説明

株式会社SUMCOにより出願された特許

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【課題】ボロンドープp型シリコンウェーハの鉄濃度を、SPV法を利用して高精度に測定するための手段を提供すること。
【解決手段】表面光起電力法により光照射によるFe−Bペア乖離処理後の少数キャリア拡散長の変化に基づきボロンドープp型シリコンウェーハの鉄濃度を求める分析方法。前記乖離処理後に測定される少数キャリア拡散長LAF1と、前記LAF1測定から所定時間経過後に測定される少数キャリア拡散長LAF2と、前記乖離処理により乖離したFe−Bペアの再結合の時間依存性と、をパラメータとして含む算出式により前記鉄濃度を算出し、前記算出式を、前記光照射により前記シリコンウェーハ中に存在するボロン原子と酸素原子が結合体を形成し、該結合体がLAF1とLAF2に対して同じ影響を及ぼすと仮定して導出する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、ゲッタリング能力を十分に向上させたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明のシリコンウェーハの製造方法は、シリコンウェーハの表面に酸素、炭素、窒素のうち何れか1種類以上の元素が存在する状態にて、当該表面にレーザーを照射して、表層部を溶融させた後、溶融させた表層部を固化させることにより、元素を表層部にドープすることを特徴とする。この製造方法によって得られる本発明のシリコンウェーハは、酸素、炭素、窒素の少なくともいずれか1種類以上の元素を高濃度に有する。 (もっと読む)


【課題】ボロンドープp型シリコン中の鉄濃度の分析方法における定量分析限界を、高い信頼性をもって決定するための手段を提供する。
【解決手段】表面光電圧測定装置により求められる光照射前後の少数キャリア拡散長の変化に基づきボロンドープp型シリコンウェーハの鉄濃度を定量する分析方法の定量分析限界決定する。前記分析方法によりFe−Bペアを実質的に含まないブランクウェーハの鉄濃度を求め、求められた鉄濃度から定量分析限界値を決定することを、少数キャリア拡散長の水準の異なる2つ以上のブランクウェーハに対して行い、上記2つ以上のブランクウェーハにおいて決定された定量分析限界値と少数キャリア拡散長の水準に基づき、定量分析限界値と少数キャリア拡散長との相関関係式を求めるか、または相関関係をグラフ化すること、前記相関関係式またはグラフを用いて少数キャリア拡散長に依存する定量分析限界を決定する。 (もっと読む)


【課題】大口径の半導体ウェーハであっても安定に吸着保持することが可能な吸着保持装置を提供すること。
【解決手段】使用者が片手の掌全体で把持可能な支持部と、上記支持部側面の長手方向に一列に立設配置され、かつ該支持部内部に設けられた吸引流路と連通する吸引流路を内部に有する連結管部と、上記連結管部の先端に取り付けられ連結管部からの吸引負圧により被吸着物を吸着する吸着板と、を有し、かつ、全吸着板は同一方向から半導体ウェーハの一主表面を吸着保持する、半導体ウェーハ吸着保持装置。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、太陽電池の基板として用いることによって太陽電池の変換効率の低下を抑制することのできる多結晶シリコン及びその鋳造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明の多結晶シリコンは、FT−IR法(ASTM F121−79)で測定した格子間酸素濃度が1.0×1017atoms/cm3以下であり、該多結晶シリコンウェーハを基板として用いた太陽電池の変換効率の低下率が3%以下であることを特徴とする。
また、本発明の多結晶シリコンの鋳造方法は、冷却銅モールドの酸素含有率が低く、且つチャンバ内の酸素分圧が低いことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】鋳造されるインゴットおよびインゴットから切り出されたウェーハおいて、金属不純物による汚染を低減できるシリコンインゴットの連続鋳造装置および連続鋳造方法を提供する。
【解決手段】電磁鋳造法により多結晶シリコンを連続的に鋳造する際に用いられ、導電性を有し、シリコン原料を溶解させて連続鋳造する無底の冷却ルツボ7と、冷却ルツボを囲繞し、冷却ルツボ内に装入されたシリコン原料を電磁誘導により加熱する誘導コイル8と、前記各部材を収容するチャンバー1とを備えたシリコンインゴットの連続鋳造装置において、チャンバー1の内壁面および/またはチャンバー1内に収容される部材の表面の少なくとも一部にウール材17を配置することを特徴とするシリコンインゴットの連続鋳造装置である。 (もっと読む)


【課題】ピーリング検査を自動化して検査精度のバラツキ発生を抑制すると共に、検査に要するコストおよび時間を削減する。
【解決手段】貼り合せウェーハの表面に貼り付ける粘着テープを供給するテープ供給手段と、貼り合せウェーハの表面から剥離された粘着テープを回収するテープ回収手段と、テープ供給手段とテープ回収手段との間に張設される粘着テープの貼り付け面側で貼り合せウェーハを保持するウェーハ保持手段と、粘着テープを貼り合せウェーハの表面に押圧しながら貼り付け開始位置から貼り付け終了位置へと移動して粘着テープを貼り合せウェーハの表面に貼り付けるテープ貼り付け手段と、剥離開始位置から剥離終了位置へと移動して貼り合せウェーハの表面に貼り付けられた粘着テープを剥離するテープ剥離手段と、粘着テープの張力を調整する張力調整手段とを備えることを特徴とする貼り合せウェーハの検査装置である。 (もっと読む)


【課題】十分に高い精度で貼り合せ不良部分を検出することができる貼り合せウェーハの検査方法を提供する。
【解決手段】貼り合せウェーハの貼り合せ不良部分の有無を検査する方法であって、貼り合せウェーハに対して超音波を照射した際の貼り合せウェーハ内部からの反射波を用いて貼り合せ不良部分を検出する超音波検査工程と、超音波検査工程を実施した後の貼り合せウェーハに対して粘着テープを貼り付けた後、粘着テープを剥離して貼り合せ不良部分を検出するピーリング検査工程とを含むことを特徴とする貼り合せウェーハの検査方法である。 (もっと読む)


【課題】保温装置の外枠の溶損等を防止して、金属不純物による汚染のない、太陽電池の基板材として好適な多結晶シリコンを製造することができるシリコンの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】無底冷却モールドと、加熱用誘導コイルと、前記モールドの下方に配置され、凝固したシリコンを徐冷する保温装置を有し、前記誘導コイルによる電磁誘導加熱により溶融したシリコンを下方に引き下げ凝固させるシリコンの電磁鋳造装置であって、前記保温装置13の外枠16の構成部材として非導電性部材が使用されている電磁鋳造装置。前記非導電性部材を、特に溶損の大きい外枠の特定の面のみ、または外枠全面の上部のみに使用することもできる。非導電性部材としては、アルミナ、炭化珪素が望ましい。 (もっと読む)


【課題】保温装置内の温度環境の変化を防止して安定した操業を行い、金属不純物による汚染のない、太陽電池の基板材として好適な多結晶シリコンを製造することができるシリコンの電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】無底冷却モールドと、加熱用誘導コイルと、前記モールドの下方に配置され、凝固したシリコンを徐冷する保温装置を有し、前記誘導コイルによる電磁誘導加熱により溶融したシリコンを下方に引き下げ凝固させるシリコンの電磁鋳造装置であって、モールド1と保温装置3の外枠6との間の隙間に、炭素繊維材8aの上に断熱材8bが載置されてなる保温ボード8が配置された電磁鋳造装置。前記炭素繊維材は、少なくとも1箇所で切断されていることが望ましい。炭素繊維材に替えて炭化珪素製またはアルミナ製の部材も使用できる。 (もっと読む)


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