【課題】キャリアプレート、複数のキャリアプレート、ウェーハの研磨装置、ウェーハの研磨方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ２０を研磨パッド１４に圧接させ、前記研磨パッド１４との相対運動により前記ウェーハ２０の研磨を行なう際に前記ウェーハ２０を貼り付けて保持するキャリアプレート１６であって、前記キャリアプレート１６の前記ウェーハ２０の貼り付け面１６ａの凹凸形状の波長方向のスペクトルが、前記ウェーハ２０の被研磨面への前記凹凸形状の転写を回避可能な振幅強度を有することを特徴とする。また前記キャリアプレート１６を複数同時に１つの研磨パッド１４に用いる場合は、各キャリアプレート１６の直径範囲における前記ウェーハ２０の貼り付け面１６ａのＰＶ値同士を対比した偏差が、研磨条件を調整することにより前記複数のウェーハ２０の平坦度を同時に最適化が可能な範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン加工プロセスで発生し、シリコンスラッジ中のシリコン粉の安定的な高純度化が図れ、バッチ間でのシリコン粉の均一な高純度化も可能なシリコンスラッジの洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコン加工プロセスで生じたシリコンスラッジ中のシリコン粉の酸素濃度を測定し、その値から洗浄槽内の全シリコン粉のＳｉＯ_２膜の総重量を求め、さらに全ＳｉＯ_２膜の除去に必要な最小のＨＦ量を算出し、この値以上のＨＦ量のＨＦ洗浄液を洗浄槽に投入しＨＦ洗浄する。よって、シリコン加工プロセスで発生し、バッチでＨＦ洗浄されるシリコンスラッジ中のシリコン粉の安定的な高純度化が図れる。また、バッチ間にわたるシリコン粉の均一純度化も実現できる。 （もっと読む）

【課題】熱輻射シールドの内側にパージチューブが設置されている場合であっても液面レベルを正確に測定する。
【解決手段】シリコン単結晶引き上げ装置１０は、チャンバ１１内においてシリコン融液を支持するルツボ１２と、ルツボ１２内のシリコン融液を加熱するヒータと、ルツボの上方に配置された熱輻射シールド１６と、熱輻射シールド１６の内側に設けられた不活性ガスの整流する略円筒状のパージチューブ１７と、シリコン融液１の液面に映る熱輻射シールド１６の鏡像をパージチューブ越しに撮影するＣＣＤカメラ１８と、熱輻射シールド１６の鏡像の位置からシリコン融液の液面レベルを算出する液面レベル算出部３１と、シリコン融液の液面レベルと鏡像の位置との関係を示す換算テーブルを作成する換算テーブル作成部３２とを備え、液面レベル算出部３１は、換算テーブルに基づいて液面レベルを算出する。 （もっと読む）

【課題】加工起因欠陥をより高感度に検出することが可能な単結晶シリコンウェーハの評価方法を提供する。
【解決手段】鏡面加工された単結晶シリコンウェーハ１０の表面１０ａに、ＳｉＯ_２よりもＳｉのエッチング速度が大きい条件でドライエッチングを施す第１の工程Ｓ１１と、ドライエッチングされた前記表面に存在するピットの個数を計測する第２の工程Ｓ１２，Ｓ１３とを備える。本発明によれば、ＳｉＯ_２よりもＳｉのエッチング速度が大きい条件でドライエッチングを施していることから、結晶欠陥については突起（凸型の欠陥）として顕在化し、加工起因欠陥についてはピット（凹型の欠陥）として顕在化する。このため、ピットの個数を計測することにより、加工起因欠陥だけを正しく検出することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】無欠陥領域［Ｐ］が全域に分布する無欠陥のシリコンウェーハであっても、ＩＧ効果が有効に得られるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶インゴットから切り出した無欠陥のシリコンウェーハに、ＮＨ₃を含むガス雰囲気中でＲＴＡ処理を施して、ウェーハ内部に新たに空孔を形成させ、その後に、窒素、酸素またはこれらの混合ガス雰囲気中で、７００℃から９００℃までを３℃／分以下の速度で昇温し、９００〜１１００℃で１〜８時間保持する熱処理を施して、ウェーハ内部にＢＭＤを形成させる。さらに、エピタキシャル処理を施して、ウェーハ表面にエピタキシャル層を成長させる。これにより、ＩＧ効果を有するとともに一層表面品質に優れた無欠陥のシリコンウェーハを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＰ等のｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が表層域に存在しない、例えば直径４５０ｍｍの大口径のシリコンウェーハを製造する方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により３．０℃／分以下の冷却速度の下に育成したシリコン単結晶をスライスしてシリコンウェーハを製造するに当たり、該シリコンウェーハに非酸化性雰囲気中で熱処理を施し、次いで酸化性雰囲気で熱処理を施し、シリコンウェーハの表面側にｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が存在する欠陥層および該欠陥層の直下にｇｒｏｗｎ−ｉｎ欠陥が存在しない無欠陥層を形成し、その後前記欠陥層を研磨除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの欠陥を銅デポジション法により光学的に評価する評価方法において、長期間安定して使用可能な標準試料を用いて信頼性の高い評価を行う手段を提供すること。
【解決手段】半導体ウェーハの欠陥を銅デポジション法により光学的に評価する半導体ウェーハの評価方法。表面にレーザー痕（群）が形成された半導体基板である標準試料上の該レーザー痕（群）を散乱光画像において擬似欠陥として光学的に検出し、検出された擬似欠陥を評価基準として、前記評価を行う。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ端面に存在しているダメージを検出する方法を提供してデバイス工程における歩留まりを向上させる。
【解決手段】シリコンウェーハの端面に対し、水酸化アンモニウムおよび過酸化水素を含有する水溶液からなり、且つ、水酸化アンモニウムと水との質量比がＮＨ_４ＯＨ：Ｈ_２Ｏ＝１：１６〜１：４の範囲内にある処理液を接触させるウェーハ処理工程と、ウェーハ処理工程を経たシリコンウェーハの端面に対して電子線を照射し、放出される二次電子を用いてシリコンウェーハの端面を観察するウェーハ観察工程とを含むことを特徴とする、シリコンウェーハ評価方法である。また、そのシリコンウェーハ評価方法を用いたシリコンウェーハ製造方法である。 （もっと読む）

【課題】切り込みが形成されたスライス台を低コストで容易に再生し、再使用することを可能とするスライス台のリサイクル方法及びスライス台を提供する。
【解決手段】プレス成型器２０に充填剤３０を充填し、スライス台１０をプレス成型器２０に嵌め込んで切り込み１１に充填剤３０を充填させ、加圧下で充填剤３０を加熱凝固することにより、切り込み１１が埋め込まれたスライス台１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】ボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度を、Ｆｅ−Ｂペア乖離現象を利用して高精度に測定するための手段を提供すること。
【解決手段】Ｆｅ−Ｂペア結合中の測定値と光照射によるＦｅ−Ｂペア乖離中の測定値の違いに基づきボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度を測定する方法。測定対象シリコンウェーハに対して光照射を行うことにより該ウェーハに含まれるボロン原子と酸素原子との結合体であるＢ−Ｏ欠陥を形成した後に、前記測定値を求める。 （もっと読む）