説明

株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズにより出願された特許

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【課題】高速化、動作マージンの改善を図った高速入力インターフェイスを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、相補的な第1パルスと第2パルスをそれぞれ参照電圧とを比較して取り込む第1及び第2パルス入力回路、変化起点が第1及び第2パルスの変化起点と揃うようにそれぞれ形成された複数ビットからなるデータに対応した入力信号を参照電圧と比較してそれぞれ取り込む複数からなるデータ入力回路を有する。位相補間回路により、第1パルス入力回路の出力信号の変化タイミングと第2パルス入力回路の出力信号の変化タイミングの間に設定された変化タイミングを有する第3パルスを形成する。遅延回路により第3パルスを所定時間遅延させる。ラッチ回路により、遅延回路で形成された第3パルスの遅延信号の変化タイミングに対応してデータ入力回路の出力信号をそれぞれ取り込む。 (もっと読む)


【課題】ESD破壊の可能性検知機能を持たせた組立ボードを提供する。最終システムでの組込テストで検出された素子破壊の原因の特定を容易にする。
【解決手段】組込ボードは、所望の回路機能を実現する1ないし複数の半導体集積回路装置と、ESD検知回路とを有する。ESD検知回路は、上記半導体集積回路装置の上限とされた動作電圧以上の高い電圧が上記半導体集積回路装置の動作電源線に発生したことを検知する検知回路と、上記検知回路から出力される検知信号を計数カウンタ回路と、上記検知回路及びカウンタ回路に動作電圧を供給する電池とを備える。 (もっと読む)


【課題】簡単にしかも低コストでウォータマークの発生を少なくできる洗浄・乾燥条件の選択を可能とした半導体ウェハと半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウォータマークの検出を容易にしたTEGとしての半導体ウェハとして、同じパターンの繰り返しが第1方向に並ぶ第1ウォータマーク検出パターンを含む第1領域と、同じパターンの繰り返しが上記第1方向と直交する第2方向に並ぶ第2ウォータマーク検出パターンを含む第2領域とを設ける。上記半導体ウェハを用いてウォータマークが最も少なくなる洗浄・乾燥条件を探し出して、その洗浄・乾燥条件により実際の回路機能を持つ半導体集積回路を形成する半導体ウェハの洗浄・乾燥を行う。 (もっと読む)


【課題】ノイズ源となっているクロックパルスを簡単に判別することができるノイズ源判別方法を提供する。
【解決手段】電子装置は、各々が互いに周波数の異なるクロックパルスを生成する複数のクロック生成回路を有する。第1のステップでは、上記電子装置から発生するノイズを測定する。第2ステップでは、上記複数のクロック生成回路のうち、1個ずつのクロック生成回路に対して周波数変調を実施した状態での上記電子装置から発生するノイズの測定を、上記複数のクロック生成回路のすべてについて実施する。第1ステップにおいて測定された判別すべきノイズの周波数に対して、上記第2ステップにおいて上記複数のクロックパルスのうち上記周波数変調により上記対応するノイズが低減しているクロックパルスをノイズ源と判定する。 (もっと読む)


【課題】低コスト化で将来に亘る安定供給が可能なSTI方式によるプラズマダメージ評価パターン及びウェハを提供する。
【解決手段】プラズマダメージ評価ウェハは、表面に碁盤目状に配置された複数の素子形成区画と、上記素子形成区画に1ないし複数の評価パターンを有する。上記評価パターンは、アクティブ領域と、ダミーアクティブ領域、STI膜、絶縁膜及び電極を有する。上記ダミーアクティブ領域は、上記アクティブ領域と同じ構造にされ、X及びY方向にそれぞれ所定距離を持って配置される。上記STI領域は、アクティブ領域及びダミーアクティブ領域を取り囲むように形成される。上記絶縁膜は、アクティブ領域の表面に形成されてゲート絶縁膜に相当する薄い膜とされる。上記電極は、上記アクティブ領域の表面及び上記STI領域の表面に形成される。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で使い勝手のよいデュアルポートメモリを有する半導体装置及びメモリマクロを提供する。
【解決手段】半導体装置又メモリマクロは、1つの入力及び出力ポートを持つメモリ回路及び第1タイミング信号に対応して入力又は出力動作を行う第1ポートと、上記第1タイミング信号とは非同期の第2タイミング信号に対応して入力又は出力動作を行う第2ポートを有する調停回路を備える。上記メモリ回路は、メモリ動作終了信号を上記調停回路に出力する。上記調停回路は、上記メモリ回路が非動作状態のときは上記第1又は第2ポートの上記第1又は第2タイミング信号に対応して上記メモリ回路のメモリアクセスを可能とし、上記メモリ回路が動作状態のときには上記メモリ終了信号を待って上記第1又は第2タイミング信号に対応した上記メモリ回路のメモリアクセスを可能とする。 (もっと読む)


【課題】簡単な作業により柔軟なシステム構築及び高速通信を可能としたシリアル通信システムを提供する。
【解決手段】第1装置ないし第3装置のそれぞれは、通信ドライバ及びレシーバ、通信経路に対してスイッチにより選択的に接続可能にされた終端抵抗、スイッチを制御する制御手段、入力コネクタ及び出力コネクタを有する。第1装置ないし第3装置は、1つの装置の出力コネクタが他の装置の入力コネクタと通信線を含む接続手段で接続されてシリアル接続される。第1装置ないし第3装置の上記制御手段は、入力コネクタ及び出力コネクタの両方に上記接続手段が接続された状態を検知してスイッチを制御して終端抵抗を通信経路に接続しない第1動作、又は入力コネクタ又は出力コネクタのいずれれか一方のみに上記接続手段が接続された状態のときにスイッチを制御して終端抵抗を通信経路に接続する第2動作を行う。 (もっと読む)


【課題】安定して良好な電気的接触が可能な安定して良好な電気的接触が可能なプローブ試験方法と半導体ウェハ及びプローブカードを提供する。
【解決手段】半導体集積回路は、内部試験回路により電気的試験が行われる複数の第1パッドと、外部の試験装置により電気的試験が行われる複数の第2パッドとを有する。半導体ウェハは、半導体集積回路が碁盤目状に形成され、複数の第1パッドにそれぞれ対応するものに隣接して配置され、複数のダミーパッドを有する。プローブカードは、接触電極の針先荷重を接触面に対してZ方向にかけるものであり、複数の第2パッドに対応した複数の第1プローブと複数のダミーパッドに対応した複数の第2プローブとを有する。プローブ試験において、プローブカードの上記複数の第1及び第2プローブを半導体集積回路の複数の第2パッドと複数のダミーパッドにそれぞれ接触させる。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で高速化を図りつつ誤動作を防止したシリアル通信方法及び双方向リアル通信システムを提供する。
【解決手段】双方向シリアル通信システムは、第1モジュールと、第2モジュールと、上記第1モジュール及び第2モジュールが接続される幹線バスとを有する。上記第1及び第2モジュールは、それぞれ送信部及び受信部をそれぞれ有する。上記送信部は、送信データの先頭部にプリアンブルを有し、上記送信データの最後尾にフレーム終了信号を挿入して信号伝達線路をハイインピーダンス状態にする。上記受信部は、上記終了信号を検知し、一定期間受信回路の受信動作を停止ないし受信データを無効にする。 (もっと読む)


【課題】簡単な構成で高速化と小型化を実現した記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体不揮発性メモリ、半導体揮発性メモリ、上記半導体不揮発性メモリ及び半導体揮発メモリに対してメモリアクセスを行うコントローラを有する。上記コントローラは、中央処理装置と、制御論理回路とを有する。上記制御論理回路は、上記半導体不揮発性メモリと上記半導体揮発性メモリとの間でのデータ転送動作を第1周波数に対応したメモリ制御を分担する。上記中央処理装置は、上記第1周波数よりも低い第2周波数に対応して上記制御論理回路が行うメモリ制御以外のメモリ制御動作を分担する。 (もっと読む)


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