【課題】常時広ダイナミックレンジに対応するだけでなく、ユーザが撮影場面に応じてダイナミックレンジを切り替えられる固体撮像装置及びその動作方法を提供する。
【解決手段】フォトダイオード、転送トランジスタ、フローティングディフュージョン、付加容量素子、容量結合トランジスタ及びリセットトランジスタを有する画素が半導体基板にアレイ状に複数個集積され、フローティングディフュージョンの容量が、フォトダイオードの容量よりも小さく、画素の出力として、全ての画素においてフォトダイオードＰＤに蓄積された光電荷の一部または全部をフローティングディフュージョンＦＤに転送して得られる第１信号Ｓ₁が出力される、あるいは、全ての画素においてフォトダイオードに蓄積された光電荷の全部をフローティングディフュージョンと付加容量素子Ｃ_Ｓを結合して得られるポテンシャルに転送して得られる第２信号Ｓ₁＋Ｓ₂が出力される構成である。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ電極のファインピッチ化に対応した導体パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】導体パターンの形成方法は、基板１００の一方の面上に複数の銅パターン１１０を形成する工程と、各銅パターン１１０の一部を厚さ方向から押圧し、銅パターン１１０の一部の幅広領域１１２を形成する工程と、各銅パターン１１０上に半田粉末を付着させる工程と、銅パターン上の半田粉末を溶融し、隆起を有する半田めっきを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】広いダイナミックレンジを維持しながら、特に低照度領域で高感度化及び高Ｓ／Ｎ比化を実現することできる固体撮像装置及びその動作方法を提供する。
【解決手段】光を受光して光電荷を生成及び蓄積するフォトダイオードＰＤと、フォトダイオードから光電荷を転送する転送トランジスタＴｒ１と、転送トランジスタを通じて光電荷が転送されるフローティングディフュージョンＦＤと、フローティングディフュージョンを介してフォトダイオードに接続して設けられた付加容量素子Ｃ_Ｓと、フローティングディフュージョンと付加容量素子のポテンシャルを結合または分割する容量結合トランジスタＴｒ２と、付加容量素子またはフローティングディフュージョンに接続されたリセットトランジスタＴｒ３を有する画素が半導体基板にアレイ状に複数個集積され、フローティングディフュージョンの容量がフォトダイオードの容量よりも小さい構成である。 （もっと読む）

【課題】 基板の端子領域上に導電性ボールをより正確にかつ確実に搭載することができる導電性ボールの搭載装置を提供する。
【解決手段】 マイクロボール搭載装置２００は、基板１００の一面に形成された複数の端子領域１０８が開放されるように基板１００を載置するバックアッププレート２２０と、金属マスクを含み、基板の複数の端子領域１０８と対応する複数の貫通孔２１６が形成された振込みマスク２１０と、振込みマスク２１０が基板の一面と対向するように振込みマスクの端部２１０ａを固定する固定ブロック２３０と、振込みマスク２１０を磁力によりバックアッププレート２２０側に引き付けるマグネット部２４０とを有し、マグネット部２４０は、振込みマスクの中央部の引き付け力を、周縁部の引き付け力より小さくしている。 （もっと読む）

【課題】 ファインピッチ化に対応し、導電性ボールを確実にかつ効率良くマスクの貫通孔内に振込む振込み方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る振込み方法は、振込みマスク２００の表面を移動可能であり、かつマイクロボール３４０が供給される供給口３２０の周囲を回転するスキージ３１０によりマイクロボールに方向性を与えるヘッド３００を用いて、振込みマスク２００上に形成された複数の貫通孔２１０内にマイクロボール３４０を振り込む。この際、ヘッド３００に振動を与えながらヘッド３００を移動させ、マイクロボール３４０が振込みマスク２００の貫通孔２１０と遭遇する確率を向上させ、貫通孔２１０内に振り込ませる。 （もっと読む）

【課題】 ファインピッチ化に対応し、簡単な構成で比較的大きな電流を流すことができるプローブを提供する。
【解決手段】 本発明に係るプローブＰは、プローブホルダー１１０の貫通孔１１２内に保持されるものであって、金属の線材２００から構成される。線材２００には、その軸方向に第１の接圧部２１２、第１の接圧部２１２に接続されたバネ部２４２、バネ部２４２に接続された第２の接圧部２４４を一体に形成されている。バネ部２４２には、ドリル加工によって形成された螺旋状の溝２４０が形成されている。好ましくは、線材は、タングステンである。 （もっと読む）

【課題】回路の電源投入時や遮断時において当該回路の出力に生じるノイズの低減を図りつつ、当該回路の動作の開始や終了に要する時間を短縮できる電圧供給回路及び回路装置を提供する。
【解決手段】信号処理部１０に対する電源供給の開始や停止の際、信号処理部１０へ供給する参照電圧Ｖｒｅｆを連続的に変化させて、信号処理部１０の出力に生じる高周波のノイズを低減する。また、電圧設定部３０においてデジタル信号処理により参照電圧Ｖｒｅｆの波形の設定値を生成することによって、回路素子の値や回路構成の制約を受けることなく所望の波形を生成することが可能となり、信号処理部１０の出力ノイズの低減を図りつつ、参照電圧Ｖｒｅｆの変化時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】 高密度実装およびファインピッチ化に対応し極小のマイクロボールを搭載することができる搭載方法を提供する。
【解決手段】 本発明の搭載方法は、多孔質性のベース部材２１０、および複数の貫通孔２２２ａ、２２４ａが形成されベース部材２１０上に位置する２層構造のマスクセット２２０とを用意し、ベース部材２１０を真空吸引して貫通孔２２２ａ、２２４ａによって露出されたベース部材２１０の表面に吸着面を形成し、マイクロボール２６０をマスクセット２２０の貫通孔２２２ａ、２２４ａ内に落とし込み、マイクロボール２６０をベース部材２１０で吸着させる。そして、吸着されたマイクロボール２６０を基板１００の一面に形成された複数の端子領域１０８に押圧して転写させる。 （もっと読む）

【課題】同期型メモリと非同期型メモリとに並列的または同時的にアクセスするコントローラのピン端子数を削減すること。
【解決手段】ＳＤＲＡＭにカラム・アドレスをラッチさせたなら、その直後にＦＬＡＳＨへのアクセスを開始し、共有バスコントローラがアドレスバス上にＦＬＡＳＨに対する書き込みまたは読み出しのアドレスを出力する。そして、データバス上のデータ転送が終了した後に、共有バスコントローラが書き込みのデータを出力するか、もしくはＦＬＡＳＨがその読み出したデータをストローブ信号によりデータバス上に出力できるようにする。次いで、ＦＬＡＳＨでアドレスの入力が確定し、かつ共有バスコントローラがストローブ信号をアサートすると、ＦＬＡＳＨがデータバス上の書き込みデータを取り込むか、もしくは共有バスコントローラがデータバス上の読み出しデータを取り込む。 （もっと読む）

【課題】ターンオフ時間を短くできるサイリスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】基板に第１導電型の第１半導体領域２０が形成され、第１半導体領域の表層部に第２導電型の第２半導体領域２２とアノードとなる第２導電型の第３半導体領域２３とアノードゲートとなる第１導電型の第４半導体領域２４が形成され、また、第２半導体領域の表層部にカソードとなる第１導電型の第５半導体領域２６とカソードゲートとなる第２導電型の第６半導体領域２５が形成され、第１半導体領域と第２半導体領域の境界から第２半導体領域と第５半導体領域の境界までの領域における第２半導体領域の上層にゲート絶縁膜３０及びゲート電極３１が形成され、第３半導体領域、第４半導体領域、第６半導体領域及び第５半導体領域に入出力用の導電層が形成されており、第３半導体領域、第１半導体領域、第２半導体領域及び第５半導体領域からサイリスタが構成されている。 （もっと読む）