【課題】この発明は、触媒を何ら用いないでしかも簡便な方法で、基板上の大きな面積に不純物の混在していないカーボンナノチューブを規則正しく配列して形成しようとするものである。
【解決手段】平坦な基板に写真現像用の紫外線感光性樹脂を塗布してレジスト膜を形成し、これを露光、現像してレジスト膜の所望パターンの配列構造を構成し、その後これを酸素を含む減圧雰囲気下でプラズマ処理し、所望のカーボンナノチューブ配列構造を基板上に形成することを特徴とするカーボンナノチューブの形成方法である。 （もっと読む）

【課題】耐プラズマ性が向上した耐プラズマ性電極埋設体を提供する。
【解決手段】本耐プラズマ性電極埋設体は、Ｙ_２Ｏ_３仮焼体の上に金属電極を置き、その上にＹ_２Ｏ_３スラリーを流し込み、このスラリー乾燥後に、その積層体を１６５０〜１９００℃のホットプレスにより接合して製造される。 （もっと読む）

【課題】酸処理やプラズマ処理に対する耐食性に優れたセラミックス被覆材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス被覆材１０は、基材１１と、基材１１の表面に形成されたダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜１３と、ＤＬＣ膜１３の表面に形成されたセラミックス膜１５とを具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を裏面研削により２００μｍ程度まで薄くしても、その後のハンドリング工程においてチッピングや割れの発生防止効果を十分に得た半導体基板を提供する。
【解決手段】
ベベル端面が半導体基板の表面に対して垂直な面を有する半導体基板であって、ベベル傾斜角度を１０°以下とし、ベベル幅が５０〜３００μｍで、かつ、ベベル高さが５０μｍ以下に設定された半導体基板。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法(チョクラルスキー法)で単結晶を引上中に地震などの振動を受けて、単結晶が大きく揺れて落下し、ルツボが破壊して融液が流出する事故が起こる等の事故に対処して、被害を最小にする単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】事故にいたる振動を受けた場合、粒状半導体材料から成る凝固剤を投入することで急速に該融液を固化させ、単結晶が落下しても融液を流出させない。 （もっと読む）

【課題】 スピン洗浄を用いた場合であっても、ウエハ表面の金属不純物を除去でき、清浄度の高いウエハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】 薬液を用いてシリコンウエハを洗浄する工程（Ｓ１，Ｓ２）と、前記工程の後、前記シリコンウエハをオゾン水でリンスすることにより、シリコンウエハ表面に酸化膜を形成する工程（Ｓ３）と、前記工程の後、純水でリンスする工程（Ｓ４）と、前記純水でリンスした後、再びオゾン水でリンスすることにより、シリコンウエハ表面の金属不純物を除去する工程（Ｓ５）と、前記工程の後、シリコンウエハを乾燥する工程（Ｓ６）とを含むことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 ハロゲン系腐食性ガス、プラズマ等に対する耐食性に優れており、しかも、半導体・液晶製造装置等、特に、プラズマ処理装置用の部材として使用した際に、表面へのデポ膜の付着を防止することができるイットリア焼結体を簡便かつ効率的に製造することができる耐プラズマ性イットリア焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】 純度９９％以上のイットリア原料を、水素雰囲気下、１７８０℃以上１８２０℃以下で焼成して、イットリア焼結体基材を得た後、前記イットリア焼結体基材をフッ化水素酸に浸漬させて、該イットリア焼結体の表面の少なくとも一部に、フッ化イットリウム膜を形成させる。 （もっと読む）

【課題】 ハロゲン系腐食性ガス、プラズマ等に対する耐食性、かつ、耐熱衝撃性に優れており、半導体・液晶製造装置等、特に、プラズマ処理装置用の部材として好適に使用することができるイットリアセラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】 イットリアに対して１重量％以上５０重量％以下の平均粒径３μｍ以下のタングステンが分散し、開気孔率が０．２％以下であり、かつ、水中投下法による耐熱衝撃性が２５０℃以上であるイットリアセラミックス焼結体を用いる。 （もっと読む）

【課題】構成部材あるいは構成部材間にクラック、ボートの変形、破壊の発生がなく、ダミーウェーハを必要としない縦型ウェーハボートを提供する。
【解決手段】本縦型ウェーハボートは、底板２と、この底板２に立設され半導体ウェーハＷを支持する多数の支持溝３ａが設けられた３本以上の支柱３と、この支柱３の上端に設けられた円板状の天板４を備え、この天板４には中心から外周に向かって放射状に設けられ端部が外周に達していない３本以上のスリット４ａが設けられる。 （もっと読む）

【課題】内容物を観察することなく、内容物の面出し及び構成元素の把握が確実にできる石英ガラス内に存在する内容物分析の前処理方法を提供する。
【解決手段】本石英ガラス内に存在する内容物分析の前処理方法は、石英ガラス内に存在する内容物分析に先行して、レーザ光により内容物の３次元座標を特定し、その座標に基づいて内容物の端部から１００μｍ以上離れた位置で石英ガラスを切断し、内容物が分析面となるように切断面を鏡面研磨して、内容物を研磨面に露出させる。 （もっと読む）