【課題】 シリコン単結晶の抵抗率分布および格子間酸素濃度分布の均一性を向上させシリコンウェーハの低コスト化を容易にする。
【解決手段】 メインチャンバ１１内に希ガスを流入させる。そして、原料シリコン融液１２を石英るつぼ１３内に形成し、種結晶を着液し、引上げ軸１９を一方向に回転させ所定の引き上げ速度でシリコン単結晶１５を引き上げる。ここで、支持軸１７は回転し上方駆動して原料シリコン融液１２の融液面を一定の高さに維持する。このシリコン単結晶１５の引き上げ育成において、輻射シールド１６の下端と原料シリコン融液１２の融液面との離間距離Ｌを６０ｍｍ以上にする。更には、上記引き上げ速度Ｖは、０．５５ｍｍ／ｍｉｎ≦Ｖ＜０．７５ｍｍ／ｍｉｎを満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】複雑でかつ高価な装置を付加することなく、結晶揺れ量を計測し、結晶落下を防止できる単結晶引上装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶の引上において、結晶固液界面のメニスカス位置により画像処理によって結晶の揺れ量を計測し、計測した揺れ量により結晶落下の危険の有無を判断し、落下防止の危険があると判断した場合にシリコン単結晶の直胴部を保持する。 （もっと読む）

【課題】単結晶引上装置において、輻射シールド下端とシリコン融液との間の距離寸法が大きい場合においても、炉体内を流れるガス流を整流して歩留まりを向上し、所望の特性を有する単結晶を容易に得ることのできる単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】ルツボ３の上方で単結晶Ｃの周囲を包囲するよう上部と下部が開口形成されて設けられ、単結晶Ｃに対する輻射熱を遮蔽する輻射シールド６と、前記輻射シールド６の上方から下方に向けて不活性ガスＧを供給するガス供給手段１３と、前記輻射シールド６と前記ルツボ３との間に形成される空間に設けられ、前記ガス供給手段１３によりルツボ３内に供給されルツボ３外に導出される不活性ガスＧの流路を、該流路の高さ方向に分割する整流板７とを備える。 （もっと読む）

【課題】単結晶引上後の原料シリコン充填工程において、原料シリコンの多量の充填が必要な場合に、作業時間を短縮して効率的に原料シリコンを充填することのできる単結晶引上装置及び原料シリコン充填方法を提供する。
【解決手段】ルツボ３を収容する第一のチャンバ２と、第一のチャンバ２上に連結して設けられ、原料シリコンＬが装填された供給容器をセットするための第二のチャンバ１２と、第二のチャンバ１２内から第一のチャンバ２に移送されて第一のチャンバ２内に保持され、原料シリコンＬをルツボ３内に供給する第一の供給容器１３と、第二のチャンバ１２内から第一のチャンバ２内に移送されて第一の供給容器１３内に装着され、原料シリコンＬをルツボ３内に供給する第二の供給容器とを備える。 （もっと読む）

【課題】セラミックス多孔体を利用して、ＣＤ３４陽性細胞を含むヒト由来の造血幹細胞または造血前駆細胞を、異種動物由来や不死化した支持細胞との懸濁培養系で培養し、増殖した造血幹細胞または造血前駆細胞のみを、危険因子や支持細胞を含むことなく、効率的に分離・回収することができるヒト造血幹細胞および造血前駆細胞の培養方法を提供する。
【解決手段】ＣＤ３４陽性細胞を含むヒト由来の造血幹細胞または造血前駆細胞を、内部に連通する気孔を有するセラミックス多孔体に担持させた胎盤細胞または臍帯血由来のストローマ細胞に代表される支持細胞との共存下で、高密度培養する。 （もっと読む）

【課題】高重量の単結晶を引上げる工程において、ネック部が破断するような大きな地震が発生しても、ルツボ内への単結晶の落下を防ぎ、装置への破損を回避することのできる単結晶引上装置、及びその制御方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によってルツボ３から単結晶Ｃを引上げる単結晶引上装置１において、下面中央に凹部が形成されることにより下面周縁が最下端となる前記単結晶Ｃを引上げる引上げ手段５と、底面３ａが平らに形成された前記ルツボ３と、前記ルツボ３を昇降させるルツボ昇降手段１１と、所定値以上の振動を検知する振動検知手段１７と、前記引上げ手段５と前記ルツボ昇降手段１１の動作を制御する制御手段８ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】サセプタまたはリング状の支持部を適用することなくスリップ転位の発生を抑制し得るシリコンウェーハ熱処理ボートを提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ熱処理用ボート１は、シリコンウェーハを平行に且つ等間隔に積載するための複数のシリコンウェーハ支持部６を有する複数本の支柱４を備え、前記シリコンウェーハ支持部６に、石英治具７を載置して備えることを特徴とする。これにより、ウェーハと支持部の溶着、および、ウェーハからボートへの熱伝導に起因して生ずるウェーハ面内温度差を原因とするスリップ転位が抑制される。 （もっと読む）

【課題】この発明は、酸化ルテチウム焼結粒界へ析出し易いアルミニウムを用いずに、しかも珪素含有量を特に低減するなど特殊な原料でなく、汎用の原料を用いて厚さ１mm時の可視光帯域波長４００〜８００nmにおける直線透過率が６０％以上となる透光性酸化ルテチウム焼結体を得ようとするものである。
【解決手段】酸化ルテチウムを主成分とし、タンタル若しくはニオブのいずれか一方又は双方を含有し、厚さ１mm時の可視光帯域波長４００〜８００nmにおける直線透過率が６０％以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡便にセラミックス、石英ガラス、ガラス状カーボンのいずれか一つからなる微細加工用基材に段差形状を形成することができる微細加工用基材の微細加工方法を提供する。
【解決手段】本微細加工用基材の微細加工方法は、鏡面加工を施したセラミックス、石英ガラス、ガラス状カーボンのいずれか一つからなる微細加工用基材微細加工用基材にメタルパターンを形成し、このメタルパターンをマスクとして、微細加工用基材に第一のエッチングを行ない、微細加工用基材の段差形状を形成したい部分のメタルパターンをレーザーによって除去し、微細加工用基材に第二のエッチングを行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶引上装置において、シールド下端とシリコン融液が接触してもシリコン融液を汚染せず、育成される単結晶への輻射熱を効果的に遮断し、単結晶育成速度（引上速度）を向上することのできる輻射シールド及びそれを具備する単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によってルツボ３内のシリコン融液Ｍから単結晶Ｃを育成しながら引上げる単結晶引上装置１において、単結晶Ｃに対する輻射熱を遮蔽する輻射シールド６であって、前記ルツボ３の上方で単結晶Ｃの周囲を包囲するように設けられ、所定の熱遮蔽材料により形成されたシールド本体６ａと、前記シールド本体６ａよりも下方においてシリコン融液面に臨むように設けられ、石英ガラスにより形成されたシールド下端部６ｂとを備える。 （もっと読む）