少なくとも４級アンモニウム水酸化物と、水溶性有機溶剤と、水と、防食剤と、全量に対し１質量％以下の水酸化カリウムとを含むように剥離洗浄液。半導体基板から、単独でレジスト膜、埋め込み材、金属の残渣物等を有効に除去することができる。 （もっと読む）

【課題】 密着性の高い、品質の良好なブラックマトリクスおよび／または着色層を形成することができる感光性組成物、および該感光性組成物から形成されるカラーフィルタを提供する。
【解決手段】 （ａ）着色剤、（ｂ）光重合性化合物、（ｃ）光重合開始剤および（ｄ）密着増強剤を含有する着色剤含有感光性組成物であって、（ｄ）密着増強剤は、窒素を含む基を有するシラン化合物であり、該窒素に結合している水素が１つ以下である化合物を用いる。 （もっと読む）

【課題】 レジストパターンのスタンディングウェーブを低減できるレジスト組成物を提供できるレジスト用樹脂、およびレジスト樹脂用モノマーを提供する。
【解決手段】 ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位（ａ１）と、酸解離性溶解抑制基を有する構成単位（ａ２）と、下記一般式（ａ３−１）で表される構成単位（ａ３）とを有する樹脂（Ａ１）であることを特徴とするレジスト用樹脂。
【化１】


［式中、Ｒは水素原子、アルキル基、フッ素原子またはフッ素化アルキル基を表し；Ｒ^１は水素原子または酸解離性溶解抑制基を表し；Ａは単結合または２価の有機基を表し；Ａｒは置換基を有していてもよいアリーレン基を表す。］ （もっと読む）

【課題】 液浸露光プロセス、特には露光用レンズとホトレジスト層上に保護膜を形成した基板との間のみを液浸露光用液体で満たす局所露光液浸プロセス、に好適に用いられ、ホトレジスト膜上に形成される保護膜形成用材料であって、市販のホトレジストに対して広く使用可能で汎用性に優れるとともに、液浸露光プロセスに用いられる保護膜に要求される基本特性を備えた保護膜形成用材料、およびこれを用いたホトレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 液浸露光プロセスに用いられ、基板上のホトレジスト膜上に積層される保護膜を形成するための材料であって、環式パーフルオロアルキルポリエーテルとフッ素系有機溶剤を含有する、液浸露光プロセス用ホトレジスト保護膜形成用材料、および該保護膜形成用材料を用いたホトレジストパターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】 良好な形状のレジストパターンが得られるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する樹脂成分（Ａ）と、放射線の照射により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を有機溶剤（Ｓ）に溶解してなるポジ型レジスト組成物であって、前記樹脂成分（Ａ）が、アセタール型保護基を有する構成単位（ａ１）と、一般式（ａ２−１）で表されるラクトン含有多環式基を有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）と、極性基含有脂肪族炭化水素基を有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ３）とを含む共重合体（Ａ１）を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】


［式中、Ｒは水素原子、フッ素原子、低級アルキル基またはフッ素化低級アルキル基；Ｒ’は水素原子、低級アルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基；ｍは０または１の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】 ラフネスの低減されたレジストパターンを形成できるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含むポジ型レジスト組成物であって、前記基材成分（Ａ）が、２以上のフェノール性水酸基を有し、分子量が３００〜２５００である多価フェノール化合物（ａ）における前記フェノール性水酸基が酸解離性溶解抑制基で保護された化合物（Ａ１）を含有し、かつ前記化合物（Ａ１）が、一分子あたりの保護数（個）の標準偏差（σ_ｎ）が１未満、または一分子あたりの保護率（モル％）の標準偏差（σ_ｐ）が１６．７未満であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】露光量が変化した際のパターンサイズの変動を小さく抑えることができるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】樹脂成分（Ａ）は、アセタール型保護基を有する構成単位（ａ１）と、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）と、極性基含有脂肪族炭化水素基を含有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ３）とを含む高分子化合物（Ａ１）を含有し、かつ酸発生剤成分（Ｂ）は、下記一般式（ｂ−１）


［式中、Ｒ^１１はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、または水酸基；Ｒ^１２〜Ｒ^１３はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基またはアルキル基；ｎ’は０または１〜３の整数を表す。］で表されるカチオン部を有するオニウム塩系酸発生剤（Ｂ１）を含むポジ型レジスト組成物およびこれを用いたレジストパターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】耐エッチング特性、短波長光に対する反射防止能（短波長光の吸収能）、低温硬化性を改善した中間層形成用組成物を提供する。
【解決手段】中間層形成用組成物を、
下記一般式（1）


（式中、Ｒ₁、Ｒ₂の少なくとも一方が架橋性基であり、ｍおよびｎはそれぞれ０〜２０の整数であり、ｌは繰り返し単位数を表す整数である。）で表される繰り返し単位を有するシリルフェニレン系ポリマー（Ａ）と、溶剤（Ｃ）と、を含有させて構成する。 （もっと読む）

【課題】 高解像性のレジストパターンを形成できる電子線用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分（Ａ）、および放射線の照射により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有する電子線用ポジ型レジスト組成物であって、前記樹脂成分（Ａ）が、アルカリ可溶性ノボラック樹脂の全水酸基の一部が酸解離性溶解抑制基で保護された樹脂であり、前記酸発生剤成分（Ｂ）が、オキシムスルホネート系酸発生剤（Ｂ１）と、オニウム塩系酸発生剤（Ｂ２）とを含むことを特徴とする電子線用ポジ型レジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】高エッチングレートを有し、埋め込み特性、剥離液による剥離性および反射光吸収特性の問題を改善した反射防止膜形成用組成物、およびこれを用いた配線形成方法を提供する。
【解決手段】反射防止膜形成用組成物を、一般式Ｒ¹_4-nＳｉ（ＯＲ²）_n・・・・・（１）（ｎは、２〜３の整数を表す。Ｒ¹は親水性結合を有する有機基を表し、Ｒ²は炭素原子数１〜５のアルキル基またはフェニル基を表す。）で表されるシラン化合物と、一般式Ｔｉ（ＯＲ³）₄・・・・・（２）（Ｒ³は、炭素原子数１〜５のアルキル基またはフェニル基を表す。）で表されるチタン化合物との加水分解生成物と、溶剤と、を少なくとも含んで構成する。 （もっと読む）