【課題】ウェーハの画像から適切に欠陥を検出することができるようにする。
【解決手段】画像中のウェーハＷの検査対象の領域内の各画素について、所定の直線方向に並ぶ複数の画素中の当該画素を含む所定の範囲内の複数の画素の輝度を平均した移動平均輝度を算出し、各画素における移動平均輝度と、各画素の輝度との差分値を算出し、各画素についての差分値と、閾値とを比較することにより、各画素が欠陥候補画素であるか否かを判定し、欠陥候補画素に基づいて、ウェーハにおける欠陥を検査する画像処理部６ｂを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】インゴットの切断面の反りの発生を未然に防ぐように、バンドソー切断機のブレードを高効率にドレッシングするドレッシング装置および方法、並びにバンドソー切断機を提供する。
【解決手段】本発明のバンドソー切断機の環状回転ブレードの周縁に形成した砥粒層を研磨するドレッシング装置は、ブレードに対して相対的に移動する装置本体に、該ブレードの回転軸方向を横切る向きにて砥粒層に押圧されるドレッシングストーンを回動可能に取り付け、該ドレッシングストーンと前記砥粒層との接触面が前記装置本体の移動に合わせて更新可能になることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ製造後のデバイス作製工程においてスリップが発生することのないシリコンウェーハを提供するための熱処理方法を提供する。
【解決手段】デバイス作製工程において、シリコンウェーハが受ける熱応力に起因してシリコンウェーハにスリップが発生する限界である臨界せん断応力と、シリコンウェーハの製造段階で施す熱処理を経た該ウェーハにおける酸素析出物のサイズＬに対する残存酸素濃度Ｃ_ｏの比Ｃ_ｏ／Ｌとの相関を、デバイス作製工程の温度条件毎に予め求めること、シリコンウェーハを供する実際のデバイス作製工程の温度条件に対応する相関に基づいて、実際のデバイス作製工程においてシリコンウェーハが受けるせん断応力を超える臨界せん断応力に対応するＣ_ｏ／Ｌを求めること、該Ｃ_ｏ／Ｌ以上となる条件の下に熱処理を施すことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査に適したウェーハの画像を効率よく取得できるようにする。
【解決手段】受光部２により撮像された検査対象のウェーハＷの画像の平均輝度が欠陥検出可能範囲内にあるか否かを判定し、ウェーハＷの画像の平均輝度が欠陥検出可能範囲内にないと判定した場合に、ウェーハＷを撮像する際の露光時間を変更して、受光部２によりウェーハＷの画像を再度取得させる制御処理部６ａと、ウェーハＷの画像の平均輝度が欠陥検出可能範囲内にあると判定された場合に、当該ウェーハＷの画像に基づいて欠陥検査を行う画像処理部６ｂとを有するように構成する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの研磨方法、研磨パッド、研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨液２６が供給された研磨パッド１４にウェーハ３４の被研磨面３４ａを圧接し、前記ウェーハ３４と前記研磨パッド１４との相対運動により前記被研磨面３４ａを研磨するウェーハ３４の研磨方法であって、前記研磨パッド１４の表面１６ａで開口し前記研磨液２６を貯留可能な貯留部２２を前記表面１６ａにパターン状に形成し、前記研磨液２６を前記研磨パッド１４に含浸させ、かつ前記貯留部２２に前記研磨液２６を貯留させた状態で前記被研磨面３４ａを研磨し、前記被研磨面３４ａの研磨に伴い前記研磨パッド１４から排出される研磨液２６の分だけ前記貯留部２２に供給された研磨液２６を前記研磨パッド１４に含浸させつつ前記被研磨面３４ａの研磨を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度を、高い信頼性をもって測定するための手段を提供すること。
【解決手段】鉄濃度既知のボロンドープｐ型シリコンにおいてＦｅ−Ｂペアの乖離中と結合中のフォトルミネッセンス強度の差分ΔＰＬを求めること、求められたΔＰＬと既知の鉄濃度とに基づき、（ΔＰＬ）²と鉄濃度との相関関係を示す一次関数を求めること、測定対象であるボロンドープｐ型シリコンにおいてＦｅ−Ｂペア乖離中と結合中のフォトルミネッセンス強度の差分ΔＰＬを求め、上記求められた一次関数により鉄濃度を算出すること、を含む、ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度測定方法。 （もっと読む）

【課題】粒径が大きい固定砥粒を原因とした研削マークを検出可能な研削加工中の砥石の品質管理方法を提供する。
【解決手段】基準砥石により被研削物の研削時に発生するシリコンスラッジ中のシリコン粉の基準表面積を求める一方、砥石を用いて被研削物と同一の被研削物を研削した際に発生するシリコンスラッジ中のシリコン粉の実測表面積を求め、その後、実測表面積と基準表面積との差から研削砥石の品質を検出するので、シリコンスラッジのシリコン粉の表面積の変化から、大径の固定砥粒を原因とした研削マークを簡単に検出できる。 （もっと読む）

【課題】設置時の水平出しが不十分であったり設置場所の傾きが変化する場合にも、研磨液の分配の偏りを低減することができる研磨液分配装置及びこれを備えた研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨液分配装置１０は、供給された研磨液を蓄える液受皿１２２が形成されるとともに、液受皿１２２の側面に放射状に接続され該接続の位置よりも低い位置に研磨液を供給する供出口１２３を有する複数の流路１２１が形成された円錐状の分岐体１２と、分岐体１２を支持する支持部１１と、分岐体１２の重心よりも高い位置で支持部１１を介して分岐体１２を支持する自在継手機構とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 基板に対してフラッシュランプアニールのような高温かつ短時間の熱処理を施す場合に、裏面のキズやクラックを起点とする基板の割れを抑制することが可能な基板の製造方法および基板を提供すること。
【解決手段】 本発明の基板の製造方法の一実施形態は、半導体ウェーハ１０の裏面１２に、圧縮応力を負荷する膜１３を形成する第１工程と、表面１１に対して閃光を照射することによって、半導体ウェーハ１０の表面１１のみに高温かつ短時間の熱処理を施す第２工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの表面欠陥を簡便に高い信頼性をもって検査し得る手段を提供すること。
【解決手段】検査対象である半導体ウェーハの表面に向かって光源部から検査光を照射すること、ウェーハ表面の検査光が照射された照射領域からの散乱光を検出すること、ならびに、検出された散乱光に基づきウェーハ表面の欠陥の有無および／またはその程度を評価すること、を含む半導体ウェーハの表面検査方法。前記検査光をウェーハ表面に対して斜め方向からウェーハ半径以上の幅をもって入射させることにより、前記ウェーハ表面に、ウェーハ半径以上の幅を有しウェーハ中心を含む照射領域を形成し、前記ウェーハおよび光源部の少なくとも一方を移動させることにより前記検査光をウェーハ全面に走査させる。 （もっと読む）