本発明の実施形態は、基板表面に、通常はバリヤ層に銅シード層を堆積させる方法を教示している。その方法は、基板表面を銅溶液に入れるステップであって、該銅溶液が錯体形成銅イオンを含んでいる、前記ステップを含んでいる。電流又はバイアスを基板表面に印加し、錯体形成銅イオンを還元してバリヤ層に銅シード層を堆積させる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、電気化学めっきセル１００を提供する。該めっきセルは、陽極液コンパートメント及び陰極液コンパートメントを有する流体ボウル１０１、１０２と、該陽極液コンパートメントと該陰極液コンパートメントとの間に配置されたイオン膜１１２と、該陽極液コンパートメント内に配置された陽極とを含み、該イオン膜は、ポリテトラフルオロエチレンをベースとするアイオノマーを備える。 （もっと読む）

本発明の実施形態は概して、電気化学機械的研磨システムにおいて基板を処理するための方法および装置を提供する。一実施形態において、基板を研磨するためのセルは、プラテンアセンブリの最上面に配置された研磨パッドを含む。複数の導電素子が上部研磨表面にわたって間隔をあけて配列されており、また該パッドと該プラテンアセンブリ間に配置された電極に対して該基板をバイアスするように適合される。複数の通路が、該最上面と該プラテンアセンブリ内に画成されたプレナムとの間に該プラテンアセンブリを介して形成される。別の実施形態において、バルク研磨セルおよび残渣研磨セルを有するシステムが提供される。該残渣研磨セルはバイアスされた導電性研磨表面を含む。更なる実施形態において、該導電素子はプロセス化学による攻撃から保護される。 （もっと読む）

クロック又はサンプリング信号を発生する回路は、量子ドットの領域を含む半導体量子ドットレーザ素子であって、量子ドットの領域が、少なくとも約１０ｍｅＶの半幅を有する放出分布で特徴付けられるような量子ドットレーザ素子と、周期的な、均一離間された一連のパルスを出力するモードロックレーザとして量子ドットレーザ素子を動作するために量子ドットレーザ素子に接続された駆動回路であって、クロック又はサンプリング信号が上記一連のパルスから導出されるような駆動回路と、を備えている。 （もっと読む）

本発明の１つの態様は、プラズマスパッタリアクタのチャンバー壁の外側に位置された補助的磁石リングであって、特に、スパッタ堆積されている基板をスパッタエッチングするためにプラズマを誘導的に発生するのに使用されるＲＦコイルの半径方向外方に少なくとも一部分配置された補助的磁石リングを包含する。従って、磁気バリアが、プラズマがコイルへと外方に漏れるのを防止し、スパッタエッチングの均一性を改善する。また、この磁界は、コイルが、一次ターゲットと同じ材料で作られているときに、二次ターゲットとして使用されるときには、マグネトロンとしても働く。本発明の別の態様は、ターゲットからペデスタルへと延び、滑らかな内面をもち、且つシールド中央部が環状フランジで支持された一部片の内部シールドを包含する。このシールドは、ＲＦコイルを支持するのに使用されてもよい。 （もっと読む）

光学信号を運ぶために自身内部に形成された導波路を含んだ半導体基板と、導波路内で直列に長手方向に沿って配置された複数の検出器とを含む光学信号分配ネットワークであって、それぞれの検出器は、それらを通して光学信号を検出することが可能であって、光学信号を複数の検出器のすべてに到達させることができるほどにその光学信号に対して十分に透明で、また複数の検出器のすべてによって検出できる。
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以下の段階が含まれる、検出器の作製方法である。上面を有する基板中にトレンチを形成する段階と；前記基板上及び前記トレンチ中に、第１ドープ半導体層を形成する段階と；前記第１ドープ半導体層上及び前記トレンチ中に延在して、第１ドープ半導体層の伝導度よりも低い伝導度を有する第２ドープ半導体層を形成する段階と；前記第２ドープ半導体層上及び前記トレンチ中に延在する第３ドープ半導体層を形成する段階と；前記第１、第２及び第３ドープ半導体層における、上面、実質的な平面を作製して前記トレンチ中の第１ドープ半導体層の上端を露出させるために、前記基板の表面で画定される平面よりも上方の部分を除去する段階と；前記第１ドープ半導体層への第１電気的コンタクトを形成する段階と；前記第３ドープ半導体層への第２電気的コンタクトを形成する段階と、を有する。

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基板の研磨を監視するための技術を実施する方法及び装置。２つ以上のデータ点が取得され、各データ点は、センサの感知領域内の特徴部により影響される値を有すると共に、感知領域が基板を横断していくときに基板(10)とセンサとの相対的位置に対応する。基準点のセットを使用して、取得したデータ点を変更する。この変更は、基板を横断する感知領域により生じる取得したデータ点の歪を補償する。変更されたデータ点に基づき、基板の局部的特性を評価して、研磨を監視する。 （もっと読む）

１以上の物質層のバリヤ層を原子層堆積により堆積させるために基板を処理する方法が提供される。一態様においては、金属含有化合物の１以上のパルスと窒素含有化合物の１以上のパルスを交互に導入することにより基板表面の少なくとも一部上に金属窒化物バリヤ層を堆積させるステップと、金属含有化合物の１以上のパルスと還元剤の１以上のパルスを交互に導入することにより金属窒化物バリヤ層の少なくとも一部上に金属バリヤ層を堆積させるステップとを含む基板を処理する方法が提供される。金属窒化物バリヤ層及び/又は金属バリヤ層の堆積前に基板表面上で浸漬プロセスが行われてもよい。 （もっと読む）

窒化タンタル／タンタルバリア層を堆積させるための方法および装置が、集積処理ツールでの使用のために提供される。遠隔発生プラズマによる洗浄ステップの後、窒化タンタルは原子層堆積法で堆積され、タンタルはＰＶＤで堆積される。窒化タンタル／タンタルは、堆積された窒化タンタルの下の導電性材料を露呈するために、誘電体層の部材の底部から除去される。場合によって、さらなるタンタル層が、除去ステップの後に物理気相堆積法で堆積されてもよい。場合によって、窒化タンタル堆積およびタンタル堆積は同一の処理チャンバで生じてもよい。シード層が最後に堆積される。 （もっと読む）