【課題】電磁誘導加熱にプラズマ加熱を併用して、太陽電池の基板材として用いられる、太陽電池としての変換効率が高く維持された多結晶シリコンインゴットを製造することができるシリコンインゴットの製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】無底冷却モールド１と、加熱用誘導コイル２を有し、さらに、加熱源としてプラズマトーチ３を有し、電磁誘導加熱とプラズマ加熱を併用するシリコンインゴットの製造装置であって、前記プラズマトーチ内に配設されたプラズマ電極１２として銅（Ｃｕ）を用いる製造装置。前記プラズマ電極を陽極とし、被加熱物であるシリコン１１を陰極とすれば（図１（ｃ）参照）、電極の消耗を僅少に抑えるとともに、太陽電池を構成したときの変換効率を向上させ得るので望ましい。本発明の製造方法は、この装置を用いて容易に実施することができる。 （もっと読む）

【課題】安価、且つ、少ない機械的ダメージでウェーハを所望の厚さに薄厚化することができ、また、金属汚染や研削粉が発生し難い半導体ウェーハの薄厚化方法、および該薄厚化方法を用いた貼り合せウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの内部に焦点を合わせてレーザー光を照射し、多光子吸収により半導体ウェーハの内部に脆化層を形成する脆化層形成工程と、脆化層を起点として半導体ウェーハを２枚に分離して、半導体ウェーハを薄厚化する薄厚化工程とを含む半導体ウェーハの薄厚化方法である。また、半導体ウェーハの薄厚化方法を利用した貼り合せウェーハの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】プラズマアークによるプラズマ加熱を併用して、太陽電池の基板材としての高品質の多結晶シリコンインゴットを製造するに際し、最終凝固位置においてクラックを生じさせずに安定して製造することができるシリコンの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】無底冷却モールド１と、加熱用誘導コイル２を有し、前記誘導コイルによる電磁誘導加熱により溶融したシリコンを下方に引き下げ凝固させるシリコンの電磁鋳造装置であって、さらに、移行式プラズマアークを発生させるプラズマトーチを有し、かつ、溶融シリコン４表面に対向可能に構成された、前記誘導コイルによる電磁誘導によって発熱するトップヒーター３を備える電磁鋳造装置。トップヒーターが２個以上に分割されたものであれば、最終凝固時に、溶融シリコンの表面全体を高温に維持し、全体が高品質のインゴットを得ることができるので望ましい。 （もっと読む）

【課題】鋳造されたシリコンインゴットから切り出されたウェーハにおいて、局所的に金属不純物により汚染された異常部が発生するのを抑え、金属不純物による汚染を低減できるシリコンインゴットの連続鋳造装置および連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】電磁鋳造法により多結晶シリコンを連続的に鋳造する際に用いられ、導電性を有し、シリコン原料を溶解させて連続鋳造する無底の冷却ルツボ７と、冷却ルツボ７を固定する天板１０と、冷却ルツボ７の外側を囲繞し、冷却ルツボ７の内側に装入されたシリコン原料を電磁誘導により加熱する誘導コイル８とをチャンバー１内に備えたシリコンインゴットの連続鋳造装置において、冷却ルツボ７の上面に冷却ルツボの内側と外側を仕切る仕切り部材１７を設けることを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、貼り合わせウェーハの外周部の接合強度を強化することにより、ボイドの発生を抑制し、且つデバイス製造歩留まりを向上させることを目的とする。
【解決手段】本発明の貼り合わせウェーハの製造方法は、2枚の貼り合わせ用ウェーハを貼り合わせるに先立って、2枚の貼り合わせ用ウェーハのうち少なくとも一方のウェーハを、該ウェーハの直径より大きい直径を有する平行板電極に載置し、該ウェーハの貼り合わせ側の面に対してプラズマ処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、複雑な雰囲気圧力の制御を必要とすることなく、比抵抗のばらつきが小さいシリコン単結晶を確実に製造できる方法を提供することにある。
【解決手段】揮発性ドーパントを添加したシリコン融液から、チョクラルスキー法によって比抵抗値が10Ω・cm以上のｎ型シリコン単結晶の引き上げを行うシリコン単結晶の製造方法であって、シリコン単結晶を引き上げる際の雰囲気圧力を調整しつつシリコン単結晶の引き上げを開始し、雰囲気圧力が所定圧力に達した後、引き上げ終了まで所定圧力±0.5kPaの範囲に雰囲気圧力を維持することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】電磁鋳造法による連続鋳造の際に、チャンバー内で自然対流する雰囲気ガスに起因して、溶融シリコンが金属不純物で汚染されることを防止できるシリコンインゴットの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１内に配置した無底冷却ルツボ７にシリコン原料１１を装入し、誘導コイル８からの電磁誘導加熱によりシリコン原料１１を融解させ、この溶融シリコン１２を冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット３を連続鋳造する電磁鋳造装置において、チャンバー１の側壁の上部と下部に連結され、冷却ルツボ７の上方の雰囲気ガスを導入して冷却ルツボ７の下方に送り出す通気管１５を備え、この通気管１５の経路に集塵機２０および磁選機２１を設ける。 （もっと読む）

【課題】再利用可能な資源用のシリコンスラッジ中への接着剤層の切削屑および固定板の切削屑の混入を防止できるワイヤソー切断スラッジの回収方法およびその装置を提供する。
【解決手段】シリコンインゴットの切断開始後、ワイヤ列が接着剤層に達する直前までに発生した資源用のシリコンスラッジと、その後のスライス中に発生した接着剤層の切削屑および固定板の切削屑を含む廃棄用スラッジとを別々に回収する。これにより、再利用可能な資源用のシリコンスラッジ中への接着剤層の切削屑および固定板の切削屑の混入を防止できる。 （もっと読む）

【課題】減圧濾過中のフィルタの目詰まりを回避可能な減圧濾過式シリコンスラッジ洗浄方法を提供する。
【解決手段】減圧濾過の条件として、シリコン粉Ｓを含む固形分の平均粒径を１〜１０μｍとし、洗浄液中またはリンス液中の固形分の濃度を１〜１０重量％とし、網状フィルタの網目サイズを固形分の平均粒径の５〜１０倍としたので、減圧濾過の開始後間もなく、各網目１４ａの直上に負圧の作用で固形分が集合したドーム１５が形成される。ドーム１５は多孔質であるため、減圧濾過中の網状フィルタの目詰まりを回避できる。 （もっと読む）

【課題】インゴットの外周部において不純物による汚染を低減することができるシリコンインゴットの連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー１内に不活性ガスを供給しつつ、当該チャンバー１内に配置した導電性を有する無底冷却ルツボ７にシリコン原料を装入し、無底冷却ルツボ７を囲繞する誘導コイル８からの電磁誘導加熱によりシリコン原料を溶解させ、この溶融シリコン１２を無底冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴットを連続鋳造する方法において、チャンバー１内に不活性ガスを供給する際に、不活性ガスを溶融シリコン１２の上方に供給するとともに、シリコンインゴット３の下部に供給し、当該下部に供給した不活性ガスをシリコンインゴットの外周に流通させることを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造方法である。 （もっと読む）