【課題】原料融液が充填された高温下での変形や歪みが抑制され、かつ、ブラウンモールドの発生が抑制され、しかも、ルツボに起因する不純物汚染を招くことなく、シリコン等の半導体単結晶を歩留まりよく引上げるのに好適なシリカガラスルツボを提供する。
【解決手段】上方から直胴部、コーナー部および底部からなる有底容器状であり、その厚さ方向における外層が天然質シリカガラス、内層が合成シリカガラスからなるルツボにおいて、少なくとも前記直胴部における外層と内層の総厚さが６ｍｍ以上１６ｍｍ以下、内層の厚さが総厚さの５％以上４０％以下であり、かつ、前記内層におけるＮａ，Ｋ，Ｌｉ，Ｃａ，Ａｌ，Ｔｉ，Ｆｅ，Ｃｕのいずれの濃度も０．１ｐｐｍ以下、前記外層におけるＮａ濃度が０．２ｐｐｍ以下であり、ルツボ内表面から深さ０．５ｍｍ以下の領域において、直径２０μｍ以上の気孔が２０個／ｍｍ²以下となる構成とする。 （もっと読む）

【課題】サセプタ支え部材の外径のバラツキを吸収して、サセプタ支え部材により支持されるサセプタの水平度を保つことができる半導体ウエハの熱処理用サセプタの支持構造を提供する。
【解決手段】サセプタを支持する石英ガラスからなるサセプタ支え部材１と、前記サセプタ支え部材の端部が挿入される管状の回転軸２とを備え、前記回転軸とサセプタ支え部材とが一体となって回転する半導体ウエハの熱処理用サセプタの支持構造において、前記管状の回転軸の内周面から突出する押圧部材３が設けられ、回転軸２に挿入されたサセプタ支え部材１が、前記押圧部材３によって管状の回転軸２の内周面に押し付けられ、保持される。 （もっと読む）

【課題】ミスフィット転位による結晶欠陥の発生が抑制されたＳｉＣを備え、反りが低減された半導体基板の製造方法を提供する
【解決手段】半導体基板１０は、Ｓｉ基板１２から自然酸化膜１２ａを除去した後、その表面にＳｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ層１３を成膜し、続いてＳｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ層１３を炭化させてＳｉ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｇｅ_ＸＣ_Ｙ層１４を形成し、次いでＳｉ_{１−Ｘ−Ｙ}Ｇｅ_ＸＣ_Ｙ層１４の表面にヘテロエピタキシャル成長により３Ｃ−ＳｉＣ層１６を成膜することにより製造される。 （もっと読む）

【課題】ＦＴ−ＩＲ法によるシリコン結晶中の炭素濃度の測定において、カーボン赤外吸収ピーク近傍のベースラインを水平化し、簡便に特定することができ、低濃度であっても、より正確に測定することができるシリコン結晶中の炭素濃度測定方法を提供する。
【解決手段】被測定シリコン結晶が、ｎ型であり、抵抗率が１．５Ωｃｍ以上の場合は、両面ミラー研磨加工、１．０Ωｃｍ以上１．５Ωｃｍ未満の場合は、片面アルカリエッチング、０．５Ωｃｍ以上１．０Ωｃｍ未満の場合は、両面アルカリエッチングを施し、また、前記被測定シリコン結晶が、ｐ型であり、抵抗率が２０Ωｃｍ以上の場合は、両面ミラー研磨加工、１．５Ωｃｍ以上２０Ωｃｍ未満の場合は、片面アルカリエッチング、１．０Ωｃｍ以上１．５Ωｃｍ未満の場合は、両面アルカリエッチングを施し、エッチング面の反射率が３５％以上４５％以下となるように、サンプルの表面形状を制御する。 （もっと読む）

【課題】高いバネ圧をかけても、摩耗量が少なく、積層部分での剥がれがなく、製造が容易で安価な電気機械用ブラシを提供する。
【解決手段】本電気機械用ブラシはブラシ本体の摺動面に開口し、この摺動面からブラシ本体の高さ方向に延びる空洞部を設け、この空洞部にブラシ本体と異なる材質の別部材を充填する。 （もっと読む）

【課題】任意の長さを有する螺旋状のガラス管を得ることができ、更に断面形状が変形しない、ガラス管螺旋加工装置および螺旋状ガラス管の製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス管Ｇを把持するチャック部２と、前記チャック部２を回転させるための第一駆動手段３と、前記チャック部２を上下動させる昇降手段４と、前記チャック部を前後に移動させる移動手段６と、前記チャック部２の軸線と直交する方向であって、前記チャック部２の軸線から所定距離離れた位置に設けられた加熱手段８と、前記加熱手段８の奥方に設けられた、ガラス管Ｇを送り出すローラ９とを備えている。 （もっと読む）

【課題】貫通孔、切り欠きを有する脆性材料部材の製造方法において、熱処理工程で前記貫通孔、切り欠きに生じる熱応力を低減し、前記基体の破損を防止した脆性材料部材の製造方法を提供する。
【解決手段】基体の外形状を所定形状になすと共に、前記貫通孔または切り欠きの形成予定位置に、所定の深さを有する凹部を形成する工程（Ｓ１）と、前記基体を熱処理する工程（Ｓ２）と、前記熱処理された基体の凹部の底部を除去し、貫通孔または切り欠きを形成する除去工程（Ｓ３）とを含む。 （もっと読む）

【課題】破壊電圧が高く、かつ、エネルギー損失が少なく、高電子移動度トランジスタ等に好適に用いられる化合物半導体デバイス用基板およびそれを用いた化合物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】結晶面方位｛１１１｝、キャリア濃度１０¹⁶〜１０²¹／ｃｍ³、ｎ型のＳｉ単結晶基板２上に、キャリア濃度１０¹⁶〜１０²¹／ｃｍ³、ｎ型の３Ｃ−ＳｉＣ単結晶バッファー層３と、六方晶Ｇａ_xＡｌ_1-xＮ単結晶バッファー層（０≦ｘ＜１）４と、キャリア濃度１０¹¹〜１０¹⁶／ｃｍ³、ｎ型の六方晶Ｇａ_yＡｌ_1-yＮ単結晶層（０．２≦ｙ≦１）５と、キャリア濃度１０¹¹〜１０¹⁶／ｃｍ³、ｎ型の六方晶Ｇａ_zＡｌ_1-zＮ単結晶キャリア供給層（０≦ｚ≦０．８、０．２≦ｙ−ｚ≦１）６とを順次積層し、前記基板２の裏面に裏面電極７、前記キャリア供給層６の表面に表面電極８を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｎ型シリコンウエハの主としてバルク中に存在する遷移金属不純物を従来に比べ短時間で効率良く、除去できる遷移金属不純物の洗浄除去方法を提供する。
【解決手段】Ｎ型のシリコンウエハ１の表面にマイナス電荷を帯電させながら熱処理を行った後（図１ｂ）、エッチング洗浄剤で該ウエハ１の表面をエッチングする（図１ｃ）。この洗浄除去方法では、表面にマイナス電荷を帯電させることで、新たに電界拡散効果が加重付加される。このマイナス電荷チャージによる電界拡散でバルク内の遷移金属はウエハのマイナス荷電表面側の表層に集中濃縮され、この表層を除去することにより、シリコンウエハのバルク中における遷移金属はより効率的に回収除去され、結果として、ウエハの絶縁耐圧不良やパーティクル不良が低減される。 （もっと読む）

【課題】 ツヅラ状に形成されたガラス管内にカーボンワイヤー発熱体が封入されたヒータにおいて、カーボンワイヤー（発熱体）の間のピッチ間隔を狭めることができ、より均一な加熱を行なうことができるヒータを提供する。
【解決手段】 一の端子部３ｂから延設されたツヅラ状のガラス管２の第一の屈曲部２ａ〜２ｅが、第一の直線部２Ａ１と同一平面状に形成され、他の端子部３ａから延設されたツヅラ状のガラス管の第二の屈曲部２ｈ〜２ｌが、第二の直線部２Ａ２から傾斜して下方に形成され、前記第一の屈曲部２ａ〜２ｅが第二の屈曲部２ｈ〜２ｌより外側に位置すると共に、前記第二の直線部２Ａ２の間に第一の直線部２Ａ１が位置するように構成されている （もっと読む）