【課題】高抵抗シリコンの電気的特性を、高い信頼性をもって評価するための手段を提供する。
【解決手段】ボロン濃度１．５０ｘ１０¹³ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下のボロンドープｐ型シリコンの電気的特性の評価方法。評価対象のシリコン表面を酸洗浄すること、洗浄後のシリコンに対して、該シリコンの表面温度が１５０〜３００℃の範囲となるように熱処理を施すこと、前記熱処理後のシリコンの前記酸処理を施した表面に形成された酸化膜を除去するための機械加工を施すこと、および、前記機械加工後のシリコン表面において、導電型および抵抗率からなる群から選ばれる電気的特性の評価を行うこと、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板抵抗にかかわらずシリコンウェーハにおける酸素析出物の有無および面内分布を高精度に評価するための手段を提供すること。
【解決手段】評価対象シリコンウェーハに対して該シリコンウェーハ表面においてフォトルミネッセンス強度の面内分布を示す第一の面内分布情報を取得すること、上記第一の面内分布情報取得後の評価対象シリコンウェーハに対して熱酸化処理を施した後、該シリコンウェーハ表面においてフォトルミネッセンス強度の面内分布を示す第二の面内分布情報を取得すること、第一の面内分布情報と、第二の面内分布情報に１未満の補正係数による補正を加えて得られた第三の面内分布情報との差分情報を得ること、および、得られた差分情報に基づき、評価対象シリコンウェーハにおける酸素析出物の有無および酸素析出物の面内分布からなる群から選ばれる評価項目の評価を行うこと、を含むシリコンウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハをはじめとする半導体ウェーハの表面を安全かつ安価に多孔質化し、変換効率の高い太陽電池を作製できる太陽電池用ウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体ウェーハの少なくとも片面を多孔質化して太陽電池用ウェーハを製造する方法であって、前記半導体ウェーハの少なくとも前記片面に低級アルコール液を接触させる第１工程（Ｓ１）と、該第１工程の後に、前記半導体ウェーハの少なくとも前記片面に金属イオンを含むフッ化水素酸を接触させる第２工程（Ｓ２）と、該第２工程の後に前記半導体ウェーハの少なくとも前記片面にアルカリ溶液を接触させる第３工程（Ｓ５）と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サセプタの撓みによるエピタキシャル膜面内の抵抗のばらつきを抑制しつつ、パイロメーターによるサセプタ裏面の温度検出の精度も確保して、高品質のエピタキシャル膜を形成できるエピタキシャル成長装置用サセプタサポートシャフトを提供する。
【解決手段】本発明のサセプタサポートシャフト１０３は、エピタキシャル成長装置内でサセプタ１０２を下方から支持するサセプタサポートシャフト１０３であって、前記サセプタ１０２の中心とほぼ同軸上に位置する支柱１０７と、該支柱１０７から前記サセプタ１０２の周縁部下方へ放射状に延びる複数本のアーム１０８と、隣接する該アーム１０８の先端同士を接続するアーム接続部材１０９と、該アーム接続部材１０９から延び、前記サセプタ１０２を支持するｎ本（ｎは４以上の自然数）の支持ピン１１０と、を有し、前記アーム１０８が（ｎ-１）本以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】研磨面の平坦度レベルの改善を含め、シリコンウェーハの表面形状を自由に造り込めるウェーハ表面処理方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハと隙間形成用部材とを平行に離間して液膜形成用隙間を形成し、これにエッチング液を供給してエッチング液膜を形成する。その後、この状態で、ウェーハと隙間形成用部材との少なくとも一方を回転させ、ウェーハのうち、隙間形成用部材との対向面に化学的な表面処理を施す。その後、エッチングを所定時間継続し、かつエッチング条件を適宜変更することで、ウェーハの表面形状を自由に造り込める。 （もっと読む）

【課題】本発明は、研磨量を正確に制御することのできるワークの研磨方法及び研磨装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、ワークの両面を研磨するに当たり、排スラリーの温度変化率の変化を捉えることにより、ワークの研磨量を制御するものである。 （もっと読む）

【課題】蛇腹配管の内部から剥がれた反応生成物の量を低減し、排気経路から反応室へのパーティクルの導入量を抑制可能なバレル型気相成長装置を提供する。
【解決手段】蛇腹配管より小径なスリーブを、上流側配管部のみの片持ち状態で蛇腹配管に挿入した。よって、蛇腹配管の領域で反応生成物が付着するのは、大半がガス排気管のスリーブの内周面となる。これにより、仮に装置振動などで蛇腹配管が変形しても、蛇腹配管から剥離するパーティクルの量は少なく、よって反応室へのパーティクルの導入量は従来装置に比べて減少する。その結果、半導体ウェーハに付着するパーティクル量を低減できる。 （もっと読む）

【課題】日常的な工程管理に利用可能な、多結晶シリコンウェーハの品質を簡便に評価する方法を提供すること。
【解決手段】評価対象の多結晶シリコンウェーハ表面を選択エッチングし、該表面において結晶欠陥を顕在化させること、結晶欠陥を顕在化させた多結晶シリコンウェーハ表面のマクロ画像を散乱画像として取得すること、および、取得したマクロ画像の輝度分布に基づき、前記多結晶シリコンウェーハにおける結晶欠陥分布を定量的に評価すること、を含む多結晶シリコンウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】受光面積を拡大させて高い光電変換効率が得られ、スライスとは別の凹凸形成工程が不要で、シリコン系太陽電池の製造コストも低減可能な太陽電池用シリコンウェーハおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】スライス時のワイヤの動作条件として、ワイヤ列の双方向への走行を採用した。これにより、太陽電池用シリコンウェーハの表裏面に同方向に向かう多数の直線状の微細な凹溝を形成することができる。その結果、太陽電池用シリコンウェーハの受光面積が拡大し、高い光電変換効率が得られる。しかも、スライスとは別の凹溝形成工程が不要となり、シリコン系太陽電池の製造コストの低減が図れる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成でウェーハの取り代を適切に制御可能な研磨装置を提供すること。
【解決手段】バッキングパッド３２およびリテーナリング３３が一体化された研磨ヘッド３を備えた研磨装置１であって、ウェーハＷの研磨中にリテーナリング３３が研磨パッド２３上のスラリーＰから受けるリテーナ液圧Ｆｒを測定するリテーナ液圧測定手段３５と、このリテーナ液圧測定手段３５で測定されたリテーナ液圧Ｆｒに基づいて、研磨ヘッド３に付与するヘッド加圧力Ｆｈ、定盤２２の回転数、および、１バッチあたりの研磨時間のうちの少なくとも１つのパラメータを設定するパラメータ設定手段と、を備え、研磨制御手段は、パラメータ設定手段で設定されたパラメータに基づいて、回転駆動手段および研磨ヘッド加圧手段のうち少なくとも一方を制御する。 （もっと読む）