本発明の実施形態は、基板上に配置された誘電層上にキャッピング層を堆積するための方法を提供する。一例では、プロセスは、基板を堆積プロセスに曝して、この上に誘電層を形成するステップと、該基板をシリコン前駆体および酸化ガスの順次パルスに曝して、堆積プロセス中にシリコン含有層を該誘電層上に形成するステップと、該基板を窒化プロセスに曝して、この上にキャッピング層を形成するステップと、所定の時間該基板をアニーリングプロセスに曝すステップとを含む。該キャッピング層は約５Å以下の厚さを有していてもよい。一例では、該酸化ガスが、触媒を含有する水蒸気生成器によって処理された水素源ガスおよび酸素源ガスから生じた水蒸気を含有する。別の例では、該堆積、窒化およびアニーリングプロセスが同じプロセスチャンバで生じる。 （もっと読む）

本発明の実施形態により、高ドーパント濃度を含有するエピタキシャルシリコンゲルマニウム材料を選択的に堆積するなど、シリコン含有材料を堆積するためのプロセスが提供される。一実施例において、１つの層を別の層の上部に堆積するために、少なくとも２つの異なるプロセスガスに基板が曝される。１つのプロセスガスは、ジクロロシラン、ゲルマニウム源、およびエッチャントを含有し、次のプロセスガスは、シランおよびエッチャントを含有する。他の実施例において、プロセスガスが、ジクロロシラン、メチルシラン、および塩化水素、またはシラン、メチルシラン、および塩化水素を含有する。一態様において、堆積された層が、結晶格子内に格子間部位を有し、格子間部位内に約３ａｔ％以下の炭素を含有し、引き続き、結晶格子の置換部位内に炭素を包含するようにアニーリングされる。別の態様において、シリコンゲルマニウム積層体が、約２５ａｔ％以下、約２５ａｔ％以上、および約５ａｔ％以下のゲルマニウム濃度を含有する第１、第２、および第３の層を有する。 （もっと読む）

電気化学機械的処理で使用する保持リングを記載する。保持リングは導電部と非導電部とを備えた一般的に環状体を有する。非導電部は、研磨中、基板と接触する。研磨中、導電部を電気的にバイアスすることで、従来の電気化学機械的処理システムで起こりがちであったエッジ効果を低減する。

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本発明の実施形態は、原子層堆積（ＡＬＤ）等の気相堆積プロセス中に基板上に材料を堆積する装置と方法を提供する。一実施形態では、チャンバが、チャンバ蓋内に直接またはその上に取り付けられた漏斗状ライナー内に形成された断熱材料内に形成された膨張チャネルを収容している。チャンバは、膨張チャネル内でガス入口に結合され、渦、螺旋、渦巻等の円方向にガス流を提供するように位置決めされた少なくとも１個の導管をさらに含んでいる。チャンバは、保持リング、上プロセスライナー、下プロセスライナーまたはスリップ弁ライナーを収容することができる。ライナーは、通例、研磨表面仕上げを有しており、石英ガラスまたはセラミック等の断熱材料を含有している。代替的な実施形態では、堆積システムがＡＬＤチャンバに接続された触媒水蒸気発生器を収容する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、原子層堆積法（ＡＬＤ）などの気相堆積プロセス中に基板上に誘電材料を堆積するための方法を提供する。一例では、方法は、基板をハフニウム前駆体および酸化ガスに順次暴露して、その上に酸化ハフニウム材料を堆積するステップを含む。別の例では、ケイ酸ハフニウム材料が、基板を該酸化ガスと、ハフニウム前駆体およびシリコン前駆体を含有するプロセスガスとに順次暴露することによって堆積される。該酸化ガスは、水素源ガスおよび酸素源ガスを水蒸気発生器を介して流すことによって形成された水蒸気を含有する。 （もっと読む）

実施例はエッチング材料の供給（２１０）、水素を含む混合ガスの適用（２３０）、プラズマの発生（２４０）、エッチング材料のエッチング（２５０）を含むエッチング方法（２００及び１６００）を含む。エッチング材料は低ｋ誘電性材料を含み得る。混合ガスは水素ガス、水素非含有フルオロカーボン、窒素ガスを含み得る。また、１つ以上のハイドロフルオロカーボンガス、不活性ガス、及び/又は一酸化炭素を含み得る。水素ガスとしては、Ｈ_２、ＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_４、ＮＨ_３、及び／又はＨ_２Ｏガスを含む、二原子水素、炭化水素、シラン、及び／又はフッ素非含有水素ガスであってもよい。水素非含有フルオロカーボンガスはＣ_ｘＦ_ｙガス（ｘ≧１、ｙ≧１）、ハイドロフルオロカーボンガスはＣ_ｘＨ_ｙＦ_ｚガス（ｘ≧１、ｙ≧１、ｚ≧１）であってもよい。混合ガスは酸素非含有であってもよい。実施例は減圧、低流量水素、１つ以上のプラズマ周波数を含み得る。

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本発明においては大面積プラスチック基板上に低温無機膜を堆積させる方法及び装置が記載される。低温（＜８０℃）無機膜は、プラスチック基板にほとんど付着しない。それ故、接着性を改善するために低温（＜８０℃）プラズマ前処理が加えられる。プラズマ前処理した無機膜は、良好な接着と気密性を示す。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜を基板上に堆積し、その膜を後処理する方法を提供する。
【解決手段】後処理には、低誘電率膜を所望の高温まで急速に加熱し、その所望の高温に膜が露出される時間が約５秒以内になるように急速に冷却することを含む。一態様において、後処理は低誘電率膜を電子ビーム処理及び/又は紫外線処理に露出することも含む。

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導電材料と誘電体層間の接着層を堆積させるために基板を処理する方法が提供される。一態様においては、本発明は、基板を処理する方法であって、導電材料が基板表面上に配置された基板を配置するステップと、基板表面を還元化合物、シリコンベースの化合物、又はその双方に曝すステップと、基板表面の少なくとも一部と該還元化合物、シリコンベースの化合物、又はその双方とを反応させるステップと、炭化シリコン層を真空を破壊せずに堆積させるステップと、を含む前記方法を提供する。 （もっと読む）

膜スタックを処理するためのクラスタツール、処理チャンバ及び方法の実施形態が提供される。一実施形態においては、膜スタックのシリコン層と金属層をインサイチュエッチングするための方法であって、処理チャンバ内で膜スタックの金属上層をエッチングして下にあるシリコン層の一部を露出させるステップと、処理チャンバから基板を取り出さずにシリコン層におけるトレンチをエッチングするステップと、を含む前記方法が提供される。本発明は、フラットパネルディスプレイの薄膜トランジスタ製造に特に有用である。 （もっと読む）