【課題】炭化ケイ素からなる多数の連通孔を有し、流体透過が可能な多孔質セラミックスをろう付けする際に、多孔質部分の気孔内へのろう材の浸入を抑制し、通気性、透水性等の多孔質セラミックスの特性を損なうことなく、均一に接合させる炭化ケイ素多孔質セラミックスの接合方法およびその方法により得られる接合部材を提供する。
【解決手段】７５０℃以上１７００℃以下で熱処理することにより、炭化ケイ素多孔質セラミックス内外表面を酸化膜とし、該酸化膜形成面を他の炭化ケイ素セラミックス材に、シリコン系ろう材を用いて接合させる。 （もっと読む）

【課題】この発明は、酸化イットリウム焼結粒界へ析出しやすいアルミニウムを用いないで、しかも珪素含有量を特に低減した特殊な原料を使用したり、或いは原料を微粉砕するなどの必要もなく、通常の原料を用いて厚さ１mm時の可視光帯域波長４００〜８００nmにおける直線透過率が６０％以上となる透光性酸化イットリウム焼結体を得ようとするものである。
【解決手段】酸化イットリウムを主成分とし、少なくともタンタル若しくはニオイブのいずれか一方又は双方を含有し、厚さ１mm時の可視光帯域波長４００〜８００nmにおける直線透過率が６０％以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】結晶変形などによる歩留まりの低下を抑えることが可能なシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ内の融液にカスプ磁場を印加するチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、前記融液５に種結晶を接触させてネック部６を育成する工程と、前記ネック部６を育成後、拡径して拡径部７を育成する工程と、前記拡径部７を前記融液５から切り離す工程と、直胴部８育成中、直胴部８最外周部の磁束の角度θを結晶引上げ軸方向Ｌに対して３０〜６０°で引上げる工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ミスフィット転位による結晶欠陥の発生や亀裂の発生が抑制された結晶性の高い３Ｃ−ＳｉＣ膜を備えた半導体基板およびその製造方法を提供する
【解決手段】半導体基板１０は、表面が（１００）面，（１１１）面，（１１０）面のいずれかの面であるＭｇＯ基板の該表面に３Ｃ−ＳｉＣ膜を設けた構造を有する。この半導体基板１０は、ＭｇＯ基板の該表面に原子ステップを形成し（Ｓ１）、この原子ステップが形成された面にＳｉ薄膜を成膜し（Ｓ２）、このＳｉ薄膜１３を炭化させて３Ｃ−ＳｉＣ薄膜１４ａを形成し（Ｓ３）、３Ｃ−ＳｉＣ薄膜１４ａ上に３Ｃ−ＳｉＣをヘテロエピタキシャル成長させて、３Ｃ−ＳｉＣ膜１４を成膜する（Ｓ４）ことにより製造される。 （もっと読む）

【課題】ケイ酸ルテチウム結晶（Ｌｕ_２ＳｉＯ_５）は、陽電子放射断層撮影装置（ｐｏｓｉｔｒｏｎ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ ｄｅｖｉｃｅ，ＰＥＴ装置）のシンチレータとして使用することが検討されており、ケイ酸ルテチウム結晶の表面を実質的にほとんど溶解することなく、その表面および表層を簡単に純化する方法を提供する。
【解決手段】フッ化水素酸濃度が０．０１〜５０％の溶液と硝酸濃度が０．０１〜７０％の溶液の混合溶液でケイ酸ルテチウム結晶の表面を洗浄することにより、ケイ酸ルテチウム結晶の表面純度を向上する。 （もっと読む）

【課題】複数のシリカガラス部材を正確に位置合わせして接合することができるシリカガラス部材の接合方法、および該接合方法により作製されたシリカガラス製品を提供する。
【解決手段】ガラス基板１２，１４に、位置合わせのための穴部１３ａ〜１３ｃ，１５ａ〜１５ｃをそれぞれ形成する（Ｓ１）。ガラス基板１２，１４を穴部１３ａ〜１３ｃ，１５ａ〜１５ｃが重なり合うように重ね合わせ（Ｓ２）、穴部１３ａ〜１３ｃ，１５ａ〜１５ｃにそれぞれ位置決め材２０ａ〜２０ｃを挿入する（Ｓ３）。これを非酸化雰囲気においてガラス基板１２，１４に熱融着が生じる温度に加熱し（Ｓ４）、次に大気雰囲気での焼成により位置決め材２０ａ〜２０ｃを焼き飛ばして（Ｓ５）、ガラス製品１０を得る。 （もっと読む）

【課題】平坦度が向上し、ナノトポグラフィーが向上する半導体ウェーハのエッチング方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハのエッチング方法は、複数の半導体ウェーハを、互いに板面を対向させた状態に保持し、回転させながらエッチングする半導体ウェーハのエッチング方法において、半導体ウェーハの間に回転部材を配置する。 （もっと読む）

【課題】 隣接する２つのセラミック防護板の端辺間にカッターの刃が容易に侵入することを阻止する。
【解決手段】 セラミック防護板が、光ファイバーなどの細長い地中埋設物の管路の上に管路に沿って数多く連続して地中に埋設され、その地中埋設物の管路を防護する。セラミック防護板の両側辺が互いに平行であり、両端辺の各々が、Ｓ字形状でかつ互いに嵌合する形状に構成されている。各端辺の隅の角度が６０°以上である。管路の上に互いに離れた状態で、２列に、前述のセラミック防護板を数多く連続して配置し、かつ、管路をカバーするように、それらの２列のセラミック板の上に鉄板を設けて、管路防護構造を構成する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系腐食性ガス、プラズマ等に対する耐食性に優れており、半導体・液晶製造装置等、特に、プラズマ処理装置用の部材として好適に使用することができる耐プラズマ性溶射部材を提供する。
【解決手段】セラミックスまたは金属からなる基材表面に、イットリア系プラズマ溶射膜が形成された溶射部材において、前記溶射膜は、タングステンがイットリアに対して５重量％以上６０重量％未満分散し、気孔率が５％以下であり、該溶射部材の２０〜４００℃での表面抵抗率を１０⁶Ω・ｃｍ以上１０¹³Ω・ｃｍ未満とする。 （もっと読む）

【課題】ＦＯＳＢ（基板収納容器）の種類が異なっても使用でき、しかも搬送時の振動や衝撃から半導体ウエハを好適に保護することができる搬送用緩衝材を提供する。
【解決手段】カートンボックス内に配置される方形筒状の緩衝材本体１１と、緩衝材本体の各側面の外側に所定の間隔をもって突出し、筒状の緩衝材本体の軸線方向に延設された断面形状が台形状の第１の突出部１２ａ〜１２ｈと、緩衝材本体の角部の外側に、緩衝材本体の側面延長方向に突出し、筒状の緩衝材本体の軸線方向に延設された断面形状が台形状の第２の突出部１３ａ〜１３ｈと、緩衝材本体の各側面の内側に所定の間隔をもって突出し、筒状の緩衝材本体の軸線方向に延設された断面形状が台形状の第３の突出部１４ａ〜１４ｈとを備え、第３の突出部が基板収納容器の側面に当接すると共に、第１、第２の突出部がカートンボックス内側面に当接する。 （もっと読む）