【課題】疎水化処理モジュールまたは塗布膜形成用の単位ブロックに異常が発生したり、メンテナンスを行うときに塗布、現像装置の稼働効率の低下を抑えることができ、基板の搬送手段の動作の複雑化を防ぐ技術を提供すること。
【解決手段】互に同一の塗布膜が形成されるＮ重化された塗布用の単位ブロックと、前記キャリアブロックと処理ブロックとの間の昇降搬送ブロックにおいて、前記塗布膜を形成する前の基板に対して疎水化処理するためのＮグループの疎水化モジュールと、前記Ｎグループの疎水化モジュールから夫々対応する塗布用の単位ブロックに基板を受け渡すように制御される受け渡し機構と、を備えるように塗布、現像装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】パターンマスクの荒れを改善するために処理を行う方法において、パターンマスクの溶解を防ぐと共に、基板の面内で当該パターンマスクの表面を均一に平滑化させること。
【解決手段】露光、現像処理されてパターンマスクが形成された基板を処理容器内の載置台に載置して基板を加熱する工程と、次いで前記パターンマスクを膨潤させるために、溶剤ガスを前記基板の表面の中央部に供給しながら基板の周囲から排気する工程と、この工程を行いながら、前記載置台を介して基板の中央部の温度が基板の周縁部の温度よりも高くなるように基板に温度勾配を形成する工程と、を含むように処理を行う。それによって基板の中央部で溶剤の揮発を促進させて、均一にパターンマスクを膨潤させる。 （もっと読む）

【課題】実施形態によれば、芯材除去後の側壁材の倒れを防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、上端と下端との間にくびれた部分を有する芯材２０を、下地層上に形成する工程を備えている。また、半導体装置の製造方法は、芯材２０の側壁に、芯材２０とは異なる材料の側壁材１６を形成する工程を備えている。また、半導体装置の製造方法は、芯材２０を除去して、側壁材１６を下地層上に残す工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＬＥプロセスよりも少ない工程数で、フォトリソグラフィ技術を２度使用することなく、微細なホール又はトレンチパターンを形成する方法を提供すること。
【解決手段】被処理体の上にレジスト膜を成膜し、成膜した前記レジスト膜をパターニングする、レジスト膜形成工程と、前記被処理体及び前記レジスト膜を被覆するようにスペーサ膜を成膜して、前記スペーサ膜で囲まれた凹部を形成する、スペーサ膜成膜工程と、前記凹部の底面にある前記被処理体及び前記レジスト膜の上面を露出させると共に、前記レジスト膜の側面側に前記スペーサ膜が残るようにエッチングして、前記凹部から第１の開口部を形成する、第１開口部形成工程と、前記レジスト膜を除去することにより第２の開口部を形成する、第２開口部形成工程と、を含むパターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】リンス液を用いずに、かつ有機現像処理の時間差の影響を受けずに回路パターンの微細線幅の安定化及びスループットの向上を図れるようにした有機現像処理方法及び有機現像処理装置を提供すること。
【解決手段】表面にレジストが塗布され、露光された後のウエハＷの表面に現像液を供給して現像を行う現像処理において、ウエハＷの表面全域に同時に有機溶剤を含有する現像液を吐出する現像ノズル３０と、ウエハＷの表面全域に現像停止及び乾燥用のＮ２ガスを吐出するガスノズル４０と、を具備する。現像ノズル３０からウエハＷの表面全域に現像液を吐出してウエハＷの表面全域に同時に有機溶剤を含有する現像液の液膜を形成した後、ガスノズル４０からウエハＷの表面全域にＮ２ガスを吐出して、現像の停止を行うと共に、現像液を除去してウエハＷの乾燥を行う。 （もっと読む）

【課題】側壁マスクプロセスにより同時に異なる幅を持つパターンを形成する。
【解決手段】実施形態に係わる半導体装置の製造方法は、被加工材１２上に第１及び第２の芯材を形成する工程と、第１及び第２の芯材の上面及び側面を覆う第１及び第２の層１６ａ，１６ｂを有する被覆材を形成する工程と、第１の芯材を覆う第２の層１６ｂを除去する工程と、被覆材をエッチングすることにより、第１の芯材の側面に第１の層１６ａを有する第１の側壁マスクを形成し、第２の芯材の側面に第１及び第２の層１６ａ，１６ｂを有する第２の側壁マスクを形成する工程と、第１及び第２の芯材を除去する工程と、第１及び第２の側壁マスクをマスクとして被加工材１２をエッチングすることにより、異なる幅を持つ第１及び第２のパターンを同時に形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ブロック共重合体を用いて簡便にパターンを形成することが可能なパターン形成方法、及びパターン形成装置を提供する。
【解決手段】少なくとも２種類のポリマーを含むブロック共重合体の膜を基板に形成するステップと、前記ブロック共重合体の膜を加熱するステップと、加熱された前記ブロック共重合体の膜に紫外光を照射するステップと、紫外光の照射を経た前記ブロック共重合体の膜に現像液を供給するステップとを含むパターン形成方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】工程数を削減でき、第２のレジスト膜を成膜する際の第１のレジスト膜の溶解を防止できるとともに、露光装置の解像度以下の微細な開口部を形成できるマスクパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】第１のレジスト膜１４に、配列する第１の開口部１４ａを形成する工程と、第１の開口部１４ａの側壁１４ｂを被覆するように第１の膜１５を成膜する工程と、第１の膜１５上に成膜した第２のレジスト膜１６に、第１の開口部１４ａと交互に配列する第２の開口部１６ａを形成する工程と、第２の開口部１６ａの側壁１６ｂを被覆するように第２の膜１７を成膜する工程と、第１の側壁部１７ａとして残るように第２の膜１７の一部を除去する工程と、第１のレジスト膜１４に第２の開口部１６ａに対応した第３の開口部１４ｄを形成するとともに、側壁１４ｂが第２の側壁部１５ａに被覆されてなる第４の開口部１４ｇを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】露光装置の解像限界よりも狭い線幅を有するラインパターンを形成可能な微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】エッチングの対象となる薄膜の上に、ネガ型のフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜を減圧雰囲気下で乾燥する工程と、使用する露光装置における解像限界よりも幅が小さい露光光透過部を有するフォトマスクを用いて、乾燥された前記フォトレジスト膜に対し前記露光光を照射して当該フォトレジスト膜を露光する工程と、露光された前記フォトレジスト膜を現像して当該フォトレジスト膜からエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクを用いて前記薄膜をエッチングする工程とを含む、微細パターン形成方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、レジストパターンのＬＷＲを改善できるレジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物、及び下記一般式（２）で表される化合物の少なくともいずれかと、水とを少なくとも含有するレジストパターン改善化材料である。
（もっと読む）

【課題】リンス液を乾燥する際、被処理基板の凸状部が倒壊することを防止することが可能な液処理方法、液処理装置および記憶媒体を提供する。
【解決手段】基板本体部Ｗ_ｉと、基板本体部Ｗ_ｉに突設された複数の凸状部Ｗ_ｍとを有し、基板本体部Ｗ_ｉ上であって凸状部Ｗ_ｍ間に下地面Ｗ_ｆが形成された被処理基板Ｗに対して表面処理を行うことにより、被処理基板Ｗの下地面Ｗ_ｆが親水化し、かつ凸状部Ｗ_ｍの表面が撥水化した状態となるようにする。次に、表面処理された被処理基板Ｗに対してリンス液を供給する。その後、被処理基板Ｗからリンス液を除去する。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニング法により良好なパターンを得ることができるレジストパターンの製造方法を提供する。
【解決手段】（１）〜（１１）の工程；（１）第１のレジスト膜を得る工程（２）プリベークする工程（３）露光処理する工程（４）ポストエクスポージャーベークする工程（５）現像して第１のレジストパターンを得る工程（６）第１のレジストパターンを光に対して不活性化させる工程、或いは、アルカリ現像液又は第２のレジスト組成物に対して不溶化させる工程（７）第１のレジストパターンの上に、第２のレジスト組成物を、３００〜３０００ｒｐｍの回転数でスピンコートし、乾燥して第２のレジスト膜を得る工程（８）プリベークする工程（９）露光処理する工程（１０）ポストエクスポージャーベークする工程（１１）現像して第２のレジストパターンを形成する工程を含むレジストパターンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】レジスト等の炭素含有薄膜のパターンの凸部のスリミング処理時のスリミング量（削り取り量）のばらつきを抑制してスリミング処理毎の再現性を向上させることが可能な炭素含有薄膜のスリミング方法である。
【解決手段】パターン化された炭素含有薄膜１０４が形成された被処理体Ｗを酸化装置２の処理容器４内へ搬入する搬入工程と、処理容器内へ水分を供給しつつ酸化ガスにより炭素含有薄膜１０４の表面を酸化処理して除去することによりパターンの凸部１０４Ｂの幅を小さくするスリミング工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】微細パターンの形成に有用なパターン形成方法の提供。
【解決手段】支持体１上に、露光によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する１つ又は複数種のポジ型レジスト組成物によりポジ型レジストパターン２を形成する工程（１）と、ポジ型レジストパターン２が形成された支持体１上に、前記ポジ型レジストパターンを溶解しない有機溶剤（Ｓ）を含有するパターン反転用組成物を塗布してパターン反転用膜６を形成する工程（２）と、パターン反転用膜６を、ポジ型レジストパターン２を溶解する有機溶剤現像液を用いて現像することにより、ポジ型レジストパターン２を除去してレジストパターンを形成する工程（３）と、を含むパターン形成方法であって、工程（３）の現像時において、パターン反転用膜６の前記有機溶剤現像液に対する溶解度は、ポジ型レジストパターン２の前記有機溶剤現像液に対する溶解度よりも小さいことを特徴とするパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】基板上の金属層の機能性が低下することを抑止することができる基板処理装置、及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、遷移金属により形成された金属層を有する基板Ｗの表面に第１の処理液を供給する第１の処理液供給装置６と、基板Ｗの表面に遷移金属に対して吸着特性を有する分子を含む第２の処理液を供給する第２の処理液供給装置７とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板上のパターンにダメージを与えることなくパターンが形成されていない部分を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに対し、侵入防止液を供給し、その後凝固対象液を基板表面Ｗｆに供給することにより、パターン間隙内部およびパターン近傍にＨＦＥを残留させる。その後、ＨＦＥは液体のままの状態を維持しながら、凝固対象液を凝固して、パターン間隙内部および近傍の領域を除いた基板表面Ｗｆを凍結洗浄する。パターン間隙内部およびパターン近傍については液体のＨＦＥが残留しているため、凝固対象液が凝固することにより生ずる力を受け流すことが可能となり、その力をパターンに直接伝えることがないため、パターンへのダメージを生ずることなくパターンが形成されていない基板表面Ｗｆ等の領域を洗浄することができる。 （もっと読む）

【課題】現像液を供給するときの基板搬送速度と、現像液を除去するときの基板搬送速度とを制御し、レジストパターンを均一化するレジスト現像装置を提供する。
【解決手段】現像ユニット３０は、露光されたレジスト膜を有する基板Ｓを搬送する第１搬送機構、第１搬送機構で搬送される基板Ｓの表面に現像液を供給する供給ノズル５０を有する現像液供給部３０Ｂ、現像液で表面が覆われた基板Ｓを搬送する第２搬送機構を有する現像部３０Ｃ、気体を吐出して基板Ｓの表面を覆う現像液を吹き切るブローノズル５１、およびそれに向けて基板Ｓを搬送する第３搬送機構を有するブロー部３０Ｄ、現像液が吹き切られた基板Ｓの表面にリンス液を供給するリンス液供給ノズル５３を有するリンス部３０Ｅ、第１搬送機構に搬送される基板Ｓの搬送速度、第３搬送機構に搬送される基板Ｓの搬送速度とが異なるように第１および第３の搬送機構を制御する制御部６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で、ドライエッチング耐性に優れたレジストパターンを形成する。
【解決手段】フォトレジスト膜６のパターン上に、水溶性ポリマーを含む被覆膜７を形成し、第１の熱処理によりフォトレジスト膜６中のポリマーと水溶性ポリマーの架橋等による被覆層８を形成した後、被覆膜７を除去する。さらに被覆層８上にフォトレジスト膜６中のポリマーよりもドライエッチング耐性の高いポリマーを含む樹脂膜９を形成し、第２の熱処理により被覆層８とのミキシング層１０を形成した後、樹脂層９を除去することで、フォトレジスト膜６、被覆層８、ミキシング層１０の３層構成のレジストマスク層２０を形成し、これをマスクとして下地層をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 ブロックコポリマーの自己組織化を利用し、低コストで周期パターンと非周期パターンを形成できるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 実施形態のパターン形成方法では、被加工膜上でブロックコポリマーを自己組織化させて第１のブロック相および第２のブロック相を含むパターンを形成する。また、第１の条件で露光と現像を行い第１の領域に存在するブロックコポリマー全体を除去し、第１の領域以外の領域に第１のブロック相および第２のブロック相を含むパターンを残存させる。また、第２の条件で露光と現像を行い第２の領域に存在する第１のブロック相を選択的に除去し、第１の領域以外の領域と第２の領域以外の領域との重なり領域に第１のブロック相および第２のブロック相を含むパターンを残存させる。また、重なり領域を除く第２の領域に第２のブロック相のパターンを残存させ、残存したパターンをマスクとして被加工膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、レジストパターンのＬＷＲを改善できるレジストパターン改善化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】炭素数４〜１１の直鎖アルカンジオールと、水とを少なくとも含有するレジストパターン改善化材料である。レジストパターンを形成後に、該レジストパターンの表面を覆うように前記レジストパターン改善化材料を塗布する工程を含むレジストパターンの形成方法である。 （もっと読む）