【課題】半導体装置の実装時の接続信頼性の向上を図るとともに、半導体装置の製造工程における工程管理の容易化を図る。
【解決手段】半導体チップ２を支持するタブ１ｅと、半導体チップ２が樹脂封止されて形成された封止体３と、銅合金によって形成されるとともに、封止体３の裏面３ａに露出し、かつ露出した被実装面１ｄに半田めっき層８が形成された複数のリード１ａと、半導体チップ２のパッド２ａとこれに対応するリード１ａとを接続するワイヤ４とからなり、製造工程において樹脂モールド後に封止体３の裏面３ａをブラシによって研磨することにより、リード１ａの封止体３の裏面３ａから露出した幅方向の両エッジ部を湾曲面とし、前記湾曲面を含むリード１ａの被実装面１ｄの中央部を封止体３の裏面３ａより突出させて実装時の接続信頼性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】ＤＭＡコントローラ等のＣＰＵ以外のバスマスタからのバス使用権要求によりＣＰＵにおける処理が滞ってシステムのスループットが低下するのを防止できるシングルチップマイコンを実現する。
【解決手段】ＣＰＵ優先レベル制御回路（１１９）を設け、そこに設定された優先レベルを示す信号をＣＰＵ以外のバスマスタ（ＤＭＡコントローラ１１３，１１５）に供給して、当該ＣＰＵ以外のバスマスタに設定されている優先レベル（比較基準値）とＣＰＵのその時点の優先レベルとを比較して動作（ＤＭＡ転送）を開始するか否か判定するように構成した。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウムを主成分とする導体膜パターンを有する半導体集積回路装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】 アルミニウムを主成分とする導体膜１６ｄを有する第１層配線Ｌ１をドライエッチング法によってパターニングした後、その加工側壁の側壁保護膜１８およびエッチングマスクとして使用したフォトレジストパターン１７ａをプラズマアッシング処理によって除去する。続いて、絶縁膜１５ｂおよび第１層配線Ｌ１の表面に付着した塩素成分を、酸素ガスとメタノールガスとの混合ガスを用いたプラズマアッシング処理によって除去する。この際、フォトレジストパターン１７ａ等のアッシング除去処理時は、ウエハの主面温度が相対的に低くなるようにし、塩素成分の除去処理時は、ウエハの主面温度が相対的に高くなるようにする。また、それらのプラズマアッシング処理を別々の処理室で行う。 （もっと読む）

【目的】半導体基板面内の部分的なチャージアップ現象に伴って発生するゲート耐圧の低下を防止する。
【構成】プラズマフラドガン１２は、ファラデーチャンバ２１の上部に設けられており、左右に移動可能となっている。その移動機構は、電気的な動力手段、例えば、モータ２４を回転させることにより、モータの回転軸に取付けられたネジ状のギア２２が回転して、ギア２２に接続されたプラズマフラドガン１２が左右に移動する機構を用いてる。この場合ギア２２は、潤滑剤や異物がファラデーチャンバ２１内へ飛散するのを防止し、なおかつプラズマフラドガン１２が左右に移動可能なように、蛇腹状のカバー２３で覆う。モータ２４の回転制御は、イオンビームのスキャン信号２５ａあるいはそれと同期させたモータ制御信号２５ｂにより行う。 （もっと読む）