックＳ４において、受け渡しモジュールＣＰＬ５１、ＣＰＬ５２、ＣＰＬ５３に夫々搬送されたウエハＷは、例えばインターフェイスアーム３７→受け渡しモジュールＢＵ２２→裏面洗浄モジュールＢＳＴ１〜ＢＳＴ４に搬送されて裏面洗浄され、インターフェイスアーム３６→受け渡しモジュールＢＵ２３→インターフェイスアーム３７の順で搬送され、以降は既述の搬送経路で露光処理Ｓ５に受け渡される。また、このように裏面洗浄モジュールＢＳＴをインターフェイスブロックＳ４に配置した場合、露光後洗浄モジュールＰＩＲを裏面洗浄モジュールＢＳＴの代わりに後方側単位ブロックＤ４〜Ｄ６に配置してもよい。
【００８３】
なお、上記の塗布、現像装置１は、後方側単位ブロックＤ４〜Ｄ６のうち使用不可になった単位ブロックを避けて搬送を行う搬送モードＣを備えていても良い。この搬送モードＣでは、後方側単位ブロックの棚ユニットＵ１０及びインターフェイスブロックＳ４の棚ユニットＵ１１のうち、使用不可になった前記単位ブロックにウエハＷを受け渡すための受け渡しモジュールへの搬送が停止する。そして、露光後、棚ユニットＵ１０に搬送されたウエハＷについては、各前方側単位ブロックＢ４〜Ｂ６に振り分けられる。
【００８４】
例えば後方側単位ブロックＤ４の搬送アームＥ４が故障すると、インターフェイスアーム３７は、当該後方側単位ブロックＤ４に対応する受け渡しモジュールＴＲＳ１〜ＴＲＳ３へのアクセスを停止する。そして、後方側単位ブロックＤ１〜Ｄ３で処理され、受け渡しモジュールＣＰＬ５１〜５３に搬入されたウエハＷを、後方側単位ブロックＤ５、Ｄ６に対応した受け渡しモジュールＴＲＳ４、ＴＲＳ７に振り分ける。また、インターフェイスアーム３７は、露光済みのウエハＷを、後方側単位ブロックＤ５、Ｄ６に対応した受け渡しモジュールＴＲＳ６、ＴＲＳ９に振り分ける。そして、後方側単位ブロックＤ５〜Ｄ６から受け渡しモジュールＣＰＬ４２、ＣＰＬ４３に搬送された露光済みのウエハＷのうち、例えば後方側単位ブロックＤ４で処理される予定だったウエハＷは、受け渡しアーム４０によりＣＰＬ４１に受け渡される。そして、各受け渡しモジュールＣＰＬ４１、４２、４３のウエハＷは、前方側単位ブロックＢ４〜Ｂ６に搬送されて現像処理を受ける。
【００８５】
なお、上記の塗布、現像装置１は、前方側単位ブロックＢ４〜Ｂ６のうち使用不可になった単位ブロックを避けて搬送を行う搬送モードＤを備えていても良い。この搬送モードＤでは、露光処理を受け、棚ユニットＵ１０の受け渡しモジュールＣＰＬ４１，ＣＰＬ４２，ＣＰＬ４３に搬送されたウエハＷのうち、使用不可になった前記単位ブロックに対応する受け渡しモジュールＣＰＬに受け渡されたウエハＷを、受け渡しアーム４０により他の受け渡しモジュールＣＰＬに搬送する。そして、前方側単位ブロックＢ４〜Ｂ６のうち使用可能な単位ブロックで現像処理する。
【００８６】
例えば前方側単位ブロックＢ４の搬送アームＡ４が故障すると、受け渡しアーム４０は、露光処理を受けて受け渡しモジュールＣＰＬ４１に搬送されたウエハＷを例えば受け渡しモジュールＣＰＬ４２、ＣＰＬ４３に交互に搬送する。ＣＰＬ４２、ＣＰＬ４３に搬送されたウエハＷは、前方側単位ブロックＢ５、Ｂ６で夫々現像処理を受ける。搬送モードＣ，Ｄは搬送モードＡ、Ｂと同様に、ユーザが任意に通常搬送モードから切り替えることができる。また、搬送モードＡ，Ｂと同時に実行することもできる。
【００８７】
また、図１３に示すように例えば受け渡しアーム４０の代わりに、棚ユニットＵ１０で単位ブロックＢ１〜Ｂ３に対応する各受け渡しモジュールにウエハＷを搬送する第１の受け渡しアーム４１と、例えば単位ブロックＢ４〜Ｂ６に対応する各受け渡しモジュールにウエハＷを搬送する第２の受け渡しアーム４２とを設けてもよい。これら第１及び第２の受け渡しアーム４１、４２は互いに別体に構成され、独立してウエハＷを搬送することで、各アームの搬送の負荷を抑え、スループットの向上を図ることができる。
【符号の説明】
【００８８】
Ａ１〜Ａ６ メインアーム
ＢＣＴ 反射防止膜形成モジュール
Ｂ１〜Ｂ６ 前方側単位ブロック
ＣＯＴ レジスト膜形成モジュール
ＤＥＶ 現像モジュール
Ｄ１〜Ｄ６ 後方側単位ブロック
ＴＣＴ 保護膜形成モジュール
Ｓ１ キャリアブロック
Ｓ２ 前方側処理ブロック
Ｓ３ 後方側処理ブロック
Ｓ４ インターフェイスブロック
Ｗ ウエハ
１ 塗布、現像装置
２７、３３ 加熱モジュール
３０、４０ 受け渡しアーム
５１ 制御部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、
基板に下層側の反射防止膜を形成するために薬液を供給する下層用の液処理モジュールと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためにレジスト液を供給する塗布モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸びる直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段処理用の単位ブロックを複数上下に積層したものと、
複数の前段処理用の単位ブロックのインターフェイスブロック側に当該前段処理用の単位ブロックに隣接して夫々設けられ、レジスト膜が形成された基板に上層側の膜を形成するために薬液を供給する上層用の液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸びる直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた複数の後段処理用の単位ブロックと、
前段処理用の単位ブロックと、対応する後段処理用の単位ブロックとの間に夫々設けられ、両単位ブロックの搬送機構の間で基板の受け渡しを行うための塗布処理用の受け渡し部と、
各段の塗布処理用の受け渡し部の間及び各段の現像処理用の受け渡し部の間で基板の搬送を行うために昇降自在に設けられた補助移載機構と、
前段処理用の単位ブロックを複数上下に積層したものに対して、上下方向に積層され、基板に現像液を供給する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸びる直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた現像処理用の単位ブロックを複数上下に積層されたものと、
複数の現像処理用の単位ブロックのインターフェイスブロック側に当該現像処理用の単位ブロックに隣接して夫々設けられ、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸びる直線搬送路上を移動し、基板を搬送するための単位ブロック用の搬送機構を備えた補助用の単位ブロックと、
現像処理用の単位ブロックと、対応する補助用の単位ブロックとの間に設けられ、両単位ブロックの搬送機構の間で基板の受け渡しを行うための現像処理用の受け渡し部と、を備えたことと、
ｂ）各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送機構との間で基板の受け渡しを行う搬入出用の受け渡し部と、
ｃ）キャリアから前段処理用の各単位ブロックに対応する前記搬入出用の受け渡し部に基板を振り分けて受け渡すと共に、現像処理用の各単位ブロックに対応する搬入出用の受け渡し部から基板をキャリアに戻すための第１の受け渡し機構と、
ｄ）前記処理ブロックで処理された露光前の基板を受け取り、露光後の基板を現像処理用の単位ブロックに振り分けて受け渡すための第２の受け渡し機構と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項２】
補助用の単位ブロックは、当該補助用の単位ブロック内の搬送機構により基板の搬送が行われ、レジスト膜が形成された基板の裏面側を洗浄するための裏面洗浄モジュールを備えていることを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
【請求項３】
前段処理用の単位ブロックについて不具合が生じたときあるいはメンテナンスを行うときには、当該単位ブロックを使用せず、他の前段処理用の単位ブロックにて基板に下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成するステップと、このステップの後、当該基板を前記補助移載機構を介して、不使用となった単位ブロックのインターフェイスブロック側の後段処理用の単位ブロックに搬送するステップと、を含むモードを実行する制御部を備えたことを特徴とする請求項１または２記載の塗布、現像装置。
【請求項４】
後段処理用の単位ブロックについて不具合が生じたときあるいはメンテナンスを行うときには、当該単位ブロックを使用せず、不使用となった単位ブロックのキャリアブロック側の前段処理用の単位ブロックにて基板に下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成するステップと、このステップの後、当該基板を前記補助移載機構を介して、他の階層の後段処理用の単位ブロックに基板を搬送するステップと、を含むモードを実行する制御部を備えたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項５】
前段処理用の単位ブロックの積層数及び後段処理用の単位ブロックの各々の積層数は３層であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項６】
現像処理用の単位ブロックの積層数は３層であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項７】
前記補助搬送機構は、各段の塗布処理用の受け渡し部の間の搬送を行うための第１の補助移載機構と、各段の現像処理用の受け渡し部の間の搬送を行うための第２の補助移載機構と、を備えていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項８】
請求項１に記載の塗布、現像装置を用い、
前段処理用の単位ブロックについて不具合が生じたときあるいはメンテナンスを行うときには、当該単位ブロックを使用せず、他の前段処理用の単位ブロックにて基板に下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成する工程と、
次いで当該基板を補助移載機構を介して、不使用となった単位ブロックのインターフェイスブロック側の後段処理用の単位ブロックに搬送する工程と、
その後、当該後段処理用の単位ブロック内のモジュールにより、上層側の膜を形成する工程と、を実施することを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項９】
請求項１に記載の塗布、現像装置を用い、
後段処理用の単位ブロックについて不具合が生じたときあるいはメンテナンスを行うときには、当該単位ブロックを使用せず、不使用となった単位ブロックのキャリアブロック側の前段処理用の単位ブロックにて基板に下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成する工程と、
次いで当該基板を補助移載機構を介して、他の階層の後段処理用の単位ブロックに搬送する工程と、
その後、当該後段処理用の単位ブロック内のモジュールにより、上層側の膜を形成する工程と、を実施することを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項１０】
塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項８または９に記載の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
【請求項１】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板を処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、前記処理ブロックに対してキャリアブロックとは反対側に位置するインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ）前記処理ブロックは、
基板に下層側の反射防止膜を形成するために薬液を供給する下層用の液処理モジュールと、前記反射防止膜の上にレジスト膜を形成するためにレジスト液を供給する塗布モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸びる直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた前段処理用の単位ブロックを複数上下に積層したものと、
複数の前段処理用の単位ブロックのインターフェイスブロック側に当該前段処理用の単位ブロックに隣接して夫々設けられ、レジスト膜が形成された基板に上層側の膜を形成するために薬液を供給する上層用の液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、これらモジュール間で基板を搬送するために、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸びる直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた複数の後段処理用の単位ブロックと、
前段処理用の単位ブロックと、対応する後段処理用の単位ブロックとの間に夫々設けられ、両単位ブロックの搬送機構の間で基板の受け渡しを行うための塗布処理用の受け渡し部と、
各段の塗布処理用の受け渡し部の間及び各段の現像処理用の受け渡し部の間で基板の搬送を行うために昇降自在に設けられた補助移載機構と、
前段処理用の単位ブロックを複数上下に積層したものに対して、上下方向に積層され、基板に現像液を供給する液処理モジュールと、基板を加熱する加熱モジュールと、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸びる直線搬送路上を移動する単位ブロック用の搬送機構と、を備えた現像処理用の単位ブロックを複数上下に積層されたものと、
複数の現像処理用の単位ブロックのインターフェイスブロック側に当該現像処理用の単位ブロックに隣接して夫々設けられ、キャリアブロック側からインターフェイスブロック側に伸びる直線搬送路上を移動し、基板を搬送するための単位ブロック用の搬送機構を備えた補助用の単位ブロックと、
現像処理用の単位ブロックと、対応する補助用の単位ブロックとの間に設けられ、両単位ブロックの搬送機構の間で基板の受け渡しを行うための現像処理用の受け渡し部と、を備えたことと、
ｂ）各単位ブロック毎にキャリアブロック側に設けられ、各単位ブロックの搬送機構との間で基板の受け渡しを行う搬入出用の受け渡し部と、
ｃ）キャリアから前段処理用の各単位ブロックに対応する前記搬入出用の受け渡し部に基板を振り分けて受け渡すと共に、現像処理用の各単位ブロックに対応する搬入出用の受け渡し部から基板をキャリアに戻すための第１の受け渡し機構と、
ｄ）前記処理ブロックで処理された露光前の基板を受け取り、露光後の基板を現像処理用の単位ブロックに振り分けて受け渡すための第２の受け渡し機構と、
を備えたことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項２】
補助用の単位ブロックは、当該補助用の単位ブロック内の搬送機構により基板の搬送が行われ、レジスト膜が形成された基板の裏面側を洗浄するための裏面洗浄モジュールを備えていることを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
【請求項３】
前段処理用の単位ブロックについて不具合が生じたときあるいはメンテナンスを行うときには、当該単位ブロックを使用せず、他の前段処理用の単位ブロックにて基板に下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成するステップと、このステップの後、当該基板を前記補助移載機構を介して、不使用となった単位ブロックのインターフェイスブロック側の後段処理用の単位ブロックに搬送するステップと、を含むモードを実行する制御部を備えたことを特徴とする請求項１または２記載の塗布、現像装置。
【請求項４】
後段処理用の単位ブロックについて不具合が生じたときあるいはメンテナンスを行うときには、当該単位ブロックを使用せず、不使用となった単位ブロックのキャリアブロック側の前段処理用の単位ブロックにて基板に下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成するステップと、このステップの後、当該基板を前記補助移載機構を介して、他の階層の後段処理用の単位ブロックに基板を搬送するステップと、を含むモードを実行する制御部を備えたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項５】
前段処理用の単位ブロックの積層数及び後段処理用の単位ブロックの各々の積層数は３層であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項６】
現像処理用の単位ブロックの積層数は３層であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項７】
前記補助搬送機構は、各段の塗布処理用の受け渡し部の間の搬送を行うための第１の補助移載機構と、各段の現像処理用の受け渡し部の間の搬送を行うための第２の補助移載機構と、を備えていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項８】
請求項１に記載の塗布、現像装置を用い、
前段処理用の単位ブロックについて不具合が生じたときあるいはメンテナンスを行うときには、当該単位ブロックを使用せず、他の前段処理用の単位ブロックにて基板に下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成する工程と、
次いで当該基板を補助移載機構を介して、不使用となった単位ブロックのインターフェイスブロック側の後段処理用の単位ブロックに搬送する工程と、
その後、当該後段処理用の単位ブロック内のモジュールにより、上層側の膜を形成する工程と、を実施することを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項９】
請求項１に記載の塗布、現像装置を用い、
後段処理用の単位ブロックについて不具合が生じたときあるいはメンテナンスを行うときには、当該単位ブロックを使用せず、不使用となった単位ブロックのキャリアブロック側の前段処理用の単位ブロックにて基板に下層側の反射防止膜及びレジスト膜を形成する工程と、
次いで当該基板を補助移載機構を介して、他の階層の後段処理用の単位ブロックに搬送する工程と、
その後、当該後段処理用の単位ブロック内のモジュールにより、上層側の膜を形成する工程と、を実施することを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項１０】
塗布、現像装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項８または９に記載の塗布、現像方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１２−１９１３０（Ｐ２０１２−１９１３０Ａ）
【公開日】平成２４年１月２６日（２０１２．１．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１５６５９２（Ｐ２０１０−１５６５９２）
【出願日】平成２２年７月９日（２０１０．７．９）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１月２６日（２０１２．１．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年７月９日（２０１０．７．９）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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