【課題】高誘電率ゲート絶縁膜を用いたＣＭＩＳ型半導体集積回路において、短チャネル長、且つ狭チャネル幅のデバイス領域では、ソースドレイン領域の活性化アニールによって、高誘電率ゲート絶縁膜とシリコン系基板部との界面膜であるＩＬの膜厚が増加することによって、閾値電圧の絶対値が増加するという問題がある。
【解決手段】本願の一つの発明は、ＭＩＳＦＥＴを有する半導体集積回路装置の製造方法において、ＭＩＳＦＥＴのゲートスタック及びその周辺構造を形成した後、半導体基板表面を酸素吸収膜で覆い、その状態でソースドレインの不純物を活性化するためのアニールを実行し、その後、当該酸素吸収膜を除去するものである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の放熱特性を向上させる。
【解決手段】半導体装置は、ダイパッド３と、ダイパッド３と複数のリード４との間にダイパッド３を囲むように配置された枠状の熱拡散板６と、ダイパッド３と熱拡散板６の内縁とを繋ぐ複数のメンバ９と、熱拡散板６の外延に連結された吊りリード１０とを有し、ダイパッド３よりも大きな外形の半導体チップ２がダイパッド３および複数のメンバ９上に搭載されている。ダイパッド３の上面と、複数のメンバ９のうちの半導体チップ２の裏面に対向している部分の上面とは、全面が半導体チップ２の裏面に銀ペーストで接着されている。半導体チップ２の熱は、半導体チップ２の裏面から、銀ペースト、ダイパッド３およびメンバ９を経由して熱拡散板６に伝導し、そこからリード４を経由して半導体装置の外部に放散される。 （もっと読む）

【課題】複数のスキャンパスを有するスキャンテスト回路のスキャンテスト時間を短縮する。
【解決手段】半導体集積回路装置は、複数のスキャンフリップフロップと、セレクタとを備える回路ブロックと、制御回路とを具備する。複数のスキャンフリップフロップは、スキャンテストするときに、スキャンフリップフロップがシフトレジスタ状に接続されて形成される複数のスキャンパスのそれぞれに割り当てられ、複数のスキャンパスと同数の複数の部分スキャンパスを形成する。セレクタは、複数の部分スキャンパスの後段に設けられ、複数の部分スキャンパスをバイバスする。制御回路は、セレクタが複数の部分スキャンパスをバイパスするか否かを制御する。 （もっと読む）

【課題】たとえばＤＣ−ＤＣコンバータ等の電源または電力変換機器のスイッチング等に使用されるパワーＭＯＳＦＥＴ等の絶縁ゲートを有するパワー系能動素子は、スイッチングの高速化に伴い、ゲート容量を極力小さくする必要がある。このためには、チャネルとならない部分のゲート電極を取り去り、スプリットゲートとする手法が有効とされている。しかし、Ｎチャネル型パワーＭＯＳＦＥＴを例に取り説明すると、その反作用として、チャネルを形成するＰ型ボディ領域の端部に電界が集中するため、パンチスルー耐圧が低下する等の問題が発生する。
【解決手段】本願の一つの発明は、プレーナ−バーティカル型パワーＭＯＳＦＥＴ等の絶縁ゲートを有するパワー系能動素子を有する半導体装置に於いて、各アクティブセル内のスプリットゲート間にトレンチ内に延在するフィールドプレート、すなわち、トレンチフィールドプレートを設けたものである。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリを搭載した半導体集積回路において、外部端子を通して不揮発性メモリの特性テストを実施し、更に、その外部端子にサージ電圧が印加された場合であっても、そのサージ電圧が不揮発性メモリに伝わることを防止する。
【解決手段】半導体集積回路は、不揮発性メモリと、不揮発性メモリに対するデータ書き込み時、書き込み電圧が印加される書き込み制御線と、書き込み制御線に接続された第１ノードと、第１スイッチ回路を介して第１ノードに接続された外部端子と、スイッチ回路を介さずに外部端子に接続された第１ＥＳＤ保護回路と、動作モードに応じて第１スイッチ回路をＯＮ／ＯＦＦ制御する制御回路と、を備える。動作モードは、外部端子を用いて不揮発性メモリの特性テストを行うテストモードと、外部端子を使用しないユーザモードと、を含む。テストモードにおいて、制御回路は、第１スイッチ回路をＯＮする。ユーザモードにおいて、制御回路は、第１スイッチ回路をＯＦＦする。 （もっと読む）

【課題】安全性が高いＢ／Ｉテスト工程を含んだ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｂ／Ｉテスト工程の際に、Ｂ／Ｉテスト装置からＢ／ＩボードＢＩＢＤに供給する最大電流リミットＩｌｍｔ（ｍａｘ）を被テストデバイスＤＵＴの最大動作電流Ｉｃｃ（ｍａｘ）とＢＩＢＤ上のＤＵＴの搭載数Ｎとばらつきを加味した余裕度αに基づいて設定する。Ｂ／Ｉテスト装置は、ＢＩＢＤに供給している電源電流値を監視し、この値が最大電流リミットＩｌｍｔ（ｍａｘ）を超えた場合に、アラームの発生や当該電源供給の遮断等を行う。 （もっと読む）

【課題】データ処理性能の低下を防止することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるメモリ１０２は、メモリコア１０６−１及びメモリコア１０６−２と、インターフェイス回路回路１０５−１及びインターフェイス回路１０５−２と、メモリコア１０６−１及びメモリコア１０６−２とインターフェイス回路回路１０５−１及びインターフェイス回路１０５−２との間の信号の接続経路を選択する選択回路１０７と、を有する。選択回路１０７は、メモリコア１０６−２をインターフェイス回路１０５−２に接続し、メモリコア１０６−１を外部からの設定情報に基づいてインターフェイス回路１０５−１又はインターフェイス回路１０５−２に選択的に接続することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】樹脂コア上に形成された導電膜における引き出し方向側の部分への応力に起因して、導電膜が損傷してしまうことを、十分に抑制する。
【解決手段】半導体装置は、基板（半導体基板１）と、基板上に形成された電極パッド２と、電極パッド２を露出させる開口３ａを有し、基板上に形成された保護絶縁膜３を有する。半導体装置は、更に、樹脂コア４と、樹脂コア４の頂面６上から開口３ａ内の電極パッド２上に亘って形成された導電膜５を有する。頂面６からの導電膜５の引き出し方向Ａにおける頂面６の幅をＷとすると、頂面６において、引き出し方向Ａ側におけるＷ／２よりも広い範囲の部分が、引き出し方向Ａに向けて下り傾斜している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、第１状態と第２状態との二つの状態のうち、第１状態に初期化し、初期化した第１状態に対応する電位の信号を生成することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、“０”（第１状態）と“１”（第２状態）との二つの状態のうち、“０”に初期化し、初期化した“０”に対応する電位の信号Ａを生成することが可能な半導体装置１０である。半導体装置１０は、並列に複数接続され、“０”と“１”との二つの状態を保持することが可能なフリップフロップ回路２と、複数のフリップフロップ回路２と接続し、複数のフリップフロップ回路２のうち、少なくとも一つのフリップフロップ回路２で保持する状態が“０”の場合、“０”に対応する電位の信号を生成し、出力するＡＮＤ回路３とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＤＭＡ転送を用いるオーディオ再生装置に対して、消費電力を抑制すると共に、通常再生と特殊再生の切り替え時に誤再生を回避する。
【解決手段】ＤＭＡ転送部１０４は、ＤＭＡ転送フレーム番号レジスタ１１５、ＤＭＡ転送フレームサイズレジスタ１１４、ＤＭＡ転送中アドレスレジスタ１１１、ＤＭＡ転送停止アドレスレジスタ１１２を備える。プロセッサＡにより電源のオン／オフが制御されるプロセッサＢは、ＤＭＡ転送中に、通常再生とは異なる特殊再生が要求されたときに、メモリ１０１に格納されたフレームのうちの、該フレームの転送が完了すると、メモリ１０１に格納されたデコード後データの転送を停止する停止フレームの終端アドレスをＤＭＡ転送停止アドレスレジスタ１１２に設定する。 （もっと読む）