リソグラフィを介して形成されたパターンにおいて、丸くなった角、ライン端部の短縮のような欠陥を補正する為の方法および装置を提供する。このような欠陥は、ピクセル・マップのグレースケール値を操作することにより、「後のラスタライゼーション」で補正される。
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基板を処理する方法であって、フェニル基を含む有機シリコン化合物を含む処理ガスを処理チャンバに供給するステップと、処理ガスを反応させて低ｋ誘電物質によるダマシン又はデュアルダマシン適用においてバリヤ層として用いられる低ｋシリコンカーバイドバリヤ層を堆積させるステップとを含む、前記方法が提供される。低ｋシリコンカーバイドバリヤ層上に酸素を含まない有機シリコン化合物を含む処理ガスからのシリコン原子にフェニル基がほとんど結合されていないシリコンカーバイドキャップ層を堆積する方法が提供される。
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従来システムの低い解像度及び甚だしい直線性要求を克服する高データレート電子ビームスポット格子アレー像形成システムが提供される。実施形態は、像形成されるべき物体の表面上に互いに離間されたスポットのアレーを同時に照射するための電子ビーム発生器と、上記スポットと上記物体の表面との相互作用の結果として放出される後方散乱電子及び又は二次電子を収集して、上記物体表面の照射部分の像を形成するための検出器とを備えた像形成システムを含む。機械的システムが、上記スポットのアレーの軸にほぼ平行な方向に基板を移動し、その基板が走査方向（ｙ方向）に上記スポットアレーを横切って移動されたときに、上記スポットは、機械的な交差走査方向（ｘ方向）にギャップを残さない経路をたどる。サーボ又は可動ミラーのような補償装置が、可動ステージにおける機械的な不正確さを補償し、これにより、像形成精度を高める。他の実施形態では、基板に対して異なる角度で配置された多数の検出器が電子を収集し、基板表面の多視点像形成を与える。
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欠陥を検出する方法。この方法は、オブジェクト像内で理論的に対称的な窓を識別する手順と、前記理論的に対称的な窓の予想される対称性に基づいて前記理論的に対称的な窓を分析する手順と、前記予想される対称性からの偏差に基づいて欠陥の存在を決定する手順とを備えている。
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表面に対して斜めのビュー角度に沿って表面のエリアを像形成するための装置は、ビュー角度に向けられた光学軸に沿ってエリアから光学放射を収集することによりエリアの初期傾斜像を形成するように適応された無限焦点光学リレー(192)を備えている。傾斜補正ユニット(194)が、初期像の傾斜を補正するように結合されて、実質的に無歪の中間像を形成する。中間像を像検出器に収束するために拡大モジュール(198)が結合される。
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熱処理装置は、ステージ(216)と、連続波(CW)電磁放射ソース(202)と、一連のレンズ(210)と、並進移動メカニズム(218)と、コントローラ(226)とを備えている。ステージ(216)は、基板(214)を受け取るように構成される。ＣＷ電磁放射ソース(202)は、ステージ(216)に隣接して配置され、基板(214)に向う経路に沿ってＣＷ電磁放射を放出するように構成される。一連のレンズ(210)は、ＣＷ電磁放射ソース(202)とステージ(216)との間に配置されて、ＣＷ電磁放射を基板(214)の表面上におけるＣＷ電磁放射の線(222)へと凝縮するように構成される。
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サンプルを検査する装置は、サンプルの表面のエリアに光学放射を向けるように適応された放射ソースと、複数の像センサとを備えている。各像センサは、上記エリアから異なる各々の角度範囲へ散乱された放射を受け取って、上記エリアの各像を形成するように構成される。像プロセッサは、各像の少なくとも１つを処理して表面上の欠陥を検出するように適応される。
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基板をメッキするための方法及び装置であって、該装置が、中に位置決めされた少なくとも１つの基板移送ロボットを有する中央基板移送エンクロージャを含む、方法及び装置。該中央基板移送エンクロージャと連通している基板活性化チャンバが設けられており、少なくとも１つの基板移送ロボットに接近できるようになっている。該中央基板移送エンクロージャと連通している基板スピン・リンス・ドライ・チャンバが設けられており、少なくとも１つの基板移送ロボットに接近できるようになっており、また、該中央基板移送エンクロージャと連通しているアニールチャンバが設けられており、少なくとも１つの基板移送ロボットに接近できるようになっている。また、基板移送チャンバと連通し、かつ少なくとも１つの基板移送ロボットに接近可能な、少なくとも１つの基板ポッドローダも設けられている。
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【課題】カセットからのウェーハの飛び出しを、簡略な構造にて、高精度に検出できるウェーハ検出装置を提供する。
【解決手段】開口部１１を画定する壁部１０に、ウェーハＷを収納するカセットＣを密着させ、開口部１１を通してウェーハＷの出し入れを行う際に、カセットＣ内の収納位置から飛び出したウェーハの有無を検出するために、壁部１０に形成された開口部１１の側部において、ウェーハの主面と平行な方向においてウェーハの外周部に検出用の光を照射するための透過型又は反射型の光センサ１０１、１１１と、光センサをウェーハの配列方向に走査させる駆動機構としてのシャフト１０３、１１３、連結バー、リードスクリュー及びモータを設けた。これにより、装置を小型化しつつ、高精度に検出することができる。 （もっと読む）

処理チャンバに配置された材料をアニールしてケイ化物層を形成するための方法及び装置が提供される。１つの態様において、シリコン材料が配置された基板を、チャンバ内の基板支持体上に配置するステップと、少なくともシリコン材料上に金属層を形成するステップと、上記基板をその場でアニールして、金属ケイ化物層を生成するステップとを備えた基板面を処理する方法が提供される。別の態様において、この方法は、ロードロックチャンバと、該ロードロックチャンバに結合された中間基板移送領域であって、第１基板移送チャンバ及び第２基板移送チャンバで構成される中間基板移送領域と、上記第１基板移送チャンバに配置された物理的気相堆積処理チャンバと、上記第２基板移送チャンバに配置されたアニールチャンバとを備えた装置において実行される。
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