【課題】 半導体製造装置の構成の複雑化等を招くことなく、Ｓｉがドナーとして作用することによるキャリアの蓄積を防止することができるようにする。
【解決手段】 基板の表面または下地膜の表面にエピタキシャル層を形成する場合、基板の表面または下地膜の表面に存在するＳｉまたはＳｉ化合物を、クリーニング用のガスとしてＡｓの水素化ガスを用いたサーマルクリーニング処理によって除去する。 （もっと読む）

【課題】重層塗布型磁気記録媒体の平滑性、耐久性改善に効果的な下層用非磁性粉末を提供する。
【解決手段】粒度分布曲線に２つ以上のピークを持つオキシ水酸化鉄粉末。特に粒度分布曲線に２つ以上のピークを持ち、ピーク高さが最も高いピークと２番目に高いピークにおいて、小径側ピーク位置の粒子径Ｄ_P1（ｎｍ）と大径側ピーク位置の粒子径Ｄ_P2（ｎｍ）が下記(1)〜(3)式の関係を満たす非磁性粉末が好適である。
Ｄ_P2／Ｄ_P1≧２ ……(1)
５≦Ｄ_P1≦７０ ……(2)
３０≦Ｄ_P2≦３００ ……(3) （もっと読む）

【課題】電波吸収体に使用したとき、電波吸収体の厚さが変動しても整合周波数が変化しにくい性質を発揮するマグネトプランバイト型六方晶フェライトを提供する。
【解決手段】 組成式ＡＦe_(12-x)(Ｂ1_0.5Ｂ2_0.5)_xＯ₁₉で表され、ＡはＢa、Ｓrの１種または２種、Ｂ1はＴi、Ｚrの１種または２種、Ｂ2は２価金属元素であり、Ｂ2としてＣo、Ｍn、Ｃu、Ｍg、Ｚn、Ｎiのうち２種以上を含有するマグネトプランバイト型六方晶フェライト。Ｂ2として少なくともＺnを含有するものが好適な対象となる。 （もっと読む）

【課題】 セレン含有水から高い除去率で簡単且つ安価にセレンを除去することができるとともに、セレン含有水からセレンを含む化合物を効率的に分離して回収することができる、セレン含有水の処理方法を提供する。
【解決手段】 セレン濃度が５ｍｇ／Ｌ以上のセレン含有水に、ＣａＯやＣａ（ＯＨ）_２などのアルカリを添加してアルカリ性にした後、空気や酸素などにより酸化し、その後ＢａＣｌ_２またはＢａ（ＯＨ）_２などのＢａ化合物を添加する。Ｂａ（ＯＨ）_２の水和物または水溶液を添加する場合には、アルカリの添加と酸化を省略して、セレン含有水に直接添加してもよい。 （もっと読む）

【課題】 異方性のＷ型６方晶フェライトを製造するさいに、スピネル化合物およびＭ型フェライト化合物の含有量の少ないＷ型フェライト化合物を製造する。
【解決手段】 Ｗ型フェライトを製造するにあたり、スピネル型フェライト化合物と平均粒径１．３μｍ以下のＭ型フェライト化合物とを、または、スピネル型フェライト化合物に対応する組成となる量比の原料粉とＭ型フェライト化合物とを、Ｗ型フェライト化合物に対応する組成となる量比で配合した混合粉を得、この混合粉を圧粉成形し、焼成し、さらには所望により、粉砕してＷ型フェライトを得る。Ｗ型フェライトは、Ａ〔Ｚｎ_2(1-x)（ＬｉＦｅ）_x〕Ｆｅ₁₆Ｏ₂₇（ただし、ＡはＳｒまたはＢａ、ｘ＝０〜０.５）の組成を有する化合物であることができる。 （もっと読む）

【課題】使用する磁性粉を変えずに、シートの厚さを変えるだけで種々のＧＨｚ帯周波数に対応できる電波吸収体素材、およびその素材を加工した電波吸収体を提供する。
【解決手段】 体積固有抵抗値が１×１０^-4Ω・ｃｍ以下、飽和磁束密度σsが１０ｅｍｕ／ｇ以上の導電性磁性粉末を含有した電波吸収体素材。その導電性磁性粉末は、例えば金属Ｃu等の非磁性導電層を表面に有するフェライト粉が使用できる。この電波吸収体素材は圧延等により種々の厚さのシート状電波吸収体に加工して使用される。 （もっと読む）

【課題】赤色蛍光体と、波長500nmから630nmの範囲内に発光スペクトルの最大ピークを有する１種類以上の蛍光体とを含む蛍光体混合物、および当該蛍光体混合物と発光部とを有する発光装置の提供。
【解決手段】２価、３価及び４価の元素と窒素（酸素を含有していても良い）からなる赤色蛍光体と波長500nmから630nmの範囲内に発光スペクトルの最大ピークを有する１種類以上の蛍光体とを含む蛍光体混合物。例えば、赤色蛍光体としてCaAlSiN₃:Eu、橙色蛍光体としてCaAl₂Si₄N₈:Eu、及び黄緑色蛍光体として例えば市販のYAG:Ceからなる混合蛍光体混合物で、該混合蛍光体混合物と発光部とを有する発光装置は十分な輝度と、優れた演色性を有する。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｉがドナーとして作用することによるキャリアの蓄積及び表面モフォロジーの悪化による特性劣化のない、半導体装置及び半導体基板を提供する。
【解決手段】 化合物半導体基板１に形成した一つ以上の化合物単結晶膜７を有する半導体装置であって、化合物半導体層基板１表面、この基板１表面と化合物単結晶膜７との界面、化合物単結晶膜７表面の何れかに、Ｓｉ酸化膜を有し、Ｓｉ酸化膜が形成される上記表面又は界面のヘイズが１０ｐｐｍ以下である。Ｓｉ酸化膜は、基板１又は下地膜７の表面に存在するＳｉ及びＳｉ化合物５を、オゾン水で表面処理した後に、第二の又はさらに多数のＧａＡｓエピタキシャル層３及び４を成長させて形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 二硫化鉄の天然鉱物を高純度に精製することにより、重金属の含有量が少なく、貯蔵性能に優れた高容量の電池用二硫化鉄およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 二硫化鉄の天然鉱物を、３０℃以上、好ましくは５０℃以上の温度に調整した０．０５規定以上、好ましくは０．１０規定以上の塩酸、硝酸または硫酸などの酸の水溶液で洗浄し、必要に応じてアルカリで洗浄し、ろ過して水で洗浄した後に、真空中で乾燥またはアルコールで洗浄して乾燥し、その後、必要に応じて分級により５μｍ以下の粉体を除去することにより、電池用二硫化鉄を製造する。 （もっと読む）

【課題】
金属膜とプラスチックフィルムの密着強度及び安定性が高く、且つ、当該金属膜の膜厚を薄く設定することの出来る金属基板を提供する。
【解決手段】
基体となるプラスチックフィルムをシランカップリング剤の被覆装置内に設置して、３００℃の温度で乾燥処理後、温度を３００℃に保ったまま、気化したシランカップリング剤を、プラスチックフィルムへ吹き付け、当該プラスチックフィルムの表面にシランカップリング剤の被覆を行い、さらに、当該カップリング剤が被覆されたプラスチックフィルムの表面へ、銅をスパッタ法により成膜し、当該銅のスパッタ膜付きプラスチックフィルム上へ、メッキ法を用いて所望膜厚の光沢銅被覆をメッキする。 （もっと読む）