【課題】メインチャンバーの構造の複雑化および設備コストの増大を抑制しつつ、るつぼ内に投入した単結晶原料をるつぼ上方から直接加熱することが可能な単結晶原料の溶融装置を提供する。
【解決手段】移動機構を有する本体部と、単結晶製造装置のメインチャンバーのゲートバルブに連結される下部開口端と、上部閉止端とを有する筒状体と、本体部に設けられ、下部開口端とゲートバルブとが連結する連結位置と、下部開口端とゲートバルブとが上下に離間した解除位置との間で筒状体を上下に昇降させる筒状体昇降機構と、筒状体の内部から下方に突出してるつぼ内の単結晶原料を加熱するヒーターと、本体部に設けられ、筒状体内の収容位置と、下部開口端よりも下方の単結晶原料加熱位置との間でヒーターを上下に昇降させるヒーター昇降機構と、ヒーターへ電力を供給する電力供給源との接続部とを備えることを特徴とする単結晶原料の溶融装置である。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ表面を処理するプロセスで使用した使用済み薬液において、前記プロセスに必要な薬液中の成分を簡易に調整し、リサイクル処理後の薬液でも未使用薬液と同等のプロセス性能を得ることが可能な薬液リサイクル方法および該方法に用いる装置を提供する。
【解決手段】本発明の薬液リサイクル方法は、シリコンウェーハ４０２表面を処理するプロセスで使用する薬液のリサイクル方法であって、前記プロセスで使用した後の使用済み薬液を限外ろ過フィルター１で限外ろ過して、ろ過後薬液を得る工程と、吸光光度計３により該ろ過後薬液の吸光度または透過率を測定して、前記ろ過後薬液に含まれる成分の濃度を求める工程と、求められた前記濃度の情報に基づき、前記ろ過後薬液の成分濃度を調整して調整後薬液を得る工程と、該調整後薬液を前記プロセスで使用する工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】浮遊粒子の径及びその粒径分布を測定する方法、及び、それを可能とする測定装置を提供する。
【解決手段】無塵空間に、既知の径の粒子を散布し、その空間に光を照射し、光が照射された空間を撮影し、撮影した画像に表示された画像上粒子の径を計測し、計測径と既知の粒子径である実際の径との相関を導き出す。光照射を含む撮影条件の少なくとも１つの条件を変更した撮影条件にて、撮影条件における画像上粒子の計測径と既知の粒子径である実際の径との相関を導き出すことを、多数の撮影条件の下に繰返す。蓄積された相関データを対比し、測定粒子の実際の径を同定することを特徴とする空間内粒子測定方法である。また、かかる測定方法を可能とする測定装置である。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンインゴットを鋳造する際に用いる部材の材料を評価する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】多結晶シリコンインゴットを鋳造する際に用いる部材の材料を評価する方法であって、評価材料からなる内面で形成された閉空間部２１ｃを有する容器２１を作成し、閉空間部２１ｃにシリコン試料を配置した後、容器２１を所定回転数で所定時間に亘り回転軸を略水平にして回転させる回転処理を行い、その後、シリコン試料について不純物濃度を測定し、不純物濃度の測定結果に基づき材料を評価することを特徴とする材料評価方法である。これにより、多結晶シリコンインゴットを鋳造する際に用いる部材の材料を評価し選定する際に、鋳造されるインゴットが不純物により汚染されるのを低減できる材料を選定できる。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせ前のウェーハに有機物を吸着させてゲッタリングサイトを形成する貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法において、貼り合わせ界面における有機物の面内分布にばらつきを低減する。
【解決手段】回転軸Ｚから見て支持用ウェーハ２０と活性層用ウェーハ３０とを１８０°異なる方向にセットした状態で、チャンバ内に有機物含有ガスを供給しながらロータ１０３を回転させることによって、貼り合わせ前のウェーハ２０，３０に有機物を吸着させる。これにより、所定の面内分布を持った活性層用ウェーハと、所定の面内分布とは逆の面内分布を持った支持用ウェーハとが貼り合わせられることから、互いの面内分布の偏りが相殺され、貼り合わせ界面における有機物の面内分布をほぼ均一とすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせＳＯＩウェーハの貼り合わせ界面にゲッタリングサイト源となる有機物を面内均一且つ安定的に吸着させることが可能なＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】活性側ウェーハをプラズマチャンバ１０内に設置し、当該プラズマチャンバ１０内に有機物含有ガスを導入し、活性側ウェーハを回転させながらその表面に有機物を吸着させる。次に、プラズマチャンバ１０から活性側ウェーハを取り出し、表面に酸化膜が形成された支持側ウェーハに入れ替えた後、支持側ウェーハにプラズマ処理を行ってその表面を活性化させると共に、プラズマチャンバ内の有機物除去処理とを同時に行う。その後、有機物が吸着した活性側ウェーハと表面が活性化された支持側ウェーハとを貼り合わせる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハとエピタキシャル層との界面におけるボロン量を抑えるのに好適なエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶をスライス１１して得られたスライスウェーハをラッピング又は研削１１し化学エッチング１２し鏡面研磨１３し洗浄１４した後保管１６されたボロンがウェーハに付着したシリコンウェーハ上にエピタキシャル成長する方法において、保管１６されたシリコンウェーハをＨ₂Ｏ−Ｈ₂Ｏ₂−ＮＨ₄ＯＨの混合液で洗浄１７し、洗浄１７したシリコンウェーハをエピタキシャル成長装置内に搬入１８し、搬入１８したシリコンウェーハの表面に１０００〜１２００℃の温度で塩化水素ガスを流して、エッチング取り代が０．１〜０．５μｍとなるようにウェーハ表面の気相エッチング１９を行い、続いて成長装置内に原料ガスをキャリアガスとともに流して気相エッチングされたウェーハ表面にエピタキシャル層を形成２０する。 （もっと読む）

【課題】鋳造されるシリコンインゴットが金属不純物により汚染されるのを低減でき、シリコンインゴットから切り出されたウェーハを太陽電池に用いた際に光電変換効率を向上させることができるシリコンインゴットの鋳造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ７に装入されたシリコン原料を加熱して融解させた後、凝固させて多結晶シリコンインゴットを鋳造する方法において、ルツボ７にシリコン原料を供給する経路上に、シリコン材料からなる保護部材１７および１８を配置して鋳造を行うことを特徴とするシリコンインゴットの鋳造方法である。保護部材として、Ｆｅ濃度が１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｃ以下、Ｎｉ濃度が１０¹⁴ａｔｏｍｓ／ｃｃ以下およびＣｒ濃度が１０¹⁴ａｔｏｍｓ／ｃｃ以下であるシリコン材料から作製されたものを用いるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】発塵の拡散を抑制できる搬送装置を提供する。
【解決手段】搬送装置１は、集電子２８に電気的に接続されたモータを有する走行台車２０と、集電子２８とトロリ１１との接触により発生する塵の拡散を防止する防塵手段１２とを備え、防塵手段１２は、開口部１３２を有する箱状に形成され、内部にトロリ１１を収容可能な防塵ケース１３と、この防塵ケース１３に設けられ、開口部１３２における一側縁と略平行に配置された外側基部１４１と、開口部１３２における他側縁に沿って配置され、内側基部１４２と、内側基部１４２を付勢して、内側基部１４２と外側基部１４１とを密着させることで開口部１３２を閉塞する閉塞付勢手段１６と、を備え、走行台車２０は、開口部１３２の一部を開放する開放付勢手段２９と、開放付勢手段２９により開放された部分に挿通され、防塵ケース１３内において、集電子２８を保持するアーム２７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせＳＯＩウェーハの貼り合わせ界面にゲッタリングサイト源となる有機物を面内均一且つ安定的に吸着させることが可能なＳＯＩウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】２枚のシリコンウェーハを貼り合わせてＳＯＩウェーハを製造する際、２枚のシリコンウェーハのうち少なくとも一方のウェーハの表面に、当該ウェーハを回転させながら有機物含有ガスを直接吹き付けて所定量の有機物を吸着させた後、２枚のウェーハの貼り合わせを行う。有機物含有ガスの吹き付けでは、ガス供給ノズルをウェーハの半径方向に所定の周期で複数回スイングさせながら吹きつけを行う。 （もっと読む）