【課題】複数回のリソグラフィ工程を実施することなく、多段の凸形状からなる微細３次元構造パターンを形成することが可能なパターン形成方法及びパターン形成体を提供する。
【解決手段】基板９００の面上に第１と第２のエッチングマスク層１００，２００と、パターニング処理した第３層目のエッチングマスク３０１を積層し、この第１層目から第３層目のエッチングマスク層１００，２００、３０１において、隣接する上層のエッチングマスクをエッチング用マスクとして下層のエッチングマスクをエッチングし上層のエッチングマスクに形成されたパターンを下層のエッチングマスクに転写する。そして、第３層目のエッチングマスク３０１のパターンをトリミングした後、該トリミング後のエッチングマスクとエッチング後の第１及び第２層目のエッチングマスクを用いて基板を順にエッチングし、第１及び第２層目のエッチングマスクのパターンを基板９００に転写する。 （もっと読む）

【課題】現像処理後のレジスト残膜の均一性を向上し、配線パターンの線幅及びピッチのばらつきを抑制する。
【解決手段】被処理基板Ｇに形成された感光膜を複数の大ブロックＢ１に分割し、前記大ブロックを複数の小ブロックＢ２に分割するステップと、前記大ブロック内の小ブロック毎に、段階的に異なる照射照度を設定するステップと、複数の発光素子Ｌに対し相対的に移動する前記基板の感光膜に対し、前記小ブロック毎に設定された照射照度に基づき、前記発光素子を発光制御するステップと、前記感光膜を現像処理するステップと、前記小ブロック毎に、前記感光膜の残膜厚を測定し、前記小ブロックに設定された照度と残膜厚との相関データを得るステップと、前記相関データに基づき前記大ブロック毎に設定された感光膜の目標残膜厚から、各大ブロックに照射する必要照度を求めるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】現像液を供給するときの基板搬送速度と、現像液を除去するときの基板搬送速度とを制御し、レジストパターンを均一化するレジスト現像装置を提供する。
【解決手段】現像ユニット３０は、露光されたレジスト膜を有する基板Ｓを搬送する第１搬送機構、第１搬送機構で搬送される基板Ｓの表面に現像液を供給する供給ノズル５０を有する現像液供給部３０Ｂ、現像液で表面が覆われた基板Ｓを搬送する第２搬送機構を有する現像部３０Ｃ、気体を吐出して基板Ｓの表面を覆う現像液を吹き切るブローノズル５１、およびそれに向けて基板Ｓを搬送する第３搬送機構を有するブロー部３０Ｄ、現像液が吹き切られた基板Ｓの表面にリンス液を供給するリンス液供給ノズル５３を有するリンス部３０Ｅ、第１搬送機構に搬送される基板Ｓの搬送速度、第３搬送機構に搬送される基板Ｓの搬送速度とが異なるように第１および第３の搬送機構を制御する制御部６０とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板面内における現像処理後のレジスト残膜の均一性を向上し、配線パターンの線幅及びピッチのばらつきを抑制する。
【解決手段】基板搬送手段２０と、被処理基板Ｇに対する露光処理空間を形成するチャンバ８と、基板搬送方向に交差する方向にライン状に配列された複数の発光素子Ｌを有し、下方を搬送される被処理基板上の感光膜に対し、前記発光素子の発光により光照射可能な光源４と、前記光源を構成する複数の発光素子のうち、１つまたは複数の発光素子を発光制御単位として選択的に発光駆動可能な発光駆動部９と、前記基板搬送手段により搬送される前記被処理基板を検出する基板検出手段３０と、前記基板検出手段による基板検出信号が供給されると共に、前記発光駆動部による前記発光素子の駆動を制御する制御部４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の密集コンタクトホールパターン形成技術において、セルフアラインダブルパターニング技術を用いて、リソグラフィ技術で形成したパターンの２倍、あるいは３倍の密度のホールパターンを高精度で形成する。
【解決手段】２層のマスク材上に正方格子又は三角格子のドットパターンを形成し、ダブルパターニング技術で上層のマスク材に第１ホールを形成し、下層のマスク材には第１ホールより広い第２ホールを形成し、さらに第１ホールを閉塞する膜厚で絶縁膜を成膜することで、第２ホール内にボイドを残し、このボイドの形状を被処理層に転写する。 （もっと読む）

【課題】周期的パターンを露光又は形成する際にスペース部の幅の均一性を高める。
【解決手段】ウエハＷにパターンを形成するパターン形成方法において、ウエハＷの表面に複数のラインパターン４０Ａを含むＬ＆Ｓパターン５４Ａを形成することと、ウエハＷの表面の複数のラインパターン４０Ａの間に配置される複数のライン状のレジストパターン４２ＮＡを含むＬ＆Ｓパターン５６Ａを、ラインパターン４０Ａの線幅とレジストパターン４２ＮＡの線幅とが負の相関を持つように形成することと、を含む。 （もっと読む）

【課題】チップパターンを複数の領域に分け、各領域を別々に露光し繋ぎ合わせる分割露光を行なう際に、各領域間の繋ぎ合わせ精度を高精度にする。
【解決手段】分割パターン領域を露光する際に位置合せを行なうアライメントマークの形成を、先行の分割露光領域の外周近傍にＸ方向用Ｙ方向用を１対とするアライメントマークを少なくとも１対以上設け、後行の分割露光領域は先行の分割露光領域の外周近傍にある少なくとも１対のアライメントマークを含む重複領域を持ち、後行の露光領域から見た前記アライメントマーク座標で位置合せを行なうことを繰り返すことにより、チップパターンの全ての分割パターン領域用のアライメントマークを設ける。さらに、重ね合わせ層の露光において、高配置精度で設けた各分割パターン領域露光用アライメントマークに対して、ダイ・バイ・ダイ・アライメント法を用いて位置合せを行なう。 （もっと読む）

【課題】本発明は、透明基板に加工を行う場合に、搬送や露光等を問題無く行うことができ、適切に加工を行うことができる透明基板の加工方法を提供することを目的とする。
【解決手段】透明基板１０、１５の加工方法であって、
前記透明基板１０、１５の表面上の全面を覆うように、光を反射する反射層２０を形成する反射層形成工程と、
前記反射層２０上に、レジスト層９０を形成するレジスト層形成工程と、
前記レジスト層９０を露光によりパターニングし、開口部９１を形成するレジストパターニング工程と、
前記開口部９１にある前記反射層２０をエッチングにより除去する反射層部分エッチング工程と、
前記開口部９１にある前記透明基板１０を加工する透明基板加工工程と、
前記レジスト層９０を除去するレジスト除去工程と、
前記反射層２０の残りの部分を除去する反射層全面除去工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＦＰＤの隔壁欠陥部の検出においては高速欠陥検出を、隔壁欠陥部の修正においては欠陥部と正常箇所に形状差や特性差を生じさせることなく、基板全面に亘り一括修正する方法を、それぞれ提供すること。
【解決手段】基板上の欠陥検出を、隔壁樹脂分散液にドーパントとして蛍光体を添加することで、この隔壁欠陥部を含む基板表面にＵＶ光照射により、隔壁表面に凝集した蛍光体を励起、発光させ、欠陥部を顕在化させる。また、欠陥部を含む基板全面に亘り、隔壁樹脂のみを分散させた溶液を塗布し、基板とレチクルとをアライメント位置補正し、同位置で隔壁パターン状に再露光、再現像し、隔壁を形成した後、隔壁を熱硬化することで隔壁欠陥部を修復する。 （もっと読む）

【課題】ダブルパターニングプロセスを可能にするためのパターン形成方法に好適に用いられるレジスト変性用組成物を提供する。
【解決手段】酸の作用でアルカリ溶解性が増加する繰り返し単位とラクトン構造含有繰り返し単位とを有する高分子化合物を含む第１レジスト膜を、露光、加熱処理、アルカリ現像して得られる第１レジストパターン上にレジスト変性用組成物を塗布し、加熱して変性処理を行い、その上に第２ポジ型レジスト材料を塗布し、第２レジストパターンを形成するパターン形成方法に用いるレジスト変性用組成物であって、下記式（１）又は（２）のカーバメート化合物と溶剤を含有する。
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本発明は、膜状の物質（２）をナノ構造化する方法に関する。本方法は、該物質（２）を水溶液（３）に浸漬させている間に、照明領域（６ｂ）および暗領域（６ａ）を有する干渉模様（６）を該物質（２）の少なくとも１つの面につけるステップを含む。本発明の方法によれば、上記物質は、光吸収作用によって水溶液に溶解可能になる無機半導体物質または無機酸化物である。上記物質（２）のナノ構造化を、水溶液（３）に接触する該物質（２）の表面で、該照明領域（６ａ）での光分解によって、および／または、該干渉模様（６）の暗領域（６ｂ）での成長によって行う。本発明は、このような形成方法によって得られる、ナノ構造化された被覆膜（５）、さらに、ナノ構造化された３Ｄ膜にも関する。
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【課題】マイクロレンズの高さを調整することが容易なマイクロレンズアレイの製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面に、略半球面状に突出したマイクロレンズを複数有するマイクロレンズアレイの製造方法であって、マイクロレンズの材料層となる有機膜層の上にマイクロレンズの形状を形成するためのレジスト層を形成するレジスト形成工程と、形成したレジスト層および有機膜層を、水素を含む分子およびフッ素を含む分子を混合させた混合ガスを用いてエッチングするエッチング工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】構造体を異方性エッチングする際の補正エッチングマスクを配置するスペースをより小さくできて、シリコンウェハ上により多くの構造体を配置できる構造体の作製方法、エッチングマスク付きシリコン基板を提供する。
【解決手段】構造体の作製方法、エッチングマスク付きシリコン基板において、単結晶シリコン基板１００上に、凸部コーナーを持つ目標形状に対応する基本エッチングマスク１０３と、補正エッチングマスク１０７を形成する。補正エッチングマスク１０７の第１の部分は＜１１０＞方向に伸び、両方の端部が基本エッチングマスクに連結され、１つの端部が基本エッチングマスク１０３の凸部コーナーに連結される。第２の部分は、第１の部分の＜１１０＞方向に伸びる辺で第１の部分に接合し、第２の部分は１つの凸部コーナーを有し、開口部は、第１の部分と第２の部分が接合する境界を跨いで伸びる。 （もっと読む）

【課題】表示ムラを抑制もしくは防止できる表示パネル用の基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】所定の配線３４の第一の部分３４１を形成する段階と、第一の絶縁膜３１および第二の絶縁膜３２を形成する段階と、第三の絶縁膜３３を形成する段階と、第三の絶縁膜３３を所定のパターンに露光する段階と、露光した第三の絶縁膜３３を現像して所定の位置に開口部を形成する段階と、第三の絶縁膜３３をキュア処理する段階と、第三の絶縁膜３３をマスクとして用いて第一の絶縁膜３１および第二の絶縁膜３２を除去して前記所定の配線３４の第一の部分３４１を露出させる段階と、所定の配線３４の第二の部分３４２を形成する段階とを含み、前記第三の絶縁膜３３のキュア処理は、ガラス転移温度より２０℃低い温度以上ガラス転移温度以下の温度に加熱する処理であること。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの外周部をレジスト膜で保護しつつ、解像度の高いパターニングを行う。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体ウェハ上に形成された被処理膜上に、半導体ウェハの外周部をマスクする円環状のパターンを有するネガ型レジスト膜を形成する工程（Ｓ２２０〜Ｓ２２６）と、ネガ型レジスト膜上に、所定パターンを有するポジ型レジスト膜を形成する工程（Ｓ２２８〜Ｓ２３４）と、ネガ型レジスト膜とポジ型レジスト膜とをマスクとして、被処理膜のエッチングを行う工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】シートの凸部の厚さが厚く、欠陥がなく高品質で、かつ、生産性よく製造することができるレンチキュラーシートの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シートＷの表面に紫外線硬化樹脂液を塗布し、塗布層１０形成する塗布工程と、塗布層１０に紫外線を照射して塗布層１０を硬化する露光工程と、塗布層１０の未硬化領域１２を選択的に溶解し、ストライプ状のパターン３０を形成する現像工程と、パターン３０を加熱することにより、パターン長さ方向より流動性を有するパターン幅方向に凸弧面３１を形成する凸弧面形成工程と、を有することを特徴とするレンチキュラーシートの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】複雑で高価な蒸着法によることなく導電層を形成し、不良品の発生を防ぎながら効率よく導電層の一部を除去することが可能な、導電層を有する三次元構造物及び三次元金属構造物の製造方法を提供すること。
【解決手段】上記製造方法は、（Ａ）基板上にパターン化有機膜を形成する工程と、（Ｂ）無電解メッキにより前記パターン化有機膜表面に導電層を形成する工程と、（Ｃ）エッチング処理により前記導電層の一部を除去する工程と、を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】夾雑物の混入なくマスクパターンフィルムを巻き付け固定し、ロール・ツー・ロールで好適に電解メッキできるマスクパターンフィルムの巻き付け機構及び露光装置を提供すること。
【解決手段】マスクパターンフィルムの前部及び後部に片面に粘着層を有するテープ体と該テープ体との間で剥離可能な剥離シートを設け、搬送巻き付け手段によって該マスクパターンフィルムを光透過性円筒体に巻き付け、剥離シート除去手段により該マスクパターンフィルムの前部及び後部に設けられた剥離シートを除去し、該マスクパターンフィルムの前部に設けられた該テープ体と該マスクパターンフィルムの後部に設けられた該テープ体が重なり合うように貼り付けて、該マスクパターンフィルムを該光透過性円筒体に巻き付けることを特徴とするマスクパターンフィルムの巻き付け機構、及び前記機構を有する露光装置。 （もっと読む）

【課題】高い感放射線感度を有し、現像工程において最適現像時間を越えてもなお良好なパターン形状を形成できるような現像マージンを有し、密着性に優れたパターン状薄膜を容易に形成することができる、層間絶縁膜またはマイクロレンズの形成に好適な感放射線性組成物を提供すること。
【解決手段】重合性不飽和結合を有するポリシロキサン、および１，２−キノンジアジド化合物を含有する感放射線性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】高解像度の露光装置を用いずに微細パターンを形成する。
【解決手段】配線形成用の微細パターン形成では、寸法２ｄのレジスト膜５の両側面に寸法（１／２）ｄの架橋膜６を形成し、レジスト膜５と架橋膜６からなる寸法３ｄのラインパターンと最小寸法ｄのスペースパターンを形成する。レジスト膜５及び架橋膜６をマスクにして第２のハードマスク４に最小寸法ｄの第１の開口部を形成する。第１の開口部に埋め戻し材７を埋め込む。第２のハードマスク４及び埋め込み材７上に、レジスト膜５のパターンに対して寸法２ｄシフトさせた寸法２ｄのレジスト膜８の両側面に寸法（１／２）ｄの架橋膜９を形成し、レジスト膜８と架橋膜９からなる寸法３ｄのラインパターンと最小寸法ｄのスペースパターンを形成する。レジスト膜８及び架橋膜９をマスクにして第２のハードマスク４に最小寸法ｄの第２の開口部を形成する。 （もっと読む）