導電性材料層が配置された基板を処理する方法であって、基板を処理装置に位置させるステップと、基板に第１の研磨組成物を供給するステップとを備えた方法が提供される。研磨組成物は、燐酸、少なくとも１つのキレート化剤、腐食防止剤、塩、酸化剤、磨き剤粒状物、約４から約７のｐＨを与えるための少なくとも１つのｐＨ調整剤、及び溶媒を含む。この方法は、更に、導電性材料層に不動態化層を形成するステップと、この不動態化層を除去して、導電性材料層の一部分を露出させるステップと、基板に第１バイアスを印加するステップと、導電性材料層の少なくとも約５０％を除去するステップとを備えている。この方法は、更に、第１研磨組成物から基板を分離するステップと、基板を第２研磨組成物及び第２バイアスに露出させるステップと、導電性材料層を除去し続けるステップとを備えている。 （もっと読む）

半導体基板と；前記半導体基板中または前記半導体基板上に形成された光導波路と；そして、作動中に光導波路からの光信号を受信するために光導波路に沿って配列され、前記半導体基板中または前記半導体基板上に形成された光検出器と；を備え、前記光検出器は、第１電極と；第２電極と；前記第１電極及び第２電極との間の中間層とを備え、前記中間層は、伝導帯、価電子帯、伝導帯及び価電子帯間に導入された深い準位のエネルギー状態で特徴づけられる半導体材料を備える、光回路。
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本発明の実施形態は、半導体処理システム（３２０）の前駆物質を生成する装置に関する。装置は、側壁（４０２）、上部、底部を有するキャニスタ（３００）を含んでいる。キャニスタ（３００）は、上の領域（４１８）と下の領域（４３４）を有する内容積（４３８）を画成している。一実施形態においては、装置は、更に、キャニスタ（３００）を部分的に取り囲んでいるヒータ（４３０）を含んでいる。ヒータ（４３０）によって、上の領域（４１８）と下の領域（４３４）間に温度勾配が生じる。また、精製ペンタキス(ジメチルアミド)タンタルから原子層堆積によってバリヤ層、例えば、窒化タンタルバリヤ層を形成する方法も特許請求される。 （もっと読む）

窒化ゲート誘電体層を形成するための方法及び装置。この方法は、電子温度スパイクを減少するために、滑らかに変化する変調のＲＦ電源により処理チャンバー内に窒素含有プラズマを発生することを含む。電源が滑らかに変化する変調のものであるときには、方形波変調のものに比して、電界効果トランジスタのチャンネル移動度及びゲート漏洩電流の結果が改善される。 （もっと読む）

リソグラフィマスクの金属含有物質をエッチングするための装置は、チャンバとチャンバ内にマスクを支持するための支持体とを有する。金属含有物質の上に、マスクは側壁をもつ特徴部を有するレジスト層を備えている。ガス分配器、ガスエナジャイザ、ガス排気口が設けられている。ガス分配器、ガスエナジャイザ、及びガス排気口の１つ以上を制御して（ｉ）レジスト層において特徴部の側壁上に犠牲コーティングを堆積させ、（ｉｉ）マスクの金属含有物質をエッチングするように適合されているコントローラが設けられている。金属含有物質の上に横たわるレジスト層における特徴部の側壁の同時エッチングがその上に形成された犠牲コーティングによって低減される。
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本発明の実施形態は、一般に、電気化学的メッキシステムを提供する。このメッキシステムは、メインフレーム処理プラットホームに連通して位置された基板ロードステーションと、メインフレームに位置された少なくとも１つの基板メッキセルと、メインフレームに位置された少なくとも１つの基板ベベル洗浄セルと、メインフレーム及びロードステーションの少なくとも一方に連通して位置されたスタック型基板アニールステーションとを備え、このスタック型基板アニールステーション内の各チャンバーは、加熱プレートと、冷却プレートと、基板移送ロボットとを有している。 （もっと読む）

窒素を含む誘電体膜を形成するための方法。この方法は、プラズマ窒化プロセスを使用して誘電体膜に窒素を組み込んで、酸窒化シリコン膜を形成するステップを含む。該酸窒化シリコン膜はまず、約７００℃〜１１００℃の温度で不活性または還元雰囲気においてアニーリングされる。該酸窒化シリコン膜は、約９００度〜１１００℃の温度で酸化雰囲気において２回目のアニーリングがなされる。 （もっと読む）

診断器具つまりデータ取得装置は、通信インタフェース仕様と、試験する種々のクラス（モデルやバージョン）の機器によって出力された診断属性（例えばセンサ測定結果や動作条件）の他の特性とを記憶するためのデータベースを有している。データベースレコードは、１クラスの機器を識別する第１のフィールドと、該クラスの機器によってその値が出力される診断属性を（例えば、名称や記述によって）識別する第２のフィールドと、第３のフィールドとを含む。第３のフィールドは、診断装置が、該レコードの第１のフィールドによって識別されているクラスのＵＵＴ機器から、第２のフィールドによって識別されている属性値を検索することができるＩＤ（例えば物理信号線、物理アドレスまたは論理アドレス）を特定可能である。あるいは、第３のフィールドは、診断属性が送信される通信インタフェースを識別可能である。 （もっと読む）

【課題】 処理対象となる半導体ウェハ（基板）の面内温度分布の均一性が向上されるサセプタを用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 サセプタ２２上面のウェハ保持エリア５０において、ウェハＷとウェハ加熱面５２との間に所定距離の隙間を生じるようにウェハ支持部５４でウェハＷを支持する。さらに、ウェハ加熱面５２上に、ウェハＷとの隙間の距離が小さくなる凸部５８を設ける。このとき、サセプタ２２からウェハＷへの加熱条件がウェハ保持エリア５０の各部位での隙間の距離によって調整され、これによって、ウェハＷ面内での温度分布の均一性、及び成膜される膜厚分布の均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 チャンバ本体と排気装置組立体との間の、より緻密な設計と熱伝導の改善を提供することにより設備メンテナンスを容易にする代替を提供する。
【解決手段】 バルブ組立体２００は、内部弁座と複数のアダプタポートを有するバルブ本体２０２を備える。非金属封止材料が、隣接の真空部品の合わせ面間の真空封止を提供し、合わせ面間の物理的直接接触が、バルブ組立体２００内での良好な熱伝導を確保する。 （もっと読む）