現像方法、現像装置、およびこれを備える塗布現像処理システム
【課題】現像液を供給するときの基板搬送速度と、現像液を除去するときの基板搬送速度とを制御し、レジストパターンを均一化するレジスト現像装置を提供する。
【解決手段】現像ユニット３０は、露光されたレジスト膜を有する基板Ｓを搬送する第１搬送機構、第１搬送機構で搬送される基板Ｓの表面に現像液を供給する供給ノズル５０を有する現像液供給部３０Ｂ、現像液で表面が覆われた基板Ｓを搬送する第２搬送機構を有する現像部３０Ｃ、気体を吐出して基板Ｓの表面を覆う現像液を吹き切るブローノズル５１、およびそれに向けて基板Ｓを搬送する第３搬送機構を有するブロー部３０Ｄ、現像液が吹き切られた基板Ｓの表面にリンス液を供給するリンス液供給ノズル５３を有するリンス部３０Ｅ、第１搬送機構に搬送される基板Ｓの搬送速度、第３搬送機構に搬送される基板Ｓの搬送速度とが異なるように第１および第３の搬送機構を制御する制御部６０とを備える。
【解決手段】現像ユニット３０は、露光されたレジスト膜を有する基板Ｓを搬送する第１搬送機構、第１搬送機構で搬送される基板Ｓの表面に現像液を供給する供給ノズル５０を有する現像液供給部３０Ｂ、現像液で表面が覆われた基板Ｓを搬送する第２搬送機構を有する現像部３０Ｃ、気体を吐出して基板Ｓの表面を覆う現像液を吹き切るブローノズル５１、およびそれに向けて基板Ｓを搬送する第３搬送機構を有するブロー部３０Ｄ、現像液が吹き切られた基板Ｓの表面にリンス液を供給するリンス液供給ノズル５３を有するリンス部３０Ｅ、第１搬送機構に搬送される基板Ｓの搬送速度、第３搬送機構に搬送される基板Ｓの搬送速度とが異なるように第１および第３の搬送機構を制御する制御部６０とを備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラットパネルディスプレー（ＦＰＤ）用のガラス基板などに形成されたフォトレジスト膜を現像する現像方法、現像装置、およびこれを備える塗布現像処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＦＰＤを製造する工程の一つにフォトリソグラフィー工程がある。この工程においては、ＦＰＤ用のガラス基板にフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜を所定のフォトマスクを用いて露光し、露光されたフォトレジスト膜を現像する各ステップが行われる。
【０００３】
ＦＰＤ用のガラス基板の大型化に伴って、フォトレジスト膜の形成ステップと現像ステップは、一般に、ローラやコロなどを含む搬送機構によりガラス基板を搬送しながら行われる（たとえば特許文献１および２）。
【０００４】
フォトレジスト膜の現像ステップでは、ガラス基板への現像液の供給と、所定の時間の現像と、リンス液による現像液の洗い流しと、リンス液の乾燥とがガラス基板を搬送しながら行われる。このようにして形成されるフォトレジストパターンの線幅やビア径などをガラス基板の面内で均一化するため、実質的な現像時間（現像液が供給されて現像が始まってから、リンス液により現像液が洗い流されて現像が停止するまでの時間）をガラス基板の面内で等しくすることが望まれる。このため、ガラス基板に現像液を供給するときの基板搬送速度と、リンス液で現像液を洗い流すときの基板搬送速度とを等しくすることが好ましい（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−５６９５号公報
【特許文献２】特開２００８−１５９６６３号公報
【特許文献３】特許第３５５２１８７号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、現像液の再利用のため、たとえばガラス基板を傾けることにより現像液をガラス基板から流し落として現像液を回収する場合がある。この場合、ガラス基板上を現像液が流れるため、その流れの下流側において、フォトレジスト膜が多量の現像液に晒されたり、現像液が実質的に攪拌されたりする。そうすると、現像液の流れの下流側においてフォトレジスト膜の現像が促進され（たとえば線幅が狭くなり）、ガラス基板の面内でフォトレジストパターンが不均一化するおそれがある。すなわち、このような状況においては、ガラス基板に現像液を供給するときの基板の搬送速度と、リンス液で現像液を洗い流すときの基板の搬送速度とを等しくしてもフォトレジストパターンの均一化を図ることができない。
【０００７】
また、搬送されているガラス基板の搬送方向の前端近傍に現像液が供給されるとき（すなわち現像液の供給が開始されるとき）には、現像液の供給量（または供給速度）や基板搬送速度によっては、ガラス基板上の現像液に乱流が生じたり、現像液が回流したりすることによって現像が促進される場合がある。この場合、ガラス基板の後端側に比べて前端側において、たとえば線幅が狭くなる事態となる。すなわち、このような状況においても、ガラス基板に現像液を供給するときの基板の搬送速度と、リンス液で現像液を洗い流すときの基板の搬送速度とを等しくしてもフォトレジストパターンの均一化を図ることができない。
【０００８】
本発明は、上記の事情に鑑みて為され、基板に現像液を供給するときの基板の搬送速度と、現像液を除去するときの基板の搬送速度とを制御することにより、基板の面内でフォトレジストパターンを均一化することが可能なフォトレジストの現像方法、現像装置、およびこれを備える塗布現像処理システムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様によれば、露光されたフォトレジスト膜を表面に有する基板を第１の搬送速度で搬送しながら、当該表面に現像液を供給する工程と、前記現像液で表面が覆われた前記基板を第２の搬送速度で搬送する工程と、前記第１の搬送速度と異なる第３の搬送速度で前記基板を搬送しながら、当該基板の表面を覆う現像液を気体で吹き切る工程と、前記吹き切る工程に引き続いて前記基板を前記第３の搬送速度で搬送しながら、前記表面にリンス液を供給する工程とを含むフォトレジスト膜の現像方法が提供される。
【００１０】
本発明の第２の態様によれば、露光されたフォトレジスト膜を表面に有する基板を搬送する第１の搬送機構、および該第１の搬送機構で搬送される前記基板の表面に現像液を供給する供給ノズルを有する現像液供給部と、前記供給ノズルから供給された前記現像液で表面が覆われた前記基板を搬送する第２の搬送機構を有する現像部と、気体を吐出して前記基板の表面を覆う前記現像液を吹き切るブローノズル、および該ブローノズルに向けて前記基板を搬送する第３の搬送機構を有するブロー部と、前記現像液が吹き切られた前記基板の表面にリンス液を供給するリンス液供給ノズルを有するリンス部と、前記第１の搬送機構により搬送される前記基板の第１の搬送速度と、前記第３の搬送機構により搬送される前記基板の第３の搬送速度とが異なるように前記第１の搬送機構および前記第３の搬送機構を制御する制御部とを備えるフォトレジスト膜の現像装置が提供される。
【００１１】
本発明の第３の態様によれば、基板上にフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成装置と、露光された前記フォトレジスト膜を現像する、第２の態様のフォトレジスト膜の現像装置とを備える塗布現像処理システムが提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の実施形態によれば、基板に現像液を供給するときの基板の搬送速度と、現像液を除去するときの基板の搬送速度とを制御することにより、基板の面内でフォトレジストパターンを均一化することが可能なフォトレジストの現像方法、現像装置、およびこれを備える塗布現像処理システムが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態による塗布現像処理システムを概略的に示す上面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムに設けられる、本発明の実施形態による現像装置を示す図である。
【図３】図２の現像装置の動作を説明する図である。
【図４】図３に引き続いて図２の現像装置の動作を説明する他の図である。
【図５】図４に引き続いて図２の現像装置の動作を説明する別の図である。
【図６】図５に引き続いて図２の現像装置の動作を説明するまた別の図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態による現像装置およびこれを備える塗布現像処理システムを説明する。以下の説明において、同一または対応する部品または部材には、同一または対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１５】
まず、図１を参照しつつ、本発明の実施形態によるフォトレジストの塗布現像処理システムを説明する。
図示のとおり、塗布現像処理システム１００は、複数のガラス基板Ｓ（以下、単に基板Ｓと記す）を収容するカセットＣが載置されるカセットステーション１と、基板Ｓにフォトレジストの塗布および現像を含む一連の処理を行う処理ステーション２と、処理ステーション２において基板Ｓの表面に形成されたフォトレジスト膜を露光する露光装置９との間で基板Ｓの受け渡しを行うインターフェースステーション４とを備えている。カセットステーション１、処理ステーション２、およびインターフェースステーション４は、図中のＸ方向に沿って配置されている。
【００１６】
カセットステーション１は、カセットＣを図中のＹ方向に並置可能な載置台１２と、載置台１２のＸ方向側に結合され、処理ステーション２との間で基板Ｓの搬入出を行う搬送装置１１とを備える。搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有し、搬送アーム１１ａは、Ｙ方向に延びるガイド１０に沿って移動可能であり、上下動、前後動および水平回転可能である。
【００１７】
処理ステーション２には、カセットステーション１からインターフェースステーション４に向う方向に、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２１、スクラブ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２２、プレヒートユニット（ＰＨ）２３、アドヒージョンユニット（ＡＤ）２４、冷却ユニット（ＣＯＬ）２５、フォトレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２６、減圧乾燥ユニット（ＤＰ）２７、加熱処理ユニット（ＨＴ）２８、および冷却ユニット（ＣＯＬ）２９がこの順に配列されている。
また、処理ステーション２には、インターフェースステーション４からカセットステーション１に向う方向に、現像ユニット（ＤＥＶ）３０、加熱処理ユニット（ＨＴ）３１、冷却ユニット（ＣＯＬ）３２、および検査装置（ＩＰ）３５がこの順に配列されている。
【００１８】
これらのユニット（およびユニット間）には、現像ユニット３０におけるコロ１７０（後述）を含むコロ搬送機構と同様のコロ搬送機構が設けられている。これにより、基板Ｓは、図中の矢印Ａで示す搬送ラインＡと、矢印Ｂで示す搬送ラインＢとに沿って上記のユニットに順に搬送される。
【００１９】
このように構成されたフォトレジスト塗布現像処理システム１００において、基板Ｓは以下のように処理される。
まず、搬送装置１１の搬送アーム１１ａにより、カセットステーション１の載置台１２に載置されたカセットＣから基板Ｓが取り出され、搬送ラインＡに沿って、処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット２１へと搬送される。ここで、紫外域光を発する紫外域光ランプから基板Ｓに対して紫外域光が照射され、基板Ｓ上に吸着した有機物が除去される。次にスクラブ洗浄ユニット２２へ基板Ｓが搬送され、洗浄液（たとえば脱イオン水（ＤＩＷ））が基板Ｓに供給されつつブラシ等の洗浄部材により基板Ｓの表面が洗浄され、ブロワー等により乾燥される。洗浄乾燥された基板Ｓは、プレヒートユニット２３へ搬送され、加熱されて更に乾燥される。次いで基板Ｓは、アドヒージョンユニット２４へ搬送され、加熱した基板Ｓに対してヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）を吹き付けることにより基板Ｓに対して疎水化処理が行われる。疎水化処理後、基板Ｓは冷却ユニット２５へ搬送され、基板Ｓに対して冷風を吹き付けることによって基板Ｓが冷却され、所定の温度に維持される。
【００２０】
続けて基板Ｓは、フォトレジスト塗布ユニット２６へ搬送される。フォトレジスト塗布ユニット２６内では、基板Ｓが搬送ラインＡに沿って移動しながら、基板Ｓ上にフォトレジスト液が供給され、基板Ｓ上にフォトレジスト膜が形成される。
【００２１】
フォトレジスト膜が形成された基板Ｓは、搬送ラインＡ上を搬送されて、内部空間を減圧可能に構成される減圧乾燥ユニット２７へ搬送され、減圧雰囲気下でフォトレジスト膜が乾燥される。次に、基板Ｓは加熱処理ユニット２８へ搬送される。ここでは、基板Ｓが加熱され、フォトレジスト膜に含まれる溶剤等が除去される。加熱処理後、基板Ｓは冷却ユニット２９へ搬送され、基板Ｓに対して冷風を吹き付けることによって基板Ｓが冷却される。
【００２２】
冷却ユニット２９で冷却された基板Ｓは、搬送ラインＡ上を下流側端部まで搬送された後、インターフェースステーション４の上下動、前後動および水平回転可能な搬送アーム４３によって基板Ｓの受け渡し部であるロータリーステージ（ＲＳ）４４に搬送される。次に、基板Ｓは、搬送アーム４３によって外部装置ブロック９０の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送される。周辺露光装置（ＥＥ）では、基板Ｓの外周部のフォトレジスト膜を除去するため、基板Ｓに対して露光処理が行われる。続いて、基板Ｓは、搬送アーム４３により露光装置９に搬送され、回路パターンに対応したパターンを有するフォトマスクを介してフォトレジスト膜が露光される。なお、基板Ｓは、ロータリーステージ４４上のバッファカセットに一時的に収容された後に、露光装置９に搬送される場合がある。露光処理が終了した基板Ｓは、搬送アーム４３により外部装置ブロック９０のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬送され、ここで所定の情報が基板Ｓに書き込まれる。
【００２３】
その後、基板Ｓは搬送ラインＢ上を搬送されて現像ユニット３０に至る。現像ユニット３０では、後述するように、露光されたフォトレジスト膜が現像液により現像され、リンス液により現像液が洗い流され、リンス液が乾燥される。
【００２４】
次に、基板Ｓは、搬送ラインＢ上を搬送されて加熱処理ユニット３１に至り、ここで加熱され、フォトレジスト膜に残る溶剤およびリンス液（水分）が除去される。なお、加熱処理ユニット３１においても、基板Ｓは、コロ搬送機構によって搬送ラインＢ上を搬送されながら加熱される。現像ユニット３０と加熱処理ユニット３１との間には、現像液の脱色処理を行うｉ線ＵＶ照射ユニットを設けても良い。加熱処理ユニット３１での加熱処理が終了した基板Ｓは、冷却ユニット３２搬送されて、ここで冷却される。
【００２５】
冷却された基板Ｓは、検査ユニット３５へ搬送され、たとえばフォトレジストパターン（ライン）の限界寸法（ＣＤ）の測定などの検査が行われる。この後、基板Ｓは、カセットステーション１に設けられた搬送装置１１の搬送アーム１１ａにより載置台１２に載置された所定のカセットＣに収容され、一連の処理が終了する。
【００２６】
次に、図２を参照しながら、本実施形態による現像ユニット３０について説明する。図２（ａ）は、現像ユニット３０の概略上面図であり、図２（ｂ）は、現像ユニット３０の概略側面図である。これらの図においては、基板Ｓと現像ユニット３０の各部との位置関係を示すため、各部に基板Ｓが配置された状態を図示している。
図示のとおり、現像ユニット３０は、外部装置ブロック９０から加熱処理ユニット３１（図１参照）に向かう方向に順に配置される導入部３０Ａ、現像液供給部３０Ｂ、現像部３０Ｃ、ブロー部３０Ｄ、およびリンス部３０Ｅを有している。
【００２７】
導入部３０Ａは、外部装置ブロック９０に接続し、表面にフォトレジスト膜が形成された基板Ｓを外部装置ブロック９０から受け取り、現像液供給部３０Ｂへと搬送する。具体的には、導入部３０Ａには複数の（図示の例では８つの）コロ１７０が互いに平行に所定の間隔で並べられている。これらのコロ１７０は、基板Ｓの幅よりも長く、同じ高さに配置されている。このため、基板Ｓは、コロ１７０上に安定に支持される。また、コロ１７０の各々は、中心軸を回転中心として回転可能であり、駆動装置Ｍ１により駆動されて同じ方向に同じ速度で回転することができる。これによりコロ１７０上の基板Ｓは所定の搬送速度で搬送される。駆動装置Ｍ１はたとえば電動モータであって良い。以下の説明ではモータＭ１と記す。モータＭ１は制御部６０により制御され、これによりコロ１７０の回転速度、すなわち基板Ｓの搬送速度が制御される。
【００２８】
なお、コロ１７０、モータＭ１（駆動装置）、および制御部６０は、現像液供給部３０Ｂおよび現像部３０Ｃにおいても同様の構成を有し、同様に機能するため、これらの説明は、現像液供給部３０Ｂおよび現像部３０Ｃの説明においては省略する。
【００２９】
また、現像ユニット３０は、導入部３０Ａと外部装置ブロック９０との間に配置される搬入部を有していても良い。搬入部は、導入部３０Ａと同様の構成を有することができ、外部装置ブロック９０と現像ユニット３０との間での基板Ｓの搬送間隔を調整するバッファーとして機能することができる。
【００３０】
現像液供給部３０Ｂは導入部３０Ａと連続するように配置されている。具体的には、導入部３０Ａと現像液供給部３０Ｂとの境界におけるコロ１７０の間隔は、導入部３０Ａ内および現像液供給部３０Ｂ内におけるコロ１７０の間隔とほぼ等しく、かつ、コロ１７０の配置高さは、導入部３０Ａと現像液供給部３０Ｂとの間で等しい。これにより、基板Ｓは、導入部３０Ａから現像液供給部３０Ｂにスムースに搬入される。また、現像液供給部３０Ｂには、基板Ｓの表面に現像液を供給する現像液供給ノズル５０が設けられている。現像液供給ノズル５０は、基板Ｓの搬送方向と直交する方向（コロ１７０の長手方向と平行な方向）に延び、図２（ａ）に示すように、基板Ｓの幅よりも僅かに長い。現像液供給ノズル５０は、所定の間隔をおいて下方に開口する複数の孔（または現像液供給ノズル５０の長手方向に延びるスリット）を有しており、基板Ｓの表面の全幅に対して現像液供給源（図示せず）からの現像液を供給する。また、現像液供給ノズル５０は、図２（ｂ）に示すように、導入部３０Ａと現像液供給部３０Ｂとの境界近くに配置されている。このため、導入部３０から現像液供給部３０Ｂへ搬入されるとほぼ同時に基板Ｓに対する現像液の供給が開始される。
【００３１】
現像部３０Ｃは現像液供給部３０Ｂと連続するように配置されている。基板Ｓは、現像液供給部３０Ｂにおいて供給された現像液で表面が覆われた状態で、現像液供給部３０Ｂから現像部３０Ｃへ搬入され、同じ状態で現像部３０Ｃ内を搬送される。
ブロー部３０Ｄは現像部３０Ｃと連続するように配置されている。ブロー部３０Ｄにおいては、基板Ｓの搬送方向に沿った下流側でコロ１７０の配置高さに差が設けられている。具体的には、８つのコロ１７０のうち、基板Ｓの搬送方向上流側からの７つ目のコロ１７０が６つ目のコロ１７０よりも例えば３ｍｍから５ｍｍ高い位置に配置され、さらに、８つ目のコロ１７０は６つ目のコロ１７０よりも例えば６ｍｍから１０ｍｍ高い位置に配置されている。このため、ブロー部３０Ｄ内においてコロ１７０により搬送される基板Ｓは、搬送方向の前端から後端に向かって低くなるように凹状に反ることとなる。このように反ることにより、基板Ｓの表面を覆う現像液は、基板Ｓの搬送方向とは逆の方向に流れて基板Ｓの後端から下方へ流れ落ちる。コロ１７０の下方には、図示しないトレイ（またはパン）が設けられている。下方へ流れ落ちた現像液はトレイに収集され、トレイに設けられた所定の配管を通して回収される。これにより、現像液を再利用することができ、現像液を節約することが可能となる。
【００３２】
また、ブロー部３０Ｄには、後段のリンス部３０Ｅとの境界近くにブローノズル５１が配置されている。ブローノズル５１は、図２（ａ）に示すように、基板Ｓの搬送方向と直交する方向に延び、基板Ｓの幅よりも長い。ブローノズル５１の下部には、所定の間隔で複数の孔（またはブローノズル５１の長手方向に延びるスリット）が形成されており、図示しない清浄空気供給源からの清浄空気が下方に向けて吐出され、エアカーテンが形成される。基板Ｓがエアカーテンを横切ると、エアカーテンにより基板Ｓ上の現像液が全幅にわたってライン状に吹き切られる。これにより、基板Ｓ上のフォトレジスト膜の現像が実質的に停止される。
【００３３】
リンス部３０Ｅはブロー部３０Ｄと連続するように配置されている。具体的には、リンス部３０Ｅにおける基板搬送方向に沿った最上流側のコロ１７０は、ブロー部３０Ｄにおける基板搬送方向に沿った最下流側のコロ１７０に対して極端な段差ができないように配置され、最上流側のコロ１７０に後続するコロ１７０は、順次高さが低くなるように配置されている。これにより、ブロー部３０Ｄにおいて（概ね凹状）反った基板Ｓは、リンス部３０Ｅにおいては逆向きに反り、次第に平坦になる。コロ１７０の長手方向や間隔等は、リンス部３０Ｅにおいてもブロー部３０Ｄ等と同じである。
【００３４】
また、リンス部３０Ｅには、プレリンスノズル５２が設けられている。プレリンスノズル５２は、図２（ａ）に示すように、基板Ｓの搬送方向と直交する方向に延び、基板Ｓの幅よりも長く、また、下部に、所定の間隔で複数の孔が形成されている。プレリンスノズル５２は、図示しないリンス液（たとえばＤＩＷ）の供給源と接続されており、基板Ｓの全幅にわたってリンス液を吐出する。プレリンスノズル５２は、ブロー部３０Ｄのブローノズル５１に隣接して（たとえば３０ｍｍの間隔で）設けられており、現像液が吹き切られた後、フォトレジスト膜が完全に乾燥する前に、フォトレジスト膜をリンス液で濡らすことができる。このため、現像により形成されたフォトレジストパターンの表面または側面に残る現像液をリンス液中に溶け出させることができる。また、基板搬送方向に対してプレリンスノズル５２の下流側には、リンスノズル５３が設けられている。リンスノズル５３は、プレリンスノズル５２と同様に基板Ｓの全副にわたってリンス液を吐出することができ、これにより、リンス液中に溶け出した現像液をリンス液とともに洗い流すことができる。また、リンスノズル５３は傾くように配置され、コロ１７０により形成される基板Ｓの傾きに沿った方向に向けてリンス液を供給できる。したがって現像液を効率よく洗い流すことができる。
リンス液により現像液が洗い流された基板Ｓは、リンス部３０Ｅと連続するように配置される乾燥部（図示を省略）へ搬送される。乾燥部は、導入部３０Ａ等と同様のコロ搬送機構と、コロ搬送機構により搬送される基板Ｓに対して清浄空気を吐出して基板Ｓを乾燥するエアーナイフ（図示せず）とを備えることができる。乾燥部により乾燥された基板Ｓは、コロ搬送により加熱処理ユニット３１（図１参照）に搬送される。
なお、リンス部３０Ｅと乾燥部との間に、一又は複数のリンスノズルを有する他のリンス部を設けても良い。これによれば、現像液をより確実に洗い流すことができる。
【００３５】
また、現像ユニット３０には、現像ユニット３０内を搬送される基板Ｓの位置を検出する複数のセンサ（図示せず）が適宜設けられている。これらのセンサにより検出された位置に応じて、制御部６０によりモータＭ１からＭ５とコロ１７０とが制御されて基板搬送速度が変更され、各ノズル５０から５３が制御される。
【００３６】
次に、図３から図６までを参照しながら、本実施形態による現像ユニットの動作（現像方法）について説明する。これらの図面において、便宜上、制御部６０は省略する。
図３（ａ）を参照すると、外部装置ユニット９０（図１）から搬入された基板Ｓが導入部３０Ａ内を搬送されている。図示は省略しているが、基板Ｓの表面にはフォトレジスト膜が形成されており、このフォトレジスト膜は露光装置９（図１）において露光され、潜像が形成されている。導入部３０Ａにおいては、基板Ｓは搬送速度Ｖ１１で搬送されている。また、導入部３０Ａの後段の現像液供給部３０Ｂでは、制御部６０（図２）によりモータＭ２およびコロ１７０が制御され、導入部３０Ａでの搬送速度Ｖ１１よりも速い搬送速度Ｖ２１に予め設定されている。
【００３７】
基板Ｓの前端が現像液供給部３０Ｂへ搬入されたことがセンサ（図示せず）により検出されると、導入部３０のモータＭ１およびコロ１７０が制御部６０により制御され、導入部３０における搬送速度Ｖ１１が搬送速度Ｖ２１（現像液供給部３０Ｂにおける搬送速度）に変更される。これにより、基板Ｓは搬送速度Ｖ２１で導入部３０Ａから現像液供給部３０Ｂへ搬送されていく。一方、基板Ｓの前端が現像液供給ノズル５０の真下に達すると同時に、現像液供給ノズル５０から基板Ｓの表面に対して現像液ＤＬが供給される。基板Ｓの表面に供給された現像液ＤＬは、図３（ｂ）に示すように、表面張力により基板Ｓの表面に留まることなる。現像液ＤＬの供給は、図４（ａ）に示すように基板Ｓの後端が現像液供給ノズル５０の真下を通り過ぎるまで継続し、通り過ぎるとともに停止する。以上により、基板Ｓの表面全体が現像液ＤＬで覆われることとなる。
【００３８】
なお、現像液供給部３０Ｂ内を基板Ｓが搬送されているとき（現像液が供給されているとき）、現像液供給部３０Ｂの後段の現像部３０Ｃにおいては、現像部３０Ｃにおける基板Ｓの搬送速度がＶ３１となるように、制御部６０によりモータＭ３およびコロ１７０が制御されている。搬送速度Ｖ３１は、現像に要する時間（現像時間）と、現像液供給ノズル５０とブローノズル５１との間の距離とに基づいて決定されている。より具体的には、基板Ｓの前端が現像液供給ノズル５０の真下に達してからブローノズル５１に達する時間が所望の現像時間と等しくなるように（現像液供給部３０Ｂでの搬送速度Ｖ２１をも考慮して）決定されている。本実施形態では、現像部３０Ｃでの搬送速度Ｖ３１は、現像液供給部３０Ｂでの搬送速度Ｖ２１よりも遅く設定されている。
【００３９】
基板Ｓの後端が現像液供給ノズル５０を通り過ぎると共に、基板Ｓの前端が現像部３０Ｃへ搬入されると、現像液供給部３０ＢのモータＭ２およびコロ１７０が制御部６０により制御され、現像液供給部３０Ｂにおける搬送速度Ｖ２１が、後段の現像部３０Ｃにおける搬送速度Ｖ３１と等しくなる（図４（ｂ））。これにより、基板Ｓは、図５（ａ）に示すように、搬送速度Ｖ３１で現像液供給部３０Ｂから現像部３０Ｃへと搬送されていく。この場合においても、基板Ｓの表面は現像液ＤＬにより覆われている。この後、図５（ｂ）に示すように、基板Ｓは、表面が現像液ＤＬで覆われたまま、搬送速度Ｖ３１にて現像部３０Ｃからブロー部３０Ｄへ更に搬送されていく。
【００４０】
図６（ａ）に示すように、基板Ｓの前端がブロー部３０Ｄのブローノズル５１の真下に達したことが図示しないセンサにより検出されると、ブロー部３０ＤのモータＭ４およびコロ１７０とが制御部６０により制御されて、基板Ｓは搬送速度Ｖ４１にて搬送されることとなる。搬送速度Ｖ４１は、後段のリンス部３０Ｅにおいて設定されていた搬送速度と等しく、現像液供給部３０Ｂ内を搬送されていたときの基板Ｓの搬送速度Ｖ２１（図３（ｂ）および図４（ａ））よりも速い。また、ブローノズル５１の真下に基板Ｓが達したときには、ブロー部３０Ｄのコロ１７０の配置により、基板Ｓは前端が高くなるように反っているため、図６（ａ）に示すように、現像液ＤＬは後端に向かって流れ、後端から下方へ流れ落ち、図示しないトレイを介して回収される。
【００４１】
また、ブローノズル５１から吐出される清浄空気で形成されるエアカーテンにより、図６（ｂ）に示すように、基板Ｓ上の現像液は吹き切られ、これにより現像が実質的に停止される。現像液が吹き切られた後、比較的短時間のうちに、基板Ｓの表面にはプレリンスノズル５２からリンス液（ＤＩＷ）が供給され、基板Ｓの表面はリンス液で濡らされて表面に残留する現像液がリンス液に溶け込む。さらに、現像液が溶け込んだリンス液は、リンスノズル５３から供給されるリンス液により洗い流され、現像液はより確実に除去される。
【００４２】
なお、プレリンスノズル５２から吐出されるリンス液は、ブローノズル５１により形成されるエアカーテンにより堰き止められるため、ブロー部３０Ｄ側へ流れることはない。仮に、プレリンスノズル５２からのリンス液が基板Ｓの表面を流れて現像液と共に基板Ｓの後端から下方へ流れ落ちると、リンス液の流れるパターンに応じた現像斑が生じてしまう。しかし、本実施形態の現像ユニット３０によれば、ブローノズル５１によりリンス液が基板Ｓの上流側に向かって流れることがないため、そのような斑が生じることはない。
【００４３】
リンス部３０Ｅにおいてリンス液により現像液が洗い流された基板Ｓは、リンス部３０Ｅと連続するように配置される乾燥部（図示を省略）へ搬送され、乾燥部に設けられたエアーナイフ（図示せず）から吐出される清浄空気により基板Ｓが乾燥され、加熱処理ユニット３１（図１参照）にコロにより搬送される。
なお、リンス部３０Ｅと乾燥部との間に別のリンス部（図示せず）を設ける場合には、リンス部３０Ｅにおいてリンス液により現像液が洗い流された基板Ｓは、別のリンス部へ所定の搬送速度で搬送され、ここで更に洗浄され、乾燥部へ搬送される。
【００４４】
基板Ｓの搬送速度を例示すると、現像液供給部３０Ｂにおいて現像液供給ノズル５０から基板Ｓに現像液を供給するときの搬送速度Ｖ２１（図３）は、たとえば６０ｍｍ／ｓｅｃから１００ｍｍ／ｓｅｃまでの範囲にあってよく、ブロー部３０Ｄにおいてブローノズル５１によるエアカーテンを基板Ｓが通過するときの搬送速度Ｖ４１（図６）は、たとえば１２０ｍｍ／ｓｅｃから１８０ｍｍ／ｓｅｃまでの範囲にあって良い。もちろん、少なくとも一枚の基板Ｓを用いて上記の現像方法を行った後に、形成されたフォトレジストパターン（ライン幅やビア径などの寸法）の面内均一性に基づいて搬送速度Ｖ２１，Ｖ３１，Ｖ４１等を決定すると好ましい。また、フォトレジストパターンの面内均一性は、たとえば現像ユニット３０よりも後段にある検査ユニット３５において測定しても良い。さらに、一ロット分の基板を処理している途中で、検査ユニット３５において（または他の検査装置にて）時系列的に取得した測定データに基づいて搬送速度Ｖ２１，Ｖ３１，Ｖ４１等を変更（または調整）しても良い。
【００４５】
以上のとおり、本実施形態による現像ユニット３０および現像方法においては、ブロー部３０Ｄにおいて、現像液の回収のため、前端が高くなるように基板Ｓを反らせることから、現像液が後端側へ流れる。このため、基板Ｓの後端側は多量の現像液に晒され、しかも、現像液の流れにより現像液が攪拌されるため、後端側での現像が促進されることとなる。しかし、ブロー部３０Ｄにおける搬送速度Ｖ４１が現像液供給部３０Ｂにおける搬送速度Ｖ２１よりも速いため、現像時間（現像液供給ノズル５０により現像液が供給されてから、ブローノズル５１からのエアカーテンにより現像液が吹き切られるまでの時間）を基板Ｓの後端側で短くすることでき、現像の促進を相殺することができる。したがって、本発明の実施形態によれば、基板Ｓにおけるフォトレジストパターンの面内均一性が損なわれることがないという効果・利点が提供される。
【００４６】
また、本実施形態の現像ユニット３０によれば、基板Ｓ上に現像液ＤＬを供給するときの基板搬送速度と、供給された現像液ＤＬで覆われた基板Ｓを搬送するときの基板搬送速度と、基板Ｓから現像液ＤＬを除去するときの基板搬送速度とを独立して制御することができるため、使用するフォトレジストや現像液等に応じて、基板搬送速度を種々に変更することにより、基板の面内におけるフォトレジストパターンの均一化を図ることができる。
【００４７】
仮にそのような基板搬送速度の制御ができず、現像時間のみによって基板搬送速度が決定される場合においては、現像液を供給するときの基板搬送速度を調整できない事態ともなる。逆に、現像液を供給するときの基板搬送速度を調整しようとすれば、この基板搬送速度に合わせて、現像部３０Ｃの長さ（基板の搬送距離）を変えることにより現像時間を確保する必要が生じる。しかし、ロットごとに装置構成を変更することは現実的には不可能である。
【００４８】
すなわち、本実施形態の現像ユニット３０によれば、プロセスウィンドウ（マージン）を拡大することができる。これにより、ＰＦＤの性能向上や、歩留まりの改善に伴うＰＦＤの低価格化に寄与する。また、将来開発される新しいフォトレジストや現像液をも使用できる可能性が高くなり、これらに伴う装置のレトロフィットなどを省くことができる。
【００４９】
以上、本発明の実施形態を参照しながら本発明を説明したが、本発明は上述の実施形態に限ることなく、添付の特許請求の範囲に照らし、種々に変更または変形が可能である。
たとえば、基板Ｓの前端がブローノズル５１（図２）の真下に達した後に、ブロー部３０Ｄにおける搬送速度を徐々に速くしても良い。具体的には、基板Ｓの前端がブローノズル５１の真下に達した後、基板Ｓの搬送速度が徐々に速くなるように制御部６０によりモータＭ４およびＭ５とコロ１７０とを制御すれば良い。このようにすれば、基板Ｓの後端側での現像時間を前端側での現像時間よりも徐々に短くすることができる。したがって、基板Ｓの後端側での現像の促進をより確実に相殺することが可能となる。
【００５０】
また、上記の実施形態においては、現像液供給ノズル５０の真下に基板Ｓの前端が達したことを所定のセンサで検出することにより、現像液供給ノズル５０から現像液ＤＬを基板Ｓへ供給したが、これに限られない。たとえば、導入部３０Ａにおける所定の位置（たとえば基板Ｓの搬送方向に沿った長さのほぼ中間）に、基板Ｓの前端を検出するセンサを設け、このセンサにより基板Ｓの前端を検出した時点と、基板Ｓの搬送速度とに基づいて、現像液供給ノズル５０の真下に基板Ｓの前端が達した時に現像液供給ノズル５０から現像液ＤＬを吐出するようタイミングを決定しても良い。ブローノズル５１からの清浄空気の吐出のタイミングについても、基板Ｓの前端を検出するセンサをたとえばブロー部３０Ｄの所定の位置に設け、同様にして決定することができる。
【００５１】
また、本実施形態の現像ユニット３０においては、ブロー部３０Ｄにおいてコロ１７０の配置により基板Ｓを傾けて現像液を回収したが、ブロー部３０Ｄにおいて基板Ｓを停止させた後にたとえば昇降ピンなどを用いて、基板Ｓ上の現像液を後端側から流し落とすようにしても良い。
【００５２】
また、基板を傾けない（現像液を回収しない）場合にも本発明は適用可能である。たとえば、この場合において現像液を基板に供給する際の基板搬送速度が遅いときには、基板の前端側で現像液が回流したり、撹拌されたりするため、前端側で現像が促進されるおそれがある。この場合には、ブローノズルにより現像液を吹き切るときの基板搬送速度を、現像液を供給するときの基板搬送速度よりも遅くすることにより、基板の後端側での実質的な現像時間を長くすると好ましい。これにより、現像時間の長期化を通して後端側での現像を促進することができ、フォトレジストパターンの面内均一性を維持することが可能となる。また、この場合においても、ブローノズルにより現像液を吹き切るときの基板搬送速度を徐々に遅くしても良い。
【００５３】
上述の実施形態においては、ＦＰＤ用のガラス基板を用いる場合を説明したが、ガラス基板に限らず樹脂基板や半導体基板を用いる場合にも本発明は適用可能である。
【符号の説明】
【００５４】
１００…塗布現像処理システム、１…カセットステーション、２…処理ステーション、４…インターフェースステーション、９…露光装置、３０…現像ユニット、３０Ａ…導入部、３０Ｂ…現像液供給部、３０Ｃ…現像部、３０Ｄ…ブロー部、３０Ｅ…リンス部、５０…現像液供給ノズル、５１…ブローノズル、５２…プレリンスノズル、５３…リンスノズル、９０…制御部、１７０…コロ、Ｍ１〜Ｍ５…駆動装置（モータ）、Ｓ…基板。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラットパネルディスプレー（ＦＰＤ）用のガラス基板などに形成されたフォトレジスト膜を現像する現像方法、現像装置、およびこれを備える塗布現像処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＦＰＤを製造する工程の一つにフォトリソグラフィー工程がある。この工程においては、ＦＰＤ用のガラス基板にフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜を所定のフォトマスクを用いて露光し、露光されたフォトレジスト膜を現像する各ステップが行われる。
【０００３】
ＦＰＤ用のガラス基板の大型化に伴って、フォトレジスト膜の形成ステップと現像ステップは、一般に、ローラやコロなどを含む搬送機構によりガラス基板を搬送しながら行われる（たとえば特許文献１および２）。
【０００４】
フォトレジスト膜の現像ステップでは、ガラス基板への現像液の供給と、所定の時間の現像と、リンス液による現像液の洗い流しと、リンス液の乾燥とがガラス基板を搬送しながら行われる。このようにして形成されるフォトレジストパターンの線幅やビア径などをガラス基板の面内で均一化するため、実質的な現像時間（現像液が供給されて現像が始まってから、リンス液により現像液が洗い流されて現像が停止するまでの時間）をガラス基板の面内で等しくすることが望まれる。このため、ガラス基板に現像液を供給するときの基板搬送速度と、リンス液で現像液を洗い流すときの基板搬送速度とを等しくすることが好ましい（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−５６９５号公報
【特許文献２】特開２００８−１５９６６３号公報
【特許文献３】特許第３５５２１８７号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、現像液の再利用のため、たとえばガラス基板を傾けることにより現像液をガラス基板から流し落として現像液を回収する場合がある。この場合、ガラス基板上を現像液が流れるため、その流れの下流側において、フォトレジスト膜が多量の現像液に晒されたり、現像液が実質的に攪拌されたりする。そうすると、現像液の流れの下流側においてフォトレジスト膜の現像が促進され（たとえば線幅が狭くなり）、ガラス基板の面内でフォトレジストパターンが不均一化するおそれがある。すなわち、このような状況においては、ガラス基板に現像液を供給するときの基板の搬送速度と、リンス液で現像液を洗い流すときの基板の搬送速度とを等しくしてもフォトレジストパターンの均一化を図ることができない。
【０００７】
また、搬送されているガラス基板の搬送方向の前端近傍に現像液が供給されるとき（すなわち現像液の供給が開始されるとき）には、現像液の供給量（または供給速度）や基板搬送速度によっては、ガラス基板上の現像液に乱流が生じたり、現像液が回流したりすることによって現像が促進される場合がある。この場合、ガラス基板の後端側に比べて前端側において、たとえば線幅が狭くなる事態となる。すなわち、このような状況においても、ガラス基板に現像液を供給するときの基板の搬送速度と、リンス液で現像液を洗い流すときの基板の搬送速度とを等しくしてもフォトレジストパターンの均一化を図ることができない。
【０００８】
本発明は、上記の事情に鑑みて為され、基板に現像液を供給するときの基板の搬送速度と、現像液を除去するときの基板の搬送速度とを制御することにより、基板の面内でフォトレジストパターンを均一化することが可能なフォトレジストの現像方法、現像装置、およびこれを備える塗布現像処理システムを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様によれば、露光されたフォトレジスト膜を表面に有する基板を第１の搬送速度で搬送しながら、当該表面に現像液を供給する工程と、前記現像液で表面が覆われた前記基板を第２の搬送速度で搬送する工程と、前記第１の搬送速度と異なる第３の搬送速度で前記基板を搬送しながら、当該基板の表面を覆う現像液を気体で吹き切る工程と、前記吹き切る工程に引き続いて前記基板を前記第３の搬送速度で搬送しながら、前記表面にリンス液を供給する工程とを含むフォトレジスト膜の現像方法が提供される。
【００１０】
本発明の第２の態様によれば、露光されたフォトレジスト膜を表面に有する基板を搬送する第１の搬送機構、および該第１の搬送機構で搬送される前記基板の表面に現像液を供給する供給ノズルを有する現像液供給部と、前記供給ノズルから供給された前記現像液で表面が覆われた前記基板を搬送する第２の搬送機構を有する現像部と、気体を吐出して前記基板の表面を覆う前記現像液を吹き切るブローノズル、および該ブローノズルに向けて前記基板を搬送する第３の搬送機構を有するブロー部と、前記現像液が吹き切られた前記基板の表面にリンス液を供給するリンス液供給ノズルを有するリンス部と、前記第１の搬送機構により搬送される前記基板の第１の搬送速度と、前記第３の搬送機構により搬送される前記基板の第３の搬送速度とが異なるように前記第１の搬送機構および前記第３の搬送機構を制御する制御部とを備えるフォトレジスト膜の現像装置が提供される。
【００１１】
本発明の第３の態様によれば、基板上にフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成装置と、露光された前記フォトレジスト膜を現像する、第２の態様のフォトレジスト膜の現像装置とを備える塗布現像処理システムが提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の実施形態によれば、基板に現像液を供給するときの基板の搬送速度と、現像液を除去するときの基板の搬送速度とを制御することにより、基板の面内でフォトレジストパターンを均一化することが可能なフォトレジストの現像方法、現像装置、およびこれを備える塗布現像処理システムが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態による塗布現像処理システムを概略的に示す上面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムに設けられる、本発明の実施形態による現像装置を示す図である。
【図３】図２の現像装置の動作を説明する図である。
【図４】図３に引き続いて図２の現像装置の動作を説明する他の図である。
【図５】図４に引き続いて図２の現像装置の動作を説明する別の図である。
【図６】図５に引き続いて図２の現像装置の動作を説明するまた別の図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態による現像装置およびこれを備える塗布現像処理システムを説明する。以下の説明において、同一または対応する部品または部材には、同一または対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１５】
まず、図１を参照しつつ、本発明の実施形態によるフォトレジストの塗布現像処理システムを説明する。
図示のとおり、塗布現像処理システム１００は、複数のガラス基板Ｓ（以下、単に基板Ｓと記す）を収容するカセットＣが載置されるカセットステーション１と、基板Ｓにフォトレジストの塗布および現像を含む一連の処理を行う処理ステーション２と、処理ステーション２において基板Ｓの表面に形成されたフォトレジスト膜を露光する露光装置９との間で基板Ｓの受け渡しを行うインターフェースステーション４とを備えている。カセットステーション１、処理ステーション２、およびインターフェースステーション４は、図中のＸ方向に沿って配置されている。
【００１６】
カセットステーション１は、カセットＣを図中のＹ方向に並置可能な載置台１２と、載置台１２のＸ方向側に結合され、処理ステーション２との間で基板Ｓの搬入出を行う搬送装置１１とを備える。搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有し、搬送アーム１１ａは、Ｙ方向に延びるガイド１０に沿って移動可能であり、上下動、前後動および水平回転可能である。
【００１７】
処理ステーション２には、カセットステーション１からインターフェースステーション４に向う方向に、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２１、スクラブ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２２、プレヒートユニット（ＰＨ）２３、アドヒージョンユニット（ＡＤ）２４、冷却ユニット（ＣＯＬ）２５、フォトレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２６、減圧乾燥ユニット（ＤＰ）２７、加熱処理ユニット（ＨＴ）２８、および冷却ユニット（ＣＯＬ）２９がこの順に配列されている。
また、処理ステーション２には、インターフェースステーション４からカセットステーション１に向う方向に、現像ユニット（ＤＥＶ）３０、加熱処理ユニット（ＨＴ）３１、冷却ユニット（ＣＯＬ）３２、および検査装置（ＩＰ）３５がこの順に配列されている。
【００１８】
これらのユニット（およびユニット間）には、現像ユニット３０におけるコロ１７０（後述）を含むコロ搬送機構と同様のコロ搬送機構が設けられている。これにより、基板Ｓは、図中の矢印Ａで示す搬送ラインＡと、矢印Ｂで示す搬送ラインＢとに沿って上記のユニットに順に搬送される。
【００１９】
このように構成されたフォトレジスト塗布現像処理システム１００において、基板Ｓは以下のように処理される。
まず、搬送装置１１の搬送アーム１１ａにより、カセットステーション１の載置台１２に載置されたカセットＣから基板Ｓが取り出され、搬送ラインＡに沿って、処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット２１へと搬送される。ここで、紫外域光を発する紫外域光ランプから基板Ｓに対して紫外域光が照射され、基板Ｓ上に吸着した有機物が除去される。次にスクラブ洗浄ユニット２２へ基板Ｓが搬送され、洗浄液（たとえば脱イオン水（ＤＩＷ））が基板Ｓに供給されつつブラシ等の洗浄部材により基板Ｓの表面が洗浄され、ブロワー等により乾燥される。洗浄乾燥された基板Ｓは、プレヒートユニット２３へ搬送され、加熱されて更に乾燥される。次いで基板Ｓは、アドヒージョンユニット２４へ搬送され、加熱した基板Ｓに対してヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ）を吹き付けることにより基板Ｓに対して疎水化処理が行われる。疎水化処理後、基板Ｓは冷却ユニット２５へ搬送され、基板Ｓに対して冷風を吹き付けることによって基板Ｓが冷却され、所定の温度に維持される。
【００２０】
続けて基板Ｓは、フォトレジスト塗布ユニット２６へ搬送される。フォトレジスト塗布ユニット２６内では、基板Ｓが搬送ラインＡに沿って移動しながら、基板Ｓ上にフォトレジスト液が供給され、基板Ｓ上にフォトレジスト膜が形成される。
【００２１】
フォトレジスト膜が形成された基板Ｓは、搬送ラインＡ上を搬送されて、内部空間を減圧可能に構成される減圧乾燥ユニット２７へ搬送され、減圧雰囲気下でフォトレジスト膜が乾燥される。次に、基板Ｓは加熱処理ユニット２８へ搬送される。ここでは、基板Ｓが加熱され、フォトレジスト膜に含まれる溶剤等が除去される。加熱処理後、基板Ｓは冷却ユニット２９へ搬送され、基板Ｓに対して冷風を吹き付けることによって基板Ｓが冷却される。
【００２２】
冷却ユニット２９で冷却された基板Ｓは、搬送ラインＡ上を下流側端部まで搬送された後、インターフェースステーション４の上下動、前後動および水平回転可能な搬送アーム４３によって基板Ｓの受け渡し部であるロータリーステージ（ＲＳ）４４に搬送される。次に、基板Ｓは、搬送アーム４３によって外部装置ブロック９０の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送される。周辺露光装置（ＥＥ）では、基板Ｓの外周部のフォトレジスト膜を除去するため、基板Ｓに対して露光処理が行われる。続いて、基板Ｓは、搬送アーム４３により露光装置９に搬送され、回路パターンに対応したパターンを有するフォトマスクを介してフォトレジスト膜が露光される。なお、基板Ｓは、ロータリーステージ４４上のバッファカセットに一時的に収容された後に、露光装置９に搬送される場合がある。露光処理が終了した基板Ｓは、搬送アーム４３により外部装置ブロック９０のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬送され、ここで所定の情報が基板Ｓに書き込まれる。
【００２３】
その後、基板Ｓは搬送ラインＢ上を搬送されて現像ユニット３０に至る。現像ユニット３０では、後述するように、露光されたフォトレジスト膜が現像液により現像され、リンス液により現像液が洗い流され、リンス液が乾燥される。
【００２４】
次に、基板Ｓは、搬送ラインＢ上を搬送されて加熱処理ユニット３１に至り、ここで加熱され、フォトレジスト膜に残る溶剤およびリンス液（水分）が除去される。なお、加熱処理ユニット３１においても、基板Ｓは、コロ搬送機構によって搬送ラインＢ上を搬送されながら加熱される。現像ユニット３０と加熱処理ユニット３１との間には、現像液の脱色処理を行うｉ線ＵＶ照射ユニットを設けても良い。加熱処理ユニット３１での加熱処理が終了した基板Ｓは、冷却ユニット３２搬送されて、ここで冷却される。
【００２５】
冷却された基板Ｓは、検査ユニット３５へ搬送され、たとえばフォトレジストパターン（ライン）の限界寸法（ＣＤ）の測定などの検査が行われる。この後、基板Ｓは、カセットステーション１に設けられた搬送装置１１の搬送アーム１１ａにより載置台１２に載置された所定のカセットＣに収容され、一連の処理が終了する。
【００２６】
次に、図２を参照しながら、本実施形態による現像ユニット３０について説明する。図２（ａ）は、現像ユニット３０の概略上面図であり、図２（ｂ）は、現像ユニット３０の概略側面図である。これらの図においては、基板Ｓと現像ユニット３０の各部との位置関係を示すため、各部に基板Ｓが配置された状態を図示している。
図示のとおり、現像ユニット３０は、外部装置ブロック９０から加熱処理ユニット３１（図１参照）に向かう方向に順に配置される導入部３０Ａ、現像液供給部３０Ｂ、現像部３０Ｃ、ブロー部３０Ｄ、およびリンス部３０Ｅを有している。
【００２７】
導入部３０Ａは、外部装置ブロック９０に接続し、表面にフォトレジスト膜が形成された基板Ｓを外部装置ブロック９０から受け取り、現像液供給部３０Ｂへと搬送する。具体的には、導入部３０Ａには複数の（図示の例では８つの）コロ１７０が互いに平行に所定の間隔で並べられている。これらのコロ１７０は、基板Ｓの幅よりも長く、同じ高さに配置されている。このため、基板Ｓは、コロ１７０上に安定に支持される。また、コロ１７０の各々は、中心軸を回転中心として回転可能であり、駆動装置Ｍ１により駆動されて同じ方向に同じ速度で回転することができる。これによりコロ１７０上の基板Ｓは所定の搬送速度で搬送される。駆動装置Ｍ１はたとえば電動モータであって良い。以下の説明ではモータＭ１と記す。モータＭ１は制御部６０により制御され、これによりコロ１７０の回転速度、すなわち基板Ｓの搬送速度が制御される。
【００２８】
なお、コロ１７０、モータＭ１（駆動装置）、および制御部６０は、現像液供給部３０Ｂおよび現像部３０Ｃにおいても同様の構成を有し、同様に機能するため、これらの説明は、現像液供給部３０Ｂおよび現像部３０Ｃの説明においては省略する。
【００２９】
また、現像ユニット３０は、導入部３０Ａと外部装置ブロック９０との間に配置される搬入部を有していても良い。搬入部は、導入部３０Ａと同様の構成を有することができ、外部装置ブロック９０と現像ユニット３０との間での基板Ｓの搬送間隔を調整するバッファーとして機能することができる。
【００３０】
現像液供給部３０Ｂは導入部３０Ａと連続するように配置されている。具体的には、導入部３０Ａと現像液供給部３０Ｂとの境界におけるコロ１７０の間隔は、導入部３０Ａ内および現像液供給部３０Ｂ内におけるコロ１７０の間隔とほぼ等しく、かつ、コロ１７０の配置高さは、導入部３０Ａと現像液供給部３０Ｂとの間で等しい。これにより、基板Ｓは、導入部３０Ａから現像液供給部３０Ｂにスムースに搬入される。また、現像液供給部３０Ｂには、基板Ｓの表面に現像液を供給する現像液供給ノズル５０が設けられている。現像液供給ノズル５０は、基板Ｓの搬送方向と直交する方向（コロ１７０の長手方向と平行な方向）に延び、図２（ａ）に示すように、基板Ｓの幅よりも僅かに長い。現像液供給ノズル５０は、所定の間隔をおいて下方に開口する複数の孔（または現像液供給ノズル５０の長手方向に延びるスリット）を有しており、基板Ｓの表面の全幅に対して現像液供給源（図示せず）からの現像液を供給する。また、現像液供給ノズル５０は、図２（ｂ）に示すように、導入部３０Ａと現像液供給部３０Ｂとの境界近くに配置されている。このため、導入部３０から現像液供給部３０Ｂへ搬入されるとほぼ同時に基板Ｓに対する現像液の供給が開始される。
【００３１】
現像部３０Ｃは現像液供給部３０Ｂと連続するように配置されている。基板Ｓは、現像液供給部３０Ｂにおいて供給された現像液で表面が覆われた状態で、現像液供給部３０Ｂから現像部３０Ｃへ搬入され、同じ状態で現像部３０Ｃ内を搬送される。
ブロー部３０Ｄは現像部３０Ｃと連続するように配置されている。ブロー部３０Ｄにおいては、基板Ｓの搬送方向に沿った下流側でコロ１７０の配置高さに差が設けられている。具体的には、８つのコロ１７０のうち、基板Ｓの搬送方向上流側からの７つ目のコロ１７０が６つ目のコロ１７０よりも例えば３ｍｍから５ｍｍ高い位置に配置され、さらに、８つ目のコロ１７０は６つ目のコロ１７０よりも例えば６ｍｍから１０ｍｍ高い位置に配置されている。このため、ブロー部３０Ｄ内においてコロ１７０により搬送される基板Ｓは、搬送方向の前端から後端に向かって低くなるように凹状に反ることとなる。このように反ることにより、基板Ｓの表面を覆う現像液は、基板Ｓの搬送方向とは逆の方向に流れて基板Ｓの後端から下方へ流れ落ちる。コロ１７０の下方には、図示しないトレイ（またはパン）が設けられている。下方へ流れ落ちた現像液はトレイに収集され、トレイに設けられた所定の配管を通して回収される。これにより、現像液を再利用することができ、現像液を節約することが可能となる。
【００３２】
また、ブロー部３０Ｄには、後段のリンス部３０Ｅとの境界近くにブローノズル５１が配置されている。ブローノズル５１は、図２（ａ）に示すように、基板Ｓの搬送方向と直交する方向に延び、基板Ｓの幅よりも長い。ブローノズル５１の下部には、所定の間隔で複数の孔（またはブローノズル５１の長手方向に延びるスリット）が形成されており、図示しない清浄空気供給源からの清浄空気が下方に向けて吐出され、エアカーテンが形成される。基板Ｓがエアカーテンを横切ると、エアカーテンにより基板Ｓ上の現像液が全幅にわたってライン状に吹き切られる。これにより、基板Ｓ上のフォトレジスト膜の現像が実質的に停止される。
【００３３】
リンス部３０Ｅはブロー部３０Ｄと連続するように配置されている。具体的には、リンス部３０Ｅにおける基板搬送方向に沿った最上流側のコロ１７０は、ブロー部３０Ｄにおける基板搬送方向に沿った最下流側のコロ１７０に対して極端な段差ができないように配置され、最上流側のコロ１７０に後続するコロ１７０は、順次高さが低くなるように配置されている。これにより、ブロー部３０Ｄにおいて（概ね凹状）反った基板Ｓは、リンス部３０Ｅにおいては逆向きに反り、次第に平坦になる。コロ１７０の長手方向や間隔等は、リンス部３０Ｅにおいてもブロー部３０Ｄ等と同じである。
【００３４】
また、リンス部３０Ｅには、プレリンスノズル５２が設けられている。プレリンスノズル５２は、図２（ａ）に示すように、基板Ｓの搬送方向と直交する方向に延び、基板Ｓの幅よりも長く、また、下部に、所定の間隔で複数の孔が形成されている。プレリンスノズル５２は、図示しないリンス液（たとえばＤＩＷ）の供給源と接続されており、基板Ｓの全幅にわたってリンス液を吐出する。プレリンスノズル５２は、ブロー部３０Ｄのブローノズル５１に隣接して（たとえば３０ｍｍの間隔で）設けられており、現像液が吹き切られた後、フォトレジスト膜が完全に乾燥する前に、フォトレジスト膜をリンス液で濡らすことができる。このため、現像により形成されたフォトレジストパターンの表面または側面に残る現像液をリンス液中に溶け出させることができる。また、基板搬送方向に対してプレリンスノズル５２の下流側には、リンスノズル５３が設けられている。リンスノズル５３は、プレリンスノズル５２と同様に基板Ｓの全副にわたってリンス液を吐出することができ、これにより、リンス液中に溶け出した現像液をリンス液とともに洗い流すことができる。また、リンスノズル５３は傾くように配置され、コロ１７０により形成される基板Ｓの傾きに沿った方向に向けてリンス液を供給できる。したがって現像液を効率よく洗い流すことができる。
リンス液により現像液が洗い流された基板Ｓは、リンス部３０Ｅと連続するように配置される乾燥部（図示を省略）へ搬送される。乾燥部は、導入部３０Ａ等と同様のコロ搬送機構と、コロ搬送機構により搬送される基板Ｓに対して清浄空気を吐出して基板Ｓを乾燥するエアーナイフ（図示せず）とを備えることができる。乾燥部により乾燥された基板Ｓは、コロ搬送により加熱処理ユニット３１（図１参照）に搬送される。
なお、リンス部３０Ｅと乾燥部との間に、一又は複数のリンスノズルを有する他のリンス部を設けても良い。これによれば、現像液をより確実に洗い流すことができる。
【００３５】
また、現像ユニット３０には、現像ユニット３０内を搬送される基板Ｓの位置を検出する複数のセンサ（図示せず）が適宜設けられている。これらのセンサにより検出された位置に応じて、制御部６０によりモータＭ１からＭ５とコロ１７０とが制御されて基板搬送速度が変更され、各ノズル５０から５３が制御される。
【００３６】
次に、図３から図６までを参照しながら、本実施形態による現像ユニットの動作（現像方法）について説明する。これらの図面において、便宜上、制御部６０は省略する。
図３（ａ）を参照すると、外部装置ユニット９０（図１）から搬入された基板Ｓが導入部３０Ａ内を搬送されている。図示は省略しているが、基板Ｓの表面にはフォトレジスト膜が形成されており、このフォトレジスト膜は露光装置９（図１）において露光され、潜像が形成されている。導入部３０Ａにおいては、基板Ｓは搬送速度Ｖ１１で搬送されている。また、導入部３０Ａの後段の現像液供給部３０Ｂでは、制御部６０（図２）によりモータＭ２およびコロ１７０が制御され、導入部３０Ａでの搬送速度Ｖ１１よりも速い搬送速度Ｖ２１に予め設定されている。
【００３７】
基板Ｓの前端が現像液供給部３０Ｂへ搬入されたことがセンサ（図示せず）により検出されると、導入部３０のモータＭ１およびコロ１７０が制御部６０により制御され、導入部３０における搬送速度Ｖ１１が搬送速度Ｖ２１（現像液供給部３０Ｂにおける搬送速度）に変更される。これにより、基板Ｓは搬送速度Ｖ２１で導入部３０Ａから現像液供給部３０Ｂへ搬送されていく。一方、基板Ｓの前端が現像液供給ノズル５０の真下に達すると同時に、現像液供給ノズル５０から基板Ｓの表面に対して現像液ＤＬが供給される。基板Ｓの表面に供給された現像液ＤＬは、図３（ｂ）に示すように、表面張力により基板Ｓの表面に留まることなる。現像液ＤＬの供給は、図４（ａ）に示すように基板Ｓの後端が現像液供給ノズル５０の真下を通り過ぎるまで継続し、通り過ぎるとともに停止する。以上により、基板Ｓの表面全体が現像液ＤＬで覆われることとなる。
【００３８】
なお、現像液供給部３０Ｂ内を基板Ｓが搬送されているとき（現像液が供給されているとき）、現像液供給部３０Ｂの後段の現像部３０Ｃにおいては、現像部３０Ｃにおける基板Ｓの搬送速度がＶ３１となるように、制御部６０によりモータＭ３およびコロ１７０が制御されている。搬送速度Ｖ３１は、現像に要する時間（現像時間）と、現像液供給ノズル５０とブローノズル５１との間の距離とに基づいて決定されている。より具体的には、基板Ｓの前端が現像液供給ノズル５０の真下に達してからブローノズル５１に達する時間が所望の現像時間と等しくなるように（現像液供給部３０Ｂでの搬送速度Ｖ２１をも考慮して）決定されている。本実施形態では、現像部３０Ｃでの搬送速度Ｖ３１は、現像液供給部３０Ｂでの搬送速度Ｖ２１よりも遅く設定されている。
【００３９】
基板Ｓの後端が現像液供給ノズル５０を通り過ぎると共に、基板Ｓの前端が現像部３０Ｃへ搬入されると、現像液供給部３０ＢのモータＭ２およびコロ１７０が制御部６０により制御され、現像液供給部３０Ｂにおける搬送速度Ｖ２１が、後段の現像部３０Ｃにおける搬送速度Ｖ３１と等しくなる（図４（ｂ））。これにより、基板Ｓは、図５（ａ）に示すように、搬送速度Ｖ３１で現像液供給部３０Ｂから現像部３０Ｃへと搬送されていく。この場合においても、基板Ｓの表面は現像液ＤＬにより覆われている。この後、図５（ｂ）に示すように、基板Ｓは、表面が現像液ＤＬで覆われたまま、搬送速度Ｖ３１にて現像部３０Ｃからブロー部３０Ｄへ更に搬送されていく。
【００４０】
図６（ａ）に示すように、基板Ｓの前端がブロー部３０Ｄのブローノズル５１の真下に達したことが図示しないセンサにより検出されると、ブロー部３０ＤのモータＭ４およびコロ１７０とが制御部６０により制御されて、基板Ｓは搬送速度Ｖ４１にて搬送されることとなる。搬送速度Ｖ４１は、後段のリンス部３０Ｅにおいて設定されていた搬送速度と等しく、現像液供給部３０Ｂ内を搬送されていたときの基板Ｓの搬送速度Ｖ２１（図３（ｂ）および図４（ａ））よりも速い。また、ブローノズル５１の真下に基板Ｓが達したときには、ブロー部３０Ｄのコロ１７０の配置により、基板Ｓは前端が高くなるように反っているため、図６（ａ）に示すように、現像液ＤＬは後端に向かって流れ、後端から下方へ流れ落ち、図示しないトレイを介して回収される。
【００４１】
また、ブローノズル５１から吐出される清浄空気で形成されるエアカーテンにより、図６（ｂ）に示すように、基板Ｓ上の現像液は吹き切られ、これにより現像が実質的に停止される。現像液が吹き切られた後、比較的短時間のうちに、基板Ｓの表面にはプレリンスノズル５２からリンス液（ＤＩＷ）が供給され、基板Ｓの表面はリンス液で濡らされて表面に残留する現像液がリンス液に溶け込む。さらに、現像液が溶け込んだリンス液は、リンスノズル５３から供給されるリンス液により洗い流され、現像液はより確実に除去される。
【００４２】
なお、プレリンスノズル５２から吐出されるリンス液は、ブローノズル５１により形成されるエアカーテンにより堰き止められるため、ブロー部３０Ｄ側へ流れることはない。仮に、プレリンスノズル５２からのリンス液が基板Ｓの表面を流れて現像液と共に基板Ｓの後端から下方へ流れ落ちると、リンス液の流れるパターンに応じた現像斑が生じてしまう。しかし、本実施形態の現像ユニット３０によれば、ブローノズル５１によりリンス液が基板Ｓの上流側に向かって流れることがないため、そのような斑が生じることはない。
【００４３】
リンス部３０Ｅにおいてリンス液により現像液が洗い流された基板Ｓは、リンス部３０Ｅと連続するように配置される乾燥部（図示を省略）へ搬送され、乾燥部に設けられたエアーナイフ（図示せず）から吐出される清浄空気により基板Ｓが乾燥され、加熱処理ユニット３１（図１参照）にコロにより搬送される。
なお、リンス部３０Ｅと乾燥部との間に別のリンス部（図示せず）を設ける場合には、リンス部３０Ｅにおいてリンス液により現像液が洗い流された基板Ｓは、別のリンス部へ所定の搬送速度で搬送され、ここで更に洗浄され、乾燥部へ搬送される。
【００４４】
基板Ｓの搬送速度を例示すると、現像液供給部３０Ｂにおいて現像液供給ノズル５０から基板Ｓに現像液を供給するときの搬送速度Ｖ２１（図３）は、たとえば６０ｍｍ／ｓｅｃから１００ｍｍ／ｓｅｃまでの範囲にあってよく、ブロー部３０Ｄにおいてブローノズル５１によるエアカーテンを基板Ｓが通過するときの搬送速度Ｖ４１（図６）は、たとえば１２０ｍｍ／ｓｅｃから１８０ｍｍ／ｓｅｃまでの範囲にあって良い。もちろん、少なくとも一枚の基板Ｓを用いて上記の現像方法を行った後に、形成されたフォトレジストパターン（ライン幅やビア径などの寸法）の面内均一性に基づいて搬送速度Ｖ２１，Ｖ３１，Ｖ４１等を決定すると好ましい。また、フォトレジストパターンの面内均一性は、たとえば現像ユニット３０よりも後段にある検査ユニット３５において測定しても良い。さらに、一ロット分の基板を処理している途中で、検査ユニット３５において（または他の検査装置にて）時系列的に取得した測定データに基づいて搬送速度Ｖ２１，Ｖ３１，Ｖ４１等を変更（または調整）しても良い。
【００４５】
以上のとおり、本実施形態による現像ユニット３０および現像方法においては、ブロー部３０Ｄにおいて、現像液の回収のため、前端が高くなるように基板Ｓを反らせることから、現像液が後端側へ流れる。このため、基板Ｓの後端側は多量の現像液に晒され、しかも、現像液の流れにより現像液が攪拌されるため、後端側での現像が促進されることとなる。しかし、ブロー部３０Ｄにおける搬送速度Ｖ４１が現像液供給部３０Ｂにおける搬送速度Ｖ２１よりも速いため、現像時間（現像液供給ノズル５０により現像液が供給されてから、ブローノズル５１からのエアカーテンにより現像液が吹き切られるまでの時間）を基板Ｓの後端側で短くすることでき、現像の促進を相殺することができる。したがって、本発明の実施形態によれば、基板Ｓにおけるフォトレジストパターンの面内均一性が損なわれることがないという効果・利点が提供される。
【００４６】
また、本実施形態の現像ユニット３０によれば、基板Ｓ上に現像液ＤＬを供給するときの基板搬送速度と、供給された現像液ＤＬで覆われた基板Ｓを搬送するときの基板搬送速度と、基板Ｓから現像液ＤＬを除去するときの基板搬送速度とを独立して制御することができるため、使用するフォトレジストや現像液等に応じて、基板搬送速度を種々に変更することにより、基板の面内におけるフォトレジストパターンの均一化を図ることができる。
【００４７】
仮にそのような基板搬送速度の制御ができず、現像時間のみによって基板搬送速度が決定される場合においては、現像液を供給するときの基板搬送速度を調整できない事態ともなる。逆に、現像液を供給するときの基板搬送速度を調整しようとすれば、この基板搬送速度に合わせて、現像部３０Ｃの長さ（基板の搬送距離）を変えることにより現像時間を確保する必要が生じる。しかし、ロットごとに装置構成を変更することは現実的には不可能である。
【００４８】
すなわち、本実施形態の現像ユニット３０によれば、プロセスウィンドウ（マージン）を拡大することができる。これにより、ＰＦＤの性能向上や、歩留まりの改善に伴うＰＦＤの低価格化に寄与する。また、将来開発される新しいフォトレジストや現像液をも使用できる可能性が高くなり、これらに伴う装置のレトロフィットなどを省くことができる。
【００４９】
以上、本発明の実施形態を参照しながら本発明を説明したが、本発明は上述の実施形態に限ることなく、添付の特許請求の範囲に照らし、種々に変更または変形が可能である。
たとえば、基板Ｓの前端がブローノズル５１（図２）の真下に達した後に、ブロー部３０Ｄにおける搬送速度を徐々に速くしても良い。具体的には、基板Ｓの前端がブローノズル５１の真下に達した後、基板Ｓの搬送速度が徐々に速くなるように制御部６０によりモータＭ４およびＭ５とコロ１７０とを制御すれば良い。このようにすれば、基板Ｓの後端側での現像時間を前端側での現像時間よりも徐々に短くすることができる。したがって、基板Ｓの後端側での現像の促進をより確実に相殺することが可能となる。
【００５０】
また、上記の実施形態においては、現像液供給ノズル５０の真下に基板Ｓの前端が達したことを所定のセンサで検出することにより、現像液供給ノズル５０から現像液ＤＬを基板Ｓへ供給したが、これに限られない。たとえば、導入部３０Ａにおける所定の位置（たとえば基板Ｓの搬送方向に沿った長さのほぼ中間）に、基板Ｓの前端を検出するセンサを設け、このセンサにより基板Ｓの前端を検出した時点と、基板Ｓの搬送速度とに基づいて、現像液供給ノズル５０の真下に基板Ｓの前端が達した時に現像液供給ノズル５０から現像液ＤＬを吐出するようタイミングを決定しても良い。ブローノズル５１からの清浄空気の吐出のタイミングについても、基板Ｓの前端を検出するセンサをたとえばブロー部３０Ｄの所定の位置に設け、同様にして決定することができる。
【００５１】
また、本実施形態の現像ユニット３０においては、ブロー部３０Ｄにおいてコロ１７０の配置により基板Ｓを傾けて現像液を回収したが、ブロー部３０Ｄにおいて基板Ｓを停止させた後にたとえば昇降ピンなどを用いて、基板Ｓ上の現像液を後端側から流し落とすようにしても良い。
【００５２】
また、基板を傾けない（現像液を回収しない）場合にも本発明は適用可能である。たとえば、この場合において現像液を基板に供給する際の基板搬送速度が遅いときには、基板の前端側で現像液が回流したり、撹拌されたりするため、前端側で現像が促進されるおそれがある。この場合には、ブローノズルにより現像液を吹き切るときの基板搬送速度を、現像液を供給するときの基板搬送速度よりも遅くすることにより、基板の後端側での実質的な現像時間を長くすると好ましい。これにより、現像時間の長期化を通して後端側での現像を促進することができ、フォトレジストパターンの面内均一性を維持することが可能となる。また、この場合においても、ブローノズルにより現像液を吹き切るときの基板搬送速度を徐々に遅くしても良い。
【００５３】
上述の実施形態においては、ＦＰＤ用のガラス基板を用いる場合を説明したが、ガラス基板に限らず樹脂基板や半導体基板を用いる場合にも本発明は適用可能である。
【符号の説明】
【００５４】
１００…塗布現像処理システム、１…カセットステーション、２…処理ステーション、４…インターフェースステーション、９…露光装置、３０…現像ユニット、３０Ａ…導入部、３０Ｂ…現像液供給部、３０Ｃ…現像部、３０Ｄ…ブロー部、３０Ｅ…リンス部、５０…現像液供給ノズル、５１…ブローノズル、５２…プレリンスノズル、５３…リンスノズル、９０…制御部、１７０…コロ、Ｍ１〜Ｍ５…駆動装置（モータ）、Ｓ…基板。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光されたフォトレジスト膜を表面に有する基板を第１の搬送速度で搬送しながら、当該表面に現像液を供給する工程と、
前記現像液で表面が覆われた前記基板を第２の搬送速度で搬送する工程と、
前記第１の搬送速度と異なる第３の搬送速度で前記基板を搬送しながら、当該基板の表面を覆う現像液を気体で吹き切る工程と、
前記吹き切る工程に引き続いて前記基板を前記第３の搬送速度で搬送しながら、前記表面にリンス液を供給する工程と
を含む、フォトレジスト膜の現像方法。
【請求項２】
前記第３の搬送速度が前記第１の搬送速度よりも速い、請求項１に記載のフォトレジスト膜の現像方法。
【請求項３】
前記第３の搬送速度が前記第１の搬送速度よりも遅い、請求項１に記載のフォトレジスト膜の現像方法。
【請求項４】
前記吹き切る工程が、前記基板の表面を覆う前記現像液を前記基板の搬送方向の後端から流し落とす工程を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載のフォトレジスト膜の現像方法。
【請求項５】
少なくとも一枚の前記基板に対して前記現像液を供給する工程から前記リンス液を供給する工程までを行なって得たレジストパターンの寸法を測定する工程と、
前記測定する工程の結果に基づいて前記第３の搬送速度を決定する工程と
を更に備える、請求項１から４のいずれか一項に記載のフォトレジスト膜の現像方法。
【請求項６】
前記リンス液を供給する工程の後に、前記基板の表面にリンス液を更に供給する工程を更に含む、請求項１から５のいずれか一項に記載のフォトレジスト膜の現像方法。
【請求項７】
露光されたフォトレジスト膜を表面に有する基板を搬送する第１の搬送機構、および該第１の搬送機構で搬送される前記基板の表面に現像液を供給する供給ノズルを有する現像液供給部と、
前記供給ノズルから供給された前記現像液で表面が覆われた前記基板を搬送する第２の搬送機構を有する現像部と、
気体を吐出して前記基板の表面を覆う前記現像液を吹き切るブローノズル、および該ブローノズルに向けて前記基板を搬送する第３の搬送機構を有するブロー部と、
前記現像液が吹き切られた前記基板の表面にリンス液を供給するリンス液供給ノズルを有するリンス部と、
前記第１の搬送機構により搬送される前記基板の第１の搬送速度と、前記第３の搬送機構により搬送される前記基板の第３の搬送速度とが異なるように前記第１の搬送機構および前記第３の搬送機構を制御する制御部と
を備える、フォトレジスト膜の現像装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記第３の搬送速度が前記第１の搬送速度よりも速くなるように前記第１の搬送機構および前記第３の搬送機構を制御する、請求項７に記載のフォトレジスト膜の現像装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記第３の搬送速度が前記第１の搬送速度よりも遅くなるように前記第１の搬送機構および前記第３の搬送機構を制御する、請求項７に記載のフォトレジスト膜の現像装置。
【請求項１０】
前記リンス部に対して前記基板の搬送方向の下流に配置され、前記基板を搬送する第４の搬送機構、および前記基板の表面にリンス液を供給する他のリンス液供給ノズルを有する別のリンス液を更に備える、請求項７から９のいずれか一項に記載のフォトレジスト膜の現像装置。
【請求項１１】
基板上にフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成装置と、
露光された前記フォトレジスト膜を現像する、請求項７から１０のいずれか一項に記載のフォトレジスト膜の現像装置と
を備える塗布現像処理システム。
【請求項１】
露光されたフォトレジスト膜を表面に有する基板を第１の搬送速度で搬送しながら、当該表面に現像液を供給する工程と、
前記現像液で表面が覆われた前記基板を第２の搬送速度で搬送する工程と、
前記第１の搬送速度と異なる第３の搬送速度で前記基板を搬送しながら、当該基板の表面を覆う現像液を気体で吹き切る工程と、
前記吹き切る工程に引き続いて前記基板を前記第３の搬送速度で搬送しながら、前記表面にリンス液を供給する工程と
を含む、フォトレジスト膜の現像方法。
【請求項２】
前記第３の搬送速度が前記第１の搬送速度よりも速い、請求項１に記載のフォトレジスト膜の現像方法。
【請求項３】
前記第３の搬送速度が前記第１の搬送速度よりも遅い、請求項１に記載のフォトレジスト膜の現像方法。
【請求項４】
前記吹き切る工程が、前記基板の表面を覆う前記現像液を前記基板の搬送方向の後端から流し落とす工程を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載のフォトレジスト膜の現像方法。
【請求項５】
少なくとも一枚の前記基板に対して前記現像液を供給する工程から前記リンス液を供給する工程までを行なって得たレジストパターンの寸法を測定する工程と、
前記測定する工程の結果に基づいて前記第３の搬送速度を決定する工程と
を更に備える、請求項１から４のいずれか一項に記載のフォトレジスト膜の現像方法。
【請求項６】
前記リンス液を供給する工程の後に、前記基板の表面にリンス液を更に供給する工程を更に含む、請求項１から５のいずれか一項に記載のフォトレジスト膜の現像方法。
【請求項７】
露光されたフォトレジスト膜を表面に有する基板を搬送する第１の搬送機構、および該第１の搬送機構で搬送される前記基板の表面に現像液を供給する供給ノズルを有する現像液供給部と、
前記供給ノズルから供給された前記現像液で表面が覆われた前記基板を搬送する第２の搬送機構を有する現像部と、
気体を吐出して前記基板の表面を覆う前記現像液を吹き切るブローノズル、および該ブローノズルに向けて前記基板を搬送する第３の搬送機構を有するブロー部と、
前記現像液が吹き切られた前記基板の表面にリンス液を供給するリンス液供給ノズルを有するリンス部と、
前記第１の搬送機構により搬送される前記基板の第１の搬送速度と、前記第３の搬送機構により搬送される前記基板の第３の搬送速度とが異なるように前記第１の搬送機構および前記第３の搬送機構を制御する制御部と
を備える、フォトレジスト膜の現像装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記第３の搬送速度が前記第１の搬送速度よりも速くなるように前記第１の搬送機構および前記第３の搬送機構を制御する、請求項７に記載のフォトレジスト膜の現像装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記第３の搬送速度が前記第１の搬送速度よりも遅くなるように前記第１の搬送機構および前記第３の搬送機構を制御する、請求項７に記載のフォトレジスト膜の現像装置。
【請求項１０】
前記リンス部に対して前記基板の搬送方向の下流に配置され、前記基板を搬送する第４の搬送機構、および前記基板の表面にリンス液を供給する他のリンス液供給ノズルを有する別のリンス液を更に備える、請求項７から９のいずれか一項に記載のフォトレジスト膜の現像装置。
【請求項１１】
基板上にフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成装置と、
露光された前記フォトレジスト膜を現像する、請求項７から１０のいずれか一項に記載のフォトレジスト膜の現像装置と
を備える塗布現像処理システム。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１２−１２４３０９（Ｐ２０１２−１２４３０９Ａ）
【公開日】平成２４年６月２８日（２０１２．６．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２７３５３０（Ｐ２０１０−２７３５３０）
【出願日】平成２２年１２月８日（２０１０．１２．８）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年６月２８日（２０１２．６．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１２月８日（２０１０．１２．８）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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