【課題】 半導体ウェーハのような被加工物表面の高精度な研削あるいは研磨が容易になるユニバーサルチャックを提供する。
【解決手段】 ユニバーサルチャックの吸着板１１は、例えばセラミックスのような無機質材料が焼結され円盤状に形成され、その上面である吸着面および下面の吸引面の間で通気を有する多数の透孔が形成された多孔質体である。ここで、透孔は上記吸着板１１で一様に形成されている。そして、上記透孔が軟質材により充填され複数の非通気部１１ｆが形成され、その間がこの非通気部１１ｆにより区分されて、円板状の通気部１１ａおよび円環状の通気部１１ｂ、１１ｃ、１１ｄ、１１ｅが形成されている。そして、この吸着板１１はチャック基体を通して吸気系１６に接続されユニバーサルチャックを構成する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系腐食性ガス、プラズマ等に対する耐食性に優れ、かつ、体積抵抗率を容易に制御可能であり、半導体・液晶製造装置等、特に、静電チャック等のプラズマ処理装置用の部材として好適に使用することができる耐プラズマ性溶射部材を提供する。
【解決手段】金属または金属電極を備えたセラミックスからなる基材上の最表面に、イットリアに対して５重量％以上６０重量％未満のタングステンまたはモリブデンが分散し、気孔率が５％以下であるイットリア系プラズマ溶射膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系腐食性ガス、プラズマ等に対する耐食性に優れており、半導体・液晶製造装置等、特に、プラズマ処理装置の部材に好適に使用することができるプラズマ処理装置用イットリアセラミックスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】純度９９．９％以上のイットリア粉末に、該イットリア粉末に対して純度９９．９％以上で平均粒径Ｄ₅₀が２μｍ以下のタングステン粉末を５重量％以上３０重量％以下添加し、成形後、還元雰囲気下または不活性ガス雰囲気下で、１７００℃以上１９００℃以下で焼成し、少なくともプラズマに曝露される部分の表面粗さＲａが１．６μｍ未満であるイットリアセラミックスを製造する。 （もっと読む）

【課題】単結晶を引上げる工程において、ネック部が破断することがあっても、ルツボ内への単結晶の落下を防ぐことができ、且つ、結晶が有転位化する可能性を低減することのできる単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】単結晶Ｃを引上げる引上げ手段４と、前記単結晶Ｃのクラウン部Ｃ１にくびれ部Ｃ２を形成するくびれ形成手段７ａと、爪先を開閉可能になされ、爪先を閉じた状態で前記くびれ部上側のテーパー面Ｃ３に係止可能に設けられた複数の爪部１２と、前記複数の爪部１２を昇降移動させる爪部昇降手段１３ｂと、前記複数の爪部１２及び爪部昇降手段１３ｂの動作制御を行う制御手段７ａとを備え、前記単結晶Ｃの引上げの際、前記制御手段７ａの制御により、前記複数の爪部１２は、爪先が前記くびれ部Ｃ２の周囲に位置するよう閉じられ、単結晶Ｃと接触することなく該単結晶Ｃとの間に所定の間隙を形成する。 （もっと読む）

【課題】加熱面を略均一な加熱温度面になすことができる配置パターンを有するカーボンワイヤー発熱体を備えた面状ヒータを提供する。
【解決手段】カーボンワイヤー発熱体ＣＷの面内配置密度が、内側領域とこの外周に位置する外側領域で異なっており、前記外側領域の面内配置密度が内側領域の面内配置密度より密となっており、前記発熱体ＣＷに通電する接続線を有する電源端子部８が、前記シリカガラス板状体２の裏面側の中央部に配置され、前記内側領域のカーボンワイヤー発熱体と接続される接続線４ａ、４ｂは、前記シリカガラス板状体の中央部において、内側領域のカーボンワイヤー発熱体ＣＷと接続され、前記外側領域のカーボンワイヤー発熱体と接続される接続線３ａ、３ｂは、前記内側領域のカーボンワイヤー発熱体ＣＷと交差することなく、前記シリカガラス板状体の中央部から外側領域に延設され、外側領域のカーボンワイヤー発熱体ＣＷと接続される。 （もっと読む）

【課題】細胞の侵入性および培地の浸透性に優れ、細胞の３次元培養を容易かつ効率的に行うことができる細胞培養担体およびこれを用いた細胞培養方法を提供する。
【解決手段】複数の球状の気孔が全体にわたって連通した多孔質構造を有し、気孔率が６０％以上８０％以下、平均気孔径が１００μｍ以上４００μｍ以下、各気孔間の連通部の径が１０μｍ以上１００μｍ以下の多孔体からなり、前記多孔体は、ハイドロキシアパタイトまたは／およびリン酸三カルシウムからなるリン酸カルシウム系セラミックス多孔体であり、直径１００μｍ以上１０００μｍ以下の貫通孔が３ｍｍ以上５ｍｍ以下の間隔で形成されている培養担体を用いる。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスの製造において、ウェーハ外周部におけるＳＯＩ層の欠損を簡便に防止することができるＳＯＩウェーハを提供する。
【解決手段】 ＳＯＩウェーハ１０は、支持基板用ウェーハ１１、その表面部の接合絶縁膜１２、およびＳＯＩ層１３を有する。ここで、その外周部がベベル加工され、ＳＯＩウェーハの外周部にウェーハ端面１４、ＳＯＩ層１３側のベベル面１５、支持基板用ウェーハ１１側のベベル面１６が設けられている。そして、上記ベベル面１５のＳＯＩ層１３表面に対するベベル角度θが、３０度〜６０度の範囲にしてある。このようにして、ＳＯＩウェーハの製造歩留まりを低下させず安定させると共に、ＳＯＩウェーハを用いた半導体デバイスの製造工程において外周部におけるＳＯＩ層１３の欠損を簡便に防止できる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン単結晶の抵抗率分布および格子間酸素濃度分布の均一性を向上させシリコンウェーハの低コスト化を容易にする。
【解決手段】 メインチャンバ１１内に希ガスを流入させる。そして、原料シリコン融液１２を石英るつぼ１３内に形成し、種結晶を着液し、引上げ軸１９を一方向に回転させ所定の引き上げ速度でシリコン単結晶１５を引き上げる。ここで、支持軸１７は回転し上方駆動して原料シリコン融液１２の融液面を一定の高さに維持する。このシリコン単結晶１５の引き上げ育成において、輻射シールド１６の下端と原料シリコン融液１２の融液面との離間距離Ｌを６０ｍｍ以上にする。更には、上記引き上げ速度Ｖは、０．５５ｍｍ／ｍｉｎ≦Ｖ＜０．７５ｍｍ／ｍｉｎを満たすようにする。 （もっと読む）

【課題】 研削中の板状加工物の冷却効果を向上させて、研削レートの変動を抑制し、研削後の平面度を安定化させることができるカップ型砥石およびこれを備えた両頭研削装置ならびにこれを用いる両頭研削方法を提供する。
【解決手段】 インフィード型両頭研削装置で使用するカップ型砥石１であって、このカップ型砥石１の台金２が、砥粒層セグメント３間に板状加工物研削中に、研削液を排出する経路を確保するための溝１７を有することを特徴とするカップ型砥石１および両頭研削装置ならびに両頭研削方法。 （もっと読む）

【課題】 貼り合わせＳＯＩウェーハ製造において、そのＳＯＩ層の面積をできるだけ広くし、その裏面の支持基板用ウェーハの損傷を簡便に防止する。
【解決手段】 支持基板用ウェーハ１１、活性層用ウェーハ１２を熱酸化し保護酸化膜１３および接合酸化膜１４を形成する。そして、支持基板用ウェーハ１１の表面を高平坦度に鏡面研磨し、支持基板用ウェーハ１１の表面と活性層用ウェーハ１２とを接合酸化膜１４を介して貼り合わせる。以下、貼り合わせたウェーハの外周研削、薄膜化加工によるＳＯＩ層１５の形成、ベベル加工、鏡面研磨等を行いウェーハ外周部にベベル面１６，１７を形成する。最後に上記保護酸化膜１３をエッチング除去し貼り合わせＳＯＩウェーハ製品にする。このようにして、上記ＳＯＩウェーハ製造を通しその裏面が保護酸化膜１３により保護される。 （もっと読む）