説明

株式会社SUMCOにより出願された特許

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【課題】高効率な発電パネル用の多結晶シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】一辺が118mm以上の四角形である多結晶シリコンウェーハであって、第1乃至第4の外周領域a1〜a4と、いずれも外周領域にも属さない中央領域bとを含み、第1の外周領域a1におけるライフタイムは、中央領域bにおけるライフタイムよりも短く、第2及び第3の外周領域a2,a3におけるライフタイムは、中央領域bにおけるライフタイムと実質的に等しく、中央領域bにおけるライフタイムは、30μs以上である。本発明によれば、多結晶シリコンインゴットの断面をマトリクス状に4分割又は6分割することによって切り出すことができるとともに、ライフタイムが30μs以上である領域を全体の1/3以上とすることができる。これにより、16%以上の変換効率を確保することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】異形ブロックであっても適正な製品加工が可能なシリコンブロックの外形測定方法を提供する。
【解決手段】本発明によるシリコンブロックの外形測定方法は、シリコンインゴットから切り出された略四角柱のシリコンブロックの長手方向と平行な4つの側面を被測定面とし、各被測定面において複数の測定点の座標を求め、複数の測定点の中からシリコンブロックの内側寄りの2点を選択した後、当該2点を通過する直線を各被測定面ごとに求めることにより4本の直線を定義し、4本の直線の交点同士を結ぶことによって得られる2本の対角線のうち短いほうの対角線を基準対角線Dとして定めると共に、当該基準対角線の中点Oを求め、前記基準対角線Dの角度θDSと前記基準対角線の中点Oに基づいて製品ブロックSQの有効範囲の座標及び研削代を求める。 (もっと読む)


【課題】電磁誘導加熱にプラズマ加熱を併用して、太陽電池の基板材として用いられる、太陽電池特性(ライフタイム)が良好に維持された多結晶シリコンを製造することができるシリコンインゴットの製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】無底冷却モールド1と、加熱用誘導コイル2を有し、さらに、加熱源としてプラズマトーチ3を有し、電磁誘導加熱とプラズマ加熱を併用するシリコンインゴットの製造装置であって、前記プラズマトーチ内に配設されたプラズマ電極12としてタングステン(W)を用いる製造装置。前記プラズマ電極を陽極とし、被加熱物であるシリコン11を陰極とすれば、電極の消耗、電極金属による汚染を僅少に抑え、ライフタイムをより長く維持できるので望ましい。本発明の製造方法は、この装置を用いて容易に実施することができる。 (もっと読む)


【課題】支持基板用ウェーハに酸化膜を残した状態で簡便に酸化膜残渣だけを除去し得る貼り合せウェーハの製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】活性層用ウェーハと、支持基板用ウェーハとを酸化膜を介して貼り合せ、複合ウェーハを形成する貼り合せ工程と、複合ウェーハに熱処理を施し、貼り合せ界面の接合を強化する熱処理工程と、熱処理後の活性層用ウェーハの外周部を面取りするトリミング工程と、面取りした活性層用ウェーハの外周部をエッチングして活性層用ウェーハの酸化膜の外周部を露出させるエッチング工程と、酸化膜の外周部に粘着テープを貼り付けた後、粘着テープを剥離して、酸化膜の一部を除去する酸化膜除去工程とを含む貼り合せウェーハの製造方法である。また、酸化膜の外周部に粘着テープを貼り付けるテープ貼り付け手段と、粘着テープを剥離して酸化膜を除去するテープ剥離手段とを備える貼り合せウェーハの製造装置である。 (もっと読む)


【課題】n型シリコンインゴットを電磁鋳造する際に、蒸発し易いドーパントを用いる場合であっても、インゴットの長手方向で抵抗率を均一化することができる電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー1内に配置した導電性を有する無底冷却ルツボ7にシリコン原料11およびドーパントを投入し、ルツボ7を囲繞する誘導コイル8からの電磁誘導加熱によりシリコン原料11およびドーパントを溶解させ、この溶融シリコン12をルツボ7から引き下げながら凝固させてn型のシリコンインゴットを連続鋳造する電磁鋳造方法において、チャンバー1内を常圧よりも高い圧力に維持して電磁鋳造を行う。 (もっと読む)


【課題】シリコンインゴットを電磁鋳造する際に、雰囲気ガス中に含まれる金属不純物、または過剰な酸素や炭素に起因して、溶融シリコンが金属不純物で汚染されたり、溶融シリコン中の酸素濃度や炭素濃度が増大することを抑制できる電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】チャンバー1内に配置した導電性を有する無底冷却ルツボ7にシリコン原料11を投入し、ルツボ7を囲繞する誘導コイル8からの電磁誘導加熱によりシリコン原料11を溶解させ、この溶融シリコン12をルツボ7から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット3を連続鋳造する電磁鋳造方法において、チャンバー1内を常圧よりも低い圧力に維持して電磁鋳造を行う。 (もっと読む)


【課題】シリコンウェーハが直接曝露される環境雰囲気のボロンおよびリンからなる群から選ばれる不純物による汚染を、高精度に評価する手段を提供すること。
【解決手段】環境雰囲気の不純物汚染評価方法。上記評価対象不純物は、ボロンおよびリンからなる群から選ばれる少なくとも一種である。評価対象雰囲気中でホットプレート上にシリコンウェーハを配置し加熱することにより該シリコンウェーハ表面に酸化膜を形成すること、上記酸化膜形成後のシリコンウェーハを、引き続き評価対象環境雰囲気中に所定時間放置すること、次いで上記酸化膜表面を回収液と接触させること、上記酸化膜表面と接触させた回収中の評価対象不純物量を測定すること、および、測定された評価対象不純物量に基づき、前記環境雰囲気中の不純物汚染レベルを判定すること、を含む。 (もっと読む)


【課題】鋳造されたインゴットが不純物で汚染されるのを低減できるとともに、冷却ルツボの内面が損傷するのを軽減できるシリコンインゴットの連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】軸方向の一部が周方向で複数に分割された無底の冷却ルツボ7を誘導コイル8内に配置し、誘導コイル8による電磁誘導加熱により、冷却ルツボ7内に溶融シリコン13を形成し、冷却ルツボ7から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット3を連続鋳造する方法において、冷却ルツボ7として、その内面7aのうちの溶融シリコンの外面13aおよびシリコンインゴットの外面3aと対向する部分7bに、Ni−B合金めっきが施されたものを用いることを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造方法である。 (もっと読む)


【課題】銅製の冷却モールドに起因するシリコンインゴットの銅による汚染を抑制して、太陽電池の基板材の素材として好適なシリコンインゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン原料を銅製の無底冷却モールド1に装入し、電磁誘導により溶融し、当該溶融したシリコンを下方に引き下げ凝固させることにより多結晶シリコンインゴットを連続的に鋳造するシリコンインゴットの電磁鋳造方法であって、前記銅モールドを取り囲む誘導コイル2の下端から下方に位置するモールド長さ(LM)を40mm超180mm以下として、銅モールドに近接するシリコンインゴットの外周部から内部への銅の拡散、混入を抑制する。一辺の長さが322mm以上530mm以下の正方形または矩形断面の多結晶シリコンインゴットを鋳造対象とする実施形態の採用が望ましい。 (もっと読む)


【課題】電磁鋳造法による連続鋳造の際に、アフターヒーターの内周面とインゴットの外周面との隙間を上昇する雰囲気ガスに起因して、溶融シリコンが金属不純物で汚染されることを抑制できるシリコンインゴットの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】チャンバー1内に配置した無底冷却ルツボ7にシリコン原料11を装入し、誘導コイル8からの電磁誘導加熱によりシリコン原料11を融解させ、この溶融シリコン12を冷却ルツボ7から引き下げながら凝固させてインゴット3を連続鋳造する電磁鋳造装置において、冷却ルツボ7の下方に、インゴット3を囲繞してカーボン製の保温ヒーター9aと金属製の均熱ヒーター9bがこの順に配設されており、保温ヒーター9aと均熱ヒーター9bの間でインゴット3の外周面に全周にわたり接触して、各ヒーター9a、9bの内周面とインゴット3の外周面との隙間を上下に仕切る耐熱不織布20を備える。 (もっと読む)


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