【課題】本発明は、３次元（３Ｄ）メガネ及び３Ｄメガネの駆動方法に関しする。
【解決手段】本発明の実施形態に係る３Ｄメガネは、３次元（３Ｄ）映像が表示される映像表示装置から同期信号を受信し、前記受信した同期信号に相応するタイミング信号を生成して出力する第１駆動部と、電圧が入力され、前記タイミング信号に応じて前記入力された電圧を出力する第２駆動部と、前記同期信号を伝送する映像表示装置とのペアリング（Ｐａｉｒｉｎｇ）のための情報を保存し、前記第１駆動部の要請の際、前記保存した情報を出力する保存部と、左眼及び右眼グラスとを含み、前記第２駆動部の出力電圧に応じて前記左眼及び前記右眼グラスがオン及びオフ動作するレンズ部とを含む一方で、前記第２駆動部及び前記保存部は単一チップ（Ｃｈｉｐ）で構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】磁気トンネリング接合装置を具備する半導体メモリ装置、メモリ、メモリシステム及び電子装置が提供される。
【解決手段】磁気トンネリング接合装置が提供される。この装置は磁性膜を含む第１構造体と、少なくとも２つの外因性垂直磁化構造体を含み、前記外因性垂直磁化構造体の各々は磁性膜及び前記磁性膜上の垂直磁化誘導膜を含む、第２構造体と、前記第１及び第２構造体の間のトンネルバリアと、を包含できる。前記第２構造体は追加的な外因性垂直磁化構造体をさらに含み、その各々が磁性膜及び前記磁性膜上の垂直磁化誘導膜を含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】省電力モードでコントローラ側のメモリインターフェース部をオフにして省電力モードを実現できる電子装置及びマイクロコントローラ並びにそれらの制御方法を提供する。
【解決手段】電子装置において、ノーマルモードから省電力モードへの切替時セルフリフレッシュモードで動作するメインメモリと、省電力モードからノーマルモードへの切替時セルフリフレッシュモードを解除するための予設定信号を出力するメモリコントローラ部と、メモリコントローラ部から出力された予設定信号をメインメモリに伝送するメモリインターフェース部と、予設定信号が出力されたか否かを検出する信号検出部とを有し、メモリコントローラ部はノーマルモードから省電力モードへの切替時メモリインターフェース部をパワーオフさせ、省電力モードからノーマルモードへの切替時信号検出部によりプリセット信号の出力が検出されるとメモリインターフェース部をパワーオンさせる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、より手軽に音声又はモーションを入力できるように使用上の操作をガイドすることができるユーザインターフェースを提供する電子装置の制御方法及びそれを適用した電子装置を提供することにある。
【解決手段】 音声認識及びモーション認識を用いる電子装置の制御方法及びそれを適用した電子装置が提供される。電子装置は、認識された音声に応じて第１タスクの少なくともいずれか一つを行うことができる音声タスクモードで、前記第１タスクを行うための音声ガイド情報が表示されるように制御することができる。なお、電子装置は、認識されたモーションに応じて第２タスクの少なくともいずれか一つを行うことができるモーションタスクモードで、前記第２タスクを行うためのモーションガイド情報が表示されるように制御することができる。 （もっと読む）

【課題】自身の厚さを容易に縮める構造を有することによって、スライド型携帯端末機の厚さを縮めるのに寄与するバネモジュールを提供する。
【解決手段】本発明のバネモジュールは、軸方向に沿って相互に並行して延長される一対のワイヤー部を含む弾性部材と、前記弾性部材の両端部に各々提供される締結部材とを備えるバネモジュールであって、前記弾性部材は、前記ワイヤー部の一端で前記ワイヤー部を相互に連結する連結部をさらに備え、前記締結部材が軸方向から傾いた方向に位置した場合、前記弾性部材は、前記軸方向から傾いた方向に作用する弾性力を提供し、前記締結部材が相互に近接するか又は遠ざかる方向に変形される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、放送受信装置、放送信号に関する関連情報提供方法及びサーバーに関する。
【解決手段】 本発明によるネットワークを通じて所定のサーバーにアクセスできる放送受信装置は、放送プログラムを含む放送信号を受信する第１受信部と；前記放送プログラムに対応する関連情報を提供するための条件で前記関連情報を供給するソースを知らせる関連情報ソース情報を含む条件情報を受信する第２受信部と；前記関連情報ソース情報を利用して前記関連情報を受信し、前記条件情報に基づいて前記受信された関連情報を表示する関連情報提供部と；を含む。これによって、リアルタイムで放送信号に対応する関連情報を表示できる放送受信装置、放送信号に関する関連情報提供方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】高電子移動度トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板上に形成されたＨＥＭＴ積層物と、を備え、ＨＥＭＴ積層物は、２ＤＥＧを含む化合物半導体層と、化合物半導体層より分極率の大きい上部化合物半導体層と、上部化合物半導体層上に備えられたソース電極、ドレイン電極及びゲートと、を備え、基板は、シリコン基板より誘電率及び熱伝導度の高い窒化物基板であるＨＥＭＴ。該基板は、シリコン基板より誘電率及び熱伝導度の高い絶縁層、この絶縁層に蒸着された金属層及びこの金属層に付着されたプレートを備える。 （もっと読む）

【課題】医療映像処理方法及び装置、映像誘導を利用したロボット手術システムを提供する。
【解決手段】医療映像処理方法は、相異なる複数の医療映像撮影装置を利用して撮影された所定の臓器についての医療映像を獲得するステップと、前記獲得された医療映像それぞれから、前記獲得された医療映像それぞれに含まれた前記所定の臓器の表面情報をそれぞれ抽出するステップと、前記抽出されたそれぞれの表面情報を利用して、前記医療映像をマッピングするステップと、前記マッピング結果に基づいて、前記医療映像が整合された合成映像を生成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】セルダイオードを用いる相変移記憶素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】相変移記憶素子は、第１導電型の半導体基板及び前記半導体基板上に配置された複数のワードラインを備える。前記ワードラインは、前記第１導電型と異なる第２導電型を有して実質的に平らな上部面を有する。前記ワードラインのそれぞれの上部面上に前記ワードラインの長さ方向に沿って一次元的に配列された第１半導体パターンを提供する。前記第１半導体パターンは、前記第１導電型または前記第２導電型を有する。前記第１半導体パターン上に前記第１導電型を有する第２半導体パターンが積層される。前記ワードライン間のギャップ領域、前記第１半導体パターン間のギャップ領域、及び前記第２半導体パターン間のギャップ領域は絶縁膜で埋められる。前記絶縁膜の上部に複数の相変移物質パターンが二次元的に配列される。前記相変移物質パターンは前記第２半導体パターンにそれぞれ電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】抵抗変化物質を含む半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】印加された電圧によって抵抗が変化する抵抗変化物質をチャネル層として含む半導体素子及びその製造方法、前記半導体素子を含む不揮発性メモリ装置に係り、前記半導体素子は、絶縁基板上に配置されたチャネル層、前記チャネル層内に配置されたゲート電極、前記ゲート電極を取り囲むゲート絶縁膜、前記ゲート電極の両側面で、前記チャネル層上に配置されるソース電極及びドレイン電極、並びに前記基板と前記ゲート電極との間に配置される抵抗変化物質層を含み、これにより、前記半導体素子は、スイッチの機能と不揮発性メモリの機能とを同時に遂行することができる。 （もっと読む）