【課題】結晶欠陥の発生を低減できる単結晶の製造方法、および単結晶から結晶欠陥が発生した部位を効率よく検知して除去することができる半導体ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により単結晶を引き上げる過程において、検出される単結晶の直径と引き上げ速度の目標値に基づき、引き上げ速度の操作を制限するスパンおよびヒータ温度の設定値を演算し、引き上げ速度をスパン内で操作するとともに、ヒータ温度を設定値に操作して単結晶の直径を制御する際に、引き上げ速度の実績値から算出される移動平均の揺らぎを制御することを特徴とする単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥の少ない高品質な単結晶を得ることができる単結晶の製造方法、およびそれにより製造された単結晶を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により単結晶を引き上げる前に引き上げ長に対する引き上げ速度の目標値を設定し、引き上げる過程において、引き上げ速度の目標値および検出される単結晶の直径に応じ、引き上げ速度およびヒータ温度を操作することにより、単結晶の直径を制御する直径方式と（Ｓ６）、引き上げ速度を操作する際の上下限値を引き上げ速度の目標値に基づいて設定するとともに（Ｓ２）、引き上げ速度の目標値を速度の上下限値に基づいて修正することにより（Ｓ３）、引き上げ速度の移動平均を制御する移動平均方式を用いて単結晶を製造する方法であって、引き上げ速度の目標値から算出される移動平均、および引き上げ速度の実績から算出される移動平均に応じ、移動平均方式を有効または無効とする（Ｓ１）。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハの生産性を向上できるようにする。
【解決手段】エピタキシャル成長装置１０は、ウェーハに対してエピタキシャル成長を施す成長反応室１２と、ガス供給源Ｓから供給された気体を、成長反応室１２内から排出する排出管２６と、ガス供給源Ｓから供給された気体を、成長反応室１２を通さずに排出するベント側管２３とを有し、複数のエピタキシャル成長装置１０の排出管２６のそれぞれに対応してその下流に接続され、流入する気体の浄化処理を行う複数のスクラバー２９と、複数のエピタキシャル成長装置１０のベント側管２３の下流に接続され、流入する気体の浄化処理を行うスクラバー３７とを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】 レーザ加工によって半導体ウェーハの深さ方向の任意の位置にアライメントマークを形成することが可能な半導体ウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明に係る半導体ウェーハの製造方法は、半導体ウェーハ２０の両面２０ａ，２０ｂのいずれか一方の面２０ａから、該半導体ウェーハの任意の所定深さ位置２１に焦点を合わせてレーザ光線１０を照射することにより、所定深さ位置２１にある半導体ウェーハの特定部分のみに多光子吸収過程を生じさせて、半導体ウェーハ２０の位置合わせを行うためのアライメントマーク２２を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】適切な形状のウェーハを容易に製造することができるようにする。
【解決手段】研磨パッド１５の累積使用時間と、累積使用時間の研磨パッドによる研磨処理による研磨量を、第１の形状から第２の形状とするために研磨すべき目標研磨量に調整するために、ウェーハＷの各領域に対して形成しておくべき酸化膜厚とを対応付けて酸化膜厚情報記憶部２４ｃに記憶し、累積使用時間を取得し（ステップＳ２）、取得した累積使用時間に対応する酸化膜厚を検出し（ステップＳ３）、検出した酸化膜厚の酸化膜をウェーハＷの各領域に対して形成し（ステップＳ５）、酸化膜が形成されたウェーハに対して、研磨パッド１５による研磨処理を実行するようにする（ステップＳ６）。 （もっと読む）

【課題】ミスト成分が十分に除去された液体原料の蒸気を生成することが可能なバブリング装置を提供する。
【解決手段】バブリング装置１０は、液体原料１７を収容する容器１１と、液体原料１７が供給される液体原料供給口１２と、キャリアガスが供給されるキャリアガス供給口１３と、容器１１内のガスを排出するガス排出口１４と、キャリアガスを用いて液体原料１７をバブリングさせる下部フィルタ１５と、バブリングによって得られた液体原料１７の蒸気を含むキャリアガスから液体原料１７のミスト成分を除去する上部フィルタ１６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体基板においてゲッタリングされた不純物金属の再拡散を抑止でき、デバイス活性領域の洗浄度を向上させたゲッタリング方法を提供することにある。
【解決手段】デバイス活性領域と異なる半導体基板内部の領域に、酸素起因欠陥（ＢＭＤ）よりなるゲッタリング層を有する半導体基板の表面に、正の電荷を有する膜である酸化膜を付加する。この半導体基板を５０°Ｃ超え３００°Ｃ以下の温度、好適には１００°Ｃで、３０分以上２時間以内の所定時間加熱することにより、半導体基板内部に拡散した金属不純物をゲッタリング層にトラップする。 （もっと読む）

【課題】デバイスプロセス中にかかる応力によって割れることがないシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるシリコンウェーハの製造方法は、シリコン単結晶インゴットから切り出されたウェーハをラッピングする工程と、ラッピングされたウェーハの裏面に深さ１０μｍ以上のレーザマークを印字する工程と、レーザマークが印字された前記ウェーハをエッチングする工程を有している。エッチング工程では、レーザマークの深さｘ（μｍ）がｘ≦６０のときｙ≧４を満たし、ｘ＞６０のときｙ≧０．００１ｘ^２−０．１１８６ｘ＋８．０６４３を満たすようにそのエッチング量ｙ（μｍ）が制御される。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェーハにミスフィット転位が発生するか否かを適切に判断できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ウェーハの抵抗率及び成長させるエピタキシャル層の厚さと、ミスフィット転位の発生有無との関係を特定し、所望する抵抗率及びエピタキシャル層の厚さの指定を受け付け（ステップＳ１）、ミスフィット転位が発生するか否かを判定し（ステップＳ２）、発生すると判定した場合に、ゲルマニウムと赤燐をドープすることにより所望の抵抗率となるウェーハのためのシリコンインゴットを生成し（ステップＳ４）、ウェーハを切り出し（ステップＳ７）、受け付けたエピタキシャル層の厚さ以下のエピタキシャル層を形成する（ステップＳ９）。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩウエーハのシリコン膜厚を目視により検査する方法を実現する。
【解決手段】光源から放出される赤外線に近い波長を含む可視光２をＳＯＩウエーハ１の表面４に斜めに照射し、ＳＯＩウエーハ１から反射される反射光７，８の干渉縞を目視観察することにより、シリコン膜厚を検査する。 （もっと読む）