【課題】鏡面研磨後のウエハ面を、その面に傷を発生させることなく、親水性化することにより、パーティクルや金属付着をより一層低減することができるシリコンウエハの親水化処理方法及び親水化処理剤を提供する。
【解決手段】鏡面研磨後のリンス処理を経たシリコンウエハの鏡面を、親水化処理液との接触下に、研磨布上を微加重で押圧しながら回転させてその面を親水化するシリコンウエハ鏡面の親水化処理方法において、親水化処理液が、少なくとも１つの親水基を有する分子量１００以上の有機化合物、塩基性の窒素含有有機化合物及び界面活性剤を少なくとも含んでなり、そのｐＨが９．５〜１０．５の水性液からなる。 （もっと読む）

【課題】骨親和性および骨伝導性に優れ、骨形成速度と生体吸収速度とのバランスが良好であり、かつ、十分な強度を有するリン酸三カルシウム系骨補填材を提供する。
【解決手段】β‐リン酸三カルシウムおよび／またはα‐リン酸三カルシウムからなる多孔体であって、前記多孔体は、球状の気孔が全体にわたって連通した多孔質構造を有し、気孔率が５０％以上９０％以下、平均気孔径が１００μｍ以上５００μｍ以下、各気孔間の連通部の径が２０μｍ以上１００μｍ以下であり、かつ、圧縮強度が５ＭＰａ以上であり、前記β‐リン酸三カルシウムおよび／またはα‐リン酸三カルシウムのＣａの０．５ｍｏｌ％以上３ｍｏｌ％以下が、Ｍｇにより部分置換されており、前記多孔体の結晶相のβ‐リン酸三カルシウムからα‐リン酸三カルシウムへの相転移温度が、１２００℃以上１３５０℃以下であるように構成された骨補填材を用いる。 （もっと読む）

【課題】 レーザーマーク刻印後にウェットエッチングが施されても、ウェーハ平坦度の低下を改善でき、かつ、レーザーマークの読み取りを容易にするレーザーマーキングウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェーハを識別するためのレーザーマークがウェーハ裏面に刻印されたレーザーマーキングウェーハであって、このレーザーマークが少なくともバーコードおよびＯＣＲマークによって構成されており、バーコードがＯＣＲマークよりもウェーハ外周部に刻印されていることを特徴とするレーザーマーキングウェーハおよびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系腐食性ガス、プラズマ等に対する耐食性に優れ、かつ、体積抵抗率を抑制制御することができ、しかも、高靭性であり、半導体・液晶製造装置等、特に、プラズマ処理装置用の部材として好適に使用することができるイットリア系複合材を提供する。
【解決手段】粒径３００μｍ以下のタングステン、モリブデン、ニオブおよびタンタルのうちの少なくともいずれか１種の金属を、イットリアに対して２体積％以上３００体積％以下の範囲内で混合分散させたセラミックスまたはサーメットにおいて、２０〜４００℃で１０²Ω・ｃｍ以上１０¹²Ω・ｃｍ以下の範囲内の所望の体積抵抗率に制御する。 （もっと読む）

【課題】血液または血漿を浄化する治療において、シリカゲルを用いて、血液または血漿等の液体中に含まれるサイトカインを効率的に除去することができる方法および装置ならびにそれらに好適に用いられる除去剤を提供する。
【解決手段】血液または血漿の導入口および排出口が設けられ、粒径１５０μｍ以上３ｍｍ以下の球状体であり、孔径１５ｎｍ以上５００ｎｍ以下の気孔を有するシリカゲルが収容された容器と、前記血液または血漿の導入口および排出口と連結された流路の一部に接続された循環ポンプとを備えたサイトカイン除去装置を用いて、サイトカインを含有する血液または血漿を流通させ、前記容器から排出される血液または血漿中のサイトカインを減少させる。 （もっと読む）

【課題】低膨張で微泡や脈理がなく、反射光学系用部材として好適なＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２系ガラスを製造できるＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２系ガラスの製造方法を提供する。
【解決手段】本ＳｉＯ_２−ＴｉＯ_２ガラスの製造方法は、粒径１〜１０００μｍのＳｉＯ_２粉に四塩化チタンを所定の割合で添加し、混合した後、もしくは混合しながら、酸化雰囲気中で熱処理し、この熱処理粉を減圧炉中のカーボン型に投入後、１０ｔｏｌｌ以下で溶融する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系腐食性ガス、プラズマ等に対する耐食性、かつ、耐熱衝撃性に優れており、半導体・液晶製造装置等、特に、プラズマ処理装置用の部材として好適に使用することができるイットリアセラミックス焼結体を提供する。
【解決手段】イットリア原料粉末にタングステン粉末を添加し、造粒粉を調製する工程と、前記造粒粉を、３００ｋｇ／ｃｍ²以上２０００ｋｇ／ｃｍ²以下の一軸プレス成形またはＣＩＰ成形により成形する工程と、前記成形工程により得られた成形体を、不活性ガス雰囲気中、５０ｋｇ／ｃｍ²以上３００ｋｇ／ｃｍ²以下、１５００℃以上１９００℃以下でホットプレス焼成する工程とを経ることにより、粒径４０μｍ以下のタングステンの単体または化合物からなる粒子が分散し、焼結体の断面におけるタングステンの含有面積が０．２％以上２０％以下であり、開気孔率が０．１％以下であるイットリアセラミックス焼結体を製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明は上述した事情を考慮してなされたもので、ビーム品質を劣化させることなく、小型で高効率の増幅を行うことができる固体レーザ増幅装置を提供する。
【解決手段】本固体レーザ増幅装置は、入射レーザ光が反射を繰り返しながら伝播する利得媒質２が、６面以上の平面を有する多面体状に形成され、かつ全平面に強反射膜が施された反射面３が形成され、この反射面３のレーザ入射部３ｉとレーザ出射部３ｏを設け、いずれの平面にも平行にならないようにレーザ入射部３ｉからレーザ光が入射され、４面以上の反射面３で多重反射を繰り返しながら均一かつジグザグに伝播され、レーザ出射部３ｏから出射される。 （もっと読む）

【課題】単結晶を引上げる工程において、ネック部が破断することがあっても、ルツボ内への単結晶の落下を防ぐことができ、且つ、結晶が有転位化する可能性を低減することのできる単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】単結晶Ｃを引上げる引上げ手段４と、前記単結晶Ｃのクラウン部Ｃ１にくびれ部Ｃ２を形成するくびれ形成手段７ａと、爪先を開閉可能になされ、爪先を閉じた状態で前記くびれ部上側のテーパー面Ｃ３に係止可能に設けられた複数の爪部１２と、前記複数の爪部１２を昇降移動させる爪部昇降手段１３ｂと、前記複数の爪部１２及び爪部昇降手段１３ｂの動作制御を行う制御手段７ａとを備え、前記単結晶Ｃの引上げの際、前記制御手段７ａの制御により、前記複数の爪部１２は、爪先が前記くびれ部Ｃ２の周囲に位置するよう閉じられ、単結晶Ｃと接触することなく該単結晶Ｃとの間に所定の間隙を形成する。 （もっと読む）

【課題】加熱面を略均一な加熱温度面になすことができる配置パターンを有するカーボンワイヤー発熱体を備えた面状ヒータを提供する。
【解決手段】カーボンワイヤー発熱体ＣＷの面内配置密度が、内側領域とこの外周に位置する外側領域で異なっており、前記外側領域の面内配置密度が内側領域の面内配置密度より密となっており、前記発熱体ＣＷに通電する接続線を有する電源端子部８が、前記シリカガラス板状体２の裏面側の中央部に配置され、前記内側領域のカーボンワイヤー発熱体と接続される接続線４ａ、４ｂは、前記シリカガラス板状体の中央部において、内側領域のカーボンワイヤー発熱体ＣＷと接続され、前記外側領域のカーボンワイヤー発熱体と接続される接続線３ａ、３ｂは、前記内側領域のカーボンワイヤー発熱体ＣＷと交差することなく、前記シリカガラス板状体の中央部から外側領域に延設され、外側領域のカーボンワイヤー発熱体ＣＷと接続される。 （もっと読む）