【課題】融液からの輻射熱でシード軸、シードホルダに変形が生じても、種結晶を融液面に垂直に着液可能なシード軸とシードホルダとの連結構造を提供する。
【解決手段】シード軸にユニバーサルジョイント方式のシードホルダを連結したため、インゴット引き上げ時、炉内の輻射熱などでシード軸、シードホルダが熱膨張して変形しても、シードホルダが自重により垂直方向を向く。これにより、種結晶は融液面に垂直に着液できる。その結果、インゴット引き上げの初期段階において、急激な肩部の成長がなくなり、滑らかな肩部の単結晶インゴットを成長できる。 （もっと読む）

【課題】シリコンスラッジの融液の液面に浮遊するシリコン酸化物系の異物を、短時間で蒸発させて消失可能なシリコン系太陽電池用原料の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン粉が原料の融液から、チョクラルスキー法により多結晶シリコンインゴットを引き上げる前に融液を沸騰させる。これにより、融液の液面に浮遊するシリコン酸化物からなる異物中の酸素が蒸発し、異物が消失する。その結果、チョクラルスキー法で多結晶シリコンインゴットを引き上げる際、インゴットの外周面にシリコン酸化物からなる異物が付着しない。 （もっと読む）

【課題】気相エッチング法によるシリコンウェーハの金属汚染分析において、気相分解反応に要する時間の短縮化および分析感度の向上を実現するための手段を提供すること。
【解決手段】分析対象のシリコンウェーハを、弗化水素ガス、硝酸ガス、および窒素酸化物ガスの混合ガスと接触させることにより、該シリコンウェーハの表層領域をエッチングすること、前記エッチング後のシリコンウェーハを、エッチングにより露出した表面が１８０℃以上の温度となるように加熱すること、前記加熱後のシリコンウェーハ表面を弗酸蒸気に曝露すること、前記曝露後のシリコンウェーハ表面上の金属成分を回収用水溶液中に捕集すること、ならびに、前記回収用水溶液中の金属成分を分析すること、を含むシリコンウェーハの金属汚染分析方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、強度の高い多結晶インゴットを得ることのできる多結晶材料の鋳造方法を提供することにある。また、本発明は、スライス工程において、低い割れの発生率で製造でき、且つ上記のセル工程、モジュール工程での割れの発生率も低い多結晶ウェーハを提供することも目的とする。
【解決手段】本発明の多結晶材料の鋳造方法は、電磁鋳造法において、融液の冷却速度を制御することを特徴とする。また、本発明の多結晶ウェーハは、縁取り部の強度(ビッカース硬度)が中心部対比で高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンの加工工程で発生するシリコン廃材を精製することなくリサイクル原料として使用して、一定の品質の多結晶シリコンを製造する。
【解決手段】多結晶シリコンの製造では、鋳造された多結晶シリコンインゴット１から切り出されたシリコン廃材であるボトム材１ｂ又は鋳肌材２ｂの最表面部位に存在する高濃度不純物領域を研削により除去した後、これらのシリコン廃材をリサイクル原料として使用する。上記多結晶シリコンインゴットを鋳造時には、リサイクル原料と天然原料からなるバージン原料とを含み且つバージン原料のほうがリサイクル原料よりも高い比率で配合された混合原料を用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、太陽電池の基板として用いることにより、太陽電池の変換効率を向上した多結晶ウェーハ及びその製造方法を提供することにある。また、かような多結晶ウェーハを得るための、多結晶材料の鋳造方法を提供することも目的とする。
【解決手段】本発明の多結晶ウェーハは、ウェーハ中のCu濃度を所定の範囲としたものである。 （もっと読む）

【課題】簡易かつ安価に、シリコンウェーハをはじめとする半導体ウェーハの表面を多孔質化して、表面における光の反射ロスを低減することが可能な太陽電池用ウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明は、フッ化水素酸、硝酸および硫酸を含む混合液から気化したガスにより半導体ウェーハの少なくとも片面を多孔質化処理して太陽電池用ウェーハとすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電磁鋳造方法により多結晶シリコンを製造するに際し、最終凝固部における異物析出範囲を縮小させ、クラックの発生を防止することができる電磁鋳造方法および電磁鋳造装置を提供する。
【解決手段】鋳造の終盤においてインゴットの引下げ速度を低下させ、最終凝固工程（鋳造終了の直後からモールド内の未凝固の溶融シリコンを凝固させるまでの工程）開始前の固液界面深さを浅くする。インゴットの引下げ速度の低下を毎時０．０５〜０．２ｍｍ／ｍｉｎの割合で直線的に行なうこととすれば、最終凝固部における異物析出範囲を縮小させ、クラックの発生を効果的に防止することができる。この方法は、インゴットの引下げ速度を鋳造ストロークに応じて変動させる引下げ速度制御装置１３を有する本発明の電磁鋳造装置により容易に実施することができる。 （もっと読む）

【課題】トレンチ埋め込みエピタキシャル成長の制御パラメータを変更した際にエピタキシャルの成長反応の変化傾向を簡便に知ることができ、結果として、最適な成長条件を簡便に見つけ出すことが可能な、トレンチ埋め込みエピタキシャル成長条件の最適化方法を提供する。
【解決手段】シリコンソースガスにエッチングガスを混合した混合ガスを原料ガスとし、この原料ガスをＨ₂キャリアガスで流通させることにより、シリコン基板表面に形成したトレンチ内部にエピタキシャル層を成長させてトレンチ内部をエピタキシャル層で埋め込む工程を含む半導体基板の製造方法における、トレンチ内部をエピタキシャル層で埋め込む際のエピタキシャル成長の最適条件を求める方法であって、ある特定のアスペクト比のトレンチ内部を埋め込む際のエピタキシャル成長の最適条件をエピタキシャル成長速度のＨ₂キャリアガスの流量依存性により求めることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】鋳造中にプラズマアークの失火が発生するのを低減することができるシリコンインゴットの電磁鋳造方法を提供する。
【解決手段】導電性を有する無底冷却ルツボ７にシリコン原料１２を投入し、無底冷却ルツボ７を囲繞する誘導コイル８から電磁誘導加熱するとともに、プラズマトーチ１４から不活性ガスを噴出しつつプラズマアークを発生させてプラズマ加熱することによりシリコン原料を融解させ、この溶融シリコン１３を無底冷却ルツボ７から引き下げながら凝固させてシリコンインゴット３を鋳造するシリコンインゴットの電磁鋳造方法において、プラズマトーチ１４と溶融シリコン１３との間隔Ｚを、シリコン原料を投入する高さＺｔの１／２以上とすることを特徴とするシリコンインゴットの電磁鋳造方法である。 （もっと読む）