【課題】ＮＯガスを処理ガスとして用いた酸窒化処理を行うに際して、当該酸窒化処理により所望の膜厚及び窒素濃度のシリコン酸窒化膜を得る。
【解決手段】酸窒化処理を行うに際して、処理ガスの不純物濃度を計測し、生成される酸窒化膜の膜厚又は酸窒化膜の窒素濃度が所定範囲内の値となるように、計測された不純物濃度に応じて当該酸窒化処理を行う。ここで、詳細には、処理ガス中の不純物濃度と膜厚又は窒素濃度との相関関係を予め計測し規定しておく。そして、当該相関関係に基づき、膜厚又は窒素濃度が所定範囲内の値となるように、計測された不純物濃度に応じて、具体的には酸窒化処理における処理圧力を調節設定して当該処理を行う。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの加速エネルギを推定することが可能なイオンビーム計測方法とイオン注入装置を提供すること。
【解決手段】温度測定用部材１４にイオンビーム２０を照射した状態で該温度測定用部材１４の温度を測定するステップと、上記温度からイオンビーム２０の加速エネルギを推定するステップとを有するイオンビーム計測方法による （もっと読む）

【課題】所望の被写体に短時間で合焦できるオートフォーカス機構を提供する。
【解決手段】入力画像は、表示画面２１に表示される。オートフォーカス時には、複数のＡＦ検波エリアについて合焦点位置が検出され、合焦点位置情報として保持される。表示画面２１には、合焦可能なＡＦ検波エリアに対応するＡＦ検波枠２ａ、２ｄ〜２ｉが表示される。ユーザにより所望のＡＦ検波枠が選択されると、保持されている合焦点位置情報を参照し、その選択された検波枠に対応するエリアに合焦するように焦点レンズを調整する。シャッターボタンが押下されると、選択されたエリアに合焦した状態で撮像が行われる。 （もっと読む）

【課題】抵抗素子を備えた半導体装置の動作を安定化することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】抵抗パターン１７ｂとその表面に形成された金属シリサイド層４０とで構成される抵抗素子４１を備えた半導体装置の製造方法であって、抵抗パターン１７ｂと金属シリサイド層４０との接触抵抗R_cを抵抗素子４１の設計抵抗値R_dに含めて抵抗素子４１を設計するステップＳ５を有することを特徴とする半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】ビットストリームの符号化時に発生するランダム的なアドレス情報を鍵データとともに用いることにより、鍵データ自身が盗まれた場合でも、容易には解読できない強固なビデオストリームの暗号化を実現するデータ暗号化装置およびデータ暗号化方式を提供する。
【解決手段】入力データを符号化するとともに、符号化されたデータに対応する暗号化鍵修正用データを抽出する符号化部と、抽出された暗号化鍵修正用データと、予め設定された第１の鍵データとを用いて演算によって、第２の鍵データを生成する鍵データ生成部と、生成された第２の鍵データを用いて入力データの少なくとも一部を暗号化し、暗号化後のデータを一部の入力データと入れ替えて符号化部に与える暗号化部と、を備えるデータ暗号化装置とデータ暗号化方法、データ暗号化プログラムである。 （もっと読む）

【課題】無効アドレス入力時のアドレスデコーダにおける消費電力を低減することのできる半導体記憶装置及びバスシステムを提供する。
【解決手段】バススレーブ２０ａは、アドレス信号ＡＤＤの上位アドレスＡ１６〜Ａ１９に基づいて、アドレス信号ＡＤＤが無効アドレスであると判断した場合に、アクセス無効信号ＡＩを生成するアクセス制御回路２２を備える。バススレーブ２０ａは、アクセス無効信号ＡＩからのアクセス無効信号ＡＩに応じて停止アドレスＳＡＤをアドレスデコーダ２７に供給するセレクタ２３を備える。 （もっと読む）

【課題】 ショット分割繋ぎ位置選択方法及びショット分割露光システムに関し、ショット繋ぎ位置を体系的に且つ簡便に決定する。
【解決手段】 フォトリソグラフィー工程における被露光基板上のショット分割繋ぎ位置を選択する際に、回路パターンに含まれるセルを、分割優先度でカテゴリ分類し、分割優先度に基づき、繋ぎに適さないセルを有する領域を分割対象から除外したのち、繋ぎに適する領域内のパターン形状に基づき、被露光基板上に回路パターンを光露光する際に、多重露光による影響度合いを求め、影響度合いに基づき繋ぎ位置候補を選択し、次いで、選択した繋ぎ位置候補から予め定めた範囲の領域における被露光パターン占有率に基づき、繋ぎ位置を選択する。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを向上させることが可能な半導体集積回路を提供する。
【解決手段】テスト回路１４は、予め決定されたヒューズ回路１８の切断位置情報を入力して、ヒューズ切断前の試験工程において、内部状態を生成する内部状態生成部（タイミング制御回路１３や電源回路１５）に切断位置情報を設定し、内部状態生成部は、切断位置情報をもとに内部状態（内部タイミングや内部電位）を自己生成させることにより、ヒューズ切断前の内部状態と、ヒューズ切断後の内部状態とが等しくなり、ヒューズ切断前後の内部状態の差異に起因した歩留まり悪化が防止される。 （もっと読む）

【課題】シェーディング補正精度を向上させながら、回路規模を縮小し得るシェーディング補正回路を提供する。
【解決手段】画素データの座標をフレームの中心位置からの相対座標に変換する相対座標算出部２１と、相対座標に対し重み付けを付加した座標データを生成する重み付け処理部２８と、座標データとフレームの中心位置との直線距離を算出する直線距離算出部３４と、直線距離に対応するシェーディング補正値を補正テーブルから求める補正値生成部３８，４１と、補正テーブルのデータ量を圧縮するテーブル圧縮部３５，３９と、シェーディング補正値に基づいて画素データをシェーディング補正する補正処理部４５とを備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の高信頼性を実現させる。
【解決手段】ダイシングシート２０の一方の主面に置かれた半導体素子１１を、当該ダイシングシート２０の他方の主面側から押し上げ、押し上げられた半導体素子１１上に、吸着コレット１００を近接配置する。そして、半導体素子１１の表面に気体を噴出し、気体を排出する。更に、半導体素子１１を、吸着コレット１００に保持しつつダイシングシート２０から剥離する。そして、半導体素子１１を、吸着コレット１００に保持しつつ支持部材上に搭載する。これにより、半導体装置の高信頼性が実現する。 （もっと読む）