【課題】チョクラルスキー法によるシリコン等の単結晶の製造において、１回のリチャージで供給できる固形状多結晶原料の総量を増やし、高い生産性を実現することが可能な単結晶製造装置およびリチャージ方法を提供する。
【解決手段】ルツボ１０１内面側に配置された輻射シールド１２５と、輻射シールド１２５内面側および上面側を覆う輻射シールドカバー３０１を有する単結晶製造装置１００において、リチャージ管２０１に充填された固形状多結晶原料１５５は、リチャージ管２０１下端外縁部とリチャージ管２０１下端に配置される底蓋２０３との隙間から、自重により輻射シールドカバー３０１上に落下し、輻射シールド３０１表面の傾斜を滑ることにより落下エネルギーが低下した状態で、結晶融液１０５を貯留する石英ルツボ１０１内に落下する。 （もっと読む）

【課題】ガラス管の内外面を乾燥するガラス管乾燥装置において、ガラス管が複雑な形状であっても短時間で乾燥することができ、作業効率を向上し、かかるコストを低減することのできるガラス管乾燥装置を提供する。
【解決手段】両端が開口したガラス管Ｇの内外面を乾燥するガラス管乾燥装置１００において、前記ガラス管Ｇを収容するチャンバ１と、前記チャンバ１内に収容されたガラス管外表面に対し温風を供給し、該ガラス管Ｇを所定温度に加熱する温風供給手段２、５、６と、前記温風供給手段２、５、６により所定温度に加熱されたガラス管Ｇの一端から該ガラス管内に空気を送出する空気供給手段３、４とを備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェーハの研磨に使用されるウェーハ研磨用プレートの表面を高清浄度かつ高効率的に洗浄する。
【解決手段】 ウェーハ研磨後のウェーハ研磨用プレートＰを洗浄槽１１内のプレート回転用ローラー１２により回転自在に保持し、高圧噴射用ポンプ２１により加圧した洗浄液をノズル１４で噴射洗浄液１５にして、溝部Ｍの形成されたウェーハ保持面１３に噴射させ、付着するワックスあるいは研磨剤固形物を除去する。同時に、プレート表面ブラシ洗浄機構２５によりウェーハ保持面１３を摺擦する。また、プレート側面ブラシ洗浄機構２７およびプレート裏面ブラシ洗浄機構２８を用いて各部位を摺擦し付着物を除去する。上記洗浄液は、洗浄液循環用ポンプ１７により洗浄液循環用タンク１９に還流され、洗浄液加熱用ヒータ２０により適温に加熱され循環供給される。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によってルツボから単結晶を引上げる単結晶引上装置を用いた単結晶の製造方法において、ルツボのチャージ量が多い場合であっても、装置に対し大きな負荷を与えることなく有転位化を抑制し、歩留まりと生産性を向上することのできる単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によってルツボ３から単結晶Ｃを引上げる単結晶製造装置１を用いた単結晶Ｃの製造方法において、前記ルツボ３内に原料ポリシリコンを溶融するステップと、前記ルツボ３内のシリコン溶融液Ｍに対し、少なくとも二つの異なる強度の磁場を順に所定時間印加し、その印加処理を所定回数繰り返すステップと、単結晶Ｃのネック部Ｐ１を形成し、前記ルツボ３から単結晶Ｃを引上げるステップとを実行する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ面内のエッチングレートの均一化を図ることができ、平坦度及びうねりを改善する半導体ウェーハのエッチング方法を提供する。
【解決手段】本半導体ウェーハのエッチング装置は、エッチング液が供給されるエッチング槽２内で回転され多数の半導体ウェーハＷが離間して搭載されるウェーハマガジン３と、半導体ウェーハＷの直下に配置され、先広がりの断面形状及び扁平幅広の開口部が形成された洗浄液噴出ノズルを備える。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法による単結晶の製造方法において、固形状原料とワイヤ間の摩擦を軽減し、単結晶製造における高い生産性と品質を実現することが可能なリチャージ装置を提供する。
【解決手段】結晶融液を貯留するルツボ１０１に供給する固形状原料１５５を充填する筒状の原料容器２００と、筒状の原料容器２００の底蓋２０３中心に一端が固定される原料容器２００を吊り下げるワイヤ１２９とを有する固形状原料１５５のリチャージ装置であって、ワイヤ１２９が石英で形成される複数の楕円形状または略球状の玉４０１を貫通していることを特徴とする固形状原料１５５のリチャージ装置。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶製造装置において、結晶融液を貯留する石英ルツボに固形状原料を充填する固形状原料のリチャージ方法であって、融液固化に要する時間を制御することにより、クラウンの有転位化率を抑制し、かつ、単結晶中のカーボン不純物濃度を抑制することを可能にする固形状原料のリチャージ方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボ内の融液面の固化が発生してから、融液面全面の８０％に相当する融液面が固化するまでの時間Ｙ分が、石英ルツボ内径をＸｍｍとするとき、０．００５６Ｘ＋０．６≦Ｙ≦０．１４４Ｘ＋５の関係を充足するようにヒーターのパワーを制御する。前記融液面全面の８０％に相当する融液面が固化した後、前記融液面の固化速度を上昇させ、前記融液面全面の９０％以上が固化した段階でヒータのパワーを上げながら前記石英ルツボに前記固形状原料を充填する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ単結晶基板上に、格子不整合による欠陥発生が抑制され、結晶性に優れた高品質な３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層を備えたＳｉＣ半導体、および、このような３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層を簡便に形成することができるＳｉＣ半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面に、ホウ素が１０²⁰ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以上固溶しているＳｉ単結晶基板上に、６７０℃以上８５０℃以下で３Ｃ−ＳｉＣ低温成長層をエピタキシャル成長させた後、昇温し、前記３Ｃ−ＳｉＣ低温成長層の上に、３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層をエピタキシャル成長させることにより、Ｓｉ単結晶基板上に３Ｃ−ＳｉＣ単結晶層を備えたＳｉＣ半導体を得る。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法による単結晶製造装置において、リチャージ管の破損を防止し、よって単結晶の生産性を向上させることを可能とするリチャージ管およびこれを用いたリチャージ方法を提供する。
【解決手段】結晶融液を貯留するルツボに固形状原料を充填するための固形状原料のリチャージ管の下半分３０１が上半分３０３より破壊靭性が大きい固形状原料のリチャージ管を用いてリチャージを行なう。 （もっと読む）

【課題】温度変化の影響を受けることなしに、精密な応力測定を実現させることができるレーザラマン分光法による応力測定装置を提供する。
【解決手段】本レーザラマン分光法による応力測定装置は、１個のレーザ光源２、分光器４、検出器５、リファレンス用及びサンプル用の一対の同軸レンズ６ｒ、６ｓ、試料室３を備え、この試料室３に収容されるリファレンスＲ、サンプルＳに照射するレーザ光の光路および散乱光の光路の少なくとも一方を遮断する一対のシャッター７ｒ、７ｓを設け、このシャッター７ｒ、７ｓを交互に開閉し、リファレンスＲ、サンプルＳの応力を交互に測定可能にする。 （もっと読む）