本出願は、基板を乾燥させるためのシステムを説明し、そのシステムは、チャンバと、チャンバ内に位置決めされた上部エッジを有する内側容器とを含む。プロセス流体が、内側容器の中へ向けられ、そして、上部エッジを越えて流れ落ちる。内側容器の上部エッジが下げられ、それによって、基板の表面を横断するカスケードレベルを下げ、それと同時に、乾燥蒸気が、チャンバの中へ流し込まれる。カスケードレベルが、基板の表面を横断するように減少するにつれて、基板表面は、乾燥蒸気に曝される。境界層を薄くすることを使用した乾燥を促進するために、高周波超音波エネルギーが、内側容器の中へ送出されてもよい。 （もっと読む）

リフトアセンブリは基板を基板サポートから持ち上げ、かつ該基板を移送することができる。該リフトアセンブリは、該基板サポートの周辺に嵌合するようにサイズ設定されたフープと、該フープ上に搭載された１対のアーチ状フィンとを有しており、各アーチ状フィンは半径方向内側に延びる出っ張りを有する１対の対向端を備えており、各出っ張りは基板を持ち上げるための隆起した突起を有しており、該基板は実質的に該隆起した突起のみに接触して、該１対のフィンが該基板サポートから該基板を持ち上げるのに使用される場合に、該出っ張りとの接触を最小化することができる。該リフトアセンブリおよび他のプロセスチャンバコンポーネントは、（i）炭素および水素と（ii）シリコンおよび酸素の相互リンクネットワークを有するダイアモンド状コーティングを有することができる。該ダイアモンド状コーティングは、約０．３未満の摩擦係数と、少なくとも約８ＧＰａの硬度と、約５×１０^１２原子／ｃｍ^２未満の金属の金属濃度レベルとを有する接触表面を有する。該接触表面は、直接的または間接的に基板に接触する場合に、基板の汚染を削減する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスク製造において、化学増幅フォトレジストの環境過敏性を、保護的ではあるが透過性のある材料の薄いコーティング（トップコート）でフォトレジストを被覆することで除去、又は少なくとも実質的に低減する。
【解決手段】フォトマスクパターンの直接書込みに必要とされる典型的には約２０時間という長時間にわたって、向上した安定性を提供するために、保護トップコート材料のｐＨは可能な限り中性に調整され、その他の処理変数要件に依存する。例えば、約５〜約８にｐＨを調整するのが特に有用である。保護トップコートのｐＨを調整した場合、直接書込み中の化学増幅フォトレジストの安定性が向上するだけでなく、ｐＨを調整したトップコートをその上に被覆したフォトレジスト被覆基板は、悪影響を受けることなく、イメージング前により長期間にわたって保存することが可能である。 （もっと読む）

一実施形態において、本発明は、一般に、基板上に堆積されたドープされた層をアニールするための方法を提供する。この方法は、ゲート酸化物層のような基板の表面に多結晶層を堆積するステップと、この多結晶層にドーパントを注入して、ドープされた多結晶層を形成するステップとを備えている。この方法は、更に、ドープされた多結晶層を急速加熱アニールに露出して、多結晶層全体にわたりドーパントを容易に分配するステップを備えている。その後、この方法は、ドープされた多結晶層をレーザアニールに露出して、多結晶層の上部のドーパントを活性化するステップを備えている。レーザアニールは、ドーパント、即ち原子を多結晶材料の結晶格子へ合体させる。 （もっと読む）

【課題】基板表面から導電性材料を除去するための研磨組成物及びその方法を提供する。
【解決手段】一態様において、硫酸又はその誘導体と、リン酸又はその誘導体と、有機塩を含む第１キレート剤と、ｐＨを約２〜約１０にするためのｐＨ調整剤と、溶媒とを含む、基板表面から少なくとも導電材料を除去するための組成物が提供される。組成物はさらに第２キレート剤を含んでいてもよい。この組成物は一段階又は二段階方式の電気化学的機械的平坦化処理において使用することができる。記載の研磨組成物及び方法は、平坦化に伴う欠陥の発生を減しつつ、基板表面からのタングステン等の材料の有効除去速度を改善する。

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我々はレチクル製造のために限界寸法バイアスを減少させてきた。レチクル基板の放射線阻止層へのパターン転写は、本質的に、パターンがフォトレジストから転写されるハードマスクの使用に左右される。ハードマスクへのパターン転写の間に生じるフォトレジストプルバックは最小にされる。更に、放射線阻止層の反射特性に適合する反射防止特性を持つハードマスク材料が、限界寸法サイズの減少とハードマスク自体におけるパターン特徴部の完全性の改善を可能にする。放射線阻止層上に残った反射防止ハードマスク層は、レクチルが半導体デバイス製造プロセスに用いられる場合に機能性を与える。
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【課題】無電解堆積システムを提供する。
【解決手段】システムは処理メインフレームと、そのメインフレーム上の少なくとも１つの基板洗浄部と、そのメインフレーム上に位置する無電解堆積部を含む。無電解堆積部は、環境が制御された処理筐体と、基板の表面を洗浄及び活性化するために配置された第１処理部と、基板表面に層を無電解で堆積するために配置された第２処理部と、第１処理部と第２処理部の間で基板を搬送するために位置する基板搬送シャトルを含む。システムは、メインフレーム上に位置し処理筐体の内部にアクセスするために配置された基板搬送ロボットも含む。システムは、処理筐体に搭載された基板へ噴霧プロセスを使用することにより、プロセス流体を搬送するように配置された流体搬送システムも含む。

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洗浄する為に１以上の処理溶液を用いて多層を無電解で堆積させ、その後、単一処理セルを用いて導電性表面上に不連続の又は種々の組成をもつ金属膜を無電解で堆積させるための方法及び装置。プロセスは、導電性表面上での酸化物の形成を最小限にするために、洗浄ステップと無電解堆積プロセスステップの間、導電性表面を酸素にさらすのを最小限にするか防止することによるインサイチュ洗浄ステップを含んでいる。一態様においては、１以上の処理溶液に用いられる化学成分は、種々の化学成分の相互作用が、相互作用流体のそれぞれの望ましい特性が急激に変化しないように選ばれる。連続無電解堆積プロセスは、以下の元素、すなわちコバルト、タングステン、リン又はホウ素の少なくとも２つを含む第一層と、以下の元素、すなわちコバルト、ホウ素又はリンの少なくとも２つを含む第二層とを形成するために用いることができる。 （もっと読む）

【課題】第１の態様で、スクラバブラシアセンブリを組立てるための方法が提供される。
【解決手段】その方法は、（１）スクラバブラシの開口部に１又はそれ以上の挿入物を挿入し、スクラバブラシの開口部はスクラバブラシの内表面により形成され、（２）スクラバの開口部にマンドレルを挿入し、これによって１又はそれ以上の挿入物をマンドレルの外表面とスクラバブラシの内表面との間に位置させ、（３）１又はそれ以上の挿入物を除去し、マンドレルの外表面がスクラバブラシの内表面と接触できるようにし、これによってマンドレルにスクラバブラシを装着する工程を含む。他の数多くの態様が提供される。

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本発明は、半導体処理チャンバのためのプロセスキットを提供する。処理チャンバは、内部処理領域を画成するチャンバ本体を含む真空処理チャンバである。処理領域は処理のための基板を受容し、また、プロセスキットの装置部分を支持する。プロセスキットは、処理チャンバの処理領域内に配置されるように構成されたポンピングライナ（４１０）と、ポンピングライナの外径に沿って配置されるように構成されたＣチャネルライナ（４２０）とを含んでいる。ポンピングライナとＣチャネルライナは、処理領域からの処理ガス又は洗浄ガスのパラシティックポンピングを阻止するように設計された新規なインターロッキング特徴部（４１４、４２４）を有する。本発明は、更に、記載されたキットのような改善されたプロセスキットを有する半導体処理チャンバを提供する。一配置においては、チャンバはタンデム処理チャンバである。 （もっと読む）