化学機械的研磨の為の保持リングは、最上面、底面、内径面、外径面を備えた、ほぼ環状体を有する。底面は、複数のチャネルを含み、各々のチャネルは、内径面から外径面に伸び、丸くなった天井を有する。
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本発明による実施形態は、ワークピースの表面上方にプロセスガスを分配するためのシステム及び方法に関する。本発明の一実施形態によれば、プロセスガスは、供給源から、複数のオリフィスを画成するガス分配シャワーヘッドを通してワークピースの表面へ流される。又、ガス分配シャワーヘッドは、ウェハ表面上の材料を除去するための複数の排気オリフィスも特徴とする。シャワーヘッドの排気オリフィスにより与えられる補足的排気は、ウェハ表面を横切る半径方向の流れに起因するガス速度の変化を減少するように働き、これにより、ウェハの縁に生じる処理とウェハの中心に生じる処理との間の均一性を向上させる。分配アパーチャー面積と排気アパーチャー面積との比は、フェースプレートにわたって変化してもよいし、一定に保たれてもよい。更に、分配アパーチャー及び排気アパーチャーのサイズ及び数は、半導体ウェハ表面にわたるガス分布を最適にするように選択できる。 （もっと読む）

リテーニングリングは、該リングの底面を加工又はラッピングしてその底面に整形されたプロフィールを形成することにより、整形することができる。リテーニングリングの底面は、フラットな部分、傾斜した部分及び湾曲した部分を含むことができる。リテーニングリングの底面をラッピングするのに専用に使用されるマシンを使用してラッピングを行うことができる。ラッピング中に、リングの軸の周りでリングを自由に回転するのを許すことができる。リテーニングリングの底面は、湾曲した部分又はフラットな部分をもつことができる。 （もっと読む）

マイクロプロセッサ製造工程を収容するチャンバ内で合わせられた熱伝逹プロファイルを得るための方法および装置であって、チャンバの熱伝逹特性を評価するステップと、ウエハの熱吸収特性を評価するステップと、熱伝逹特性を補正するために、チャンバの物理的特徴を調整するステップと、上記チャンバを利用してマイクロプロセッサを製造するステップとを含む方法および装置。 （もっと読む）

基板ｗを収容して洗浄するように適合されたタンク１０３と、該タンク内に配置されたスクラバーブラシ１０６ａ、１０６ｂの端部に結合するように適合された、該タンクの外部の支持体１０７、１０９と、該支持体の各々に取り付けられ、かつ該スクラバーブラシを回転させるように適合されたモータ１１１と、該支持体が、該スクラバーブラシのトーインを可能にするように適合された球面軸受１２７を介してそれに対して枢動的に取り付けられているベース１１３と、該スクラバーブラシが、該基板との接触または該接触の中断を実質的に同時に実現できるように、クランクおよびロッカー機構１１７を介して、該支持体を互いに向けてまたは互いに対して離して実質的に同時に枢動させるように適合されたブラシギャップと、該スクラバーブラシ間のトーイン角度を調整するために、２つの球面軸受を互いに向けてまたは互いに離して動かすように適合されたトーインアクチュエータとを含むスクラバーボックス１０１が提供される。 （もっと読む）

本発明の一実施形態は、（ａ）チャンバと、（ｂ）上記チャンバの内部に露出される比較的大きな表面積を有するカソードと、（ｃ）上記チャンバ内部に配置され、作動距離位ほどカソードから離隔されているホールを有するアノードと、（ｄ）上記アノードと対向する上記チャンバの内側に配置されたウエハホルダと、（ｅ）その出力が上記カソードに印加され、カソード電圧を提供する負電圧源と、（ｆ）その出力が上記アノードに印加される電圧源と、（ｇ）上記チャンバ内にガスが導入速度で入るよう適合されたガス入口と、（ｈ）上記チャンバからガスを排出速度で排出するように適合されたポンプを含む電子ビーム処理装置であって、上記導入速度及び排出速度は、上記チャンバ内のガス圧力を提供し、カソード電圧、ガス圧力、及び作動距離の値は、カソードとアノード間にアークがなく、作動距離が電子平均自由行路より大きくなるようにする装置である。 （もっと読む）

研磨を受ける基板の摩擦係数をモニタするシステム方法及び装置が記載されている。研磨パッドアセンブリは、研磨面を含む研磨層と、基板の露出面に接触する上面を有する、該研磨層に柔軟に結合された基板接触部材とを含む。該上面の少なくとも一部は、該研磨面と実質的に同一平面である。該基板接触部材の横方向の変位を測定するために、センサが設けられている。いくつかの実施形態は、下にある層の露出を指し示す、化学機械的研磨中の正確な終点検知を実行できる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般的には、メッキ溶液の組成物、メッキ溶液を混合する方法及びメッキ溶液でキャッピング層を堆積させる方法を提供する。本明細書に記載されるメッキ溶液は、導電性特徴部上にキャッピング層を堆積させるために無電解堆積溶液として用いることができる。メッキ溶液はむしろ希釈溶液であり、導電性特徴部上で自己開始する強力な還元剤を含有する。メッキ溶液は、粒子を含まないキャッピング層を堆積させつつ導電層のためのインサイチュ洗浄プロセスを提供することができる。一実施形態においては、脱イオン水と、第１錯化剤を含む調整緩衝溶液、コバルト源と第２錯化剤を含むコバルト含有溶液、次亜リン酸塩源とボラン還元剤を含む緩衝化還元溶液とを合わせることを含む無電解堆積溶液を形成する方法が提供される。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、一般的に、流体処理プラットフォームを提供する。該プラットフォームは基板搬送ロボットを有するメインフレームと、該メインフレーム上の少なくとも１つの基板洗浄セルと、少なくとも１つの処理エンクロージャとを含む。該処理エンクロージャは、処理エンクロージャの内部と流体連通状態に位置決めされたガス供給源と、エンクロージャ内に位置決めされた第一流体処理セルと、第一流体処理セル内での処理のために基板を支持するように位置決めされた第一基板ヘッドアセンブリと、エンクロージャ内に位置決めされた第二流体処理セルと、第二流体処理セル内での処理のために基板を支持するように位置決めされた第二ヘッドアセンブリと、第一および第二流体処理セルの間に位置決めされ、流体処理セルとメインフレームロボットとの間で基板を移送するように構成された基板シャトルとを含む。 （もっと読む）

所定の規格化直径を有する基板を処理中に支持するための基板ヒーターアセンブリが提供される。一実施形態においては、基板ヒーターアセンブリは、上面を有する本体、下面、および内蔵加熱素子を含む。基板支持面が、本体の上面に形成され、基板収容ポケットの部分を画成する。環状壁が、上面に垂直に位置付けられ、基板の厚さの少なくとも１／２の長さを有する。壁は、基板収容ポケットの外周を画定し、所定の基板直径よりも多くとも約０．５ｍｍだけ大きい直径を有する。 （もっと読む）