【課題】 ソルダーペーストを利用することなく、電子部品の接合を確実にかつ簡単に行うことができる信頼性の高い電子部品の実装方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体装置は、回路素子が形成されたシリコン基板１００と、シリコン基板１００上に形成された複数の突起状金属電極１１０Ａ、１１０Ｂと、Ａｕメッキされた電極１４２、１４４を有するキャパシタ１４０とを有する。キャパシタ１４０の電極１４２、１４４は、超音波熱圧着により突起状金属電極１１０Ａ、１１０Ｂと金属結合される。 （もっと読む）

【課題】ＡＤ変換において回路が占有する領域を拡大させず、かつ信号に含まれるノイズを増大させずに変換可能な固体撮像装置、ＡＤコンバータ及びＡＤ変換方法を提供する。
【解決手段】受光した光量に応じてアナログ信号を生成する画素が集積された受光面と画素に接続して設けられたアナログデジタル変換部とを有し、アナログデジタル変換部は、アナログ信号の信号強度に応じてアナログ信号の信号範囲を複数個の領域に区分する領域区分部（ＧＤＣ）、各領域にそれぞれ対応する上位ビットデジタル信号を生成し、領域ごとに異なるゲインでアナログ信号を増幅する増幅部（ＰＧＡ）、領域ごとに異なるゲインで増幅されたアナログ信号をデジタル化して下位ビットデジタル信号を生成する下位ビットデジタル信号生成部（ＡＤＣ）、上位ビットデジタル信号と下位ビットデジタル信号から全体デジタル信号を生成する全体デジタル信号生成部（ＯＤＢ）を有する構成である。 （もっと読む）

【課題】 ４０５ｎｍ近傍の短波長の光に対して安定した高感度を有する、フォトダイオードを含む半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＰＩＮフォトダイオード１００Ｃは、Ｐ型の基板１１０上に、Ｐ型のシリコン層１１２、Ｎ型のシリコン層１１４、フィールド酸化膜１１８、活性領域の表面を覆うシリコン酸化膜１２０ｃと、シリコン酸化膜１２０ｃを覆うシリコン窒化膜１２２ｃとを有する。フィールド酸化膜１１８は、活性領域内に向けて延在する延在部１６０を含み、延在部１６０の側部がシリコン酸化膜１２０ｃに接続され、延在部１６０の露出された表面部分が水素拡散のための領域となる。 （もっと読む）

【課題】ディスクリート部品を用いることなく必要な振幅のリップル成分を得ることができるリップルモード方式のスイッチング電源装置を提供する。
【解決手段】ＣＲ積分回路１１のキャパシタＣｉには、インダクタＬｏに印加される電圧の積分値に応じた電圧が発生する。キャパシタＣｉに生じるリップル電圧は、インダクタＬｏに流れるリップル電流と相似な波形を持つ。このキャパシタＣｉの電圧が電圧電流変換回路１２において電流Ｉｑに変換され、コンパレータ２における出力フィードバック電圧ＶＦＢの伝達経路上に設けられた抵抗Ｒ３に注入される。抵抗Ｒ３には、インダクタＬｏに流れるリップル電流に応じたリップル電圧（Ｉｑ×ｒ３）が生じる。このリップル電圧と出力フィードバック電圧ＶＦＢとの合成電圧が参照電圧Ｖｒｅｆと比較される。 （もっと読む）

【課題】規格等で定められた通信路の伝送レートを変更することなくデータの伝送能力を向上できる通信装置を提供する。
【解決手段】ソース側の通信装置において一のデータストリームが複数のデータストリームに分割され、分割されたデータストリームがそれぞれ別のチャンネルで伝送され、シンク側の通信装置において各チャンネルのデータストリームが１本に結合される。これにより、１つのチャンネルのみでデータストリームが伝送される従来の方式に比べて、全体の伝送能力を高めることができる。例えば、一のデータストリームをＮ本のデータストリームに分割してＮチャンネルで伝送する場合、各チャンネルの帯域を広げることなく、データストリームの伝送レートを標準のＮ倍にすることができる。 （もっと読む）

【課題】白色画素を有するイメージセンサにおいて高照度側でダイナミックレンジが制限される不利益を解消できる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の受光面に、白色画素Ｗ又は黄色画素と、少なくとも赤色画素Ｒ、緑色画素Ｇまたは青色画素Ｂとがアレイ状に集積され、白色画素Ｗまたは黄色画素が、フォトダイオードＰＤ、フォトダイオードから光電荷を転送する転送トランジスタＴ、転送トランジスタを通じて光電荷が転送されるフローティングディフュージョンＦＤ、フローティングディフュージョンを介してフォトダイオードに接続して設けられた付加容量素子Ｃ_Ｓ、フローティングディフュージョンと付加容量素子とを結合または分割する容量結合トランジスタＳ、付加容量素子またはフローティングディフュージョンに接続されたリセットトランジスタＲＳとを有する構成である。 （もっと読む）

【課題】 入力電圧が出力電圧の目標電圧以上になった場合における、消費電力の削減、誤動作の防止を図れる昇圧回路を提供する。
【解決手段】 制御回路モジュール５は、「出力電圧ＶＢｏｏｓｔが電圧ＯＶＲＥＦより高い」、且つ「電圧（ＶＩＮ＋ＶＯＦＦＳＥＴ）が出力電圧ＶＢｏｏｓｔより高い」という条件が満たされた場合において、制御信号ＨＣＮＴ２，ＬＣＮＴ２の双方をローレベル「Ｌ」に設定する。これにより、昇圧回路モジュール７において、スイッチＳＷＨがオフになり、スイッチＳＷＬがオンになり、Ｂ状態に強制的に切り換えられる。Ｂ状態では、スイッチＳＷＨがオンであるため、出力電圧ＶＢｏｏｓｔは入力電圧ＶＩＮに近くなり、電力損失を小さくできる。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤの発光駆動に際して定電流駆動回路で生じる消費電力を抑制・低減し、定電流駆動回路の安定・正常な動作を保証する。
【解決手段】ＬＥＤ装置は、ＬＥＤアレイ１２と、ＬＥＤドライバＩＣ１４(0)〜１４(N-1)と、ＤＣ−ＤＣコンバータ１６と、分圧抵抗２４，２６からなる第１のフィードバック回路と、コントローラ３８および第２のフィードバック回路８０とを有するヘッドルーム電圧監視回路とを備えている。第２のフィードバック回路８０は、ＬＥＤドライバＩＣ１４(0)〜１４(N-1)の電流端子ＯＵＴ₀〜ＯＵＴ_m-1にそれぞれ得られるヘッドルーム電圧ＨＶ₀〜ＨＶ_m-1をＤＣ−ＤＣコンバータ１６にフィードバックする。 （もっと読む）

【課題】 比較的簡易な構成により多様なファンクションテストを行うことができる試験装置を提供する。
【解決手段】 試験装置は、入力端子ＩＮ、出力端子ＯＵＴおよび制御端子ＣＴＲＬを含み、制御端子ＣＴＲＬに印加された制御信号に基づき出力端子がハイインピーダンス状態となる動作を含む半導体装置１を試験する。試験装置は、テスト信号供給回路２０と、出力端子から出力された出力信号と基準電圧とを比較する比較回路３０と、基準電圧をハイレベル側またはローレベル側の電圧に設定する基準電圧設定部４０と、制御信号が印加されたとき、出力信号に負荷電圧を供給する負荷電圧供給回路５０とを有する。負荷電圧供給回路５０は、基準電圧がハイレベル側に設定されたとき、当該ハイレベル側の電圧よりも高い負荷電圧を出力信号に供給し、基準電圧がローレベル側に設定されたとき、当該ローレベル側の電圧よりも低い負荷電圧を出力信号に供給する。 （もっと読む）

【課題】 回路素子領域への光の入射を抑制し回路素子を正常に動作させることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体装置２００は、基板１１０上に形成された受光素子領域１２０と、回路素子領域１３０と、回路素子領域１３０上に形成された多層配線領域２１０とを有する。多層配線領域２１０の表面２２２には、タンタルまたはタンタル化合物から成るタンタル膜２３０が形成され、回路素子領域１３０への光の入射を抑制する。 （もっと読む）