【課題】 希土類多ホウ化物において、高温（９００Ｋ以上）で優れたｎ型の熱電的性質を有する新しい機能を示す多ホウ化物を提供することを目的としている。
【解決手段】 一般式ＲＥＢ_22+XＣ_4+YＮ_1+Z（−６＜Ｘ＜６、−３＜Ｙ＜３、−１＜Ｚ＜１、ＲＥは、Ｓｃ、Ｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｌｕからなる群から選ばれる少なくとも１種の希土類元素）で表される、三斜晶系または菱面体系に属する炭素、窒素をドープしてなる希土類多ホウ化物を提供することによって解決する。 （もっと読む）

【課題】 任意の低誘電率溶媒の存在有無を容易に判定するに好ましく材料設計され、再利用可能なコロイド材料、および、その判定方法を提供すること
【解決手段】 低誘電率溶媒の有無を判定するためのコロイド材料は、低誘電率溶媒に対して耐溶媒性を有し、周期的に配列された粒子と、粒子間の間隙を埋める高分子材料とを含む。粒子は、シリカ、チタニア、および、これらの複合酸化物からなる群から選択され、粒子の径は、６９ｎｍ〜２７６ｎｍの範囲であり、粒子の屈折率と、高分子材料の屈折率との差が、±０．０２以上の範囲であり、高分子材料の屈折率は、１．４〜１．７の範囲であり、低誘電率溶媒の溶解度パラメータと、高分子材料の溶解度パラメータとの差が、±１．５未満の範囲である。 （もっと読む）

【目的】 レーザによる蒸発が多い鋼板や亜鉛メッキ鋼板や各種アルミニウム合金、その他不純物元素の多い鋼板をレーザ・アークハイブリッド溶接するに際し、アークとレーザにより形成されるレーザプルームとの相互作用によって生じるマイナス効果を確実に防止できる溶接方法を提供する。
【構成】 パルスアークの近傍にレーザを照射するレーザ・アークハイブリッド溶接において、アーク電流およびアーク電圧と同期してレーザ出力を変動させるとともに、アーク出力がベース出力からピーク出力に変化する時点よりあらかじめ設定した遅延した時点にレーザ出力をピーク出力からベース出力に変化させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の層間絶縁膜などに有用な誘電率が低く、かつ機械的強度が高い絶縁膜を得る。
【解決手段】絶縁膜用材料として、ｎ−ブチルジメチルメトキシシラン、ｎ−ブチルメチルシラノン、ｎ−ブチリデンメチルメトキシシラン、ｎ−ブチリデンシラノン、アリルジメチルメトキシシラン、アリルメチルシラノン、アリリデンメチルメトキシシラン、アリリデンシラノン、ビニルエチルメチルメトキシシラン、ビニルエチルシラノンなどを用い、プラズマＣＶＤ法によって成膜する。ＣＯ_２、Ｏ_２、Ｈ_２Ｏ、ＮＯ、Ｎ_２Ｏ、ＮＯ_２、ＣＯ、Ｈ_２、炭素数３の炭化水素基を有する鎖状炭化水素、アルコール類、エーテル類を成膜時に同伴させてもよい。 （もっと読む）

【課題】ＧＭＡ溶接法によって鋼材を溶接する際に、溶接金属中の溶存酸素濃度を１００ｐｐｍ以下にすることができ、かつアークの安定性も維持しつつ、良好なビード形成が得られるようになる。
【解決手段】ケース１と、このケース内に設けられたチップボデイ２と、このチップボデイの先端に取り付けられたチップ４と、このチップを囲むノズル９を有し、ケースとチップボデイとの間に空隙２が形成され、この空隙の先端部がシールドガスの噴射口１１とされ、ケースの先端部で、かつノズルの内側に複数の添加ガスの噴射孔８が放射状に設けられた溶接トーチを用い、不活性ガスからなるシールドガスを消耗電極となるワイヤ５に向けて供給し、酸化性ガスと不活性ガスとの混合ガスからなる添加ガスを溶融池外縁に向けて供給する。 （もっと読む）

【課題】分極性電極としてカーボンナノチューブを用いた電気二重層キャパシタにおいて、その容量特性を改善することができる手段及び積層セルの構造と製造工程の簡略化を図ることのできる手段を提供する。
【解決手段】基板からカーボンナノチューブが成長する過程で、その炭素構造内に炭素以外の異元素を導入する。この異元素は、周期表第IIIＢ族及び／又は第ＶＢ族の元素であり、とくにIIIＢ族元素がボロン、ＶＢ族元素が窒素であることが好ましい。また、プラス極のカーボンナノチューブには第IIIＢ族異元素を、マイナス極には第ＶＢ族異元素をそれぞれに導入する。さらに、基板の両面にカーボンナノチューブを同時に成長させた電極を用い、これをセパレータを介して積み重ねることにより、電気二重層キャパシタの積層セルを構成する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ法により絶縁膜を製造する際の材料ガスとして、蒸気圧が高く、容易にガス状で供給できる材料を使用し、誘電率が低く、かつ、機械的強度が高く、半導体装置の層間絶縁膜等に有用な低誘電率絶縁膜を成膜する方法及び低誘電率絶縁膜を提供する。
【解決手段】 プラズマＣＶＤ法により絶縁膜を成膜するときの材料ガスとして、一般式Ｓｉ_αＯ_βＣ_γＨ_δ（α＝１〜３，β＝０〜８，γ＝０〜８，δ＝４〜２４）で示されるＳｉ系化合物と、一般式Ｃ_εＯ_ζＨ_η（ε＝１〜８，ζ＝０〜１０，η＝２〜１４）で示される炭化水素系化合物と、添加剤とをそれぞれガス化して供給する。 （もっと読む）

【課題】 高発光効率で紫外光を発光する発光素子を提供する。
【解決手段】 ｎ型β−Ｇａ_２Ｏ_３基板あるいはｎ型（ＡｌＧａ）_２Ｏ_３基板と、前記基板上に形成された界面制御層と、前記界面制御層上に形成されたＡｌＧａＮ半導体層によって構成された発光部とを含む発光素子。 （もっと読む）

【課題】 青色〜紫外領域の発光材料、高温高電力電子デバイス用材料として有用な、窒化ガリウムからなる中空の球状粒子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 アンモニアガスとアルゴンガスとの混合ガス気流中で、塩化ガリウムの粉末４を１０００〜１２００℃で１．０〜１．５時間加熱する。これにより、直径１５〜２０ｎｍ、肉厚３．５〜４．５ｎｍを有する窒化ガリウムからなる中空の球状粒子を製造することができる。この場合、アンモニアガスと不活性ガスとの流量比が、４０：６０〜６０：４０の範囲であり、アンモニアガスと不活性ガスとの流量の和が、４００〜５００ｓｃｃｍの範囲であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ストップバンド幅（不透過帯）が制御されたコロイド結晶ゲルの製造方法を提供する。ここに、「ストップバンド幅の制御」とは、コロイド結晶ゲルのストップバンド幅を任意に変化させることを意味する。
【解決手段】 本発明のコロイド結晶ゲルを製造する方法は、溶媒とモノマーと架橋剤と光重合開始剤と周期的に空間配列された粒子とを含むコロイド結晶を提供する工程と、コロイド結晶に臨界照射条件を満たさない光を照射する工程と、コロイド結晶を保持する工程とを包含する。 （もっと読む）