説明

東京応化工業株式会社により出願された特許

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【課題】 DOFが大きく、かつELマージンも良好なポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 酸の作用によりアルカリ可溶性が増大する樹脂成分(A)と、露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)とを含むポジ型レジスト組成物であって、
前記酸発生剤成分(B)が、下記一般式(B−1)[式(B−1)中、R33は、ハロゲン化アルキル基であり、R34はアリール基であり、R35はハロゲン化アルキル基である。]で表されるオキシムスルホネート系酸発生剤(B1)と、オニウム塩系酸発生剤(B2)とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化1】
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【課題】布液の定量供給を確保し、また、スリットノズルの移動時に発生する振動を低減させた塗布装置を提供する。
【解決手段】塗布方向を基準として前方の連結ビーム7の幅方向の中央部には、塗布液送液ポンプとして、非圧縮流体によりチューブの外周部に均一な圧力を加えて作動させるチューブフラムポンプ12を配置している。このチューブフラムポンプ12は連結ビーム7上面に取り付けた楔部材13に出口が上になり入口が下になるように斜めに固定されている。このように、斜めに配置することで、エアーの噛み込みを防止することができる。尚、出口と入口には液溜がない構造としておくことがボタ落ちなどを防ぐ上で好ましい。 (もっと読む)


【課題】 レジスト組成物に配合することにより解像性に優れたレジストパターンを形成できる化合物、並びに該化合物を含有するネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、下記一般式(C−1)で表される化合物である。
【化1】


[式中、Rcは第三級アルキル基である。]
また、本発明は、(A)アルカリ可溶性樹脂成分、(B)露光により酸を発生する酸発生剤成分および(C)架橋剤成分を含有するネガ型レジスト組成物であって、前記(C)架橋剤成分は、前記一般式(C−1)で表される化合物(C1)を含むことを特徴とするネガ型レジスト組成物である。 (もっと読む)


【課題】スリットノズルの平行基準および高さ基準を容易に決定でき、塗布時における基板表面とスリットノズル下端との距離の微調整を正確に行うことができる塗布装置を提供する。
【解決手段】 基板載置部3の塗布開始位置側の側面の幅方向の両端には、スリットノズル5の水平基準および高さ基準を決定するための基準治具6,6がそれぞれ取り付けられている。この基準治具6は昇降可能な測長子8を有しており、この測長子8は、スプリングなどによって上方に付勢され、その下降源は測長子8の上面と基板載置部3の上面とが面一となる位置とし、この位置を高さ方向の基準点とする。 (もっと読む)


【課題】低温で、高い耐エッチング性を有し、かつ有機膜に対して高いエッチング選択比を有する膜を形成可能な膜形成用材料、および該膜形成用材料を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】加水分解により水酸基を生成し得る金属化合物(W)が溶剤(S)に溶解しており、前記溶剤(S)が、前記金属化合物(W)と反応する官能基を有さない沸点155℃以上の溶剤(S1)を含有することを特徴とする膜形成用材料。基板と有機膜とを備えた積層体の前記有機膜上に形成されたパターンを、前記膜形成用材料を用いて被覆し、このパターンをマスクとして前記有機膜のエッチングを行うパターン形成方法。 (もっと読む)


【課題】液浸露光中のレジスト膜の変質および使用液浸露光用液体の変質を同時に防止し、かつ処理工程数の増加なしに、形状良好なレジストパターンを形成可能な保護膜形成用材料を提供する。
【解決手段】下記一般式(I)
【化1】


(式(I)中、R1は水素原子又はメチル基を示し、R2は炭素原子数1から5のアルキレン鎖を示し、R3は水素原子の一部又は全部がフッ素原子に置換された炭素原子数1から10のフッ素化アルキレン鎖であり、mは繰り返し単位を表す)
で表される構成単位を有するアルカリ可溶性ポリマーを少なくとも含有して保護膜形成用材料を構成する。 (もっと読む)


【課題】 基板に対し、例えば現像液、洗浄液、SOG溶液、レジスト液等の塗布液を塗布する際に、塗布開始点周辺の塗膜の盛り上がりを低減でき、且つ塗膜全体の波打ちをも低減できる塗膜形成方法を提供する。
【解決手段】 被塗物1面上を相対的に移動するスリットノズル2から供給される塗布液によって、被塗物1面に均一な塗膜を形成する方法において、塗布開始時に、スリットノズル2の塗布液吐出口2bを被塗物1面に接近させ、次に、塗布液送液ポンプ3を駆動することによって、塗布液吐出口2bと被塗物1面との間を塗布液で連結させ、次に、塗布液の連結状態を所定時間維持した後、塗布を開始するようにする。 (もっと読む)


【課題】半導体配線形成に用いられる低誘電性被膜を形成するに好適なシリカ系被膜形成用組成物と、該組成物を用いて得た低誘電性に優れたシリカ系被膜を提供する。
【解決手段】シロキサンポリマー(A)と、溶剤(B)と、環状塩基性化合物(C)とを少なくとも含有してなる組成物を、低誘電性被膜を形成するためのシリカ系被膜形成用組成物として、用いる。前記環状塩基性化合物(C)としては、環状アミンを好適に使用する。 (もっと読む)


【課題】 良好な形状のレジストパターンを形成できるネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、(A)アルカリ可溶性樹脂成分、(B)露光により酸を発生する酸発生剤成分および(C)架橋剤成分を含有するネガ型レジスト組成物であって、前記(C)架橋剤成分はエポキシ系架橋剤(C1)を含むことを特徴とするネガ型レジスト組成物である。 (もっと読む)


【課題】液浸露光中のレジスト膜の変質および液浸露光用液体の変質を同時に防止し、かつ処理工程数の増加なしに、形状良好なレジストパターンを形成可能な保護膜形成用材料の提供。
【解決手段】下記一般式(I)


(式(I)中、Cfは−CH2−(ただし水素原子の一部若しくは全部がフッ素原子に置換されていてもよい)を示し、sは1〜3の整数、tおよびuはそれぞれ0〜3の整数、mは繰り返し単位を示す)で表される構成単位を有するアルカリ可溶性ポリマーを含有する保護膜形成用材料。 (もっと読む)


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